CN109412549B - 体声波谐振器 - Google Patents

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Abstract

提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；下电极，形成在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分形成在腔上；压电层，形成在所述下电极上；上电极，形成在所述压电层上；膜层，形成在所述下电极下方，并且与所述基板一起形成所述腔；以及突出部，形成在所述膜层上，并且在远离所述膜层延伸的方向上形成在所述腔中。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2017年8月17日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0104415号韩国专利申请以及于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012038号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种体声波谐振器。
背景技术
体声波谐振器(BAW)通常包括下电极、压电层和上电极，并且通过由压电层的变形在竖直方向上传播的振动的基本模式操作。然而，体声波谐振器也产生在水平方向上传播的横向模式的振动。
在这种情况下，横向波会从谐振器的端部向外泄漏，使得机械品质(Q)性能会降低。典型的体声波谐振器使用在上电极上形成框架以将横向波反射到谐振器的内部中的结构，从而将谐振能量俘获在有效区域中。
然而，存在这样的问题：会在比谐振器的有效区域的谐振频率低的频率范围中无意地发生由于框架的谐振，从而导致对相邻滤波器频带的波形的干扰。
此外，由于谐振器的有效区域的面积由于框架而变窄，所以存在如下限制：当框架的内部区域的面积增大以抑制Q性能和衰减性能的下降时，一些特性(例如，Kt2特性)劣化。此外，存在这样的问题：由于框架的结构会增加寄生噪声。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍将在具体实施方式中进一步描述的选择的构思。本发明内容不意图确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意图用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面中，一种体声波谐振器包括：基板；下电极，形成在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分形成在腔上；压电层，形成在所述下电极上；上电极，形成在所述压电层上；膜层，形成在所述下电极下方，并且与所述基板一起形成所述腔；以及突出部，形成在所述膜层上，并且在远离所述膜层延伸的方向上形成在所述腔中。
所述突出部包括形成在所述上电极的第一边缘下方的第一突出部和形成在所述下电极的第一边缘下方的第二突出部。
所述第一突出部包括倾斜成为与所述下电极分开的第一倾斜部和形成为与所述膜层的中心部平行并从所述第一倾斜部延伸的第一延伸部，并且所述第二突出部包括倾斜为与所述下电极分开的第二倾斜部和形成为与所述膜层的所述中心部平行并从所述第二倾斜部延伸的第二延伸部。
所述第一倾斜部和所述第二倾斜部以及所述第一延伸部和所述第二延伸部中的至少一个的厚度比所述膜层的所述中心部的厚度厚。
所述突出部包括第一膜层和堆叠在所述第一膜层上的第二膜层。
所述突出部通过去除多个牺牲层来形成。
所述第一突出部和所述第二突出部具有不同的宽度。
所述突出部是倾斜的。
所述突出部形成在所述上电极的边缘下方。
所述突出部形成在所述下电极的边缘下方。
所述下电极形成在所述压电层下方，并且所述下电极的侧表面暴露于所述腔。
所述体声波谐振器还包括：钝化层，堆叠在所述上电极上和所述下电极的第一部分上；金属焊盘，堆叠在所述上电极上和所述下电极的其上未形成有所述钝化层的第二部分上。
根据另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；种子层，与所述基板一起形成腔；下电极，形成在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分形成在所述腔上；压电层，形成在所述下电极上；上电极，形成在所述压电层上；以及突出部，从所述种子层延伸并形成在所述腔中以背向所述种子层。
所述突出部包括形成在所述上电极的第一边缘下方的第一突出部和形成在所述下电极的第一边缘下方的第二突出部，并且所述第一突出部和所述第二突出部包括在竖直方向上从所述种子层延伸的第一部分和在水平方向上从所述第一部分延伸的第二部分。
根据另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；下电极，形成在所述基板上；压电层，形成在所述下电极上；上电极，形成在所述压电层上；膜层，形成在所述下电极下方，并被构造为与所述基板一起形成腔；以及突出部，形成在所述膜层的一个或更多个端部上。
所述突出部包括远离所述膜层的第一端延伸的第一突出部和远离所述膜层的第二端延伸的第二突出部。
所述第一突出部包括远离所述膜层延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部延伸的第一水平部，并且所述第二突出部包括远离所述膜层延伸的第二延伸部和从所述第二延伸部延伸的第二水平部。
所述突出部形成在所述体声波谐振器的有效区域的外部。
所述有效区域是堆叠有所述下电极、所述压电层和所述上电极的区域。
所述第一突出部形成在所述上电极的边缘下方，所述第二突出部形成在所述下电极的边缘下方。
附图说明
图1是示出体声波谐振器的示例的示意截面图；
图2是示出体声波谐振器的一部分的放大图的示例的放大图；
图3是示出体声波谐振器的放大图的示例的放大图；
图4是示出体声波谐振器的效果的示例的构造图；
图5和图6是示出根据体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化的示例的曲线图；
图7是示出根据体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化和Kt2特性的变化的示例的曲线图；
图8是示出体声波谐振器的另一效果的示例的构造图；
图9是示出根据体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化的示例的曲线图；
图10是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图11是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图12是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图13是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图14是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图15是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图16是示出体声波谐振器的示例的示意构造图；
图17至图23是示出用于制造体声波谐振器的方法的示例的工艺流程图；
图24至图32是示出用于制造体声波谐振器的方法的示例的工艺流程图；
图33至图40是示出用于制造体声波谐振器的方法的示例的工艺流程图；
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记表示相同的元件。附图可以不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便，可以夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作的顺序仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。另外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。
这里所描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里所描述的示例。相反，已经提供了这里所描述的示例仅用于示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现这里描述的方法、设备和/或系统的诸多可行方式中的一些方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。
尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各个构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分相区分。因此，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
为了易于描述，在这里可使用诸如“在……之上”、“上部”、“在……之下”和“下部”的空间关系术语，以描述如附图所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间关系术语意图除了包含在附图中所描绘的方位之外，还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上部”的元件随后将相对于另一元件位于“之下”或“下部”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位而包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。所述装置还可以以其它方式定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并将对在这里使用的空间关系术语做出相应的解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并非用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数的形式也意图包括复数的形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，这里所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括在制造期间出现的形状上的改变。
这里所描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管这里所描述的示例具有各种各样的构造，但是如在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其它构造是可能的。
图1是示出体声波谐振器的示例的示意截面图，图2是示出图1的部分A的放大图，图3是示出图1的部分B的放大图。
参照图1至图3，例如，根据本公开的体声波谐振器100可以包括例如基板110、基板保护层112、下电极120、压电层130、上电极140和膜层150。
腔C可以形成在基板110中。作为示例，基板110可以是其上堆叠有硅的基板。例如，硅晶圆可以用作基板。然而，在附图中作为示例描述了腔C形成在基板110中的情况，但是腔C不限于此，并且可以利用平板形状的基板110和膜层150形成。即，腔C的示例还可以形成为如将在下面描述的图17至图23中所示出的。
下电极120可以形成在基板110上，并且下电极120的一部分可以设置在腔C上。作为示例，下电极120可以利用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或其合金的导电材料来形成。
此外，下电极120可以用作输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任何一个。
压电层130形成为至少覆盖形成在腔C上的下电极120。压电层130将通过下电极120或上电极140输入的信号转换成弹性波。即，压电层130通过物理振动将电信号转换为弹性波。
作为示例，压电层130可以通过沉积氮化铝、掺杂的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅来形成。
此外，在压电层130形成为包含氮化铝(AlN)的情况下，压电层130还可以诸如通过掺杂一种或更多种稀土金属来包括稀土金属。作为非限制性示例，稀土金属可以包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。此外，在压电层130形成为包含氮化铝(AlN)的情况下，压电层130还可以相似地包括一种或更多种过渡金属。作为非限制性示例，过渡金属可以包括锆(Zr)、钛(Ti)、锰(Mn)和铪(Hf)中的至少一种。
上电极140可以形成为至少覆盖设置在腔C上的压电层130。可选择地，上电极140可以形成为覆盖压电层130的局部部分。此外，与下电极120类似，上电极140利用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)或者它们的合金的导电材料形成，但是不限于此。
上电极140可以用作输入和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出电极中的任何一个。即，在下电极120用作输入电极的情况下，上电极140可以用作输出电极，在下电极120用作输出电极的情况下，上电极140可以用作输入电极。
膜层150形成在下电极120的底表面上以设置在腔C上。形成为与下电极120分开的突出部152形成在膜层150的各个边缘处。
突出部152可以形成在体声波谐振器100的有效区域S的外部。有效区域S指的是堆叠有下电极120、压电层130和上电极140的全部的区域。
作为示例，突出部152包括形成在上电极140的第一端部的倾斜边缘下方的第一突出部154(图2)和形成在下电极120的第一端部的倾斜边缘下方的第二突出部156。此外，第一突出部154包括倾斜为与下电极120分开的第一倾斜部154a和形成为与膜层150的中心部平行并从第一倾斜部154a延伸的第一延伸部154b。此外，第二突出部156(图3)包括倾斜为与下电极120分开的第二倾斜部156a和形成为与膜层150的中心部平行并且从第二倾斜部156a延伸的第二延伸部156b。
如此，膜层150包括突出部152，使得即使没有如通用技术中在上电极140上形成框架部，通过将横向波反射到谐振器中，谐振能量也可以被捕获在有效区域中。
如上所述，虽然在示例中没有形成谐振能量俘获/反射框架部，但是谐振能量可以通过横向波被包括在膜层150中的突出部152反射到谐振器或有效区域中而被俘获在有效区域中，并且通过膜层150的突出部152可以减小由这种框架部引起的低频范围的谐振对相邻滤波器频带的干扰。
图4是示出本公开的体声波谐振器的效果的示例的构造图，图5和图6是示出根据本公开的根据体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化的示例的曲线图，图7是示出根据本公开的体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化和Kt2特性的变化的示例的曲线图。
首先，参照图4，从有效区域S的中心的点到有效区域S的端部的点的距离L可以是例如大约50μm，上电极140和下电极120可以利用钼(Mo)材料形成，但不限于此，上电极140和下电极120中的每个的厚度可以是大约0.28μm。此外，压电层130可以利用氮化铝合金材料形成，但是不限于此，并且压电层130的厚度可以是大约1.1μm。作为示例，压电层130可以包含钪(Sc)。此外，膜层150可以利用氮化铝(AlN)形成，并且膜层150的厚度可以为约0.3μm。
这里，压电层130的边缘的倾斜角度是θ1，并且突出部152的宽度是w1。
膜层150包括突出部152，因此，如图5中所示改善了衰减性能。即，可以看出，在膜层150的突出部152的宽度w1为0.28μm至0.32μm的范围内，衰减性能得到改善。此外，可以看出，与典型技术(即，形成框架部的情况)相比，在压电层130的边缘的倾斜角度θ1大于70°的情况下，衰减性能得到改善。
此外，如图6中所示，衰减性能得到改善。即，在膜层150的突出部152的宽度w1为0.76μm至0.9μm的范围内，衰减性能得到改善。此外，与现有技术(形成框架部的情况)相比，在压电层130的边缘的倾斜角度θ1大于70°的情况下，衰减性能得到改善。
此外，参照图7，即使突出部152的宽度w1增大，kt2特性也保持相对恒定。
如上所述，可以通过膜层150的突出部152来改善衰减性能并且改善kt2特性。即，与典型技术(即，框架部形成在上电极上的情况)相比，当形成膜层150的突出部152时，可以改善体声波谐振器100的性能。
此外，由于框架部未形成在上电极140上，所以可以减少寄生噪声。
图8是示出根据本公开的体声波谐振器的另一效果的示例的构造图，图9是示出根据本公开的根据体声波谐振器的突出部的宽度的衰减特性的变化的示例的曲线图。
参照图8，首先，假设从形成下电极120的倾斜表面的起始点到膜层150的突出部152起始的点的距离是偏移o，突出部152的宽度是w2。
如图9中所示，当在改变突出部152的偏移o和宽度w2的同时观察衰减特性时，与典型技术(在形成框架部的情况下)相比，在突出部152的宽度w2为大约0.4μm至0.7μm的情况下，改善了衰减特性，与偏移o的距离无关。
在下文中，将参照附图描述体声波谐振器的变型示例。然而，与上述组件相同的组件将使用与上面的描述中使用的附图标记相同的附图标记来表示，并且将省略其详细描述。
图10是示出根据本公开的体声波谐振器(例如，图1至图9的体声波谐振器中的任意的体声波谐振器)的示例的示意构造图。
参照图10，体声波谐振器200包括膜层250的突出部252。膜层250的突出部252形成在上电极140的第一倾斜边缘侧下方，即，从下电极120形成在腔C上的部分延伸的区域(下电极连接部)下方。
图11是示出根据本公开的体声波谐振器(例如，图1至图9的体声波谐振器中的任意的体声波谐振器)的示例的示意构造图。
参照图11，体声波谐振器300包括膜层350的突出部352。膜层350的突出部352形成在下电极120的边缘侧下方，并且在上电极连接部的下倾区域下方，所述上电极连接部从上电极140的形成在腔C上的水平部分延伸。
图12是示出根据本公开的体声波谐振器的示例的示意构造图。
参照图12，体声波谐振器400包括暴露于空气的下电极420和形成在下电极420下方的膜层450。
下电极420的至少一部分可以暴露于空气并且膜层450可以形成在暴露于空气的下电极420下方。突出部452可以形成在膜层450的一个或更多个边缘。突出部452可以形成为具有相对于膜层450以大约45°角倾斜的第一部分和平行于膜层450的第二部分。
图13是示出根据本公开的体声波谐振器(例如，图1至图9的体声波谐振器中的任意的体声波谐振器)的另一示例的示意构造图。
参照图13，体声波谐振器500包括包含突出部552的膜层550。突出部552可以包括形成在膜层550的第一边缘的一部分上的第一突出部554和形成在膜层550的不同的第二边缘的一部分上的第二突出部556，例如，第二突出部556形成在除了形成有第一突出部554的区域之外的区域上。
第一突出部554和第二突出部556中的每个的厚度可以比膜层550的中心部的厚度厚。
图14是示出根据本公开的体声波谐振器的示例的示意构造图。
参照图14，体声波谐振器600包括包含突出部652的膜层650。突出部652包括形成在膜层650的第一边缘的一部分上的第一突出部654和形成在膜层650的第二边缘的一部分上的第二突出部656。第一突出部654和第二突出部656可以均形成为具有相对于膜层650倾斜大约45°的第一部分以及平行于膜层650并且从倾斜的第一部分延伸的第二部分。
第一突出部654的宽度w1和第二突出部656的宽度w2可以彼此不同。
图15是示出根据本公开的体声波谐振器的另一示例的示意构造图。
参照图15，体声波谐振器700包括膜层750的突出部752。突出部752形成为倾斜的。即，突出部752不包括形成为与膜层750的中心部平行的延伸部。
图16是示出根据本公开的体声波谐振器的另一示例的示意构造图。
参照图16，体声波谐振器800包括例如基板110、下电极120、压电层130、上电极140、种子层850和突出部852。
由于基板110、下电极120、压电层130和上电极140基本上对应于与上述组件相同的组件，因此将省略其详细描述并将用上面的描述代替其详细描述。
种子层850可以覆盖腔C，并且可以由例如氮化硅(SiN)材料形成，但是不限于此。由于种子层850是允许下电极120更平稳地堆叠的组件，因此可以省略种子层850。
突出部852可以形成为从种子层850的底表面向腔C突出。此外，突出部852可以形成在有效区域S外部。有效区域S是指堆叠有下电极120、压电层130和上电极140的全部的区域。
作为示例，突出部852可以包括形成在上电极140的边缘或端部部分外部的第一突出部854以及形成在下电极120的边缘或端部部分下方的第二突出部856。
此外，第一突出部854和第二突出部856可以包括从种子层850向下延伸或在竖直方向上延伸的第一延伸部854a和856a以及在水平方向上从第一延伸部854a和856a延伸的第二延伸部854b和856b。
如此，形成突出部852，使得即使没有如现有技术中在上电极140上形成框架部，也可以通过将横向波反射到谐振器中而将谐振能量俘获在有效区域中。
尽管各种示例示出了体声波谐振器的具体构造，并且通过示出非限制性示例的这种构造图提供了描述，但是可以通过以下任何制造方法来制造体声波谐振器，注意到示例不限于此。如上所注意的，作为非限制性示例，可以在具有各种形状和结构的体声波谐振器中采用突出部。
例如，图17至图23是示出根据本公开的用于制造体声波谐振器的方法的示例的工艺流程图。作为非限制性示例，体声波谐振器可以对应于任何以上体声波谐振器。
首先，如图17中所示，在其上形成有基板保护层112的基板110上形成第一牺牲层160，并且通过蚀刻第一牺牲层160形成具有不同尺寸的第一凹槽162和第二凹槽164。接下来，在第一牺牲层160上形成膜层170。
接下来，如图18中所示，蚀刻膜层170以暴露第一凹槽162的一部分和第一凹槽162的周边的一部分。
接下来，如图19中所示，形成第二牺牲层180。
接下来，如图20和图21中所示，顺序地堆叠下电极120、压电层130和上电极140，然后形成钝化层190和金属焊盘195。
接下来，如图22中所示，通过去除第一牺牲层160来形成腔C。
接下来，如图23中所示，通过去除形成在第一凹槽162中的第二牺牲层180来形成膜层150。在这种情况下，通过去除第二牺牲层180来形成膜层150的突出部152。
图24至图32是示出根据本公开的用于制造体声波谐振器的方法的示例的工艺流程图。作为非限制性示例，体声波谐振器可以对应于任何以上体声波谐振器。
首先，如图24中所示，在其上形成有基板保护层112的基板110上形成第一牺牲层460，并且通过蚀刻第一牺牲层460形成具有不同尺寸的第一凹槽462和第二凹槽464。接下来，在第一牺牲层460上形成膜层470。
接下来，如图25中所示，蚀刻膜层470以暴露第一凹槽462的一部分和第一凹槽462的周边的一部分。
接下来，如图26中所示，形成第二牺牲层480。
接下来，如图27中所示，堆叠下电极420，并且通过蚀刻去除形成在第二牺牲层480上的下电极420。
此外，如图28中所示，在第二牺牲层480上形成第三牺牲层485，所述第三牺牲层485是去除下电极420的部分。可以利用与第二牺牲层480的材料相同的材料形成第三牺牲层485，但是不限于此。
接下来，如图29中所示，顺序地堆叠压电层130和上电极140。
接下来，如图30中所示，形成钝化层190和金属焊盘195。
接下来，如图31中所示，通过去除第一牺牲层460来形成腔C。
接下来，如图32中所示，同时去除形成在第一凹槽462中的第二牺牲层480和堆叠在第二牺牲层480上的第三牺牲层485，以形成膜层450并且将下电极420的一部分暴露于空气。在这种情况下，通过去除第二牺牲层480来形成膜层450的突出部452。
图33至图40是示出根据本公开的用于制造体声波谐振器的方法的工艺流程图的示例。作为非限制性示例，体声波谐振器可以对应于任何以上体声波谐振器。
首先，如图33中所示，在其上形成有基板保护层112的基板110上形成第一牺牲层560，并且通过蚀刻第一牺牲层560形成具有不同尺寸的第一凹槽562和第二凹槽564。接下来，在第一牺牲层560上形成第一膜层570。
接下来，如图34中所示，在第一膜层570上堆叠抛光停止层572，然后在抛光停止层572上形成第二膜层575。
接下来，如图35中所示，蚀刻第一膜层570、抛光停止层572和第二膜层575以暴露第一凹槽562的一部分和第一凹槽562的周边的一部分。
接下来，如图36中所示，形成第二牺牲层580。接下来，除了形成在第一凹槽562中和第一凹槽562上的第二膜层575之外，通过平坦化工艺去除剩余的第二膜层575。
接下来，如图37中所示，顺序地堆叠下电极120、压电层130和上电极140。
接下来，如图38中所示，形成钝化层190和金属焊盘195。
接下来，如图39中所示，通过去除第一牺牲层560来形成腔C。
接下来，如图40中所示，去除第二牺牲层580以形成膜层550。因此，由于在膜层550处形成突出部552并且突出部552包括第一膜层570和第二膜层575，所以突出部552可以具有比包括第一膜层570的膜层550的中心部的厚度厚的厚度。
如上所述，根据本公开中阐述的示例，由于不期望的谐振不会在低于有效区域的谐振频率的频率范围中发生，所以可以减小对相邻滤波器频带的波形的干扰。
此外，在示例中，可以通过改善Q性能和衰减性能而不缩小有效区域的面积来保持一些特性(Kt2特性)。
尽管本公开包括具体示例，但在理解本申请的公开内容后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可以在这些示例中进行形式和细节上的各种改变。这里描述的示例仅被认为是描述性含义，而不是为了限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述被认为适用于其它示例中的相似特征或方面。如果所描述的技术以不同的顺序执行和/或如果所描述的系统、体系结构、装置或电路中的组件以不同的方式组合、和/或被其它组件及其等同物替换或补充，则可以获得合适的结果。因此，本公开的范围不是由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化都被解释为包括在本公开中。

Claims (21)

1.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
基板；
下电极，设置在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分设置在腔上；
压电层，设置在所述下电极上；
上电极，设置在所述压电层上；
膜层，设置在所述下电极下方，并且与所述基板一起形成所述腔；以及
突出部，形成在所述膜层上，并且在远离所述膜层延伸的方向上形成到所述腔中，
其中，所述突出部包括形成在所述上电极的第一边缘下方的第一突出部和形成在所述下电极的第一边缘下方的第二突出部，
其中，所述第一突出部包括倾斜为与所述下电极分开的第一倾斜部，并且所述第二突出部包括倾斜为与所述下电极分开的第二倾斜部。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部和所述第二突出部中的每个的厚度比所述膜层的中心部的厚度厚。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部还包括形成为与所述膜层的中心部平行并从所述第一倾斜部延伸的第一延伸部，并且
所述第二突出部还包括形成为与所述膜层的所述中心部平行并从所述第二倾斜部延伸的第二延伸部。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第一倾斜部和所述第二倾斜部以及所述第一延伸部和所述第二延伸部中的至少一个的厚度比所述膜层的所述中心部的厚度厚。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述突出部包括第一膜层和堆叠在所述第一膜层上的第二膜层。
6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部通过去除多个牺牲层而形成。
7.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部和所述第二突出部具有不同的宽度。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一倾斜部和所述第二倾斜部相对于所述下电极的倾斜角度为45度。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部延伸超出所述上电极的端部。
10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第二突出部延伸超出所述下电极的端部。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述下电极形成在所述压电层下方，并且所述下电极的侧表面暴露于所述腔。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：
钝化层，堆叠在所述上电极上和所述下电极的第一部分上，
金属焊盘，堆叠在所述上电极上和所述下电极的其上未形成有所述钝化层的第二部分上。
13.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述腔位于所述基板与所述膜层之间。
14.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
基板；
种子层，所述基板和所述种子层形成腔；
下电极，形成在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分形成在所述腔上；
压电层，形成在所述下电极上；
上电极，形成在所述压电层上；以及
突出部，从所述种子层延伸并形成在所述腔中以背向所述种子层，
其中，所述突出部包括形成在所述上电极的第一边缘下方的第一突出部和形成在所述下电极的第一边缘下方的第二突出部，并且
所述第一突出部和所述第二突出部中的每个包括在竖直方向上从所述种子层延伸的第一部分和在水平方向上从所述第一部分延伸的第二部分。
15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部的第二部分朝向所述腔的第一侧壁延伸，所述第二突出部的第二部分朝向所述腔的与所述第一侧壁相对的第二侧壁延伸。
16.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
基板；
下电极，形成在所述基板上；
压电层，形成在所述下电极上；
上电极，形成在所述压电层上；
膜层，形成在所述下电极下方，并被构造为与所述基板一起形成腔；以及
突出部，形成在所述膜层的一个或更多个端部上，
其中，所述突出部包括远离所述膜层的第一部分延伸的第一突出部和远离所述膜层的第二部分延伸的第二突出部，
所述第一突出部包括远离所述膜层延伸的第一延伸部和从所述第一延伸部延伸的第一水平部，并且
所述第二突出部包括远离所述膜层延伸的第二延伸部和从所述第二延伸部延伸的第二水平部。
17.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述第一水平部和所述第二水平部分别朝向远离所述腔的中心的方向延伸。
18.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述第一水平部延伸超出所述上电极的端部，所述第二水平部延伸超出所述下电极的端部。
19.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述突出部形成在所述体声波谐振器的有效区域的外部。
20.根据权利要求19所述的体声波谐振器，其中，所述有效区域是堆叠有所述下电极、所述压电层和所述上电极的区域。
21.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部形成在所述上电极的边缘下方，所述第二突出部形成在所述下电极的边缘下方。
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