CN109298308A - 重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法 - Google Patents

重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法 Download PDF

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Abstract

本发明提出了重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，通过提取半导体器件工艺参数构建器件结构模型，利用Geant4工具模拟重离子入射到结构模型，考虑重离子与材料中的原子核反应，获得次级重离子能谱，统计能够导致器件发生单粒子翻转的次级重离子概率，并结合半导体器件的饱和翻转截面，计算得到初始重离子通过间接电离导致的单粒子翻转截面。通过本发明获得的翻转截面数据将对器件抗辐射特性的认识更加深入和全面，为器件的抗辐射加固分析和设计提出科学的建议。

Description

重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法
技术领域
本发明涉及半导体器件单粒子翻转截面评估方法,特别是由重离子间接电离导致的半导体器件单粒子翻转截面评估方法，属于空间辐射效应领域。
背景技术
航天器运行在一个十分恶劣的空间辐射环境中，地球辐射带、太阳宇宙线和银河宇宙线中的质子、电子、α以及重离子入射到航天器内部，与航天器电子元器件发生作用，造成电子元器件出现异常甚至损坏，影响航天器的正常工作。
单粒子效应是威胁航天器安全的空间辐射效应之一，单粒子效应是单个粒子由于其本身较强的电离能力，即大的线性能量转移值(LET)，入射到器件的敏感节点，能通过电离作用产生大量电子—空穴对，电荷通过扩散和漂移被器件的敏感节点所收集，产生瞬态脉冲，影响器件的正常工作，导致航天器功能异常，甚至彻底失效。单粒子翻转是最为常见的单粒子效应之一，它的危害是引起半导体存储器的数据发生翻转，存储器主要存储重要数据和指令代码，存储器的正常工作对于航天器安全非常重要，航天器故障数据统计表明，单粒子翻转是宇航存储器需要重点关注和考虑的潜在风险。
单粒子翻转主要是由具有大的线性能量转移值的重离子引起，重离子入射到宇航半导体器件和电路，与器件中原子发生复杂的相互作用过程，如电离、核弹性散射和非弹性散射等，相互作用的结果就是入射重离子损失能量。按作用类型来分，重离子在半导体器件内的能量损失存在两种方式：直接电离和间接电离。直接电离是入射重离子与器件材料原子核外电子相互作用，导致材料原子直接电离，产生电子—空穴对，被电路敏感节点所收集，触发单粒子翻转。间接电离过程是入射重离子先与材料中的原子发生核反应，核反应产生的次级重离子再通过直接电离，在器件灵敏单元沉积能量导致器件发生单粒子翻转。对于较大特征尺寸的器件，单粒子翻转的LET阈值普遍较高，重离子通过直接电离方式导致单粒子翻转是最主要的形式，间接电离几乎不考虑。但近年随着器件的特征尺寸越来越小，先进器件的单粒子翻转LET阈值逐渐下降，重离子通过间接电离导致单粒子翻转逐渐受到关注。特别是对于采用了抗辐射以及高 Z材料的先进半导体器件，在LET阈值以下，重离子间接电离对单粒子翻转的贡献开始显现，并且空间低LET值的重离子通量远大于空间高LET值的重离子通量，在评估半导体器件在轨单粒子事件率时，仅考虑重离子直接电离对单粒子翻转的贡献，存在器件单粒子翻转敏感性被低估的风险。当前高能低LET 重离子间接电离导致单粒子翻转实验数据非常匮乏，而且缺乏低LET重离子通过间接电离导致单粒子翻转的截面计算方法，迫切需要一种通用的低LET重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转的计算方法。
发明内容
本发明的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提出重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，考虑低LET重离子间接电离方式对单粒子翻转贡献，准确、全面地评估器件在空间环境中受到的辐射威胁。
本发明的技术解决方案是：重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，该方法步骤如下：
(1)、获取被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和和线性能量转换阈值LET阈；
(2)、构建被评估半导体器件敏感单元结构；
(3)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子，模拟重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图 fz(E),z＝1～Z，Z为次级重离子的种类数；
(4)、根据进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图，计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z),z＝1～Z，并将各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率求和，得到次级重离子导致单粒子翻转的总概率P；
(5)、利用次级重离子导致单粒子翻转的总概率P和被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和，计算得到重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间。
所述步骤(3)中选取的重离子的能量满足在硅中射程不小于30μm的要求。
所述步骤(2)结合器件的实际工艺参数和敏感区为长方体的IRPP模型，构建器件敏感单元结构，所述实际工艺参数包括被评估半导体器件的材料及每一种材料厚度。
所述步骤(3)采用Geant4工具实现。
所述步骤(3)的具体步骤为：
(3.1)、将被评估半导体器件敏感单元结构导入至Geant4工具中；
(3.2)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子；
(3.3)、在Geant4中选择multiple scattering、ion ionization、G4HadronInelasticProcess和G4BinaryLightIonReaction模块，用于模拟入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，选择重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子发生核反应，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图；
(3.4)、获得每种次级重离子的能谱图fz(E),z＝1～Z，E代表次级重离子的能量。
步骤(4)中计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z)的具体步骤如下：
(4.1)、根据器件单粒子翻转的LET阈值，利用SRIM工具计算各种次级重离子的能量阈值Ez0；
(4.2)、在步骤(3)获得的各种次级重离子能谱图中，对能量大于Ez0的次级重离子概率进行求和，获得各种次级重离子能够导致单粒子翻转的概率 P(z)：
其中，Ez∞为第z种次级重离子能谱图中最大的能量值。
步骤(4)中次级重离子导致单粒子翻转的总概率P的计算公式为：
。
所述步骤(5)中重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间的计算公式为：
σ间=P×σ饱。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
(1)、本发明通过利用器件本身的单粒子翻转饱和截面和LET阈值获得重离子间接电离导致单粒子翻转截面，可以更加全面地了解器件抗单粒子翻转的能力。
(2)本发明利用Geant4模拟重离子入射到构建的单元结构，通过增选“G4BinaryLightIonReaction”模块，考虑入射重离子与材料原子核反应产生次级重离子，提高了器件抗单粒子翻转敏感性的准确度；
(3)、本发明采用器件工艺参数和IRPP模型构建的器件敏感单元，提高了模拟方法的科学性，保证了结果的可靠性；
(4)、本发明所述方法关注低LET重离子间接电离对器件单粒子翻转敏感性的贡献，可以为器件在轨单粒子事件预估提供重要参考。
(5)、本发明所述计算方法简单有效，易操作，大大节省财力和获取周期，经济高效。
附图说明
图1为本发明低LET重离子间接电离导致单粒子翻转的计算方法流程图；
图2为本发明实施例构建的器件敏感单元结构剖面示意图；
图3(a)为本发明实施例次级Li离子能量谱图；
图3(b)为本发明实施例次级C离子能量谱图；
图3(c)为本发明实施例次级N离子能量谱图；
图3(d)为本发明实施例次级O离子能量谱图；
图3(e)为本发明实施例次级F离子能量谱图；
图3(f)为本发明实施例次级Ne离子能量谱图；
图3(g)为本发明实施例次级Na离子能量谱图；
图3(h)为本发明实施例次级Al离子能量谱图；
图3(i)为本发明实施例次级Mg离子能量谱图；
图3(j)为本发明实施例次级Si离子能量谱图；
图3(k)为本发明实施例次级Ar离子能量谱图；
图3(l)为本发明实施例次级S离子能量谱图；
图3(m)为本发明实施例次级P离子能量谱图；
图3(n)为本发明实施例次级Cl离子能量谱图；
图4为本发明实施例次级重离子能够导致单粒子翻转分概率统计图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。
如图1所示，本发明提供了重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，该方法步骤如下：
(1)、获取被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和和线性能量转换阈值LET阈；
(2)、构建被评估半导体器件敏感单元结构；
该步骤结合器件的实际工艺参数和敏感区为长方体的IRPP模型，构建器件敏感单元结构，所述实际工艺参数包括被评估半导体器件的材料及每一种材料厚度。
(3)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子，模拟重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图 fz(E),z＝1～Z，Z为次级重离子的种类数；
该步骤采用Geant4工具实现。
具体步骤为：
(3.1)、将被评估半导体器件敏感单元结构导入至Geant4工具中；
(3.2)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子；所选重离子需要入射到器件内部，因此，选取的重离子的能量最好满足在硅中射程不小于30μm的要求。
(3.3)、在Geant4中选择multiple scattering、ion ionization、G4HadronInelasticProcess和G4BinaryLightIonReaction模块，用于模拟入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，选择重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子发生核反应，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图；
(3.4)、获得每种次级重离子的能谱图fz(E),z＝1～Z，E代表次级重离子的能量。
(4)、根据进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图，计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z),z＝1～Z，并将各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率求和，得到次级重离子导致单粒子翻转的总概率P；
计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z)的具体步骤如下：
(4.1)、根据器件单粒子翻转的LET阈值，利用SRIM工具计算各种次级重离子的能量阈值Ez0；
(4.2)、在步骤(3)获得的各种次级重离子能谱图中，对能量大于Ez0的次级重离子概率进行求和，获得各种次级重离子能够导致单粒子翻转的概率 P(z)：
其中，Ez∞为第z次级重离子能谱图中的最大能量值。
次级重离子导致单粒子翻转的总概率P的计算公式为：
。
(5)、利用次级重离子导致单粒子翻转的总概率P和被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和，计算得到重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间。
所述步骤(5)中重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间的计算公式为：
σ间=P×σ饱。
该翻转截面为器件抗单粒子翻转特性预评估和器件在轨单粒子事件评估提供重要数据支撑。通过本发明获得的辐照试验数据将对器件抗辐射特性的认识更加深入和全面，为器件的抗辐射加固分析和设计提出科学的建议。
实施例：
实施例优选常用的静态随机存储器为辐照对象说明本发明的具体操作，其主要步骤如下：
(1)、选择特征尺寸为0.13μm静态随机存储器(SRAM)为器件对象，该器件单粒子翻转饱和截面为5×10-8cm2/bit，LET阈值为6MeV·cm2/mg。
(2)、选择能量为80MeV的12C离子为入射重离子，其LET值为 1.73MeV·cm2/mg，在硅中射程为127μm。
(3)、通过器件工艺参数和IRPP模型，提取器件材料和尺寸信息构建简易的器件敏感单元结构，器件敏感单元结构剖面示意图如图2所示，纵向尺寸如图中标注，横向尺寸为3μm×3μm，器件单粒子翻转敏感区为底部3μm×3μm ×3μm正方体Si材料区。
(4)、用Geant4模拟重离子入射到构建的器件敏感单元结构，模拟中选用 107个80MeV的12C离子，从器件敏感单元结构上表面随机垂直入射到器件敏感单元结构内部，选择multiple scattering，ion ionization， G4HadronInelasticProcess和G4BinaryLightIonReaction模块模拟入射离子与材料中的相互作用，107个80MeV的12C离子入射器件敏感单元结构结束后，提取进入器件模型底部3μm×3μm×3μm正方体Si区内的次级重离子能谱图，能谱图如图3(a)～图3(n)所示，E代表次级离子的能量，fz代表次级离子各能量对应的概率。
(5)、计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的分概率P(z)，即根据器件单粒子翻转的LET阈值6MeV·cm2/mg，利用SRIM工具计算得到各种次级重离子的能量阈值Ez0。在各种次级重离子能谱图中，再根据如下公式：
分别对各种次级重离子能谱图中能量大于Ez0的次级重离子概率进行求和，即获得各种次级重离子能够导致单粒子翻转的分概率P(z)，各种次级重离子能够导致单粒子翻转的概率如图4所示；
计算次级重离子可导致单粒子翻转的总概率P，即对各种次级重离子能够导致单粒子翻转的分概率P(z)进行求和，根据如下公式：
得到次级重离子单粒子翻转总概率P为3.28×10-5。
通过将总概率P与器件的饱和翻转截面σ饱相乘即可得到初始重离子通过间接电离导致的单粒子翻转截面σ间，计算得到80MeV 12C离子入射该器件通过间接电离导致单粒子翻转的截面为1.64×10-12cm2/bit。
本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。

Claims (8)

1.重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于步骤如下：
(1)、获取被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和和线性能量转换阈值LET阈；
(2)、构建被评估半导体器件敏感单元结构；
(3)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子，模拟重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图fz(E),z＝1～Z，Z为次级重离子的种类数；
(4)、根据进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图，计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z),z＝1～Z，并将各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率求和，得到次级重离子导致单粒子翻转的总概率P；
(5)、利用次级重离子导致单粒子翻转的总概率P和被评估半导体器件的单粒子翻转饱和截面σ饱和，计算得到重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间。
2.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：所述步骤(3)中选取的重离子的能量满足在硅中射程不小于30μm的要求。
3.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：所述步骤(2)结合器件的实际工艺参数和敏感区为长方体的IRPP模型，构建器件敏感单元结构，所述实际工艺参数包括被评估半导体器件的材料及每一种材料厚度。
4.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：所述步骤(3)采用Geant4工具实现。
5.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：所述步骤(3)的具体步骤为：
(3.1)、将被评估半导体器件敏感单元结构导入至Geant4工具中；
(3.2)、选取线性能量转移值小于被评估器件的单粒子翻转线性能量转移阈值LET阈的重离子；
(3.3)、在Geant4中选择multiple scattering、ion ionization、G4HadronInelasticProcess和G4BinaryLightIonReaction模块，用于模拟入射重离子与被评估半导体器件材料原子电离作用过程，选择重离子从表面随机入射到被评估半导体器件敏感单元结构内部，入射重离子与被评估半导体器件材料原子发生核反应，产生次级重离子，获得进入被评估半导体器件敏感区的各种次级重离子的能谱图；
(3.4)、获得每种次级重离子的能谱图fz(E),z＝1～Z，E代表次级重离子的能量。
6.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：步骤(4)中计算各种次级重离子可导致单粒子翻转的概率P(z)的具体步骤如下：
(4.1)、根据器件单粒子翻转的LET阈值，利用SRIM工具计算各种次级重离子的能量阈值Ez0；
(4.2)、在步骤(3)获得的各种次级重离子能谱图中，对能量大于Ez0的次级重离子概率进行求和，获得各种次级重离子能够导致单粒子翻转的概率P(z)：
其中，Ez∞为第z种次级重离子能谱图中最大的能量值。
7.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：步骤(4)中次级重离子导致单粒子翻转的总概率P的计算公式为：
8.根据权利要求1所述的重离子间接电离导致半导体器件单粒子翻转截面评估方法，其特征在于：所述步骤(5)中重离子通过间接电离导致被评估半导体器件单粒子翻转截面σ间的计算公式为：
σ间＝P×σ饱。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111753488A (zh) * 2019-03-11 2020-10-09 江苏久创电气科技有限公司 基于入射粒子的线性能量转移分布估算触发器软错误率的方法
CN112668232A (zh) * 2021-01-05 2021-04-16 中国原子能科学研究院 核反应导致的see截面的获取方法、装置、设备及介质
CN113109860A (zh) * 2021-04-08 2021-07-13 西北核技术研究所 一种预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102968562A (zh) * 2012-11-22 2013-03-13 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 基于历史数据的单粒子翻转率的确定方法
CN104462658A (zh) * 2014-11-06 2015-03-25 北京空间飞行器总体设计部 一种三模冗余防护结构fpga单粒子翻转失效概率的评估方法
CN107145638A (zh) * 2017-04-12 2017-09-08 西北核技术研究所 一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法
CN108226748A (zh) * 2017-12-05 2018-06-29 上海精密计量测试研究所 用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102968562A (zh) * 2012-11-22 2013-03-13 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 基于历史数据的单粒子翻转率的确定方法
CN104462658A (zh) * 2014-11-06 2015-03-25 北京空间飞行器总体设计部 一种三模冗余防护结构fpga单粒子翻转失效概率的评估方法
CN107145638A (zh) * 2017-04-12 2017-09-08 西北核技术研究所 一种低能质子直接电离导致的单粒子翻转截面获取方法
CN108226748A (zh) * 2017-12-05 2018-06-29 上海精密计量测试研究所 用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ROBERT A. 等: "Monte Carlo Simulation of Single Event Effects", 《IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE》 *
S. AGOSTINELLI 等: "Geant4—a simulation toolkit", 《NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A》 *
古松: "基于重离子加速器的SOISRAM器件单粒子翻转实验研究", 《中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111753488A (zh) * 2019-03-11 2020-10-09 江苏久创电气科技有限公司 基于入射粒子的线性能量转移分布估算触发器软错误率的方法
CN111753488B (zh) * 2019-03-11 2024-05-14 江苏久创电气科技有限公司 基于入射粒子的线性能量转移分布估算触发器软错误率的方法
CN112668232A (zh) * 2021-01-05 2021-04-16 中国原子能科学研究院 核反应导致的see截面的获取方法、装置、设备及介质
CN112668232B (zh) * 2021-01-05 2022-03-11 中国原子能科学研究院 核反应导致的see截面的获取方法、装置、设备及介质
CN113109860A (zh) * 2021-04-08 2021-07-13 西北核技术研究所 一种预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法
CN113109860B (zh) * 2021-04-08 2023-12-15 西北核技术研究所 一种预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法

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