CN109256255A - 一种复合金属软磁片及无线充电装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种复合金属软磁片及无线充电装置，所述复合金属软磁片包括：辐射层、介质层、磁性‑绝缘层、导热层；所述辐射层依次与所述介质层、所述磁性‑绝缘层、所述导热层相连；磁性‑绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1的整数；相邻的两个所述金属软磁薄膜层之间设置所述绝缘层，且所述绝缘层分别与相邻的两个所述金属软磁薄膜层相连；通过上述结构设置，以实现提高无线充电线圈电感与阻抗的匹配，满足电场和磁场屏蔽功能需求。
Description
技术领域
本发明涉及磁性材料技术领域，特别是涉及一种复合金属软磁片及无线充电装置。
背景技术
随着电子工业和信息产业的飞速发展，软磁薄膜已经成为当前电子信息材料领域研究的热点之一。在无线充电系统中，软磁材料的研制主要向提高传输效率和系统设备轻薄化的方向发展，同时在此领域内设备的电磁兼容性能也是人们关注的焦点。
无线充电技术，又称为感应充电、非接触式充电，是源于无线电力输送技术产生的一种新型充电技术。无线充电技术利用近场感应，由无线充电器将能量传递到需要充电的设备。无线充电技术近年发展迅猛，如今已经广泛应用到了电动牙刷、智能手表、智能手机、平板电脑、电动汽车等领域。但发展过程中也遇到了很多技术难题，如提高充电效率、小型化、有效充电距离较短等等。
将金属软磁薄膜层使用于无线充电系统中，能够有效提高其传输效率，有利于设备轻薄化，金属软磁薄膜层的高导磁性能能够控制磁场分布、高电导率能够有效屏蔽电场，满足电磁兼容性。但是，金属软磁薄膜层电导率较大，材料内感应磁场对原磁场的衰减使得线圈能量损耗增加。其次，在软磁材料的作用下，无线充电线圈电感的增大会导致阻抗匹配难以实施。所以，抑制金属软磁薄膜层内的感应磁场，及解决电感与阻抗的匹配问题成为本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种复合金属软磁片及无线充电装置，以实现提高无线充电线圈电感与阻抗的匹配，满足电场、磁场屏蔽需求。
为实现上述目的，本发明提供了一种复合金属软磁片，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包括：辐射层、介质层、磁性-绝缘层、导热层；
所述介质层的一侧与所述辐射层的一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层的另一侧相连，所述导热层的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连；
磁性-绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1的整数；相邻的两个所述金属软磁薄膜层之间设置所述绝缘层，且所述绝缘层分别与相邻的两个所述金属软磁薄膜层相连。
可选的，在所述金属软磁薄膜层内设有气隙结构；所述气隙结构为条形、发射形、井字形中任意一种；所述金属软磁薄膜层中相邻条形的气隙结构相互垂直；所述金属软磁薄膜层中相邻发射形或井字形的气隙结构的位置相互错开，不重叠。
可选的，所述条形或井字形的气隙结构的宽度为0.01-0.1mm，相邻气隙结构之间的间距为0.5-5mm；发射形的气隙结构的宽度为0.01-0.1mm，相邻气隙结构之间的夹角为5-90度。
可选的，所述磁性-绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1且小于等于7的整数。
可选的，所述辐射层为导热石墨片、高发射率涂层、高发射率薄膜中的任意一种。
可选的，所述高发射率涂层为MgO、CuO、NiO、Co2O3、MnO2、SiC、SiO2、Fe2O3中至少一种，所述高发射率薄膜为MgO、CuO、NiO、SiO2中任意一种。
可选的，所述金属软磁薄膜层包含：铁基、铁钴基、铁镍基、铁硅铝合金薄膜以及非晶、纳米晶带材。
可选的，所述绝缘层为胶粘剂，所述导热层为弹性硅胶或硅脂，所述介质层的材料为相对介电常数范围为1-90的低介电损耗材料。
可选的，所述辐射层的厚度为50nm-0.2mm，介质层的厚度为0.02-2mm，金属软磁薄膜层的厚度为0.04-1mm，绝缘层的厚度为100nm-0.2mm，导热层的厚度为0.03-3mm。
本发明还提供一种无线充电装置，所述无线充电装置包括复合金属软磁片、无线充电线圈；所述无线充电线圈与所述辐射层的另一侧相连，所述导热层的另一侧与电池相连。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
本发明提出了所述复合金属软磁片包括：辐射层、介质层、磁性-绝缘层、导热层；所述辐射层依次与所述介质层、所述磁性-绝缘层、所述导热层相连；磁性-绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1的整数；相邻的两个所述金属软磁薄膜层之间设置所述绝缘层，且所述绝缘层分别与相邻的两个所述金属软磁薄膜层相连；通过上述结构设置，以实现提高无线充电线圈电感与阻抗的匹配，满足电场和磁场屏蔽功能需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明复合金属软磁片结构图一；
图2为本发明金属软磁薄膜层结构图一；
图3为本发明金属软磁薄膜层结构图二；
图4为本发明复合金属软磁片结构图二；
图5为本发明金属软磁薄膜层结构图三；
图6为本发明金属软磁薄膜层结构图四；
图7为本发明无线充电装置结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种复合金属软磁片及无线充电装置，以实现提高无线充电线圈电感与阻抗的匹配，满足电场、磁场屏蔽需求。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
图1为本发明复合金属软磁片结构图；具体为本发明金属软磁薄膜层为2层的复合金属软磁片结构图的x-z面剖视图；如图1所示，本发明提供一种复合金属软磁薄片，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包含辐射层1、介质层2、磁性-绝缘层及导热层5；
所述辐射层1的一侧紧贴无线充电线圈，所述介质层2的一侧与所述辐射层1的另一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层2的另一侧相连，所述导热层5的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连，所述导热层5的另一侧与电池相连。
所述磁性-绝缘层包括：第一金属软磁薄膜层3.1、第一绝缘层4.1、第二金属软磁薄膜层3.2，所述第一绝缘层4.1设置在所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2之间，且所述第一绝缘层4.1分别与所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2相连。
所述辐射层1为导热石墨片，石墨片的厚度为0.1mm。
所述介质层2为相对介电常数值为8.8的氮化铝陶瓷柔性片材，所述氮化铝陶瓷柔性片材由氮化铝粉末和PVB使用流延方法制备，所述氮化铝陶瓷柔性片材中氮化铝占98wt％，余量为PVB，所述氮化铝柔性片材厚度为0.5mm。
所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2均为铁镍合金软磁薄膜，所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2的厚度分别为0.8mm。
在所述第一金属磁场薄膜3.1和所述第二金属磁场薄膜3.2内部设计了气隙结构7，所述气隙结构7为条形，所述第一金属磁场薄膜3.1和所述第二金属磁场薄膜3.2的条形的气隙结构7为相互垂直，如图2所示；其中，(a)为第一金属磁场薄膜3.1在y-z面的结构示意图，(b)为金属软磁薄膜层结构图的x-z面剖视图，(c)为第二金属磁场薄膜3.2在y-z面的结构示意图；可见，所述第一金属磁场薄膜3.1的气隙结构7沿y轴，所述第二金属磁场薄膜3.2的气隙结构7沿x轴，因此，总结得出，相邻的金属软磁薄膜层中条形气隙结构7的位置相互垂直。
所述第一绝缘层4.1为高分子胶粘剂，胶粘剂的厚度为0.01mm，所述胶粘剂用于粘结并分隔所述第一金属磁场薄膜3.1和所述第二金属磁场薄膜3.2，形成所述第一金属磁场薄膜3.1、所述第二金属磁场薄膜3.2分别与所述第一绝缘层4.1交替的叠层。
所述第一金属磁场薄膜3.1和所述第二金属磁场薄膜3.2均与接地连接体8相连，用于接地。
所述导热层5为弹性硅脂，所述弹性硅脂厚度为0.5mm。
实施例2
图1为本发明复合金属软磁片结构图一；具体为本发明金属软磁薄膜层为2层的复合金属软磁片结构图的x-z面剖视图；如图1所示，一种复合金属软磁薄片，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包含辐射层1、介质层2、磁性-绝缘层及导热层5；
所述辐射层1的一侧紧贴无线充电线圈，所述介质层2的一侧与所述辐射层1的另一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层2的另一侧相连，所述导热层5的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连，所述导热层5的另一侧与电池相连。
所述磁性-绝缘层包括：第一金属软磁薄膜层3.1、第一绝缘层4.1、第二金属软磁薄膜层3.2，所述第一绝缘层4.1设置在所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2之间，且所述第一绝缘层4.1分别与所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2相连。
所述辐射层1为高发射率涂层：MgO、CuO、SiO2、Fe2O3的复合，复合涂层的厚度为0.2mm。
所述介质层2为相对介电常数值为3的橡胶，所述橡胶的厚度为0.8mm。
所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2均为铁钴合金软磁薄膜，所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2的厚度分别为0.5mm。
在所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2内设计了气隙结构7，所述气隙结构7为发射形，所述发射形结构心部相连，如图3所示，其中，(a)为第一金属软磁薄膜层3.1在y-z面的结构示意图，(b)为金属软磁薄膜层结构图的x-z面剖视图，(c)为所述第二金属软磁薄膜层3.2在y-z面的结构示意图。
图(a)中第一金属软磁薄膜层3.1与图(c)中所述第2金属软磁薄膜层3.2的气隙结构7与y轴夹角不同，因此，总结得出，相邻的金属软磁薄膜层中发射形气隙结构7的位置相互错开，不重叠。
所述第一绝缘层4.1为高分子胶粘剂，胶粘剂的厚度为0.05mm，胶粘剂用于粘结并分隔所述第一金属软磁薄膜层3.1与所述第2金属软磁薄膜层3.2，形成所述第1金属软磁薄膜层3.1、所述第2金属软磁薄膜层3.2与所述第1绝缘层4.1交替的叠层。
所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2均与接地连接体8相连，用于接地。接地连接体8位于所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2的中心。
所述导热层5为弹性硅胶，弹性硅脂的厚度为0.1mm。
实施例3
图4为本发明复合金属软磁片结构图二；具体为本发明金属软磁薄膜层为n+1层的复合金属软磁片结构图的x-z面剖视图；如图4所示，一种复合金属软磁薄片，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包含辐射层1、介质层2、磁性-绝缘层及导热层5；
所述辐射层1的一侧紧贴无线充电线圈，所述介质层2的一侧与所述辐射层1的另一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层2的另一侧相连，所述导热层5的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连，所述导热层5的另一侧与电池相连。
所述磁性-绝缘层包括：第一金属软磁薄膜层3.1、第二金属软磁薄膜层3.2，…，第n+1金属软磁薄膜层3.n、第一绝缘层4.1、第二绝缘层4.2、…，第n绝缘层4.n，所述第一绝缘层4.1设置在所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2之间，且所述第一第绝缘层4.1分别与所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2相连；所述第二绝缘层4.2设置在所述第二金属软磁薄膜层3.2和所述第三金属软磁薄膜层3.3之间，且第二绝缘层4.2分别与所述第二金属软磁薄膜层3.2和所述第三金属软磁薄膜层3.3相连，…，同理，所述第n绝缘层4.n设置在所述第n金属软磁薄膜层3.n和所述第n+1金属软磁薄膜层3.n+1之间，且第n绝缘层4.n分别与所述第n金属软磁薄膜层3.n和所述第n+1金属软磁薄膜层3.n+1相连，即所述第i绝缘层4.i设置在所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1之间，且所述第i绝缘层4.i分别与所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1相连，其中i为大于等于1且小于等于n的整数，取n为4。
所述辐射层1为高发射率的CuO薄膜，CuO薄膜的厚度为100nm。
所述介质层2为相对介电常数范围为4的氧化硅柔性片材，所述氧化硅柔性片材由氧化硅粉末与PVB使用流延方法制备，所述氧化硅柔性片材中氧化硅含量为98wt％，所述氧化硅柔性片材的厚度为0.5mm。
所述第j金属软磁薄膜层3.j为铁硅铝合金薄膜，其中j为大于等于1且小于等于5的整数，所述第j金属软磁薄膜层3.j的厚度为0.2mm。
在所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1内设计了气隙结构7，所述发射形结构心部连同，边缘相连，如图5所示，其中，(a)为第i金属软磁薄膜层3.i在y-z面的结构示意图，(b)为金属软磁薄膜层结构图的x-z面剖视图，(c)为所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1在y-z面的结构示意图。
图(a)中第i金属软磁薄膜层3.i与图(c)中所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1的气隙结构7与y轴夹角不同，因此，总结得出，相邻的金属软磁薄膜层中发射形气隙结构7的位置相互错开，不重叠。
所述第i绝缘层4.i为高分子胶粘剂，所述第i绝缘层4.i的厚度为0.03mm，胶粘剂用于粘结且分隔所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1，形成所述第i金属软磁薄膜层3.i、所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1与所述第i绝缘层4.i交替的叠层，其中i为大于等于1且小于等于4的整数。
所述第j金属软磁薄膜层3.j与接地连接体8相连，用于接地。接地连接体8位于所述第j金属软磁薄膜层3.j的一侧，其中j为大于等于1且小于等于5的整数。
所述导热层5为弹性导热硅脂，导热硅脂的厚度为1mm，导热硅脂紧靠电池。
实施例4
图4为本发明复合金属软磁片结构图二；具体为本发明金属软磁薄膜层为n+1层的复合金属软磁片结构图的x-z面剖视图；如图4所示，一种复合金属软磁薄片，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包含辐射层1、介质层2、磁性-绝缘层及导热层5；
所述辐射层1的一侧紧贴无线充电线圈，所述介质层2的一侧与所述辐射层1的另一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层2的另一侧相连，所述导热层5的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连，所述导热层5的另一侧与电池相连。
所述磁性-绝缘层包括：第一金属软磁薄膜层3.1、第二金属软磁薄膜层3.2，…，第n+1金属软磁薄膜层3.n、第一绝缘层4.1、第二绝缘层4.2、…，第n绝缘层4.n，所述第一绝缘层4.1设置在所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2之间，且所述第一第绝缘层4.1分别与所述第一金属软磁薄膜层3.1和所述第二金属软磁薄膜层3.2相连；所述第二绝缘层4.2设置在所述第二金属软磁薄膜层3.2和所述第三金属软磁薄膜层3.3之间，且第二绝缘层4.2分别与所述第二金属软磁薄膜层3.2和所述第三金属软磁薄膜层3.3相连，…，同理，所述第n绝缘层4.n设置在所述第n金属软磁薄膜层3.n和所述第n+1金属软磁薄膜层3.n+1之间，且第n绝缘层4.n分别与所述第n金属软磁薄膜层3.n和所述第n+1金属软磁薄膜层3.n+1相连，即所述第i绝缘层4.i设置在所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1之间，且所述第i绝缘层4.i分别与所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1相连，其中i为大于等于1且小于等于n的整数，取n为7。
所述辐射层1为高发射率的SiO2薄膜，SiO2薄膜的厚度为0.02mm。
所述介质层2为相对介电常数值为8.8的氮化铝陶瓷柔性片材，所述氮化铝陶瓷柔性片材由氮化铝粉末和PVB使用流延方法制备，所述氮化铝陶瓷柔性片材中氮化铝占98wt％，余量为PVB，所述氮化铝柔性片材厚度为0.2mm。
所述第j金属软磁薄膜层3.j为铁镍合金软磁薄膜，其中j为大于等于1且小于等于8的整数。
在所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1内设计了气隙结构7，所述气隙结构7为井字形，如图6所示，其中，(a)为第i金属软磁薄膜层3.i在y-z面的结构示意图，(b)为金属软磁薄膜层结构图的x-z面剖视图，(c)为所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1在y-z面的结构示意图。
图(a)中第i金属软磁薄膜层3.i与图(c)中所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1的气隙结构7分别沿y轴和x轴，因此，总结得出，相邻的金属软磁薄膜层中的条形气隙结构7相互垂直。
所述第i绝缘层4.i为高分子胶粘剂，所述高分子胶粘剂的厚度为0.05mm，胶粘剂用于粘结并分隔所述第i金属软磁薄膜层3.i和所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1，形成所述第i金属软磁薄膜层3.i、所述第i+1金属软磁薄膜层3.i+1与所述第i绝缘层4.i交替的叠层，其中i为大于等于1且小于等于7的整数。
所述第j金属软磁薄膜层3.j与接地连接体8相连，用于接地，其中j为大于等于1且小于等于8的整数，所述第j金属软磁薄膜层3.j的厚度为0.05mm。
所述导热层5为弹性导热硅胶，弹性导热硅胶的厚度为0.06mm。
实施例5
图7为本发明无线充电装置结构图，如图7所示，本发明提供一种无线充电装置，所述无线充电装置包括复合金属软磁片、无线充电线圈；所述无线充电线圈与所述辐射层的另一侧相连，所述导热层的另一侧与电池相连。
所述无线充电线圈的阻抗匹配是通过金属软磁薄膜层引入的电感量增加和寄生电容、介质层材料构成的分布电容的调制来实现的；其中，各金属软磁薄膜层引入的电感量是通过气隙形状、气隙宽度以及气隙数量的设计来控制；介质层材料的分布电容是通过介质材料的介电常数以及层厚度来控制。所述电场屏蔽指各层金属软磁薄膜对交变电场的屏蔽；所述磁场屏蔽指各层金属软磁薄膜对交变磁场的屏蔽。
基于以上所述，线圈的高电感是通过对金属软磁薄膜设计气隙结构和气隙宽度、数量实现，具体为：
本发明对金属软磁薄膜层设置气隙结构，抑制材料中的感应磁场，减小感应磁场对原磁场的衰减，气隙的数量决定了感应磁场的抑制量。在金属软磁薄膜层间用绝缘层分隔，抑制感应磁场通过相邻金属软磁层间形成，再次减小感应磁场对原磁场的衰减。此外，金属软磁材料的磁导率与线圈电感成正比，在金属软磁薄膜中设置合理的气隙结构，能够达到保持高频磁导率和降低磁阻的目的。
基于以上所述，所述线圈的阻抗匹配是通过对金属软磁薄膜设计气隙结构，控制气隙宽度、数量和选取介质层的材料，调控分布电容，实现阻抗匹配，具体为：
本发明将无线充电线圈与所述辐射层相连，无线充电线圈与金属软磁薄膜层间会形成寄生电容C1，控制气隙的数量、气隙宽度和介质层材料的介电常数，实现对电容C1的调控。C1与无线充电线圈自身的分布电容为C2形成串联，整个系统(天线和复合金属软磁片)的电容C3既小于C1又小于C2，在谐振频率一定情况下，系统可以取得电感最大值。通过调节C1，不仅可以获得高电感，同时实现阻抗匹配。
本发明各所述金属软磁薄膜层选为屏蔽交变磁场的材料，为防止磁场泄漏，相邻所述金属软磁薄膜中的条形气隙机构相互垂直，相邻所述金属软磁薄膜层中发射形或井字形的气隙结构位置相互错开。
本发明将各所述金属软磁薄膜层与接地连接体相连，以实现屏蔽交变电场。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种复合金属软磁片，其特征在于，所述复合金属软磁片用于无线充电，所述复合金属软磁片包括：辐射层、介质层、磁性-绝缘层、导热层；
所述介质层的一侧与所述辐射层的一侧相连，所述磁性-绝缘层的一侧与所述介质层的另一侧相连，所述导热层的一侧与所述磁性-绝缘层的另一侧相连；
磁性-绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1的整数；相邻的两个所述金属软磁薄膜层之间设置所述绝缘层，且所述绝缘层分别与相邻的两个所述金属软磁薄膜层相连。
2.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，在所述金属软磁薄膜层内设有气隙结构；所述气隙结构为条形、发射形、井字形中任意一种；所述金属软磁薄膜层中相邻条形的气隙结构相互垂直；所述金属软磁薄膜层中相邻发射形或井字形的气隙结构的位置相互错开，不重叠。
3.根据权利要求2所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述条形或井字形的气隙结构的宽度为0.01-0.1mm，相邻气隙结构之间的间距为0.5-5mm；发射形的气隙结构的宽度为0.01-0.1mm，相邻气隙结构之间的夹角为5-90度。
4.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述磁性-绝缘层包括：n+1个金属软磁薄膜层、n个绝缘层，其中n为大于等于1且小于等于7的整数。
5.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述辐射层为导热石墨片、高发射率涂层、高发射率薄膜中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述高发射率涂层为MgO、CuO、NiO、Co2O3、MnO2、SiC、SiO2、Fe2O3中至少一种，所述高发射率薄膜为MgO、CuO、NiO、SiO2中任意一种。
7.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述金属软磁薄膜层包含：铁基、铁钴基、铁镍基、铁硅铝合金薄膜以及非晶、纳米晶带材。
8.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述绝缘层为胶粘剂，所述导热层为弹性硅胶或硅脂，所述介质层的材料为相对介电常数范围为1-90的低介电损耗材料。
9.根据权利要求1所述的复合金属软磁片，其特征在于，所述辐射层的厚度为50nm-0.2mm，介质层的厚度为0.02-2mm，金属软磁薄膜层的厚度为0.04-1mm，绝缘层的厚度为100nm-0.2mm，导热层的厚度为0.03-3mm。
10.一种无线充电装置，其特征在于，所述无线充电装置包括权利要求1-9任一项所述的复合金属软磁片、无线充电线圈；所述无线充电线圈与所述辐射层的另一侧相连，所述导热层的另一侧与电池相连。
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