CN1091175C - 特殊切角的硼酸氧钙稀土盐激光倍频晶体 - Google Patents

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Abstract

本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是相对激光波长λω＝1340nm，1064nm，1053nm或940nm确定了硼酸氧钙稀土盐[ReCOB(Re＝Gd，Y)]晶体激光倍频器件的最佳切割方向。例如，λω＝1064nm，YCOB晶体倍频器件的切角为θ＝65.9°±5°，φ＝36.5°±5°或θ＝66.3°±5°，φ＝143.5°±5°。本发明解决了现有技术存在的倍频转换效率低的问题。本发明具有倍频转换效率高，能耗低，充分开发ReCOB晶体的特性，有利于ReCOB晶体的开发应用。

Description

特殊切角的硼酸氧钙稀土盐晶体激光倍频器件
本发明涉及一种特殊切角的硼酸氧钙稀土盐[ReCa4O(BO3)3，简称ReCOB，(Re＝Gd，Y)]晶体激光倍频器件，属于光电子技术领域。
ReCOB(Re＝Gd，Y)是由Aka等人于1995年发现的一类新型非线性光学人工晶体，目前已发现YCOB和GdCOB两种晶体具有非线性光学效应大(和LiB3O5晶体具有同量级的非线性光学效应)，易生长的特点，典型晶体的尺寸已可达到φ50×100mm。同时发现，这两种晶体都能对1340nm、1064nm、1053nm、940nm等波长的激光进行有效倍频产生红、绿、蓝等多种可见激光。此外，这两种晶体的Gd，Y两种离子易于被激活离子Nd，Yb等所取代，从而形成Nd：YCOB、Yb：YCOB等自倍频晶体，目前晶体的自倍频绿光输出已可达到50mw。因此，Nd：YCOB和Nd：GdCOB也是一种很好的自倍频晶体材料。由于这类材料具有上述这些优点，从而引起了光电子领域科学技术界的广泛兴趣。
ReCOB晶体属单斜m点群，是目前所有实用的非线性晶体材料中对称性最低的晶体，也是迄今所知非线性晶体中对称性最低者之一。受晶体点群对称性的影响，该晶体的非线性光学系数dij(i＝1-3，j＝1-6，其中1→11，2→22，3→33，4→23，5→13，6→12)有多达八个非零分量，考虑到晶体的倍频系数所应服从的Kleinman对称性条件，此类晶体仍有六个独立的dij系数，它们是d33，d11，d32，d12，d13和d31，这六个倍频系数从原理上分析，d33，d11，d31，d13四个系数可以从Maker条纹法测出，然后再用相位匹配法以测定d32，d12。但是由于这类晶体对称性很低，到目前为止还未能成功地测定出它们的倍频系数。因此，很难计算这类晶体的有效倍频系数，并进而确定制作激光倍频器时的最佳切角。1997年日本科学家在θ＝33°，φ＝9°方向初步测定了YCOB晶体的有效倍频系数。目前多数科学家认为YCOB晶体的最佳相位匹配方向(也就是在这一方向具有最大有效倍频系数)是θ＝33°，φ＝9°，最近的Nd：YCOB晶体自倍频实验也认为这一方向是最好的相位匹配方向。然而，理论计算和实验测试都发现θ＝33°，φ＝9°方向并不是YCOB晶体的最佳相位匹配方向。
本发明目的就是通过理论计算和实验测定，找出用ReCOB晶体制作激光倍频器件时的最佳切角方向，使得按本发明特殊切角制作的ReCOB晶体激光倍频器件具有比现有技术更高的倍频转换效率。
本发明的主要内容就是对硼酸氧钙稀土盐晶体器件，在入射光波长为1340～940nm切角范围是：硼酸氧钙钇晶体为θ＝67.0±5～64.4±5°，Φ＝27.5±5～44.8±5°或θ＝67.0±5～66.3±5°而Φ＝152.5±5～135.3±5°；对硼酸氧钙钆为θ＝64.5±5～60.5±5°，Φ＝34.4±5～61.5±5°或θ＝68.8±5～66.5±5°而Φ＝145.7±5～119.9±5°。
硼酸氧钙钇晶体在入射光波长为1340nm切角为θ＝67.0±5°，Φ＝27.5±5°，或θ＝67.0±5°，Φ＝152.5±5°。
硼酸氧钙钇晶体在入射光波长为1064nm切角为θ＝65.9±5°，Φ＝36.9±5°，或θ＝66.3±5°，Φ＝143.5±5°。
硼酸氧钙钇晶体在入射光波长为1053nm切角为θ＝64.4±5°， Φ＝44.8±5°，或θ＝66.8±5°，Φ＝135.3±5°。
硼酸氧钙钇晶体在入射光波长为940nm切角为θ＝64.4±5°，Φ＝44.8±5°，或θ＝66.8±5°，Φ＝135.3±5°。
硼酸氧钙钆晶体在入射光波长为1340nm切角为θ＝64.5±5°，Φ＝34.4±5°，或θ＝66.5±5°，Φ＝145.7±5°。
硼酸氧钙钆晶体在入射光波长为1064nm切角为θ＝62.0±5°，Φ＝47.8±5°，或θ＝67.0±5°，Φ＝132.6±5°。
硼酸氧钙钆晶体在入射光波长为1053nm切角为θ＝62.0±5°，Φ＝48.7±5°，或θ＝67.0±5°，Φ＝131.7±5°。
硼酸氧钙钆晶体在入射光波长为940nm切角为θ＝60.5±5°，Φ＝61.5±5°，或θ＝68.0±5°，Φ＝119.9±5° 。
本发明运用阴离子基团理论，首先从理论上计算出YCOB和GdCOB晶体的倍频系数。表1列出了使用阴离子基团理论及Gaussian’92和CNDO两种量子化学计算程序分别计算出的YCOB和GdCOB的dij系数的理论值。表1同时列出了用Maker条纹方法测出的YCOB晶体的d33，d32值和GdCOB晶体的d33值，以及其它各dij的值，实验值和理论值符合得非常好。再运用对称性理论，确定ReCOB的相位匹配方向具有mmm空间对称性(m分别垂直于晶体的折射率主轴X，Y，Z)。因此，只要考虑空间一个象限，例如第一象限(0°≤θ≤90°，0°≤φ≤ 90°)中的相位匹配方向，就可按mmm对称性求得空间所有切角器件方向。对称性理论还确定ReCOB晶体的有效倍频系数deff应具有2/m(m⊥Y)空间对称性。因此，在空间第一、二两个象限中，deff值是独立的。只要确定了这两个象限的deff值，就可以通过对称性2/m求出空间所有相位匹配方向的deff值，亦即只要在第一、二象限找出deff最大值方向(最佳倍频方向)，就可以求出空间全部最佳倍频方向。
       表1.YCOB和GdCOB晶体的倍频系数(单位：pm/V)
晶体 dij             计算值 Maker条纹法测定值
Gauss’92 CNDO
YCOB     d33     -1.018     -1.236     ±0.92
    d11     -0.104     0.056     ≈0.0
    d12     -0.015     0.128     ＜＜d32
    d13     -0.253     -0.186     ＜＜d33
    d31     0.120     0.151     ＜＜d33
    d32     0.757     1.081     ±1.34
GdCOB     d33     -0.903     -1.14     ±0.75
    d11     0.050     0.050     ≈0
    d12     0.128     0.166     -
    d13     -0.183     -0.22     -
    d31     0.127     0.16     -
    d32     0.741     1.00     -
本发明选用目前常用激光器的四种波长(1340nm，1064nm，1053nm，940nm)为例，利用所确定的dij值和折射率色散关系，计算了ReCOB晶体在这四种激光波长时，deff在第一、二两个象限(0°≤θ≤90°，0°≤φ≤180°)中分布。图1是YCOB晶体的对于1064nm激光波长的deff空间分布。由此可以确定YCOB晶体制作1064nm激光倍频器的最佳切角为θ1＝65.9°，φ1＝36.5°和θ2＝66.3°，φ2＝143.5°。
为进一步证实本发明的效果，对YCOB晶体的有效倍频系数的空间分布进行了实验测量。在此举出YCOB的测量结果：YCOB晶体按θ＝33°，φ＝0°；θ＝33°，φ＝9°；θ＝64.5°，φ＝35.5°等七个相位匹配方向进行切割(见表2)，晶体沿相位匹配方向的长度均为2mm，参考样品使用II型切割的KTP晶体(θ＝90°，φ＝23.6°)，其有效倍频系数deff＝2.45pm/v，在实验中使用的基波光波长为1064nm。YCOB晶体有效倍频系数随不同匹配方向的实验值也在此表中列出。
        表2、YCOB倍频器件实测倍频转换效率和有效倍频系数值
  样品序号   方向(θ，φ) 晶体长度(mm)  倍频转换效率(％)  deff(pm/V)
    1234567     32°，0°33°，9°64.5°，35.5°66.8°，35.4°113.2°，35.4°*115.5°，35.5°+90°，33.6°     2222222     1.51.32.42.342.572.61.07     0.5280.5180.7070.660.7070.7540.46
*等效于66.8°，144.6°+等效于64.5°，144.5°
从表2中可以看出，测量的YCOB晶体的deff空间分布和计算结果不但在方向上一致，而且在绝对值上也是非常接近的。例如实验指出，YCOB晶体有效倍频系数的极大值分别在(θ＝64.5°，φ＝35.5°)和(θ＝115.5°，φ＝35.5°)两个位置上，而计算值则在(θ＝65.9°，φ＝36.5°)和(θ＝113.7°，φ＝36.5°)。两者的角度误差只在5％以内。再如计算指出deff(θ＝113.7°，φ＝36.5°)＞deff(θ＝65.9°，φ＝36.5°)，而实验结果也证实了这一点。另外从有效倍频系数的绝对值来看，计算的deff(θ＝65.9°，φ＝36.5°)/deff(θ＝31.7°，φ＝0°)＝131，而实验值deff(θ＝64.5°，φ＝35.5°)/deff(θ＝32°，φ＝0°)＝1.34。因此使用相位匹配方法直接证实了我们所提出的结论：YCOB晶体的最大有效倍频系数的方向既不在X-Z主平面上，也不在θ＝33°，φ＝9°的相位匹配方向上，而是分别在θ＝65.9°±5°，φ＝36.5°±5°；θ＝66.3°±5°，φ＝143.5°±5°方向上。同时证明，按此方向加工的倍频器件，其倍频转换效率比现有技术所用θ＝33°，φ＝9°方向分别高1.8倍和2.0倍。
由此可见，本发明所确定的ReCOB晶体激光倍频器件的特殊切角，比现有技术有更高的倍频转换效率，因此，能耗降低，充分开发了ReCOB的性能，有利于ReCOB晶体的开发应用。
图1是YCOB晶体对1064nm激光的有效倍频系数空间分布图。图中1为第一象限deff最大的切角方向(θ＝65.9℃，φ＝36.5°)，2为第二象限deff最大的切角方向(θ＝66.3°，φ＝143.5°)。
图2是YCOB晶体直接倍频示意图。图中1为YCOB晶体倍频器件。
图3是YCOB晶体聚焦光束倍频示意图。图中1为YCOB晶体倍频器件，2，3为透镜。
图4是YCOB晶体非偏振激光倍频示意图。图中1为YCOB晶体倍频器件，2，3为透镜，4为起偏器。
实施例1
YCOB晶体直接倍频器件，其示意图如图2所示。垂直入射到YCOB晶体1上的基波光是由声光调Q纳秒Nd：YAG激光器输出的1064nm偏振光。YCOB晶体1的切割方向是在θ＝65.9°±5°，φ＝36.5°±5°；或者θ＝66.3°±5°，φ＝143.5°±5°。出射的倍频光为532nm，它的偏振方向垂直于入射的基波光的偏振方向。
实施例2
YCOB晶体聚焦光束倍频器件，其示意图如图3所示。垂直入射到YCOB晶体1上的基波光是由电光调Q纳秒Nd：YAG激光器输出的1064nm偏振光，经过聚焦系统2入射到YCOB晶体1上。聚焦系统2可以是单透镜，透镜组，或聚焦球面镜等。YCOB晶体1的切割方向是在θ＝65.9°±5°，φ＝36.5°±5°；或者θ＝66.3°±5°，φ＝143.5°±5°。出射的倍频光为532nm，它的偏振方向垂直于入射的基波光的偏振方向，532nm绿光经过准直系统3准直输出。准直系统3可以是单透镜，透镜组，或聚焦球面镜等。
实施例3
YCOB晶体非偏振激光倍频器件，其示意图如图4所示，垂直入射到YCOB晶体1上的基波光是由声光锁模Nd：YAG激光器输出的1064nm激光，由于激光器本身输出非偏振光，因此由偏振器4对1064nm激光起偏，产生偏振光，然后经过聚焦系统2入射到YCOB晶体1上。聚焦系统2可以是单透镜，透镜组，或聚焦球面镜等。YCOB晶体1的切割方向是在θ＝65.9°±5°，φ＝36.5°±5°；或者θ＝66.3°±5°，φ＝143.5°±5°。出射的倍频光为532nm，它的偏振方向垂直于入射的基波光的偏振方向，532nm绿光经过准直系统3准直输出。

Claims (9)

1.一种硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于所述晶体器件以特定切角方向加工而成的，在入射光波长为1340～940nm时所述切角范围是：对硼酸氧钙钇晶体为θ＝67.0±5～64.4±5°，φ＝27.5±5～44.8±5°或θ＝67.0±5～66.3±5°而φ＝152.5±5～135.3±5°；对硼酸氧钙钆为θ＝64.5±5～60.5±5°，φ＝34.4±5～61.5±5°或θ＝68.8±5～66.5±5°而φ＝145.7±5～119.9±5°。
2.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钇，在入射光波长为1340nm时所述切角为θ＝67.0±5°，φ＝27.5±5°，或θ＝67.0±5°，φ＝152.5±5°。
3.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钇，在入射光波长为1064nm时所述切角为θ＝65.9±5°，φ＝36.9±5°，或θ＝66.3±5°，φ＝143.5±5°。
4.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钇，在入射光波长为1053nm时所述切角为θ＝64.4±5°，φ＝44.8±5°，或θ＝66.8±5°，φ＝135.3±5°。
5.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钇，在入射光波长为940nm时所述切角为θ＝64.4±5°，φ＝44.8±5°，或θ＝66.8±5°，φ＝135.3±5°。
6.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钆，在入射光波长为1340nm时所述切角为θ＝64.5±5°，φ＝34.4±5°，或θ＝66.5±5°，φ＝145.7±5°。
7.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钆，在入射光波长为1064nm时所述切角为θ＝62.0±5°，φ＝47.8±5°，或θ＝67.0±5°，φ＝132.6±5°。
8.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钆，在入射光波长为1053nm时所述切角为θ＝62.0±5°，φ＝48.7±5°，或θ＝67.0±5°，φ＝131.7±5°。
9.根据权利要求1的硼酸氧钙稀土盐晶体器件，其特征在于：所述晶体是硼酸氧钙钆，在入射光波长为940nm时所述切角为θ＝60.5±5°，φ＝61.5±5°，或θ＝68.0±5°，φ＝119.9±5°。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1293683C (zh) * 2003-12-04 2007-01-03 山东大学 一种硼酸铋非共线倍频晶体器件

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6419554B2 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride
US20050190805A1 (en) * 2003-06-30 2005-09-01 Scripsick Michael P. Doped stoichiometric lithium niobate and lithium tantalate for self-frequency conversion lasers
CN100415949C (zh) * 2003-10-20 2008-09-03 中国科学院福建物质结构研究所 掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体
US7622851B2 (en) * 2006-01-17 2009-11-24 The Penn State Research Foundation High temperature piezoelectric material
CN102074887A (zh) * 2010-01-13 2011-05-25 山东大学 一种基于掺钕硼酸钙氧钆晶体的自变频固体激光器
CN101942699A (zh) * 2010-09-03 2011-01-12 山东大学 一种具有倍频效应的硼酸钙氧盐晶体的生长方法
CN102025100B (zh) * 2010-09-29 2012-03-21 山东大学 一种基于自倍频激光晶体的单频可见光激光器
CN102660772A (zh) * 2012-04-25 2012-09-12 中国科学院福建物质结构研究所 非线性光学晶体硼酸氧镉镥
CN102801096A (zh) * 2012-08-28 2012-11-28 青岛镭视光电科技有限公司 一种基于硼酸钙氧盐晶体的自光参量振荡激光器
CN103422172B (zh) * 2013-08-16 2016-01-20 山东大学 一种高性能光电功能晶体硼酸钙氧铥晶体及其生长与应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10206916A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan イットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶波長 変換素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10206916A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Kagaku Gijutsu Shinko Jigyodan イットリウム・カルシウム・オキシボレート結晶波長 変換素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1293683C (zh) * 2003-12-04 2007-01-03 山东大学 一种硼酸铋非共线倍频晶体器件

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