CN109061752B - 一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法 - Google Patents
一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法,包括以下步骤:利用薄片分析数据与对灰质响应较为敏感的测井曲线响应值建立相应的数学模型,计算灰质含量;再分析岩心分析灰质含量与logRT增大倍数的交会图,通过回归分析建立电阻率灰质含量校正模型,对电阻率进行灰质校正。本发明的含灰质地层的电阻率曲线校正方法,利用岩心分析的灰质含量和电阻率等曲线建立模型求取灰质含量,并针对复杂砂砾岩储层的特点及测井响应特征,合理建立模型校正电阻率。
Description
技术领域
本发明属于地球物理勘探领域,尤其是涉及一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法。
背景技术
岩石电阻率的大小是岩石矿物的电阻率、矿物的含量分布、含水饱和度、孔隙度、地层水矿化度、温度等诸多因素综合影响的结果。一般岩石骨架矿物不导电,导电物质主要是地层水,而传导通路主要是孔隙和孔喉通道。
在碎屑岩储层中,灰质多以钙质胶结物的形式存在,钙质电阻率高,并且容易堵塞孔喉通道,所测的电阻率一般高于地层真实电阻率,难以有效反映地层岩性的真实情况。
钙质储层容易定性识别,在常规测井上呈现“三低两高”(低声波时差、低密度、低自然伽马、高补偿中子、高电阻率)的响应特征。对于钙质含量的确定和钙质校正,国内外学者也进行了大量研究:
张宇晓等(1995)利用相对电阻率法得到储层的钙质校正系数,进行电阻率钙质校正。诸葛月英等(2006)和张建荣(2006)分别利用自然伽马和三孔隙度曲线和岩心分析的钙质含量,建立了特定地区储层钙质含量计算模型,并在实现了对储层电阻率进行了钙质校正。王敏等(2009)在钙质模型的基础上,采用截距法来校正钙质含量对电阻率的影响。
上述学者都采用特定的方法对灰质含量进行了校正,其中也有利用多测井曲线计算灰质含量的例子,但是对灰质敏感的电阻率曲线并未考虑在内。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法,利用岩心分析的灰质含量和电阻率等曲线建立模型求取灰质含量,并针对复杂砂砾岩储层的特点及测井响应特征,合理建立模型校正电阻率。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法,包括以下步骤:
S1、利用薄片分析数据与对灰质响应较为敏感的测井曲线响应值建立相应的数学模型,计算灰质含量;
S2、再分析岩心分析灰质含量与logRT增大倍数的交会图,通过回归分析建立电阻率灰质含量校正模型,对电阻率进行灰质校正。
进一步的,所述步骤S1中灰质含量计算的具体过程为:
S10、研究含钙储层的测井响应特征,挑选出对灰质含量敏感的测井曲线(AC、RT);
S11、利用薄片分析试验数据(VCa)与对灰质响应较为敏感的声波时差(AC)、深侧向电阻率(RT)曲线和岩心孔隙度(POR)建立灰质含量求取模型,即建立(VCa/POR)和归一化后的logRT/AC)的交会图,根据如下回归方程计算灰质含量:
式中:V(Ca)--灰质含量,%;
RT--深侧向电阻率,Ω·m;
AC--声波时差测井值,μs/ft;
POR--孔隙度,%。
进一步的,所述步骤S2中对电阻率进行灰质校正的具体过程为:
建立灰质含量与电阻率之间的定量响应模型,引入logRT增大倍数参数,研究含钙储层与不含钙储层(RTJ)的电阻率变化,通过岩心分析灰质含量与logRT增大倍数建立线性回归方程;
线性回归方程为:
式中:RT--电阻率测井值,Ω·m;
RTJ--不含钙储层电阻率测井值,Ω·m;
Vca--灰质含量,%。
由上式可知,当灰质含量为0时,logRT增大倍数为1,即储层不含钙时,电阻率没有发生改变,表明该模型准确,通过上式求得电阻率灰质含量校正模型为:
应用上述灰质校正模型,我们对B井电阻率进行了灰质校正RTj。
与现有技术相比,本发明的有益技术效果:
本方法所利用的基础数据完全来自于现场,资料的获取方便。容易,同时科学建立定量模型,一步步校正电阻率,确保校正后的优选测井曲线尽可能真实地反映岩性特征。
附图说明
下面结合附图说明对本发明作进一步说明。
图1为A井灰质测井响应特征;
图2为归一化logRT/AC与VCa/POR交会图;
图3为logRT增大倍数与岩心分析的灰质含量交会图;
图4为B井灰质校正后的电阻率曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明做更进一步的说明。
实施例1
一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法,包括以下步骤:
S10、首先利用薄片分析数据与对灰质响应较为敏感的测井曲线响应值建立相应的数学模型,计算灰质含量:
①选取对灰质响应较为敏感的测井曲线:
根据含钙储层的测井响应特征(如图1所示),随着储层灰质含量增大电阻率测井值增高,声波时差测井值相对较低的,选取声波时差(AC)、深侧向电阻率(RT)曲线作为反映灰质含量的敏感曲线。
②计算储层灰质含量:
薄片分析试验数据(VCa)与声波时差(AC)、深侧向电阻率(RT)的相关性较差。研究发现,声波时差(AC)、深侧向电阻率(RT)曲线不仅与灰质含量有关,数值的大小还受到孔隙度和饱和度等因素的影响。经测试,发现灰质含量与孔隙度的比值(VCa/POR)和归一化电阻率和声波时差的比值(logRT/AC)建立的模型相关性较好(如图2所示),由此推出归一化后的灰质含量的计算模型:
式中,V(Ca)--灰质含量,%;
RT--深侧向电阻率,Ω·m;
AC--声波时差测井值,μs/ft。
POR--孔隙度,%;
S20、电阻率灰质校正:
建立灰质含量与电阻率之间的定量响应模型。引入logRT增大倍数参数,研究含钙储层与不含钙储层(RTJ)的电阻率变化。通过岩心分析灰质含量与logRT增大倍数的交会图表明,灰质含量与logRT增大倍数相关性强(如图3所示),建立如下线性回归方程:
式中,RT--电阻率测井值,Ω·m;
RTJ--不含钙储层电阻率测井值,Ω·m;
Vca--灰质含量,%。
由上式可知,当灰质含量为0时,logRT增大倍数为1,即储层不含钙时,电阻率没有发生改变,表明该模型准确。通过上式求得电阻率灰质含量校正模型为:
应用上述灰质校正模型,我们对B井电阻率进行了灰质校正(如图4所示)
由图4可以看出,利用多曲线建立的灰质含量模型与岩心灰质含量符合较好,能够很好地反应储层灰质含量;对于深侧向电阻率,灰质含量越大,电阻率所需的校正量也越大,符合实际情况。
以上所述的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (2)
1.一种含灰质地层的电阻率曲线校正方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、利用薄片分析数据与对灰质响应较为敏感的测井曲线响应值建立相应的数学模型,计算灰质含量;
S2、再分析岩心分析灰质含量与logRT增大倍数的交会图,通过回归分析建立电阻率灰质含量校正模型,对电阻率进行灰质校正;
所述步骤S2中对电阻率进行灰质校正的具体过程为:
建立灰质含量与电阻率之间的定量响应模型,引入logRT增大倍数参数,研究含钙储层与不含钙储层RTJ的电阻率变化,通过岩心分析灰质含量与logRT增大倍数建立线性回归方程;
线性回归方程为:
式中:RT--电阻率测井值,Ω·m;
RTJ--不含钙储层电阻率测井值,Ω·m;
VCa--灰质含量,%;
由上式可知,当灰质含量为0时,logRT增大倍数为1,即储层不含钙时,电阻率没有发生改变,表明该模型准确,通过上式求得电阻率灰质含量校正模型为:
应用上述灰质校正模型,对电阻率进行灰质校正RTJ。
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