CN109061428A - 晶闸管的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶闸管的检测方法，包括：向第一模拟开关(S1)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP>2V时，开启反向导通；当0.1V<ADP<2V时，所述晶闸管正向导通；当ADP<0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。上述方法能够自动对晶闸管的各项导通性能进行检测，进而判断晶闸管的优劣，无需人工进行检测，也不需要根据晶闸管的不同选取不同的检测方式，给实际工作带来了非常大的方便。

Description

晶闸管的检测方法
技术领域
本发明属于测量技术领域，具体涉及一种晶闸管的检测方法。
背景技术
晶闸管作为一种常用的开关电子元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。其检测方式常见的为：通过现有万用表的两个表笔分别反复测量不同的极间电压，最终得出晶闸管的管脚数据，但是用万用表却不能有效的检测晶闸管的好坏，测两极间电阻如果通了肯定是坏了，但不通就不一定是好的，晶闸管一电极和控制极间二极管特性不明显，正向一点都不通或正反向电阻都为0是坏了，但反向“漏电”并不能说就坏了，不像普通的二极管那样可有效的通过用万用表的二极管档测量根据是否正向导通反向截止来判断好坏。而且现有技术中双向晶闸管和单向晶闸管的检测方法也不同，给检测带来了诸多不便。
因此为了解决上述问题，提供一种能够简便、直观的晶闸管的检测方法显得尤为重要。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供一种晶闸管的检测方法，解决了现有技术中晶闸管测量方式的复杂程度以及风险度。
为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：
本发明中的一种晶闸管的检测方法，包括：
向第一模拟开关(S1)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，开启反向导通；当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，所述晶闸管正向导通；当ADP&lt;0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
上述晶闸管的检测方法，优选的，开启反向导通包括：
向第一模拟开关(S1)输出低电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&lt;-2V时，所述晶闸管开路或未连接；当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，所述晶闸管反向导通，当ADP&gt;-0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
上述晶闸管的检测方法，优选的，所述方法还包括：向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，所述晶闸管正向关断正常，并进行过零关断；否则，所述晶闸管损坏或短路。
上述晶闸管的检测方法，优选的，所述方法还包括：
向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;-2V时，所述晶闸管反向关断正常，则开启反向导通；否则，所述晶闸管损坏或短路。
本发明中的一种晶闸管的检测方法，包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，开启反向导通；当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，所述晶闸管正向导通；当ADP&lt;0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
上述晶闸管的检测方法，优选的，开启反向导通包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出低电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&lt;-2V时，所述晶闸管开路或未连接；当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，所述晶闸管反向导通，当ADP&gt;-0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
上述晶闸管的检测方法，优选的，当所述晶闸管正向导通或者反向导通后，所述方法还包括：控制第一模拟开关(S1)、第二模拟开关(S2)、第三模拟开关(S3)以及第四模拟开关(S4)输出零电压；所述晶闸管过零关断。
上述晶闸管的检测方法，优选的，所述方法还包括：向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，所述晶闸管正向关断正常，并进行过零关断；否则，所述晶闸管损坏或短路。
上述测量晶闸管的方法，优选的，所述方法还包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;-2V时，所述晶闸管反向关断正常，则开启反向导通；否则，所述晶闸管损坏或短路。
本发明中的一种晶闸管的检测方法，可以实现只需将被测晶闸管插入万用表对应的接口中，就可直接判断出晶闸好坏以及导通阻，同时有经验的人员也可以直接从读数来判断引脚排列等情况，此种方式对于单向晶闸管以及双向晶闸管的检测都有效。
附图说明
图1是本发明实施例中一种晶闸管的检测方法流程图；
图2是本发明另一实施例中一种晶闸管的检测方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的描述。
本发明实施例所述的一种晶闸管的检测方法，如图1所示，包括，步骤101，向第一模拟开关(S1)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
步骤102读取所述晶闸管的导通电压值ADP；
当所述ADP&gt;2V时，进入步骤103，开启反向导通；由于正常情况下，晶闸管如果导通其上的电压一般在0.1V～2V之间，如果测得该处电压大于2V或者接近+VDD,则判定所述晶闸管可能是单向晶闸管或者已正向开路损坏。因此需要再次进行反向导通检测，以确认晶闸管是反向连接的单向晶闸管还是已经损坏。
当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，进入步骤104，确认所述晶闸管为正向导通；此时可以确认该晶闸管是好的，但是无法确认是单向晶闸管还是双向晶闸管，因此较佳的，步骤104后，也进入步骤103，进一步判断所述晶闸管是否能够反向导通，如果该晶闸管能够正向导通，且也能够反向导通，则判定此晶闸管为双向晶闸管；如果该晶闸管只能给正向导通，而无法反向导通，则判断该晶闸管为正向接入的单向晶闸管。
当ADP&lt;0.1V时，进入步骤105，确认所述晶闸管损坏或短路，以便及时更换。
较佳的，所述第一模拟开关(S1)以及第二模拟开关(S2)均为单刀双掷开关，其两个静触点分别连接高电平以及低电平，因此向两个模拟开关输入不同的电平，其动触电均会连接到不同的静触点上，以实现向晶闸管提供电压的目的。
本发明实施例所述的一种晶闸管的检测方法，较佳的，开启反向导通包括：
步骤106，向第一模拟开关(S1)输出低电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
步骤107，读取所述晶闸管的导通电压值ADP；
当所述ADP&lt;-2V时，进入步骤108，所述晶闸管开路或未连接；
当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，进入步骤109，所述晶闸管反向导通；
当ADP&gt;-0.1V时，进入步骤105，确认所述晶闸管损坏或短路。
本发明实施例中的晶闸管的检测方法，较佳的，所述方法还包括：向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，所述晶闸管正向关断正常，；否则，所述晶闸管损坏或短路。
上述较佳的实施例中，为了检测方便，在不改变模拟开关的接线方式的同时，也可以同时向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)同时输出零电压，以控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压。
本发明实施例中的晶闸管的检测方法，较佳的，所述方法还包括：
向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;-2V时，所述晶闸管反向关断正常，则开启反向导通；否则，所述晶闸管损坏或短路。
上述较佳的实施例中，为了检测方便，在不改变模拟开关的接线方式的同时，也可以同时向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)同时输出零电压，以控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压。
本发明实施例还提供一种晶闸管的检测方法，如图2所示，包括：
步骤201,向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出高电平+VDD，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平+VDD；向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平+VDD，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平+VDD；
步骤202,读取所述晶闸管的导通电压值ADP；通过不同的电压值分段，能够获取到该被测晶闸管的状态。
其中，当所述ADP&gt;2V时，进入步骤203,开启反向导通；
当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，进入步骤204，确定所述晶闸管正向导通；
当ADP&lt;0.1V时，进入步骤205，判断为所述晶闸管损坏或短路。
具体的，四个模拟开关均是单刀双掷开关，每个开关的引脚1及3均为此开关的静触点，引脚2均为动触点。处理单元具有4个输出端口PA1,PA2,PA3以及PA4，其中，第一模拟开关(S1)的输入端CON直接连接PA1，第三模拟开关(S3)的输入端CON直接连接PA2，第二模拟开关(S2)的输入端CON直接连接PA3，第四模拟开关(S4)的输入端CON直接连接PA4。在本发明实施例中，由处理单元通过不同的输出端口分别向四个模拟开关的输入端输出相应的电压值，以控制模拟开关的动作。另一方面，其中两个个模拟开关的静触点均连接至被测晶闸管。具体的，所述第三模拟开关(S3)的静触点连接晶闸管的控制极(G)，所述第二模拟开关(S2)的静触点连接被测晶闸管的第二主电极(T2)，所述晶闸管的第一主电极(T1)接地，这样晶闸管的三个管脚在本发明实施例中均被连接后可以进行后续测量。
本发明具体的实施例中，步骤103开启反向导通，进一步包括：
步骤206，向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出低电平-VDD，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平-VDD；向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平-VDD，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平-VDD；
步骤207，读取所述晶闸管的导通电压值ADP；
当所述ADP&lt;-2V时，进入步骤208，判断所述晶闸管为开路或未连接；
当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，进入步骤209，确认所述晶闸管反向导通；
当ADP&gt;-0.1V时，进入步骤205，判断所述晶闸管损坏或短路。
本发明具体的实施例所述的一种晶闸管的检测方法，较佳的，当判断所述晶闸管正向导通或者反向导通后，所述方法还包括：
步骤210，控制第一模拟开关(S1)、第二模拟开关(S2)、第三模拟开关(S3)以及第四模拟开关(S4)输出零电压，使得所述晶闸管过零关断。
本发明具体的实施例所述的一种晶闸管的检测方法，较佳的，如图2所示，所述方法还包括：步骤211，向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压；所述处理单元向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
步骤212，读取所述晶闸管的导通电压值ADP；
当所述ADP&gt;2V时，步骤213，确认所述晶闸管正向关断正常，并进行过零关断；具体的，过零关断的步骤与步骤210相同。
否则，进入步骤205，判断所述晶闸管损坏或短路。
本发明具体的实施例所述的一种晶闸管的检测方法，较佳的，在图2中，所述方法还包括：
步骤214，向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压；向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
步骤215，读取所述晶闸管的导通电压值ADP；
当所述ADP&gt;-2V时，进入步骤216，确认所述晶闸管反向关断正常，并开启反向导通；其中，开启反向导通的步骤同步骤206相同，在此不再赘述，其主要目的是为了判断双向晶闸管的反向关断以及开启是否均正常。唯一不同的是，如果得到的导通电压值ADP&lt;-2V时，则判断所述晶闸管为反向导通的单向晶闸管。
否则，进入步骤205，判断所述晶闸管损坏或短路。
较佳的，本发明实施例的方法可以连续多次对多个晶闸管进行检测，因此较佳的实施例中当一个晶闸管的正向导通，过零关断，正向关断，反向导通以及反向关断均检测完成后，本发明实施例所述的方法又进入下一次的检测，即在步骤216之后又返回到步骤201进行新一轮的测量。为了满足各种检测要求，具体方式不以本发明实施例所例举的为限。
综上，本发明实施例中的一种晶闸管的检测方法，可以实现只需将被测晶闸管插入万用表对应的接口中，就可直接判断出晶闸管好坏以及导通阻，同时有经验的人员也可以直接从读数来判断引脚排列等情况，此种方式对于单向晶闸管以及双向晶闸管的检测都有效。
本发明不局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本申请相同或相近似的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种晶闸管的检测方法，其特征在于，包括：
向第一模拟开关(S1)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，开启反向导通；当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，所述晶闸管正向导通；当ADP&lt;0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
2.根据权利要求1所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，开启反向导通包括：
向第一模拟开关(S1)输出低电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&lt;-2V时，所述晶闸管开路或未连接；当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，所述晶闸管反向导通，当ADP&gt;-0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
3.根据权利要求1所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，所述晶闸管正向关断正常，并进行过零关断；否则，所述晶闸管损坏或短路。
4.根据权利要求1所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
向第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;-2V时，所述晶闸管反向关断正常，则开启反向导通；否则，所述晶闸管损坏或短路。
5.一种晶闸管的检测方法，其特征在于，包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，开启反向导通；当0.1V&lt;ADP&lt;2V时，所述晶闸管正向导通；当ADP&lt;0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
6.根据权利要求5所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，开启反向导通包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出低电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出低电平，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&lt;-2V时，所述晶闸管开路或未连接；当-0.4V&lt;ADP&lt;-0.1V时，所述晶闸管反向导通，当ADP&gt;-0.1V时，所述晶闸管损坏或短路。
7.根据权利要求5或6所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，当所述晶闸管正向导通或者反向导通后，所述方法还包括：控制第一模拟开关(S1)、第二模拟开关(S2)、第三模拟开关(S3)以及第四模拟开关(S4)输出零电压；所述晶闸管过零关断。
8.根据权利要求7所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;2V时，所述晶闸管正向关断正常，并进行过零关断；否则，所述晶闸管损坏或短路。
9.根据权利要求8所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出零电压，控制被测晶闸管的控制极(G)输出零电压，并向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出低电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出低电平；
读取所述晶闸管的导通电压值ADP，当所述ADP&gt;-2V时，所述晶闸管反向关断正常，则开启反向导通；否则，所述晶闸管损坏或短路。
10.根据权利要求5所述的一种晶闸管的检测方法，其特征在于，所述方法还包括：通过处理单元向第一模拟开关(S1)以及第三模拟开关(S3)输出高电平，控制被测晶闸管的控制极(G)输出高电平，同时，通过处理单元向第二模拟开关(S2)以及第四模拟开关(S4)输出高电平，控制所述晶闸管的第二主电极(T2)输出高电平。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101373165B1 (ko) * 2012-11-30 2014-03-11 주식회사 포스코 사이리스터 고장 검출 장치 및 검출 방법
CN106154134A (zh) * 2016-06-18 2016-11-23 温州大学 一种晶闸管四象限触发特性参数测试装置
CN106896258A (zh) * 2017-03-30 2017-06-27 西北核技术研究所 一种晶闸管瞬态导通压降测量电路
CN206788311U (zh) * 2017-01-16 2017-12-22 南京三倍速机电有限公司 一种晶闸管检测电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101373165B1 (ko) * 2012-11-30 2014-03-11 주식회사 포스코 사이리스터 고장 검출 장치 및 검출 방법
CN106154134A (zh) * 2016-06-18 2016-11-23 温州大学 一种晶闸管四象限触发特性参数测试装置
CN206788311U (zh) * 2017-01-16 2017-12-22 南京三倍速机电有限公司 一种晶闸管检测电路
CN106896258A (zh) * 2017-03-30 2017-06-27 西北核技术研究所 一种晶闸管瞬态导通压降测量电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
苏成富: "用万用表测试小功率晶闸管", 《电工技术杂志》 *
郑能冲: "可关断晶闸管（GTO）特性的简易测试", 《电世界》 *

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CN109061428B (zh) 2019-09-03

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