CN109039120A - 一种单晶炉的电源系统 - Google Patents

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CN109039120A CN201811051602.4A CN201811051602A CN109039120A CN 109039120 A CN109039120 A CN 109039120A CN 201811051602 A CN201811051602 A CN 201811051602A CN 109039120 A CN109039120 A CN 109039120A
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Abstract

本申请公开了一种单晶炉的电源系统,包括输入滤波模块、VIENNA拓扑三相整流模块和控制器;控制器与VIENNA拓扑三相整流模块的控制端连接,输入滤波模块的输入端接入三相交流电,输入滤波模块的输出端与VIENNA拓扑三相整流模块的输入端连接,VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与单晶炉连接,以给单晶炉供电;控制器用于控制VIENNA拓扑三相整流模块对输入的三相交流电进行整流。本申请通过控制VIENNA拓扑三相整流工作在高频开关状态下,可以使输入电流正弦化,电流畸变率低,提高功率因数,从而有效地改善了能源浪费的问题。

Description

一种单晶炉的电源系统
技术领域
本申请涉及单晶炉技术领域,特别是涉及一种单晶炉的电源系统。
背景技术
单晶炉是生产单晶硅等材料的重要设备,单晶炉工作过程中需要大功率的直流电源供电,一般要求单晶炉电源的输出功率在0~200KW,输出电压在0~60V范围内可调,输出电流在0~3000A范围内可调。
为了满足单晶炉的供电要求,目前均采用较为复杂的电源系统,由控制器来控制生产过程中电源系统提供的电压和电流,图1为目前常用的单晶炉的电源系统,经过电感进行输入滤波后,通过可控硅调压、变压器降压升流、电感和二极管的整流以及电容的输出滤波输出相应范围内可调的直流。由于整流是在低频下进行,导致电流畸变严重,功率因数降低,能源浪费的问题。
因此,如何提供一种能解决上述技术问题的方案,是本领域的技术人员目前需要解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种单晶炉的电源系统,可以使输入电流正弦化,电流畸变率低,提高功率因数,从而有效地改善能源浪费的问题。
为解决上述技术问题,本申请提供了一种单晶炉的电源系统,包括输入滤波模块、VIENNA拓扑三相整流模块和控制器;
所述控制器与所述VIENNA拓扑三相整流模块的控制端连接,所述输入滤波模块的输入端接入三相交流电,所述输入滤波模块的输出端与所述VIENNA拓扑三相整流模块的输入端连接,所述VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与单晶炉连接,以给所述单晶炉供电;
所述控制器用于控制所述VIENNA拓扑三相整流模块对输入的三相交流电进行整流。
优选地,所述输入滤波模块包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感、第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一电感的第一端、所述第二电感的第一端和所述第三电感的第一端作为所述输入滤波模块的输入端,所述第四电感的第二端、所述第五电感的第二端和所述第六电感的第二端作为所述输入滤波模块的输出端,所述第一电感的第二端分别与所述第四电感的第一端和所述第一电容的第一端连接,所述第二电感的第二端分别与所述第五电感的第一端和所述第二电容的第一端连接,所述第三电感的第二端分别与所述第六电感的第一端和所述第三电容的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端均与所述第三电容的第二端连接。
优选地,所述电源系统还包括变压模块、二次整流模块和输出滤波模块,其中,所述变压模块包括高频逆变模块和变压器;
则所述VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与所述高频逆变模块的输入端连接,所述高频逆变模块的输出端与所述变压器的输入端连接,所述变压器的输出端与所述二次整流模块的输入端连接,所述二次整流模块的输出端与所述输出滤波模块的输入端连接,所述输出滤波模块的输出端与所述单晶炉连接,所述控制器还与所述高频逆变模块连接;
则所述控制器还用于控制所述高频逆变模块将所述VIENNA拓扑三相整流模块输出的直流电进行逆变,以输出频率大于工频频率的交流电;
所述二次整流模块用于对所述变压器的输出进行二次整流。
优选地,所述高频逆变模块包括第一功率管、第二功率管、第三功率管、第四功率管以及与各个功率管一一对应的、并联连接的续流二极管;
所述第一功率管的漏极、所述第二功率管的漏极、所述第三功率管的源极和所述第四功率管的源极作为所述高频逆变模块的输入端,所述第一功率管的源极和所述第三功率管的漏极连接的公共端和所述第二功率管的源极和所述第四功率管的漏极连接的公共端作为所述高频逆变模块的输出端,所述第一功率管的栅极、所述第二功率管的栅极、所述第三功率管的栅极和所述第四功率管的栅极均与所述控制器连接。
优选地,所述二次整流模块包括第一整流二极管和第二整流二极管;
则所述变压器为二次侧包含中心抽头的变压器,所述变压器的二次侧的正极端与所述中心抽头、负极端与所述中心抽头分别作为所述变压器的正相输出端和负相输出端;
所述第一整流二极管的阳极和所述第二整流二极管的阳极分别作为所述二次整流模块的正相输入端和负相输入端,所述第一整流二极管的阴极和所述第二整流二极管的阴极连接,其公共端作为所述二次整流模块的输出端。
优选地,所述输出滤波模块包括第七电感和第四电容;
所述第七电感的第一端作为所述输出滤波模块的输入端,所述第七电感的第二端和所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端与所述降压变压器的中心抽头连接,所述第四电容的第一端和所述第四电容的第二端作为所述输出滤波模块的输出端。
本申请提供了一种单晶炉的电源系统,包括输入滤波模块、VIENNA拓扑三相整流模块和控制器;控制器与VIENNA拓扑三相整流模块的控制端连接,输入滤波模块的输入端接入三相交流电,输入滤波模块的输出端与VIENNA拓扑三相整流模块的输入端连接,VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与单晶炉连接,以给单晶炉供电;控制器用于控制VIENNA拓扑三相整流模块对输入的三相交流电进行整流。可见,本申请用VIENNA拓扑三相整流替换了现有技术中的二极管整流,控制器可以控制VIENNA拓扑三相整流的过程,通过控制VIENNA拓扑三相整流工作在高频开关状态下,可以使输入电流正弦化,电流畸变率低,提高功率因数,从而有效地改善了能源浪费的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种单晶炉的电源系统的结构示意图;
图2为本申请所提供的一种单晶炉的电源系统的结构示意图;
图3为本申请所提供的单晶炉的整个系统的结构示意图;
图4为本申请所提供的另一种单晶炉的电源系统的结构示意图;
图5为本申请所提供的另一种单晶炉的电源系统的结构框图;
图6为本申请所提供的另一种单晶炉的电源系统的外观结构示意图。
具体实施方式
本申请的核心是提供一种单晶炉的电源系统,可以使输入电流正弦化,电流畸变率低,提高功率因数,从而有效地改善能源浪费的问题。
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参考图2,图2为本申请所提供的一种单晶炉的电源系统的结构示意图,包括输入滤波模块1、VIENNA拓扑三相整流模块2和控制器3;
控制器3与VIENNA拓扑三相整流模块2的控制端连接,输入滤波模块1的输入端接入三相交流电,输入滤波模块1的输出端与VIENNA拓扑三相整流模块2的输入端连接,VIENNA拓扑三相整流模块2的输出端与单晶炉连接,以给单晶炉供电;
控制器3用于控制VIENNA拓扑三相整流模块2对输入的三相交流电进行整流。
首先需要说明的是,单晶炉电源系统是一个集成度很高的大功率直流电源,输出功率0~200KW,输出电压为0~60V可调,输出电流为0~3000A,其输出的能量可直接为单晶炉内的石墨加热器供热,根据单晶硅生产工艺的要求,控温精度要求达到+0.5℃,加热温度范围为0-2000℃。电源的稳定、精确输出才能满足单晶在生长阶段对温度的要求。
具体地,现有技术中由于三相干式变压器经三相可控硅(晶闸管)桥式整流电路将交流电整流为直流电供单晶炉冶炼拉制出单晶棒。这种整流器通过调节导通角调节输出,是一种非线性负载,也是市电电网的一种谐波源,它对市电电网有较强的污染,使电网波形畸变严重。而且功率因数随导通角变化,长期低功率因数运行,造成单晶炉消耗大量电能,引起不必要的损耗。单晶炉谐波次数主要为5、7、11次谐波(其中5次谐波最大含有量达到45%,7次20%,11次11%,总畸变率达到49.43%,就目前而言,功率因数低至0.4570,最高功率因数也只有0.6464)。
为了解决现有技术中存在的问题,本申请提供了一种单晶炉的电源系统,将图1中的整流结构用VIENNA拓扑三相整流模块2替换,通过对SA、SB、SC双向功率开关管的导通和关断的控制,对升压电感的电流进行调节,实现对输入电流波形和直流输出电压的大小的调节,通过控制输出电流波形与输入电压波形的相位关系,即可以实现功率因数校正。整流桥采用不控整流电路,降低了电流畸变率,VIENNA拓扑三相整流模块2输出前还经过电容滤波,以滤除整流电压中纹波,保证输出电压为平直电压,直流输出供给单晶炉内的石墨加热器工作。
本申请改进了单晶炉电源系统的整流拓扑结构,能有效的弥补现有技术中电源的不足,提高了功率因数,降低谐波畸变率,在同样电力能源条件下,能够提升单晶硅生产质量和产量;此外,采用VIENNA拓扑三相整流模块2还能改善装置EMI(ElectromagneticInterference,电磁干扰)问题,减少损耗,节约能源。由于此拓扑的整流结构呈现电阻特性,即使电压不平衡及缺相情况下仍然可以很好地工作,提升了运行的稳定性。本申请可以将PWM整流技术应用到VIENNA拓扑三相整流的直流电源中,控制器3控制功率开关工作在高频状态下,使得电源稳压、稳流的性能得到了大大提高,而且电源动态响应时间短,是一种性价比非常优异的直流电源。
此外,本申请的单晶炉电源系统可以采用全数字化控制器3,可以为PLC控制器3,还可以是基于ARM微处理器的嵌入式软PLC控制器3,这种控制器3可以采用C语言编程,灵活控制流程,也可以是PLC语言编程的硬PLC控制器3。本申请的控制器3还可以为TPC-300+控制器3,这种控制器3采用了微型计算机、自动控制和光纤通讯等多种高新技术,集控制、测量、通讯和保护等多种功能为一体。当然,本申请的控制器3还可以为其他,本申请在此不做特别的限定。
此外,将本申请的单晶炉的电源系统模块化后,由N个电源模块并联组成一个大电源系统,如图3所示,其中,上位机接收单晶炉控制系统人机界面的信号,转换成数字信号后分配给多个电源模块分摊输出,以采样的直流输出作为闭环控制信号,控制整个系统稳定、精确地输出。
本申请提供了一种单晶炉的电源系统,包括输入滤波模块、VIENNA拓扑三相整流模块和控制器;控制器与VIENNA拓扑三相整流模块的控制端连接,输入滤波模块的输入端接入三相交流电,输入滤波模块的输出端与VIENNA拓扑三相整流模块的输入端连接,VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与单晶炉连接,以给单晶炉供电;控制器用于控制VIENNA拓扑三相整流模块对输入的三相交流电进行整流。可见,本申请用VIENNA拓扑三相整流替换了现有技术中的二极管整流,控制器可以控制VIENNA拓扑三相整流的过程,通过控制VIENNA拓扑三相整流工作在高频开关状态下,可以使输入电流正弦化,电流畸变率低,提高功率因数,从而有效地改善了能源浪费的问题。
在上述实施例的基础上:
作为一种优选的实施例,输入滤波模块1包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感、第一电容、第二电容和第三电容;
第一电感的第一端、第二电感的第一端和第三电感的第一端作为输入滤波模块1的输入端,第四电感的第二端、第五电感的第二端和第六电感的第二端作为输入滤波模块1的输出端,第一电感的第二端分别与第四电感的第一端和第一电容的第一端连接,第二电感的第二端分别与第五电感的第一端和第二电容的第一端连接,第三电感的第二端分别与第六电感的第一端和第三电容的第一端连接,第一电容的第二端、第二电容的第二端均与第三电容的第二端连接。
具体地,请参考图4,图4为本申请所提供的另一种单晶炉的电源系统的结构示意图,其中,输入滤波模块1采用LCL滤波结构,与现有技术中的L型滤波结构相比,LCL滤波结构可以兼顾低频段的增益和高频段的衰减,滤波效果更好。
需要说明的是,输入滤波模块1除了可以为LCL滤波结构外,还可以为其他的滤波结构,本申请在此不做特别的限定。
作为一种优选的实施例,电源系统还包括变压模块、二次整流模块和输出滤波模块,其中,变压模块包括高频逆变模块4和变压器5;
则VIENNA拓扑三相整流模块2的输出端与高频逆变模块4的输入端连接,高频逆变模块4的输出端与变压器5的输入端连接,变压器5的输出端与二次整流模块的输入端连接,二次整流模块的输出端与输出滤波模块的输入端连接,输出滤波模块的输出端与单晶炉连接,控制器3还与高频逆变模块4连接;
则控制器3还用于控制高频逆变模块4将VIENNA拓扑三相整流模块2输出的直流电进行逆变,以输出频率大于工频频率的交流电;
二次整流模块用于对变压器5的输出进行二次整流。
具体地,单晶炉的电源输出电流高达2000A,整流前还需经过变压器5降压生流,由于变压器5承受的电流较大,变压器5的体积也非常大,为了减小电源系统的体积,使得电源系统可以更好地模块化,本申请的电源系统可以在VIENNA拓扑三相整流后在进行变压,将原来先变压后整流的顺序进行调整。调整后,先经过VIENNA拓扑三相整流,在高频开关下,将VIENNA拓扑三相整流模块2输出的直流电可以很容易地逆变为高频交流电,然后再进行变压操作,由于高频变压时,磁通变化率很快,无须像现有技术中在工频变压时所需的很大的磁芯,只需较小的磁芯即可满足要求,因此,在高频逆变后进行变压可以大大减小变压器5的体积。当然,在变压后,还要进行二次整流以及输出滤波才能输出单晶炉所需的直流电。
需要说明的是,高频逆变可以采用全桥逆变,控制器3的控制方式可以为移相软开关变换,以减小开关损耗。变压器5只需要一个原边绕组,通过正、反向的电压得到正反向磁通,变压器5的铁芯和绕组可以得到最好的利用,提高变压器5效率和功率密度。
此外,变压器5一次侧可以采用多个相同的变压器5原边串联的形式,二次侧可以采用中心抽头的全波整流形式,使每个变压器5的参数相同,便于在二次侧得到低压大电流,这可以进一步降低变压器5损耗,提高使用效率。当然,变压器5还可以为其他的结构,二次整流模块的结构与之相适应即可,本申请在此不做特别的限定。
本申请采用高频整流后再高频逆变的方式可以使变压器5的体积大大减小,从而可以减小电源系统的体积,方便电源系统模块化以及后续的集成,从而使单晶炉的电源可以向大功率方向发展,有利于开拓市场。
作为一种优选的实施例,高频逆变模块4包括第一功率管、第二功率管、第三功率管、第四功率管以及与各个功率管一一对应的、并联连接的续流二极管;
第一功率管的漏极、第二功率管的漏极、第三功率管的源极和第四功率管的源极作为高频逆变模块4的输入端,第一功率管的源极和第三功率管的漏极连接的公共端和第二功率管的源极和第四功率管的漏极连接的公共端作为高频逆变模块4的输出端,第一功率管的栅极、第二功率管的栅极、第三功率管的栅极和第四功率管的栅极均与控制器3连接。
具体地,如图4所示,高频逆变模块4可以采用全桥逆变,由V1、V2、V3和V4这四个功率管以及相应器件组成,具体连接情况可参照图4,本申请在此不再赘述。
此外,高频逆变模块4除了上述的全桥逆变结构外,还可以为其他的结构,本申请在此不做特别的限定。
作为一种优选的实施例,二次整流模块包括第一整流二极管和第二整流二极管;
则变压器5为二次侧包含中心抽头的变压器5,变压器5的二次侧的正极端与中心抽头、负极端与中心抽头分别作为变压器5的正相输出端和负相输出端;
第一整流二极管的阳极和第二整流二极管的阳极分别作为二次整流模块的正相输入端和负相输入端,第一整流二极管的阴极和第二整流二极管的阴极连接,其公共端作为二次整流模块的输出端。
具体地,为了将变压后输出的交流电还原为单晶炉所需的直流电,本申请还设置了二次整流模块,本申请的二次整流模块可以为全波整流的结构,当然,二次整流模块还可以为其他的整流结构,例如半波整流结构,具体的结构可根据实际需要来定,本申请在此不做特别的限定。
作为一种优选的实施例,输出滤波模块包括第七电感和第四电容;
第七电感的第一端作为输出滤波模块的输入端,第七电感的第二端和第四电容的第一端连接,第四电容的第二端与降压变压器5的中心抽头连接,第四电容的第一端和第四电容的第二端作为输出滤波模块的输出端。
具体地,考虑到输出电压的稳定性,本申请的输出滤波模块可以采用LC结构,即此处的第七电感和第四电容所形成的滤波结构,可以选取第七电感的脉动值为最大输出电流的二分之一,使得第七电感的电流保持连续状态。采用第四电容滤除电压尖峰,得到脉动电压范围为0~0.6V。
需要说明的是,输出滤波模块的结构除了本实施例介绍的这一结构外,还可以有多种结构,本申请在此不做特别的限定。
此外,根据各实施例介绍的各模块的结构,本申请的单晶炉的电源系统的结构框图如图5所示,其中,采样电路采集输出信号,控制器3根据采集的输出信号以及接收的上位机分配的输出信号(给定),可以选恒功率输出模式或恒电流输出模式,通过PI调节,实现闭环控制。
还需说明的是,本申请输出频率可以为高频,在电气环境里,频率越高,电磁干扰越大,所以高频电源柜的核心控制板必须远离输出电源。因此,本申请可以将电源核心控制板、整流驱动板和逆变驱动板通过严密的结构设计,集成为一个电源控制箱,采用金属外壳接地方式来屏蔽干扰;电源控制箱还可以内置散热风扇,保证控制器3在高频电源运行过程中散热正常。如图6所示,将所有电路板安装于该金属箱体内,该壳体形成屏蔽网状结构,从不同的方位将电磁信号囚禁在一定空间内,外引线通过各端子引出,可以使用金属外壳来屏蔽电磁干扰。
另外,导体内部存在涡流效应,且经过实验可知,高频电源柜运行时,与出线母排平行的门板加强筋出现温升,由于交变电流的频率越高,涡流效应就越明显,所以高频电源柜必须尽量避免涡流的产生,特别是在出线母排的周围。结构上尽量不使用加强筋和环形立柱的设计,可以使用方钢管作为立柱材料,门板可以采用重复折边和增加铰链数量的方式代替加强筋来增加强度,内部封板可以使用绝缘材料,如黄蜡板、有机玻璃板和SMC(Sheet Molding Compound,玻璃钢)板等,当然,本申请对此均不做特别的限定。
本申请可满足单晶炉的电源向大功率、高频化、高效率、高可靠性方向发展,能实现电源模块化生产,采用全数字控制器3实现数字化和智能化控制。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言,由于其与实施例公开的系统相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见系统部分说明即可。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个······”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其他实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种单晶炉的电源系统,其特征在于,包括输入滤波模块、VIENNA拓扑三相整流模块和控制器;
所述控制器与所述VIENNA拓扑三相整流模块的控制端连接,所述输入滤波模块的输入端接入三相交流电,所述输入滤波模块的输出端与所述VIENNA拓扑三相整流模块的输入端连接,所述VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与单晶炉连接,以给所述单晶炉供电;
所述控制器用于控制所述VIENNA拓扑三相整流模块对输入的三相交流电进行整流。
2.根据权利要求1所述的单晶炉的电源系统,其特征在于,所述输入滤波模块包括第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第六电感、第一电容、第二电容和第三电容;
所述第一电感的第一端、所述第二电感的第一端和所述第三电感的第一端作为所述输入滤波模块的输入端,所述第四电感的第二端、所述第五电感的第二端和所述第六电感的第二端作为所述输入滤波模块的输出端,所述第一电感的第二端分别与所述第四电感的第一端和所述第一电容的第一端连接,所述第二电感的第二端分别与所述第五电感的第一端和所述第二电容的第一端连接,所述第三电感的第二端分别与所述第六电感的第一端和所述第三电容的第一端连接,所述第一电容的第二端、所述第二电容的第二端均与所述第三电容的第二端连接。
3.根据权利要求1所述的单晶炉的电源系统,其特征在于,所述电源系统还包括变压模块、二次整流模块和输出滤波模块,其中,所述变压模块包括高频逆变模块和变压器;
则所述VIENNA拓扑三相整流模块的输出端与所述高频逆变模块的输入端连接,所述高频逆变模块的输出端与所述变压器的输入端连接,所述变压器的输出端与所述二次整流模块的输入端连接,所述二次整流模块的输出端与所述输出滤波模块的输入端连接,所述输出滤波模块的输出端与所述单晶炉连接,所述控制器还与所述高频逆变模块连接;
则所述控制器还用于控制所述高频逆变模块将所述VIENNA拓扑三相整流模块输出的直流电进行逆变,以输出频率大于工频频率的交流电;
所述二次整流模块用于对所述变压器的输出进行二次整流。
4.根据权利要求3所述的单晶炉的电源系统,其特征在于,所述高频逆变模块包括第一功率管、第二功率管、第三功率管、第四功率管以及与各个功率管一一对应的、并联连接的续流二极管;
所述第一功率管的漏极、所述第二功率管的漏极、所述第三功率管的源极和所述第四功率管的源极作为所述高频逆变模块的输入端,所述第一功率管的源极和所述第三功率管的漏极连接的公共端和所述第二功率管的源极和所述第四功率管的漏极连接的公共端作为所述高频逆变模块的输出端,所述第一功率管的栅极、所述第二功率管的栅极、所述第三功率管的栅极和所述第四功率管的栅极均与所述控制器连接。
5.根据权利要求3所述的单晶炉的电源系统,其特征在于,所述二次整流模块包括第一整流二极管和第二整流二极管;
则所述变压器为二次侧包含中心抽头的变压器,所述变压器的二次侧的正极端与所述中心抽头、负极端与所述中心抽头分别作为所述变压器的正相输出端和负相输出端;
所述第一整流二极管的阳极和所述第二整流二极管的阳极分别作为所述二次整流模块的正相输入端和负相输入端,所述第一整流二极管的阴极和所述第二整流二极管的阴极连接,其公共端作为所述二次整流模块的输出端。
6.根据权利要求4所述的单晶炉的电源系统,其特征在于,所述输出滤波模块包括第七电感和第四电容;
所述第七电感的第一端作为所述输出滤波模块的输入端,所述第七电感的第二端和所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端与所述降压变压器的中心抽头连接,所述第四电容的第一端和所述第四电容的第二端作为所述输出滤波模块的输出端。
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