CN108886596B - 固态成像元件和成像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 46
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 13
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 13
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 12
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 101100465890 Caenorhabditis elegans sel-12 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 101150055492 sel-11 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100202849 Drosophila melanogaster sel gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 101150018075 sel-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
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Abstract
本发明的目标是为了防止由传输图像信号的信号线的断裂造成的产率的降低，同时防止图像质量的降低。一种固态图像传感器包括光电转换单元、多个图像信号线以及输出控制单元。在所述固态图像传感器中，所述光电转换单元生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号。此外，所述多个图像信号线传输所述图像信号。此外，所述输出控制单元连接至所述相应的多个图像信号线并且将所生成的图像信号输出至所述相应的多个图像信号线。
Description
技术领域
本技术涉及一种固态图像传感器和一种成像装置。具体地，本技术涉及其中像素被布置成矩阵的一种图像传感器，以及一种成像装置。
背景技术
常规上讲，已经使用了其中包括执行光电转换的光电转换元件的像素被布置成矩阵的光电转换装置。在这种光电转换装置中，向像素供应驱动信号的驱动线和读取来自像素的通过在光电转换元件中的转换获得的电荷的信号线被布置成XY矩阵。也就是说，针对每一行布置驱动线，并且与布置在每一行中的像素共同布线。此外，针对每一列布置信号线，并且与布置在每一列中的像素共同布线。在这种光电转换装置的生产过程中，存在的问题是信号线的断裂导致光电转换装置的产率降低。因此，已经提出了这样的系统，其中通过布置备用布线并且通过将因断裂而断开的信号线连接至此备用布线执行修复并且使信号线传输图像信号来防止产率的降低(例如，参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP 2002-100753A
发明内容
技术问题
在上文所述的常规技术中，通过使用备用布线传输图像信号。然而，在这种情况下，存在的问题是备用布线的连接导致信号线的布线电容增加，由此使得其中发生断裂的列的图像信号改变，并且图像质量降低。
鉴于这种情况，本技术的目标是防止由传输图像信号的信号线的断裂造成的产率的降低，同时防止图像质量的降低。
问题的解决方案
为了解决以上问题作出了本技术。本技术的第一方面是一种固态图像传感器，其包括：光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；多个图像信号线，其被配置成传输图像信号；以及多个输出控制单元，其被配置成连接至相应的多个图像信号线并且将所生成的图像信号输出至相应的多个图像信号线。这产生连接至相应的多个图像信号线的多个输出控制单元将图像信号输出至相应的图像信号线的效果。
此外，在第一方面，还可包括选择控制单元，其被配置成基于为用于选择多个图像信号线中的一个的信息的选择信息选择多个输出控制单元中的一个并且使所选择的输出控制单元输出所生成的图像信号。这产生基于选择信息选择多个输出控制单元的效果。
此外，在第一方面，还可包括被配置成保持选择信息的选择信息保持单元。这产生基于所保持的选择信息选择多个输出控制单元的效果。
此外，在第一方面，还可包括图像信号输出单元，其被配置成选择多个图像信号线中的一个，并且输出由所选择的图像信号线传输的图像信号。这产生选择用于传输图像信号的图像信号线的效果。
此外，在第一方面，在多个输出控制单元中，连接至所选择的图像信号线的输出控制单元可输出所生成的图像信号。这产生通过图像信号输出单元进一步选择所选择的图像信号线的效果。
此外，在第一方面，多个输出控制单元可将所生成的图像信号同时输出至多个图像信号线。这产生将图像信号同时输出至多个图像信号线的效果。
此外，在第一方面，各自包括光电转换单元和多个输出控制单元的像素可被布置成矩阵，多个图像信号线可针对矩阵中的每一列布置，并且针对每一列布置的多个图像信号线可与布置在每一列中的像素共同布线。这产生布置在每一列中的像素的输出控制单元共同连接至针对每一列布置的多个图像信号线的效果。
此外，在第一方面，还可包括图像信号输出单元，其被配置成针对每一列选择针对每一列布置的多个图像信号线中的一个，并且输出由所选择的图像信号线传输的图像信号。多个输出控制单元可将所生成的图像信号同时输出至多个图像信号线。这产生针对每一列选择针对每一列布置的多个图像信号线中的一个的效果。
此外，本技术的第二方面是一种成像装置，其包括：光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；多个图像信号线，其被配置成传输图像信号；多个输出控制单元，其被配置成连接至相应的多个图像信号线并且将所生成的图像信号输出至相应的多个图像信号线；以及处理电路，其被配置成处理所传输的图像信号。这产生连接至相应的多个图像信号线的多个输出控制单元将图像信号输出至相应的图像信号线的效果。
本发明的有益效果如下：
根据本技术，可以获得防止由传输图像信号的信号线的断裂造成的产率的降低，同时防止图像质量的降低的优异效果。同时，本文所述的效果不必须是限制性的并且可以是本公开所述的效果。
附图说明
图1示出根据本技术的第一实施例的成像装置1的配置实例。
图2示出根据本技术的第一实施例的像素100的配置实例。
图3示出根据本技术的第一实施例的竖直驱动单元20的配置实例。
图4示出根据本技术的第一实施例的水平驱动单元30的配置实例。
图5示出根据本技术的第一实施例的图像信号线102的选择的实例。
图6示出根据本技术的第二实施例的成像装置1的配置实例。
图7示出根据本技术的第二实施例的水平驱动单元30的配置实例。
图8示出根据本技术的第二实施例的图像信号线102的选择的实例。
图9示出根据本技术的第三实施例的像素100的配置实例。
图10示出根据本技术的第三实施例的竖直驱动单元20的配置实例。
图11示出根据本技术的第三实施例的图像信号线102的选择的实例。
具体实施方式
下文描述用于执行本技术的模式(在下文称为实施例)。描述按以下顺序给出。
1.第一实施例(在图像信号被输出至多个图像信号线中的一个的情况下的实例)
2.第二实施例(在图像信号被输出至多个图像信号线中的一个并且用于传输图像信号的图像信号线被进一步选择的情况下的实例)
3.第三实施例(在用于传输图像信号的图像信号线被选择的情况下的实例)
<1.第一实施例>
<成像装置的配置>
图1示出根据本技术的第一实施例的成像装置1的配置实例。成像装置1包括像素阵列单元10、竖直驱动单元20、水平驱动单元30、选择信息保持单元40以及选择控制单元50。
像素阵列单元10包括被布置成矩阵的像素100，像素100被配置成生成图像信号，所述图像信号是与入射光相对应的信号。滤色器被布置在这些像素100中，并且与期望频率的入射光相对应的图像信号得以生成。例如，像素阵列单元100包括三种类型的像素：生成与红光相对应的图像信号的像素、生成与绿光相对应的图像信号的像素以及生成与蓝光相对应的图像信号的像素。这些像素基于预定规则被布置成像素阵列单元10。
此外，在像素阵列单元10中，为用于传输像素100的控制信号的信号线的控制信号线101和为用于传输由像素100生成的图像信号的信号线的图像信号线102被布置成XY矩阵。控制信号线101与布置在像素阵列单元10中的像素100中的布置于一行的多个像素100共同布线。此外，针对每一行布线的控制信号线包括多个信号线。
同时，图像信号线102与布置于一列的多个像素100共同布线。此外，针对每一列布线的图像信号线包括多个图像信号线。选择针对每一列的多个图像信号线102中的一个，并且输出由像素100生成的图像信号。如随后将描述，在像素100中布置了多个输出控制单元，所述多个输出控制单元连接至相应的图像信号线102并且将图像信号输出至相应的多个图像信号线102。选择多个输出控制单元中的一个，并且将所生成的图像信号输出至图像信号线102。因此，可选择图像信号线102。应注意，像素阵列单元10为权利要求书中的固态图像传感器的实例。
竖直驱动单元20生成用于像素100的控制信号。竖直驱动单元20通过控制信号线101将所生成的控制信号输出至像素100。随后描述竖直驱动单元20的配置细节。
水平驱动单元30处理由像素100生成的图像信号。水平驱动单元30处理通过图像信号线102传输的图像信号，并且将经过处理的图像信号输出至信号线39。这些经过处理的图像信号与成像装置1的输出图像信号相对应。随后描述水平驱动单元30的配置细节。
选择信息保持单元40保持选择信息。此处，选择信息是用于选择上述图像信号线102中的一个的信息。
选择控制单元50基于选择信息保持单元40保持的选择信息执行选择上述多个输出控制单元中的一个的控制。
[像素的配置]
图2示出根据本技术的第一实施例的像素100的配置实例。像素100包括光电转换单元110以及输出控制单元121和122。此外，控制信号线101和图像信号线102布线至像素100。
控制信号线101包括多个信号线和电源线(TR、RST、Vdd、SEL1以及SEL2)，并且将控制信号等传输至像素100。图像信号线102包括多个图像信号线(V1和V2)，并且将由像素100生成的图像信号传输至水平驱动单元30。
光电转换单元110生成图像信号。光电转换单元110包括光电转换元件111、MOS晶体管112至114以及电荷保持单元115。N沟道MOS晶体管可用作MOS晶体管112至114。此外，多个信号线(TR和RST)和电源线(Vdd)布线至光电转换单元110。传送信号线Transfer(TR)是将控制信号传输至MOS晶体管112的信号线。复位信号线Reset(RST)是将控制信号传输至MOS晶体管113的信号线。这些信号线连接至MOS晶体管的栅极。当通过这些信号线输入等于或大于栅极与源极之间的阈值电压的电压(在下文称为接通信号(on signal))时，相对应的MOS晶体管进入导通状态。
输出控制单元121和122分别连接至图像信号线V1和V2，并且将光电转换单元110生成的图像信号分别输出至图像信号线V1和V2。N沟道MOS晶体管可用作输出控制单元121和122。此外，信号线(SEL1和SEL2)分别布线至输出控制单元121和122。选择信号线Select1(SEL1)和Select2(SEL2)是将控制信号分别传输至输出控制单元121和122的信号线。
光电转换元件111的阳极接地，并且阴极连接至MOS晶体管112的源极。MOS晶体管112的栅极连接至传送信号线TR，并且漏极连接至MOS晶体管113的源极、MOS晶体管114的栅极以及电荷保持单元115的一端。电荷保持单元115的另一端接地。MOS晶体管113的栅极连接至复位信号线RST，并且漏极连接至电源线Vdd。MOS晶体管114的漏极连接至电源线Vdd，并且源极连接至输出控制单元121和122的漏极。输出控制单元121的栅极连接至选择信号线SEL1，并且源极连接至图像信号线V1。输出控制单元122的栅极连接至选择信号线SEL2，并且源极连接至图像信号线V2。
光电转换元件111是通过光电转换生成与所施加的光的量相对应的电荷的元件。所生成的电荷保持在光电转换元件111的内部。光电二极管可用作光电转换元件111。
MOS晶体管112将光电转换元件111生成的电荷传送至电荷保持单元115。MOS晶体管112通过在光电转换元件111与电荷保持单元115之间建立导通来传送电荷。
电荷保持单元115保持MOS晶体管112所传送的电荷。形成于半导体衬底的扩散层中的浮动扩散区可用作电荷保持单元115。电荷保持单元115还用作电荷-电压转换装置。也就是说，由于电荷保持单元115为杂散电容，因此电荷保持单元中包括的两个电极的非接地侧上的一个电极的电压为与电荷保持单元所保持的电荷的量相对应的电压。
MOS晶体管113将保持在光电转换元件111中且通过电荷保持单元115保持的电荷放电。保持在光电转换元件111中且通过电荷保持单元115保持的电荷通过在MOS晶体管113与MOS晶体管112之间建立导通来放电。
MOS晶体管114将用作电荷-电压转换装置的电荷保持单元115的电压放大。MOS晶体管114生成的信号与光电转换单元110生成的图像信号相对应。
应注意，控制信号线101的传送信号线TR、复位信号线RST以及电源线Vdd与布置在像素阵列单元10中的所有像素100共同布线。同时，针对布置在像素阵列单元10中的每一行像素100将选择信号线SEL1和SEL2布线。
[图像信号的生成]
在预定的暴露期将光施加至光电转换元件111，并且通过光电转换生成的电荷保持在光电转换元件111中。在暴露期过去之后，从复位信号线RST输入接通信号以使MOS晶体管113进入导通状态。因此，已由电荷保持单元115保持的电荷被放电。接下来，从传送信号线TR输入接通信号以使MOS晶体管112进入导通状态。因此，通过光电转换元件111保持的电荷被传送至电荷保持单元115以便被保持。此时，通过MOS晶体管114生成基于电荷保持单元115所保持的电荷的信号。这些操作在布置于像素阵列单元10中的所有像素100上同时执行。
接下来，将接通信号输入至选择信号线SEL1和SEL2中的一个，并且接通信号输入至其中的输出控制单元121或122进入导通状态。因此，MOS晶体管114生成的信号作为图像信号被输出至图像信号线V1和V2中的一个。对于布置在像素阵列单元10中的每一行像素100，将顺序执行图像信号的输出。
[竖直驱动单元的配置]
图3示出根据本技术的第一实施例的竖直驱动单元20的配置实例。竖直驱动单元20包括竖直驱动控制单元210、行选择单元220、行选择信号输出控制单元230以及行切换单元240。应注意，行选择信号输出控制单元230和行切换单元240针对布置在像素阵列单元10中的每一行像素100布置。
竖直驱动控制单元210控制整个竖直驱动单元。此外，竖直驱动控制单元210生成控制信号，并且将控制信号输出至传送信号线TR和复位信号线RST。此外，竖直驱动控制单元210通过电源线Vdd向像素100供应电力。
行选择单元220生成用于顺序选择布置在像素阵列单元10中的像素100的行的行选择信号。行选择单元220可包括移位寄存器。
行选择信号输出控制单元230将行选择单元220生成的行选择信号输出至选择信号线SEL1或SEL2。选择信号的输出在竖直驱动控制单元210的控制下执行。
应注意，选择信号线SEL1和SEL2针对每一行布线。为了在它们之间进行区分，在图中作为尾巴添加指示行的数字。例如，SEL11和SEL21分别指示布线在第一行的选择信号线SEL1和SEL2。类似地，SEL12和SEL22分别指示布线在第二行的选择信号线SEL1和SEL2。
行切换单元240选择选择信号线SEL1和SEL2中的一个，并且将行选择信号输出控制单元230输出的行选择信号输出至所选择的那个。这种选择在选择控制单元50的控制下执行。输出的行选择信号与待输入至图2所述的输出控制单元121和122的接通信号相对应。
[水平驱动单元的配置]
图4示出根据本技术的第一实施例的水平驱动单元30的配置实例。水平驱动单元30包括恒流电源310、模拟-数字转换单元(AD转换单元)320以及转换控制单元330。应注意，恒流电源310和模拟-数字转换单元320针对每一个图像信号线102布置。
应注意，图2中所述的图像信号线V1和V2针对每一列布线。为了在它们之间进行区分，在图中作为尾巴添加指示列的数字。例如，V11和V21分别指示布线在第一列的图像信号线V1和V2。类似地，V12和V22分别指示布线在第二列的图像信号线V1和V2。
恒流电源310是构成图2所述的MOS晶体管114的负载的恒流电源。恒流电源310连接在图像信号线102与接地之间。
模拟-数字转换单元320对像素100生成的图像信号执行模拟-数字转换以处理图像信号。所转换的数字图像信号从布置在图中左端的模拟-数字转换单元320顺序输出至信号线39，并且数字图像信号的水平传送得以执行。应注意，在图中，连接至图像信号线V1(V11和V12)的模拟-数字转换单元320的输出端和连接至图像信号线V2(V21和V22)的模拟-数字转换单元320的输出端连接至不同的信号线39。如随后将描述，将来自像素100的图像信号输出至图像信号线V1和V2中的一个；因此，将模拟-数字转换之后的图像信号输出至信号线39的两个信号线中的一个。应注意，模拟-数字转换单元320为权利要求书中的处理电路的实例。
转换控制单元330控制通过模拟-数字转换单元320进行的模拟-数字转换和所转换的数字图像信号的输出。
[图像信号线的选择]
图5示出根据本技术的第一实施例的图像信号线102的选择的实例。该图示出其中在图像信号线102的部分中发生断裂的情况下，通过选择另一个图像信号线102进行修复的实例。此外，该图示出像素阵列单元10的部分，并且示出从第一行和第一列至第三行和第二列布置的六个像素100、信号线等。为便利起见，在图中在像素100中仅示出输出控制单元121和122。
在初始状态，图3所述的行切换单元240选择选择信号线SEL1并输出行选择信号。在图中，行选择信号输出至SEL11、SEL12和SEL13。因此，输出控制单元121将图像信号输出至图像信号线V1。在图中，图像信号输出至图像信号线V11和V12。
此处，假设了在图像信号线V11中发生断裂的情况。例如，在图中发生断裂501的情况下，连接至因断裂501断开的图像信号线V11的像素100的图像信号不可传输至水平驱动单元30。因此，使用图像信号线V21传输图像信号。具体地讲，致使行切换单元240选择选择信号线SEL2(SEL21、SEL22和SEL23)；因此，输出控制单元122将图像信号输出至图像信号线V2(V21和V22)。
如上文所述，断裂501可以通过在输出控制单元121与122之间进行切换来修复。此外，输出控制单元121和122分别连接至信号线V11和V21，并且图像信号通过这些中的一个输出。因此，像素100中的信号线的电容在上述切换前后不变化，并且传输至水平驱动单元30的图像信号的幅值也不变化。因此，不发生由于断裂501的修复造成的图像信号的波动，这可防止图像质量的降低。
通过行切换单元240切换选择信号线可以通过改变选择信息保持单元40所保持的选择信息执行。本技术的第一实施例中的选择信息是指示通过行切换单元240将选择信号输出至选择信号线SEL1和SEL2中的哪一个的信息，并且与指示断裂的位置的信息相对应。
当生产成像装置1时，断裂可以在检查过程等中修复。例如，在从成像装置1输出的图像信号中识别到由断裂造成的异常的情况下，可通过改变选择信息保持单元40所保持的选择信息修复断裂。应注意，在选择信息改变的情况下，在图4所述的信号线39中所包括的多个信号中，需要使用与所选择的输出控制单元121或122相对应的信号线。也就是说，需要使用被输出图像信号的信号线。
因此，在本技术的第一实施例中，选择输出控制单元121和122中的一个，并将图像信号输出至图像信号线V1或V2。在图像信号线中发生断裂的情况下，通过选择在没有断裂的一侧上连接至图像信号线的输出控制单元121或122来执行修复。此时，MOS晶体管114和将图像信号输出至图像信号线的输出控制单元121的负载电容不变化，这可防止由修复造成的图像信号的变化，并且防止图像质量的降低。
<2.第二实施例>
在上述第一实施例中，所有图像信号线102连接至水平驱动单元30中的模拟-数字转换单元。相比之下，在本技术的第二实施例中，选择用于传输图像信号的图像信号线并且执行模拟-数字转换。这可简化水平驱动单元30的配置。
<成像装置的配置>
图6示出根据本技术的第二实施例的成像装置1的配置实例。图中的成像装置1与图1中所述的成像装置1的不同之处在于将选择控制单元50的输出进一步输入至水平驱动单元30。
[水平驱动单元的配置]
图7示出根据本技术的第二实施例的水平驱动单元30的配置实例。图中的水平驱动单元30与图4中所述的水平驱动单元30的不同之处在于还包括图像信号输出单元340。图像信号输出单元340针对布置在像素阵列单元10中的像素100的每一列布置，并且模拟-数字转换单元320和恒流电源310连接至图像信号输出单元340的输出端。因此，当与图4中所述的水平驱动单元30相比较时，恒流电源310和模拟-数字转换单元320的数量可减半。此外，通过信号线58将来自选择控制单元50的控制信号输入至图像信号输出单元340。
图像信号输出单元340选择图像信号线V1和V2中的一个，并且输出通过所选择的图像信号线传输的图像信号。图像信号线的选择可以基于选择信息保持单元40所保持的选择信息执行。如上所述，将来自像素100的图像信号输出至图像信号线V1和V2中的一个。因此，通过图像信号输出单元340选择被输出图像信号的图像信号线，并且输出通过所选择的图像信号线传输的图像信号；因此，可减少模拟-数字转换单元320等的数量。
[图像信号线的选择]
图8示出根据本技术的第二实施例的图像信号线102的选择的实例。如图5中所述，在初始状态中，选择输出控制单元121并且将图像信号输出至图像信号线V1(V11和V12)。因此，图像信号输出单元340选择图像信号线V1(V11和V12)。在断裂501的修复中选择输出控制单元122的情况下，图像信号输出单元340选择图像信号线V1(V11和V12)，如图所示。
除此之外，成像装置1的配置类似于本技术的第一实施例中所述的成像装置1的配置；因此，描述省略。
因此，根据本技术的第二实施例，图像信号输出单元340选择用于传输图像信号的图像信号线，并且输出图像信号，这可减少水平驱动单元30的模拟-数字转换单元320等的数量。这可简化水平驱动单元30的配置。
<3.第三实施例>
在上述第二实施例中，像素100的输出控制单元121和122中的一个输出图像信号。相比之下，在本技术的第三实施例中，输出控制单元121和122同时输出图像信号。这可简化竖直驱动单元20的配置。
[像素的配置]
图9示出根据本技术的第三实施例的像素100的配置实例。图中的像素100与图2中所述的像素100的不同之处在于输出控制单元121和122的栅极连接至共同的选择信号线SEL。
[竖直驱动单元的配置]
图10示出根据本技术的第三实施例的竖直驱动单元20的配置实例。当与图3中所述的竖直驱动单元20相比较时，图中的竖直驱动单元20不需要包括行切换单元240。此外，针对布置在像素阵列单元10中的每一行像素100将选择信号线SEL布线。
[图像信号线的选择]
图11示出根据本技术的第三实施例的图像信号线102的选择的实例。在本技术的第三实施例中，通过针对每一行布置的选择信号线SEL将行选择信号(接通信号)输入至输出控制单元121和122。因此，输出控制单元121和122将图像信号同时输出至图像信号线V1和V2。在初始状态中，图像信号输出单元340选择图像信号线V1(V11和V12)。在发生断裂501的情况下，图像信号输出单元340选择图像信号线V2(V21和V22)。因此，可以修复断裂501。
因此，根据本技术的第三实施例，输出控制单元121和122将图像信号同时输出至图像信号线V1和V2；因此，可省略竖直驱动单元20的行切换单元240。这可简化竖直驱动单元20的配置。
[修改实例]
在上述第三实施例中，所有图像信号输出单元340选择相同的图像信号线。也就是说，所有图像信号输出单元340同时选择图像信号线V1或V2。相比之下，每个图像信号输出单元340可选择不同的图像信号线V1或V2。这可改善修复断裂的能力。
根据本技术的第三实施例的修改实例的图像信号输出单元340针对每一列选择针对每一列布置的图像信号线V1和V2，并且将通过所选择的图像信号线传输的图像信号输出至模拟-数字转换单元320。具体地讲，选择信息保持单元40保持每一列的选择信息。选择控制单元50基于每一列的选择信息控制图像信号输出单元340。因此，即使在像素阵列单元10中存在其中在图像信号线(V1和V2)中的一个中已经发生断裂的多个列的情况下，也可以执行修复。
因此，根据本技术的第三实施例的修改实例，针对每一列控制图像信号输出单元340；因此，即使在断裂发生在不同列中的不同图像信号线(V1和V2)的情况下也可进行修复，这可改善修复断裂的能力。
如上所述，根据本技术的实施例，可以防止由传输图像信号的信号线的断裂造成的产率的降低，同时防止图像质量的降低。
上述实施例是用于实施本技术的实例，并且实施例中的主题各自与权利要求书中的公开特定主题具有相对应的关系。同样，通过相同名称指代的实施例中的主题和权利要求书中的公开特定主题彼此具有相对应的关系。然而，本技术不限于所述实施例，并且可在不脱离本技术的精神的情况下在本技术的范围中实施实施例的各种修改。
本说明书中描述的效果仅仅是实例，效果不受限制，并且可存在其他效果。
另外，本技术也可配置如下。
(1)一种固态图像传感器，包括：
光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；
多个图像信号线，其被配置成传输所述图像信号；以及
多个输出控制单元，其被配置成连接至所述相应的多个图像信号线并且将所述所生成的图像信号输出至所述相应的多个图像信号线。
(2)根据(1)所述的固态图像传感器，还包括：
选择控制单元，其被配置成基于为用于选择所述多个图像信号线中的一个的信息的选择信息选择所述多个输出控制单元中的一个，并且使所述所选择的输出控制单元输出所述所生成的图像信号。
(3)根据(2)所述的固态图像传感器，还包括：
选择信息保持单元，其被配置成保持所述选择信息。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的固态图像传感器，还包括
图像信号输出单元，其被配置成选择所述多个图像信号线中的一个，并且输出由所述所选择的图像信号线传输的图像信号。
(5)根据(4)所述的固态图像传感器，其中在所述多个输出控制单元中，连接至所述所选择的图像信号线的输出控制单元输出所述所生成的图像信号。
(6)根据(4)所述的固态图像传感器，其中所述多个输出控制单元将所述所生成的图像信号同时输出至所述多个图像信号线。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的固态图像传感器，其中各自包括所述光电转换单元和所述多个输出控制单元的像素被布置成矩阵，所述多个图像信号线针对所述矩阵中的每一列布置，并且针对每一列布置的所述多个图像信号线与布置在每一列中的像素共同布线。
(8)根据(7)所述的固态图像传感器，还包括：
图像信号输出单元，其被配置成针对每一列选择针对每一列布置的所述多个图像信号线中的一个，并且输出由所述所选择的图像信号线传输的图像信号，
其中所述多个输出控制单元将所述所生成的图像信号同时输出至所述多个图像信号线。
(9)一种成像装置，包括：
光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；
多个图像信号线，其被配置成传输所述图像信号；
多个输出控制单元，其被配置成连接至所述相应的多个图像信号线并且将所述所生成的图像信号输出至所述相应的多个图像信号线；以及
处理电路，其被配置成处理所述所传输的图像信号。
附图标记列表
1 成像装置
10 像素阵列单元
20 竖直驱动电路
30 水平驱动电路
40 选择信息保持单元
50 选择控制单元
100 像素
101 控制信号线
102 图像信号线
110 光电转换单元
111 光电转换元件
112至114 MOS晶体管
115 电荷保持单元
121、122 输出控制单元
210 竖直驱动控制单元
220 行选择单元
230 行选择信号输出控制单元
240 行切换单元
310 恒流电源
320 模拟-数字转换单元
330 转换控制单元
340 图像信号输出单元。
Claims (7)
1.一种固态图像传感器，包括：
光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；
多个图像信号线，其被配置成传输所述图像信号；
多个输出控制单元，其被配置成连接至相应的所述多个图像信号线并且将所生成的所述图像信号输出至相应的所述多个图像信号线；
选择信息保持单元，其被配置成保持选择信息，其中，所述选择信息用于选择所述多个图像信号线中的一个图像信号线；以及
选择控制单元，其被配置成基于所述选择信息保持单元中保持的所述选择信息选择所述多个输出控制单元中的第一输出控制单元，
其中，所述第一输出控制单元被配置成将所生成的所述图像信号输出至所述多个图像信号线中的第一图像信号线，
所述第一图像信号线连接至所述第一输出控制单元，且
所述第一图像信号线被配置成传输从所述第一输出控制单元接收的所生成的所述图像信号。
2.根据权利要求1所述的固态图像传感器，还包括：
图像信号输出单元，其被配置成选择所述多个图像信号线中的第二图像信号线，并且输出由所述第二图像信号线传输的图像信号。
3.根据权利要求2所述的固态图像传感器，其中在所述多个输出控制单元中，连接至所述第二图像信号线的第二输出控制单元输出所生成的所述图像信号。
4.根据权利要求2所述的固态图像传感器，其中所述多个输出控制单元将所生成的所述图像信号同时输出至所述多个图像信号线。
5.根据权利要求1所述的固态图像传感器，其中各自包括所述光电转换单元和所述多个输出控制单元的像素被布置成矩阵，所述多个图像信号线针对所述矩阵中的每一列布置，并且针对每一列布置的所述多个图像信号线与布置在每一列中的像素共同布线。
6.根据权利要求5所述的固态图像传感器，还包括：
图像信号输出单元，其被配置成针对每一列选择针对每一列布置的所述多个图像信号线中的第二图像信号线，并且输出由所述第二图像信号线传输的图像信号，
其中所述多个输出控制单元将所生成的所述图像信号同时输出至所述多个图像信号线。
7.一种成像装置，包括：
光电转换单元，其被配置成生成图像信号，所述图像信号为与入射光相对应的信号；
多个图像信号线，其被配置成传输所述图像信号；
多个输出控制单元，其被配置成连接至相应的所述多个图像信号线并且将所生成的所述图像信号输出至相应的所述多个图像信号线；
选择信息保持单元，其被配置成保持选择信息，其中，所述选择信息用于选择所述多个图像信号线中的一个图像信号线；
选择控制单元，其被配置成基于所述选择信息保持单元中保持的所述选择信息选择所述多个输出控制单元中的输出控制单元；以及
处理电路，其被配置成处理所传输的所述图像信号，
其中，所述输出控制单元被配置成将所生成的所述图像信号输出至所述多个图像信号线中的图像信号线，
所述图像信号线连接至所述输出控制单元，且
所述图像信号线被配置成传输从所述输出控制单元接收的所生成的所述图像信号。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016070115A JP2017184075A (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 固体撮像素子および撮像装置 |
| JP2016-070115 | 2016-03-31 | ||
| PCT/JP2017/004925 WO2017169171A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-02-10 | 固体撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108886596A CN108886596A (zh) | 2018-11-23 |
| CN108886596B true CN108886596B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=59962873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780019066.7A Active CN108886596B (zh) | 2016-03-31 | 2017-02-10 | 固态成像元件和成像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10715755B2 (zh) |
| JP (1) | JP2017184075A (zh) |
| CN (1) | CN108886596B (zh) |
| WO (1) | WO2017169171A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020123795A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
| CN117529932A (zh) * | 2021-06-22 | 2024-02-06 | 新唐科技日本株式会社 | 固体摄像装置及摄像装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012175331A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Olympus Corp | 撮像装置 |
| JP2013153511A (ja) * | 2013-03-18 | 2013-08-08 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
| CN103813145A (zh) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 索尼公司 | 信号处理电路、成像装置和程序 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3467027B2 (ja) | 2000-06-15 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び放射線検出装置並びに放射線撮像システム |
| JP5233828B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-07-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
| JP6075646B2 (ja) | 2014-03-17 | 2017-02-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016070115A patent/JP2017184075A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-10 WO PCT/JP2017/004925 patent/WO2017169171A1/ja active Application Filing
- 2017-02-10 US US16/087,114 patent/US10715755B2/en active Active
- 2017-02-10 CN CN201780019066.7A patent/CN108886596B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012175331A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Olympus Corp | 撮像装置 |
| CN103813145A (zh) * | 2012-11-12 | 2014-05-21 | 索尼公司 | 信号处理电路、成像装置和程序 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10715755B2 (en) | 2020-07-14 |
| WO2017169171A1 (ja) | 2017-10-05 |
| US20190110010A1 (en) | 2019-04-11 |
| JP2017184075A (ja) | 2017-10-05 |
| CN108886596A (zh) | 2018-11-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |