CN108871177B - 碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器及其制法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器及其制法与应用。所述应变传感器包括层叠设置的两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层，所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间；其中，所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极包括碳纳米管阵列和离子聚合物基材，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极，所述离子聚合物基材的第二表面与所述离子聚合物电解质层结合，所述第一表面与第二表面相背对。
Description
技术领域
本发明涉及一种应变传感器，特别涉及一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器及其制法与应用，属于材料科学技术领域。
背景技术
应变传感器可以捕捉和识别人体的不同活动，吸引了越来越多的人的关注。这类传感器可以与织物相结合，或者直接粘附到人体的皮肤上，用于实时监测关节运动和生理信号，比如心跳和脉搏。这使得他们在远程医疗健康，军事以及人机界面交互等领域有着巨大的应用前景。因此，应变传感器逐步趋向于高灵敏性、便携式以及低能耗高续航方向发展。传统的应变传感器大致分为电容型和电阻型两种，可以分别在外接电源通过探测电容和电阻的变化，达到探测应变的目的。但是，这些传感器缺乏非对称的设计，不能识别弯曲应变的方向(如向上弯曲和向下弯曲)。并且，这些传感器属于耗能型的传感器，需要配电源才能工作，不能适应可穿戴设备对续航能力的要求。
现有的离子型应变传感器一般由阳离子交换膜通过化学镀的方法在其上下表面复合贵金属电极，在外力作用下，器件产生应变，在应力的牵引下，阳离子往膨胀的一边移动，聚集在电极附近，这就导致离子的非平衡分布，从而输出电压信号，可以根据电压信号的正负判定弯曲应变的方向。这种发电形式电压信号不需要任何外界电源，解决了可穿戴设备的能源续航问题。但是，现有的离子型应变传感器通常存在如下缺陷：(1)贵金属电极价格昂贵，并且刚性的电极与离子聚合物的力学性能不匹配，造成了这种应变传感器长期使用后电极与离子聚合物接触界面不稳定，导致传感信号质量下降；(2)此种平板装的电极，由于其比表面积低，离子存储能力低，导致传感信号的灵敏度较低，不能适应越来越多的对微弱信号检测的发展要求；(3)浸渍还原化学镀的方法，生产周期长，不能实现大规模产业化，这也阻碍了此类传感器的发展。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器及其制法与应用，从而克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其包括层叠设置的两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层，所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间；其中，所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极包括碳纳米管阵列和离子聚合物基材，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极，所述离子聚合物基材的第二表面与所述离子聚合物电解质层结合，所述第一表面与第二表面相背对。
本发明实施例还提供了一种制备所述碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器的方法，包括：
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的部分有机溶剂，形成离子聚合物粘结液；
至少通过渗透作用将碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，再去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材，从而获得碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极；
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的有机溶剂，形成离子聚合物电解质层；
取两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层层叠设置，并使所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间，之后进行热压处理，制得所述碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器。
本发明还提供了所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器的用途，例如在制备可穿戴设备中的用途。
与现有技术相比，本发明的优点包括：
本发明通过碳纳米管阵列和离子聚合物复合，得到具有纳米离子通道的复合电极，再加上此种电极内、外电极的存在，大大提高了传感器的对微弱信号的响应能力，以及电极稳定性；本发明提供的方法，制备周期短，工艺程序简单，电极和电解质接触截面耦合增强，成本低，信号线性度好，传感器在空气中循环性能良好。
附图说明
图1是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器的制备示意图；
图2是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极表面形貌的SEM图；
图3是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极截面形貌的SEM图；
图4是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器(用银胶外接导线)的照片；
图5是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器发生0.4％应变时电压时间响应曲线；
图6是本发明一典型实施案例中碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器信号循环稳定性图谱。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本发明实施例一个方面公开了一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，包括层叠设置的两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层，所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间；其中，所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极包括碳纳米管阵列和离子聚合物基材，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极(该部分碳纳米管可以为整个碳纳米管长度的40～60％)，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极(该部分碳纳米管可以为整个碳纳米管长度的20～60％)，所述离子聚合物基材的第二表面与所述离子聚合物电解质层结合，所述第一表面与第二表面相背对。
进一步的，所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极与所述离子聚合物电解质层热压结合为一体(其中露在外面的竖直碳纳米管被压平并贴伏到离子聚合物基材表面，作为外电极，至少以增强电极导电性)。
进一步的，用于形成所述离子聚合物基材和/或离子聚合物电解质层的离子聚合物包括热塑性聚氨酯、全氟磺酸(Nafion)或聚偏氟乙烯-六氟丙烯，但不限于此。
进一步的，所述离子聚合物电解质层还可以包含离子液体(可以不加离子液体，也可以加离子液体；离子液体固化时不挥发)。
优选的，所述离子液体包括咪唑盐离子液体，但不限于此。
优选的，所述离子液体包含1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐，但不限于此。
进一步的，所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器还包括封装结构，至少所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层局部或全部封装于所述封装结构中。
优选的，采用的封装材料包括聚二甲基硅氧烷，但不限于此。
本发明实施例另一个方面还提供了一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器的制法，包括：
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的部分有机溶剂，形成离子聚合物粘结液；
至少通过渗透作用将碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，再去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材，从而获得碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极；
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的有机溶剂，形成离子聚合物电解质层；
取两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层层叠设置，并使所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间，之后进行热压处理，制得所述碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器。
进一步的，所述制法具体包括：
提供竖直生长在生长基底上的碳纳米管阵列，
通过渗透作用将所述碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，再去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材，之后分离所述生长基底，从而获得碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极。
进一步的，所述制法包括：将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并于40～80℃加热30min～80min，使其中的部分有机溶剂被除去，从而获得所述的离子聚合物粘结液。
进一步的，所述制法包括：使竖直生长在生长基底上的碳纳米管阵列沿与其中碳纳米管的取向方向平行的方向缓慢靠近所述离子聚合物粘结液，直至将所述碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，之后去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材。
进一步的，所述制法包括：使所述碳纳米管阵列中各碳纳米管的根部沿与所述碳纳米管的取向方向平行的方向与所述生长基底完全分离。
进一步的，所述制法还包括：至少通过浸渍离子液体或者离子交换中的任一种方式对所述离子型应变传感器进行处理，从而改变所述离子型应变传感器的离子类型。
进一步的，所述制法还包括：对所述离子型应变传感器进行封装。
优选的，采用的封装材料包括聚二甲基硅氧烷，但不限于此。
进一步的，所述离子聚合物分散液中的离子聚合物包括热塑性聚氨酯、全氟磺酸(Nafion)或聚偏氟乙烯-六氟丙烯，但不限于此。
进一步，所述离子聚合物分散液的浓度为0.001wt％～99.9wt％。
进一步的，所述有机溶剂包括乙醇，N，N-二甲基甲酰胺，N，N-二甲基乙酰胺，1-甲基-2-吡咯烷酮中的任意一种或两种以上的组合，但不限于此。
优选的，所述离子聚合物分散液还包含离子液体。
优选的，所述离子液体包括咪唑盐离子液体，但不限于此。
优选的，所述离子液体包含1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐。
本发明实施例还提供了所述碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器于制备可穿戴设备中的用途。
在一些较为具体的实施方案中，一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，为柔性的离子型应变传感器，其中碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极的厚度可以是50微米；离子聚合物电解质层的厚度可以是50微米，碳纳米管阵列中碳纳米管伸入离子聚合物基材的长度可以是20～30微米，从离子聚合物基材中伸出的碳纳米管的长度可以是10～30微米。
本发明首先通过将碳纳米管阵列跟离子聚合物复合，利用碳纳米管阵列比表面积大、离子容量大以及具有垂直的离子通道(便于离子聚合物中的离子快速地脱嵌)等特点，获得了具有纳米离子通道的复合电极，而且该复合电极中还存在前述的内、外电极，可以大大提高了传感器的对微弱信号的响应能力以及电极稳定性，获得了高灵敏度、快速响应的离子应变传感器。
同时，本发明提供的方法制备周期短，工艺程序简单，电极和电解质接触截面耦合增强，成本低，信号线性度好，传感器在空气中循环性能良好。
以下结合具体实施案例对本发明作进一步阐述。
实施例1：
将20％的Nafion的溶液(杜邦公司)与DMF按体积比2∶1混合，搅拌5小时，得到Nafion分散液。然后将Nafion分散液分别casting在2片75mm*25mm的载玻片衬底上，50℃蒸发，其中一片蒸干作为电解质层。另一片蒸发至半干状态，然后将含有硅基底的碳纳米管阵列长有碳纳米管的一面，平行地慢慢靠近半干粘结液表面，渗透，50℃蒸干；再将硅基底往平行于碳纳米管阵列生长方向的方向移动，使整个碳纳米管阵列根部同时脱离其生长基底，形成碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极，其表面和截面SEM图片如图2、图3所示；将2片电极和一片电解质层裁剪，然后堆叠热压形成三层应变传感器，利用银胶在电极表面连接导线后的照片如图4所示。用Beijing Optical Century InstrumentCo.LTD.MTS121位移平台作为位移形变的信号源，Keyence，LK-G80激光定位仪精确定位位移时间关系，用CHI760D电化学工作站收集传感器弯曲应变产生的电压信号。参照图5，在发生5mm位移时，产生最大3.2mV的电压响应信号。图6展示的是传感器发生超过4000次循环弯曲的曲线图，可以看到循环中信号稳定，几乎没有衰减。
实施例2：
将20％的Nafion的溶液(杜邦公司)与DMF按体积比3∶1混合，搅拌5小时，得到Nafion分散液。然后将Nafion分散液分别casting在2片75mm*25mm的载玻片衬底上，50℃蒸发，其中一片蒸干作为电解质层；另一片蒸发至至半干状态，然后将含有硅基底的碳纳米管阵列长有碳纳米管的一面，平行地慢慢靠近半干粘结液表面，渗透，50℃蒸干；再将硅基底往平行于碳纳米管阵列生长的方向移动，使整个碳纳米管阵列根部同时脱离其生长基底，形成碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极；将2片电极和一片电解质层裁剪，然后堆叠热压形成三层应变传感器。随后将传感器浸泡在1M NaOH水溶液中，60℃，1天，得到离子类型为Na离子的传感器，，利用银胶在电极表面连接导线。用Beijing Optical CenturyInstrument Co.LTD.MTS121位移平台作为位移形变的信号源，Keyence，LK-G80激光定位仪精确定位位移时间关系，用CHI760D电化学工作站收集传感器弯曲应变产生的电压信号。
实施例3：
在20％的Nafion的溶液(杜邦公司)中加入离子液体1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(EMIBF4)，得到nafion、EMIBF4的混合溶液。再将该混合溶液与DMF按体积比4∶1混合，搅拌5小时，得到Nafion/EMIBF4的分散液；然后将该分散液分别casting在2片75mm*25mm的载玻片衬底上，50℃蒸发，其中一片蒸干作为电解质层。另一片蒸发至至半干状态，然后将含有硅基底的碳纳米管阵列长有碳纳米管的一面，平行地慢慢靠近半干粘结液表面，渗透，50℃蒸干。再将硅基底往平行于碳纳米管阵列生长的方向移动，使整个碳纳米管阵列根部同时脱离其生长基底，形成碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极；将2片电极和一片电解质层裁剪，然后堆叠热压形成三层应变传感器，利用银胶在电极表面连接导线。用Beijing Optical Century Instrument Co.LTD.MTS121位移平台作为位移形变的信号源，Keyence，LK-G80激光定位仪精确定位位移时间关系，用CHI760D电化学工作站收集传感器弯曲应变产生的电压信号。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
实施例4：
配制10％的热塑性聚氨酯溶液，并在其中加入离子液体1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(EMIBF4)，得到热塑性聚氨酯、EMIBF4的混合溶液。再将该混合溶液与DMF按体积比2∶1混合，搅拌5小时，得到Nafion/EMIBF4的分散液；然后将该分散液分别casting在2片75mm*25mm的载玻片衬底上，50℃蒸发，其中一片蒸干作为电解质层。另一片蒸发至至半干状态，然后将含有硅基底的碳纳米管阵列长有碳纳米管的一面，平行地慢慢靠近半干粘结液表面，渗透，50℃蒸干。再将硅基底往平行于碳纳米管阵列生长的方向移动，使整个碳纳米管阵列根部同时脱离其生长基底，形成碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极；将2片电极和一片电解质层裁剪，然后堆叠热压形成三层应变传感器，利用银胶在电极表面连接导线。用Beijing Optical Century Instrument Co.LTD.MTS121位移平台作为位移形变的信号源，Keyence，LK-G80激光定位仪精确定位位移时间关系，用CHI760D电化学工作站收集传感器弯曲应变产生的电压信号。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
实施例5：
配制10％的聚偏氟乙烯-六氟丙烯的溶液，并在其中加入离子液体1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐(EMIBF4)，得到聚偏氟乙烯-六氟丙烯、EMIBF4的混合溶液。再将该混合溶液与DMF按体积比2∶1混合，搅拌5小时，得到Nafion/EMIBF4的分散液；然后将该分散液分别casting在2片75mm*25mm的载玻片衬底上，50℃蒸发，其中一片蒸干作为电解质层。另一片蒸发至至半干状态，然后将含有硅基底的碳纳米管阵列长有碳纳米管的一面，平行地慢慢靠近半干粘结液表面，渗透，50℃蒸干。再将硅基底往平行于碳纳米管阵列生长的方向移动，使整个碳纳米管阵列根部同时脱离其生长基底，形成碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极；将2片电极和一片电解质层裁剪，然后堆叠热压形成三层应变传感器，利用银胶在电极表面连接导线。用Beijing Optical Century Instrument Co.LTD.MTS121位移平台作为位移形变的信号源，Keyence，LK-G80激光定位仪精确定位位移时间关系，用CHI760D电化学工作站收集传感器弯曲应变产生的电压信号。
应当理解，上述实施例仅为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (23)
1.一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于包括层叠设置的两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层，所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间；其中，所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极包括碳纳米管阵列和离子聚合物基材，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极，所述离子聚合物基材的第二表面与所述离子聚合物电解质层结合，所述第一表面与第二表面相背对。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：所述碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极与所述离子聚合物电解质层热压结合为一体。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：用于形成所述离子聚合物基材和/或离子聚合物电解质层的离子聚合物包括热塑性聚氨酯、全氟磺酸或聚偏氟乙烯-六氟丙烯。
4.根据权利要求2所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：所述离子聚合物电解质层还包含离子液体。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：所述离子液体包括咪唑盐离子液体。
6.根据权利要求5所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：所述离子液体包含1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于还包括封装结构，至少所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层局部或全部封装于所述封装结构中。
8.根据权利要求7所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器，其特征在于：采用的封装材料包括聚二甲基硅氧烷。
9.如权利要求1-8中任一项所述的碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器于制备可穿戴设备中的用途。
10.一种碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器的制法，其特征在于包括：
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的部分有机溶剂，形成离子聚合物粘结液；
至少通过渗透作用将碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，再去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材，从而获得碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极，所述碳纳米管阵列包括多个并列竖立设置的碳纳米管，所述碳纳米管的一端设于所述离子聚合物基材内并形成内电极，另一端自所述离子聚合物基材的第一表面露出并形成外电极；
将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并去除其中的有机溶剂，形成离子聚合物电解质层；
取两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极和一个离子聚合物电解质层层叠设置，并使所述离子聚合物电解质层分布于所述两个碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极之间，之后进行热压处理，制得所述碳纳米管阵列电极的离子型应变传感器。
11.根据权利要求10所述的制法，其特征在于包括：
提供竖直生长在生长基底上的碳纳米管阵列，
通过渗透作用将所述碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，再去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材，之后分离所述生长基底，从而获得碳纳米管阵列/离子聚合物纳米离子通道电极。
12.根据权利要求11所述的制法，其特征在于包括：将离子聚合物分散液覆设于衬底表面，并于40～80℃加热30min～80min，使其中的部分有机溶剂被除去，从而获得所述的离子聚合物粘结液。
13.根据权利要求11所述的制法，其特征在于包括：使竖直生长在生长基底上的碳纳米管阵列沿与其中碳纳米管的取向方向平行的方向缓慢靠近所述离子聚合物粘结液，直至将所述碳纳米管阵列的局部区域置入所述离子聚合物粘结液，之后去除所述离子聚合物粘结液中的有机溶剂而形成离子聚合物基材。
14.根据权利要求11所述的制法，其特征在于包括：使所述碳纳米管阵列中各碳纳米管的根部沿与所述碳纳米管的取向方向平行的方向与所述生长基底完全分离。
15.根据权利要求11所述的制法，其特征在于还包括：至少通过浸渍离子液体或者离子交换中的任一种方式对所述离子型应变传感器进行处理，从而改变所述离子型应变传感器的离子类型。
16.根据权利要求10-13中任一项所述的制法，其特征在于还包括：对所述离子型应变传感器进行封装。
17.根据权利要求16所述的制法，其特征在于采用的封装材料包括聚二甲基硅氧烷。
18.根据权利要求10-13中任一项所述的制法，其特征在于：所述离子聚合物分散液中的离子聚合物包括热塑性聚氨酯、全氟磺酸或聚偏氟乙烯-六氟丙烯。
19.根据权利要求18所述的制法，其特征在于：所述离子聚合物分散液的浓度为0.001wt％～99.9wt％。
20.根据权利要求18所述的制法，其特征在于：所述有机溶剂包括乙醇，N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，1-甲基-2-吡咯烷酮中的任意一种或两种以上的组合。
21.根据权利要求18所述的制法，其特征在于：所述离子聚合物分散液还包含离子液体。
22.根据权利要求21所述的制法，其特征在于：所述离子液体包括咪唑盐离子液体。
23.根据权利要求21所述的制法，其特征在于：所述离子液体包含1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐。
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| 碳纳米管薄膜传感器及其应变传感特性;聂鹏等;《北京航空航天大学学报》;20160430;第42卷(第4期);全文 * |
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