CN108831882A - 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 - Google Patents
一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108831882A CN108831882A CN201810380279.9A CN201810380279A CN108831882A CN 108831882 A CN108831882 A CN 108831882A CN 201810380279 A CN201810380279 A CN 201810380279A CN 108831882 A CN108831882 A CN 108831882A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- oxide semiconductor
- semiconductor field
- field effect
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 230
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 223
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 202
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 202
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 9
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0617—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type
- H01L27/0629—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region comprising components of the field-effect type in combination with diodes, or resistors, or capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明具体涉及一种功率型的金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件，包括第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块，所述第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚，所述第一电阻的一端作为金属‑氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接外部的驱动信号源、第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端，所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属‑氧化物半导体场效应晶体管的源极。将外部电路的体积缩减，在组装成电源供应器时，符合轻薄短小的趋势；以及，可以缩减外部驱动电路的成本。
Description
技术领域
本发明涉及晶体管领域，具体涉及一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件。
背景技术
图1示出了现有的功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管M的电路图，其包括闸极接脚G、源极接脚S以及汲极接脚D，在闸极接脚G与源极接脚S之间存在寄生电容Cgs，闸极接脚G与汲极接脚S之间存在寄生电容Cgd，而在源极接脚S与汲极接脚D之间存在寄生电容Cds。
而目前普遍由厂商提供的规格中，通常是以动态参数输入电容Ciss、共源极输出电容Coss、反向转移电容Crss来表示，其中，在完全导通时，输入电容Ciss为闸极接脚G与源极接脚S间寄生电容Cgs以与门极接脚G与汲极接脚S间的寄生电容Cgd之和。
图2示出了现有的功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路图，驱动电路100布局在一电路板上，用以驱动金属-氧化物半导体场效应晶体管M，以提供电流，加速电容的充放电，来缩短开关时间。驱动电路100连接至一驱动讯号源150及金属-氧化物半导体场效应晶体管M，且包含第一晶体管Q1以及第二晶体管Q2、第一电阻R1以及第二电阻R2；第一晶体管Q1为NPN型晶体管，其基极连接至所述驱动讯号源150、其集极连接至电压源Vcc，其射极与第一电阻R1及第二晶体管Q2相连接；所述第二晶体管Q2为PNP型晶体管，其基极连接至所述驱动信号源150、其集极与第一晶体管Q1及第一电阻R1相连接；第一电阻R1的一端与第一晶体管Q1及第二晶体管Q2相连接，而另一端与金氧半场效晶体管1的闸极及所述第二电阻R2相连接；所述第二电阻R2的一端与第一电阻R1及金属-氧化物半导体场效应晶体管M的闸极连接，而其另一端与功率型金氧半场效晶体管M的源极、所述第二晶体管的射极共同接地，其中第二电阻R2的阻值约为第一电阻R1的一万倍，第一电阻R1的阻值范围为1至10欧姆。
藉由驱动电路的配置，可以有效地加速电容的充放电，来缩短开关时间，然而却有着外部电路成本过高，更重要的是，若将多个金属-氧化物半导体场效应晶体管组合成电源供应器，易使得体积庞大，在目前轻薄短小的电源设计上较为困难，也导致了散热效果不佳的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，解决外部电路成本过高、体积庞大以及散热不佳的问题。
为解决该技术问题，本发明提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚，所述第一电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接外部的驱动信号源、第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端，所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
其中，较佳方案是：所述导通模块为PNP型晶体管，所述PNP型晶体管的发射极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述PNP型晶体管的基极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，所述PNP型晶体管的集电极连接第一电阻的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
其中，较佳方案是：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第一二极管，所述第一二极管的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接PNP型晶体管的基极，所述第一二极管的负极连接PNP型晶体管的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
其中，较佳方案是：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第二电阻，所述第二电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接PNP型晶体管的基极，所述第二电阻的另一端连接PNP型晶体管的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
其中，较佳方案是：所述第一电阻的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第二电阻的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
其中，较佳方案是：所述导通模块为第二金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的汲极连接第一电阻的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
其中，较佳方案是：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第二二极管，所述第二二极管的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第二二极管的负极连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
其中，较佳方案是：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第三电阻，所述第三电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第三电阻的另一端连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
其中，较佳方案是：所述第一电阻的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第三电阻的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
其中，较佳方案是：所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管。
本发明的有益效果在于，与现有技术相比，本发明通过设计一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，利用制造半导体的方法，将金属-氧化物半导体场效应晶体管和驱动组件共同形成金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，透过驱动信号以驱动金属-氧化物半导体场效应晶体管，缩短寄生电容与米勒电容的放电时间，进而减少金属-氧化物半导体场效应晶体管的开关时间，并降低开关损失；并且，可以将外部电路的体积缩减，在组装成电源供应器时，符合轻薄短小的趋势；以及，可以缩减外部驱动电路的成本；另外，可以因为减少外部驱动电路而减少线路的杂散电感，在讯号驱动上的效果更佳。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是现有的金属-氧化物半导体场效应晶体管的等效电路图；
图2是现有的金属-氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路图；
图3是本发明金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第一实施例的等效电路图；
图4是本发明金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第二实施例的等效电路图；
图5是本发明金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第三实施例的等效电路图；
图6是本发明金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第四实施例的等效电路图。
具体实施方式
现结合附图，对本发明的较佳实施例作详细说明。
如图3所示，本发明提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第一实施例。
具体地，一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1，包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1和汲极D1分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的源极接脚S和汲极接脚D，所述第一电阻40的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1和导通模块的一端，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G连接外部的驱动信号源150，所述第一电阻40的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
其中，所述导通模块为PNP型晶体管30，所述PNP型晶体管30的发射极连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1，所述PNP型晶体管30的基极连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，所述PNP型晶体管30的集电极连接第一电阻40的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
进一步地，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1还包括第一二极管20，所述第一二极管20的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接PNP型晶体管30的基极，所述第一二极管20的负极连接PNP型晶体管30的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1。
在本实施例中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40、第一二极管20和PNP型晶体管30通过半导体制程制作，而形成半导体组件。
其中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻40的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆。
如图4所示，本发明提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第二实施例。
具体地，一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1，包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1和汲极D1分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的源极接脚S和汲极接脚D，所述第一电阻40的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1和导通模块的一端，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G连接外部的驱动信号源150，所述第一电阻40的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
其中，所述导通模块为PNP型晶体管30，所述PNP型晶体管30的发射极连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1，所述PNP型晶体管30的基极连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，所述PNP型晶体管30的集电极连接第一电阻40的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
进一步地，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1还包括第二电阻45，所述第二电阻45的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接PNP型晶体管30的基极，所述第二电阻45的另一端连接PNP型晶体管30的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1。
在本实施例中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40、第二电阻45和PNP型晶体管30通过半导体制程制作，而形成半导体组件。
其中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻40的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第二电阻45的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
如图5所示，本发明提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第三实施例。
具体地，一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1，包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1和汲极D1分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的源极接脚S和汲极接脚D，所述第一电阻40的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1和导通模块的一端，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G连接外部的驱动信号源150，所述第一电阻40的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
其中，所述导通模块为第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的源极S2连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的闸极G2连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G1的一端，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的汲极D2连接第一电阻40的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
进一步地，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1还包括第二二极管20，所述第二二极管20的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的闸极G2，所述第二二极管20的负极连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的源极S2，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1。
在本实施例中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40、第二二极管20和第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50通过半导体制程制作，而形成半导体组件。
其中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻40的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆。
如图6所示，本发明提供一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的第四实施例。
具体地，一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1，包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1和汲极D1分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的源极接脚S和汲极接脚D，所述第一电阻40的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1和导通模块的一端，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G连接外部的驱动信号源150，所述第一电阻40的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
其中，所述导通模块为第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的源极S2连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的闸极G2连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G1的一端，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的汲极D2连接第一电阻40的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的源极S1。
进一步地，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1还包括第三电阻45，所述第三电阻45的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G，并连接第一电阻40作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件1的闸极接脚G的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的闸极G2，所述第三电阻45的另一端连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50的源极S2，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10的闸极G1。
在本实施例中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10、第一电阻40、第三电阻45和第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50通过半导体制程制作，而形成半导体组件。
其中，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管10为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管50为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第一电阻40的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第三电阻45的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
在上述实施例中，当功率型金氧半场效晶体管导通时存在一导通电阻，而使得电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。此外，由于导通与截止的时候，并一定不是在瞬间完成，而是两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，功率型金氧半场效晶体管M的能量损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
减小开关损失的方式，可以缩短开关时间来减小每次导通时的损失，或是降低开关频率来减小单位时间内的开关次数。由于目前运算的速度越来越快，降低频率的选择较少，通常是设法缩短开关时间来减小每次导通时的损失。而在上述实施例中，利用制造半导体的方法，将金属-氧化物半导体场效应晶体管和驱动组件共同形成金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，透过驱动信号以驱动金属-氧化物半导体场效应晶体管，缩短寄生电容与米勒电容的放电时间，进而减少金属-氧化物半导体场效应晶体管的开关时间，并降低开关损失；并且，可以将外部电路的体积缩减，在组装成电源供应器时，符合轻薄短小的趋势，由于体积小，从而提升散热效果；以及，可以缩减外部驱动电路的成本；另外，可以因为减少外部驱动电路而减少线路的杂散电感，在讯号驱动上的效果更佳。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改，等同替换，改进等，均应包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管、第一电阻和导通模块，所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和汲极分别作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的源极接脚和汲极接脚，所述第一电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接外部的驱动信号源、第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极和导通模块的一端，所述第一电阻的另一端连接导通模块的另一端和第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
2.根据权利要求1所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述导通模块为PNP型晶体管，所述PNP型晶体管的发射极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述PNP型晶体管的基极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，所述PNP型晶体管的集电极连接第一电阻的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
3.根据权利要求2所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第一二极管，所述第一二极管的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接PNP型晶体管的基极，所述第一二极管的负极连接PNP型晶体管的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
4.根据权利要求2所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第二电阻，所述第二电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接PNP型晶体管的基极，所述第二电阻的另一端连接PNP型晶体管的发射极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
5.根据权利要求4所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述第一电阻的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第二电阻的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
6.根据权利要求1所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述导通模块为第二金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的汲极连接第一电阻的另一端，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极。
7.根据权利要求6所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第二二极管，所述第二二极管的正极作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第二二极管的负极连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
8.根据权利要求6所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述金属-氧化物半导体场效应晶体管组件还包括第三电阻，所述第三电阻的一端作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚，并连接第一电阻作为金属-氧化物半导体场效应晶体管组件的闸极接脚的一端，以及连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极，所述第三电阻的另一端连接第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极，以及连接第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的闸极。
9.根据权利要求8所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述第一电阻的阻值范围为10K欧姆至100K欧姆，所述第三电阻的阻值范围为1欧姆至10欧姆。
10.根据权利要求7或8所述的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件，其特征在于：所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管为N型金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管为P型金属-氧化物半导体场效应晶体管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810380279.9A CN108831882A (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810380279.9A CN108831882A (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108831882A true CN108831882A (zh) | 2018-11-16 |
Family
ID=64155577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810380279.9A Pending CN108831882A (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108831882A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201633318U (zh) * | 2009-12-30 | 2010-11-17 | 上海工商信息学校 | 一种看书工具 |
| CN103812484A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-21 | 太原理工大学 | 一种装有控制ic的低噪声fet驱动电路 |
| CN106786463A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高压esd保护触发电路 |
-
2018
- 2018-04-25 CN CN201810380279.9A patent/CN108831882A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201633318U (zh) * | 2009-12-30 | 2010-11-17 | 上海工商信息学校 | 一种看书工具 |
| CN103812484A (zh) * | 2014-02-14 | 2014-05-21 | 太原理工大学 | 一种装有控制ic的低噪声fet驱动电路 |
| CN106786463A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高压esd保护触发电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060110861A1 (en) | Integrated circuit with multi-length power transistor segments | |
| US7220629B2 (en) | Method of manufacturing an integrated circuit with multilength power transistor elements | |
| CN101409505A (zh) | 大功率开关模式电压调整器电路及其配置方法 | |
| US20080022245A1 (en) | Layout architecture having high-performance and high-density design | |
| CN102339825B (zh) | 亚微米集成电路静电保护电路 | |
| CN211700263U (zh) | 多基岛引线框架以及电机驱动芯片的封装结构 | |
| TW201411809A (zh) | 功率型金氧半場效電晶體元件 | |
| CN1909232B (zh) | 半导体集成电路 | |
| CN110247651A (zh) | 一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路 | |
| CN107800422A (zh) | 电平转移电路和半导体装置 | |
| CN108831882A (zh) | 一种功率型的金属-氧化物半导体场效应晶体管组件 | |
| CN103023470B (zh) | 三电极单向导通场效应管 | |
| CN209134378U (zh) | 低成本高性能开关管驱动电路 | |
| CN1812097A (zh) | 一种半导体器件 | |
| CN109660114A (zh) | 一种多路并联mos管的驱动电路 | |
| CN109167592A (zh) | 低成本高性能开关管驱动电路 | |
| CN207995055U (zh) | 一种功率开关的驱动电路以及电机驱动器 | |
| CN208797823U (zh) | 逆变器上桥驱动电路 | |
| Usami et al. | SPL (super push-pull logic) a bipolar novel low-power high-speed logic circuit | |
| KR20050103195A (ko) | 유기 전계 효과 트랜지스터 및 집적회로 | |
| TW201633711A (zh) | 類比開關電路 | |
| JP7043699B2 (ja) | Ｐ‐ｎバイモーダルパワーデバイスのための統合されたハイサイドドライバ | |
| CN100423439C (zh) | 功率场效应管激励电路 | |
| CN105226960B (zh) | 功率模块 | |
| CN2779786Y (zh) | 用于高频感应加热电源的驱动电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181116 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |