CN108819275A - 陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置及加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种陷光膜‑光面晶体硅电池复合热压印装置及加工方法，所述热压印装置包括通过管路依次连接充泄气模块、热压印模块及抽补气模块；所述热压印模块包括加压气囊、陷光热压印模具、压印导向滑座、限位块、压印导向柱、复位弹簧、热压印平台及可活动密封的箱体；所述陷光热压印模具包括加热装置及位于加热装置下方的陷光模板，所述陷光模板下端间隔凸设多个陷光织构，所述充泄气模块通过管路连接加压气囊，所述抽补气模块通过管路连接箱体，所述加工方法为应用上述热压印装置，本发明具有结构简单、制造成本低、生产效率高特点。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，特别是指一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置及加工方法。
背景技术
太阳能电池是利用半导体材料光生伏特效应来工作的器件，能够将太阳光的能量直接转化为电能，其中，晶体硅电池以其性价比高的优势在光伏市场一直占据主流地位，而提高晶体硅电池光电转换效率，关键在于提高光线吸收率和降低内部电学损耗。为了更充分地利用太阳光，降低电池受光面对光的反射率，目前主要采用化学制绒技术获取绒面晶体硅电池。但制绒工艺会导致晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利因素凸显，从而削弱晶体硅电池的光生伏特效应，限制了晶体硅电池的光电转换效率的进一步提高，如中国专利申请201210061306.9。
因此，部分学者尝试在光面晶体硅电池表面复合陷光膜，以提高吸光率，从而如何制造出带有陷光结构的陷光膜成为亟待解决的问题，光刻胶热熔法、软刻蚀法等是光学薄膜的传统制造方法,其加工效率低、成本高, 难以适应批量化生产要求;而丝网印刷是大批量制造模式,但微细结构精度难以控制。
近年来快速发展的热压印(hot embossing)成型已成为光学薄膜微细结构制造的主要方法。热压印技术是一种表面结构化技术，具有成本低、高通量、高分辨率和高精度等优点。采用热压印技术不仅可以制造出带有陷光结构的陷光膜，而且可以直接将陷光膜复合在光面晶体硅电池表面。
中国专利申请201280031317.0公布了一种热压印方法，用于至少一个带状压印薄膜的至少一部分在一个带状基层体上的热压印；中国专利申请201280031317.0还涉及一种相应的热压印装置，该装置采用热辊压的方式，经过两次压印得到带有所需微结构的薄膜。此装置虽然可以达到连续化生产的目的，但是由于光面晶体硅电池为脆性材料，所以此装置无法实现制造陷光膜并与光面晶体硅电池热熔粘合同时进行。
中国专利申请201010524604.8公开了一种用于纺织领域的热压印装置，提供一种汽缸推动加热的压板进行印花的思路。此装置采用气缸推动，虽然可以实现快速压印，但是成本随之提高，并且不能像加压气囊那样提供均匀的压印力；此装置的压印过程没有置于真空室内，很难保证微结构的成型精度。
中国专利申请201380061459.6涉及一种具有压印设备的热压印设备，该热压印设备用于将设置在热压印薄膜的载体层上的转印层转印到基质上。该热压印设备包括能被加热的压印辊和反压辊以及设置在下游的剥离设备，可以避免在压印过程中的不清洁。压印力可以通过超声波支承装置形成的空气膜的厚度而被灵敏调节。但是，同样地该热压印设备依然无法实现陷光膜与光面晶体硅电池热熔粘合这一步骤，从而存在成本高和成品率低的缺陷。
综上所述，在现有技术存在上述缺陷，致有本发明陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置及加工方法产生。
发明内容
本发明的目的在于提供一种陷光膜与光面晶体硅复合热压印装置及加工方法，具有成本较低、结构简单、成品率高的特点。
一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，包括：通过管路依次连接充泄气模块、热压印模块及抽补气模块；所述热压印模块包括加压气囊、陷光热压印模具、压印导向滑座、限位块、压印导向柱、复位弹簧、热压印平台及可活动密封的箱体；所述陷光热压印模具包括加热装置及位于加热装置下方的陷光模板，所述陷光模板下端间隔凸设多个陷光织构，所述充泄气模块通过管路连接加压气囊，所述抽补气模块通过管路连接箱体；所述陷光热压印模具下部有间距地设置热压印平台，所述压印导向柱下端固设于箱体的底部，所述陷光热压印模具设于压印导向滑座上，使所述陷光织构位于压印导向滑座下方，所述压印导向滑座两端分别套接在压印导向柱上，所述压印导向滑座两端的下方与箱体的底部间分别设置套设于压印导向柱的复位弹簧，所述压印导向滑座两端的上方均分别设置固设于压印导向柱上端的限位块。
所述箱体包括通过铰链连接的下箱体和箱盖，所述下箱体的上端口设有密封圈，所述下箱体外侧设置下锁紧块，所述箱盖外侧设置上锁紧块，所述下锁紧块与上锁紧块对齐锁紧。
所述热压印平台放置在下箱体底部，包括热压印平台基体和软垫。
所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置还包括冷却水供应模块，所述陷光热压印模具还包括模具基体及冷却水管道，所述冷却水管道与冷却水供应模块相连接，所述模具基体置于陷光模板上部，所述加热装置置于模具基体内，并在模具基体内开设所述冷却水管道。
所述加热装置为加热棒或加热板。
所述充泄气模块包括与加压气囊管道连接的泄压电磁阀、及通过管道依次连接的空气压缩机、储气罐、加压电磁阀。
所述抽补气模块包括与箱体管道连接的补气电磁阀、及通过管道依次连接的抽真空电磁阀、真空罐、抽真空泵。
一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，包括以下步骤：
b.利用充泄气模块使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
c.利用抽补气模块对热压印模块的箱体补气，解除热压印模块的真空状态；
d.打开箱体，把高透光面薄膜和光面晶体硅电池上下叠放，置于热压印平台上，再关闭箱体；
e.利用抽补气模块对热压印模块的箱体抽真空，使热压印模块处于真空状态；
f.利用充泄气模块使加压气囊充气，使压印导向滑座的两端沿着压印导向柱向下移动，从而连动陷光热压印模具向下移动，使所述陷光热压印模具的陷光织构作用于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构；
g.开启陷光热压印模具的加热装置，使陷光模板温度上升至高透光面薄膜的融化温度，从而于高透光面薄膜上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具的加热装置，使得陷光膜冷却定型。
上述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，还包括以下步骤：
i.利用充泄气模块使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
j.利用抽补气模块对热压印模块的箱体补气，解除热压印模块的真空状态；
k.打开箱体，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜和光面晶体硅电池，重复步骤d-k,不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，包括以下步骤：
a.关闭加压电磁阀和抽真空电磁阀，开启空气压缩机和抽真空泵，使储气罐保持高压状态、真空罐处于负气压真空状态；
b.开启泄压电磁阀，使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
c.开启补气电磁阀，解除热压印模块的真空状态；
d.将箱盖的上锁紧块与下箱体的下锁紧块分开，翻开箱盖，把高透光面薄膜和光面晶体硅电池上下叠放，置于热压印平台上，再翻下箱盖，箱盖的上锁紧块和下箱体的下锁紧块对齐，并锁紧；
e.关闭补气电磁阀，开启抽真空电磁阀，热压印模块瞬时处于真空状态；
f.关闭泄压电磁阀，开启加压电磁阀，加压气囊瞬时充气，使压印导向滑座的两端沿着压印导向柱向下移动，从而连动陷光热压印模具向下移动，使所述陷光热压印模具的陷光织构作用于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构；
g.关闭冷却水供应模块的水循环，开启陷光热压印模具的加热棒，使陷光模板温度上升至高透光面薄膜的融化温度，从而于高透光面薄膜上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具的加热棒，开启冷却水供应模块的水循环，使冷却水通过模具基体内的冷却水管道，对陷光热压印模具进行冷却，使得陷光膜冷却定型；
i.关闭加压电磁阀并开启泄压电磁阀，使加压气囊泄气，在复位弹簧作用下，把压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
j.关闭抽真空电磁阀并开启补气电磁阀，解除热压印模块的真空状态；
k.打开箱盖的上锁紧块，翻开箱盖，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜和光面晶体硅电池，重复步骤d-k，再盖合箱盖，不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
采用上述技术方案后，本发明相较于现有技术，具有以下有益效果：
本发明利用加热装置将陷光模板温度加热至高透光面薄膜融化温度，利用充泄气模块使加压气囊充气，使压印导向滑座的两端沿着压印导向柱向下移动，从而连动陷光热压印模具向下移动，使所述陷光热压印模具的陷光织构作用于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池上，形成陷光膜-光面晶体硅电池，从而提高了成品率，降低了成本，且所述陷光膜与光面晶体硅复合热压印装置整体结构简单。
进一步，本发明采用气囊加压的方式使得热压印过程中光面晶体硅电池的受力均匀，并在光面晶体硅电池与热压印平台基体之间加入一层软垫，可以有效防止光面晶体硅电池在热压印过程中破损。
进一步，本发明采用冷却水管道结合冷却水供应模块对热压印后的陷光热压印模具进行快速循环冷却，使温度迅速下降至薄膜融化温度以下，便于进一步脱模。并将冷却水管道隐藏于陷光模具当中，减小装置体积，提高装置的美观程度。
进一步，本发明将热压印过程置于真空室内完成，减少空气与其他外界不良因素的影响，使热压印后的陷光膜表面陷光结构更加饱满、不易坍塌，提高陷光膜的良品率。
进一步，本发明采用空气压缩机、储气罐、抽真空泵、真空罐等可以快速实现加压气囊充气和箱体抽真空等步骤，节省操作时间，提高生产效率。
进一步，本发明利用复位弹簧，在加压气囊快速泄气之后，复位弹簧自动向上弹出使陷光模板与陷光膜分开，完成脱模。此结构设计既合理又简单，方便快速取出陷光膜-光面晶体硅复合电池。
综上所述，本发明不仅可以保证压印后陷光膜表面金字塔的饱满和规则，防止光面晶体硅电池的破损，而且于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构成为陷光膜的同时将陷光膜底部直接热熔粘合在光面晶体硅电池上，其结构简单、制造成本低、生产效率高。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图1A为图1的A处局部放大示意图；
图2为本发明的工作流程图；
图3为放料与取出陷光膜-光面晶体硅电池成品时本发明的热压印模块的示意图；
图4为处于热压印成型工序时本发明的热压印模块的示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明；但本发明所揭示的一种陷光膜与光面晶体硅复合的热压印装置及加工方法不局限于下述实施例。
请参照图1至图4所示，本发明揭示了一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，它包括通过管路依次连接充泄气模块、热压印模块6、抽补气模块及与热压印模块6管路连接的冷却水供应模块5；
其中，所述热压印模块6包括加压气囊65、陷光热压印模具66、压印导向滑座67、限位块68、压印导向柱69、复位弹簧610、热压印平台613及可活动密封的箱体；所述充泄气模块通过管路连接加压气囊65，所述抽补气模块通过管路连接箱体；所述箱体包括通过铰链62连接的下箱体61和箱盖64，所述下箱体61的上端口设有密封圈63；所述下箱体61外侧设置下锁紧块612，箱盖64外侧设置上锁紧块611，下锁紧块612与上锁紧块611对齐锁紧，从而能防止外部空气对箱体环境的影响；所述充泄气模块包括与加压气囊65管道连接的泄压电磁阀4及通过管道依次连接的空气压缩机1、储气罐2、加压电磁阀3；所述抽补气模块包括与箱体管道连接的补气电磁阀7及通过管道依次连接的抽真空电磁阀8、真空罐9、抽真空泵10；具体而言，所述加压电磁阀3、泄压电磁阀4通过管道和加压气囊65相连接；所述加压气囊65置于陷光热压印模具66上部，所述陷光热压印模具66下部有间距地设置热压印平台613，所述陷光热压印模具66下端间隔凸设多个陷光织构6611，所述压印导向柱69下端固设于下箱体61的底部，所述陷光热压印模具66设于压印导向滑座67上，使所述陷光织构6611位于压印导向滑座67下方，所述压印导向滑座67两端分别套接在压印导向柱69上，所述压印导向滑座67两端的下方与下箱体61的底部间分别设有套设于压印导向柱69的复位弹簧610，所述压印导向滑座67两端的上方均分别设有固设于压印导向柱69上端的限位块68，从而可以通过复位弹簧610把压印导向滑座67两端顶到限位块68；所述抽真空电磁阀8、补气电磁阀7通过管道和下箱体61相连接；所述热压印平台613放置在下箱体61底部，由热压印平台基体6131和软垫6132组成。
再者，所述陷光热压印模具66包括加热装置、位于加热装置下方的陷光模板661、模具基体662、及冷却水管道663，所述加热装置可以是加热棒664，也可以是加热板，还可以是其他具有加热功能的器件，在此以加热棒664进行说明；所述陷光模板661位于加热棒664的下方，所述模具基体662置于陷光模板661上部，所述加热棒664置于模具基体662内，并在模具基体662内开设冷却水管道663，冷却水管道663与外部的冷却水供应模块5相连接。
此外，本发明还揭示了一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，包括以下步骤：
b.利用充泄气模块使加压气囊65泄气，在复位弹簧10弹力作用下，使压印导向滑座67两端沿着压印导向柱69移动到顶端的限位块68；
c.利用抽补气模块对热压印模块6的箱体补气，解除热压印模块6的真空状态；
d.打开箱体，把高透光面薄膜112和光面晶体硅电池111上下叠放，置于热压印平台613上，再关闭箱体；
e.利用抽补气模块对热压印模块6的箱体抽真空，使热压印模块6处于真空状态；
f.利用充泄气模块使加压气囊65充气，使压印导向滑座67的两端沿着压印导向柱69向下移动，从而连动陷光热压印模具66向下移动，使所述陷光热压印模具66的陷光织构6611作用于高透光面薄膜112的上表面形成陷光微结构；
g.开启陷光热压印模具66的加热装置，使陷光模板661温度上升至高透光面薄膜112的融化温度，从而于高透光面薄膜112上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池111，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具66的加热装置，使得陷光膜冷却定型；
i.利用充泄气模块使加压气囊65泄气，在复位弹簧610弹力作用下，使压印导向滑座610两端沿着压印导向柱69移动到顶端的限位块68；
j.利用抽补气模块对热压印模块6的箱体补气，解除热压印模6块的真空状态；
k.打开箱体，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜112和光面晶体硅电池111，重复步骤d-k,不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
于本实施例中，请参阅图2所示，本发明所揭示的一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，包括以下步骤：
a.关闭加压电磁阀3和抽真空电磁阀8，开启空气压缩机1和抽真空泵10，使储气罐2保持高压状态、真空罐9处于负气压真空状态；
b.开启泄压电磁阀4，使加压气囊65泄气，在复位弹簧610弹力作用下，使压印导向滑座67两端沿着压印导向柱69移动到顶端的限位块68；
c.开启补气电磁阀7，解除热压印模块6的真空状态；
d.将箱盖64的上锁紧块611与下箱体61的下锁紧块612分开，翻开箱盖64，把高透光面薄膜112和光面晶体硅电池111上下叠放，置于热压印平台613上，再翻下箱盖64，箱盖64的上锁紧块611和下箱体61的下锁紧块612对齐，并锁紧；
e.关闭补气电磁阀7，开启抽真空电磁阀8，热压印模块6瞬时处于真空状态；
f.关闭泄压电磁阀4，开启加压电磁阀3，加压气囊65瞬时充气，使压印导向滑座67的两端沿着压印导向柱69向下移动，从而连动陷光热压印模具66向下移动，使所述陷光热压印模具66的陷光织构6611作用于高透光面薄膜112的上表面形成陷光微结构；
g.关闭冷却水供应模块5的水循环，开启陷光热压印模具66的加热棒664，使陷光模板661温度上升至高透光面薄膜112的融化温度，从而于高透光面薄膜112上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池111，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具66的加热棒664，开启冷却水供应模块5的水循环，使冷却水通过模具基体662内的冷却水管道663，对陷光热压印模具66进行冷却，使得陷光膜冷却定型；
i.关闭加压电磁阀3并开启泄压电磁阀4，使加压气囊65泄气，在复位弹簧610作用下，把压印导向滑座610两端沿着压印导向柱69移动到顶端的限位块68；
j.关闭抽真空电磁阀8并开启补气电磁阀7，解除热压印模块6的真空状态；
k.打开箱盖64上锁紧块611，翻开箱盖64，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜112和光面晶体硅电池111，重复步骤d-k，再盖合箱盖64，不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
因此，本发明相较于现有技术，具有以下有益效果：
（1）本发明利用加热装置将陷光模板661温度加热至高透光面薄膜112融化温度，利用充泄气模块使加压气囊65充气，使压印导向滑座67的两端沿着压印导向柱69向下移动，从而连动陷光热压印模具66向下移动，使所述陷光热压印模具66的陷光织构661作用于高透光面薄膜112的上表面形成陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池上，形成陷光膜-光面晶体硅电池，从而提高了成品率，降低了成本，且所述陷光膜与光面晶体硅复合热压印装置整体结构简单。
（2）本发明采用气囊加压的方式使得热压印过程中光面晶体硅电池111的受力均匀，并在光面晶体硅电池111与热压印平台基体6131之间加入一层软垫6132，可以有效防止光面晶体硅电池111在热压印过程中破损。
（3）本发明采用冷却水管道663结合冷却水供应模块5对热压印后的陷光热压印模具66进行快速循环冷却，使温度迅速下降至薄膜融化温度以下，便于进一步脱模。并将冷却水管道663隐藏于陷光模具66当中，减小装置体积，提高装置的美观程度。
（4）本发明将热压印过程置于真空室内完成，减少空气与其他外界不良因素的影响，使热压印后的陷光膜表面陷光结构更加饱满、不易坍塌，提高陷光膜的良品率。
（5）本发明采用空气压缩机1、储气罐2、抽真空泵10、真空罐9等可以快速实现加压气囊65充气和箱体抽真空等步骤，节省操作时间，提高生产效率。
（6）本发明利用复位弹簧610装置，在加压气囊65快速泄气之后，复位弹簧610自动向上弹出使陷光模板661与陷光膜分开，完成脱模。此结构设计既合理又简单，方便快速取出陷光膜-光面晶体硅复合电池。
综上所述，本发明不仅可以保证压印后陷光膜表面金字塔的饱满和规则，防止光面晶体硅电池111的破损，而且于高透光面薄膜112的上表面形成陷光微结构成为陷光膜的同时将陷光膜底部直接热熔粘合在光面晶体硅电池111上，其结构简单、制造成本低、生产效率高。
Claims (10)
1.一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于，包括：通过管路依次连接充泄气模块、热压印模块及抽补气模块；
所述热压印模块包括加压气囊、陷光热压印模具、压印导向滑座、限位块、压印导向柱、复位弹簧、热压印平台及可活动密封的箱体；
所述陷光热压印模具包括加热装置及位于加热装置下方的陷光模板，所述陷光模板下端间隔凸设多个陷光织构，所述充泄气模块通过管路连接加压气囊，所述抽补气模块通过管路连接箱体；
所述陷光热压印模具下部有间距地设置热压印平台，所述压印导向柱下端固设于箱体的底部，所述陷光热压印模具设于压印导向滑座上，使所述陷光织构位于压印导向滑座下方，所述压印导向滑座两端分别套接在压印导向柱上，所述压印导向滑座两端的下方与箱体的底部间分别设置套设于压印导向柱的复位弹簧，所述压印导向滑座两端的上方均分别设置固设于压印导向柱上端的限位块。
2.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：所述箱体包括通过铰链连接的下箱体和箱盖，所述下箱体的上端口设有密封圈，所述下箱体外侧设置下锁紧块，所述箱盖外侧设置上锁紧块，所述下锁紧块与上锁紧块对齐锁紧。
3.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：所述热压印平台放置在下箱体底部，包括热压印平台基体和软垫。
4.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：还包括冷却水供应模块，所述陷光热压印模具还包括模具基体及冷却水管道，所述冷却水管道与冷却水供应模块相连接，所述模具基体置于陷光模板上部，所述加热装置置于模具基体内，并在模具基体内开设所述冷却水管道。
5.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：所述加热装置为加热棒或加热板。
6.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：所述充泄气模块包括与加压气囊管道连接的泄压电磁阀、及通过管道依次连接的空气压缩机、储气罐、加压电磁阀。
7.如权利要求1所述陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印装置，其特征在于：所述抽补气模块包括与箱体管道连接的补气电磁阀、及通过管道依次连接的抽真空电磁阀、真空罐、抽真空泵。
8.一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
b.利用充泄气模块使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
c.利用抽补气模块对热压印模块的箱体补气，解除热压印模块的真空状态；
d.打开箱体，把高透光面薄膜和光面晶体硅电池上下叠放，置于热压印平台上，再关闭箱体；
e.利用抽补气模块对热压印模块的箱体抽真空，使热压印模块处于真空状态；
f.利用充泄气模块使加压气囊充气，使压印导向滑座的两端沿着压印导向柱向下移动，从而连动陷光热压印模具向下移动，使所述陷光热压印模具的陷光织构作用于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构；
g.开启陷光热压印模具的加热装置，使陷光模板温度上升至高透光面薄膜的融化温度，从而于高透光面薄膜上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具的加热装置，使得陷光膜冷却定型。
9.如权利要求8所述一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，其特征在于，还包括以下步骤：
i.利用充泄气模块使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
j.利用抽补气模块对热压印模块的箱体补气，解除热压印模块的真空状态；
k.打开箱体，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜和光面晶体硅电池，重复步骤d-k,不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
10.一种陷光膜-光面晶体硅电池复合热压印加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
a.关闭加压电磁阀和抽真空电磁阀，开启空气压缩机和抽真空泵，使储气罐保持高压状态、真空罐处于负气压真空状态；
b.开启泄压电磁阀，使加压气囊泄气，在复位弹簧弹力作用下，使压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
c.开启补气电磁阀，解除热压印模块的真空状态；
d.将箱盖的上锁紧块与下箱体的下锁紧块分开，翻开箱盖，把高透光面薄膜和光面晶体硅电池上下叠放，置于热压印平台上，再翻下箱盖，箱盖的上锁紧块和下箱体的下锁紧块对齐，并锁紧；
e.关闭补气电磁阀，开启抽真空电磁阀，热压印模块瞬时处于真空状态；
f.关闭泄压电磁阀，开启加压电磁阀，加压气囊瞬时充气，使压印导向滑座的两端沿着压印导向柱向下移动，从而连动陷光热压印模具向下移动，使所述陷光热压印模具的陷光织构作用于高透光面薄膜的上表面形成陷光微结构；
g.关闭冷却水供应模块的水循环，开启陷光热压印模具的加热棒，使陷光模板温度上升至高透光面薄膜的融化温度，从而于高透光面薄膜上表面加工出陷光微结构成为陷光膜，同时陷光膜底部热熔粘合在光面晶体硅电池，形成陷光膜-光面晶体硅电池；
h.关闭陷光热压印模具的加热棒，开启冷却水供应模块的水循环，使冷却水通过模具基体内的冷却水管道，对陷光热压印模具进行冷却，使得陷光膜冷却定型；
i.关闭加压电磁阀并开启泄压电磁阀，使加压气囊泄气，在复位弹簧作用下，把压印导向滑座两端沿着压印导向柱移动到顶端的限位块；
j.关闭抽真空电磁阀并开启补气电磁阀，解除热压印模块的真空状态；
k.打开箱盖的上锁紧块，翻开箱盖，取出成型后的陷光膜-光面晶体硅电池，放置新的高透光面薄膜和光面晶体硅电池，重复步骤d-k，再盖合箱盖，不断生产陷光膜-光面晶体硅电池。
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