CN108807721B - 有机发光二极管阵列的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。

Description

有机发光二极管阵列的制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管阵列的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)是一种发光层由有机复合物构成的发光二极管，作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成本等诸多特点，使得有机发光二极管在大面积面光源的照明应用上逐渐显露出取代传统发光二极管的趋势，已经被广泛的运用于各种领域。现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀，为了形成均匀的有机发光层，需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。有机发光层尺寸越大，成膜的均匀性越难保证，并且，由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向，大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面，从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种提供一种能够解决上述问题的的有机发光二极管阵列的制备方法。
一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该有机发光层源材料设置在该碳纳米管膜结构的表面，通过该碳纳米管膜结构承载；将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，加热所述该碳纳米管膜结构，使该有机发光层源材料蒸发，在裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；在该多个有机发光层上形成多个第二电极；去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。
相较于现有技术，本发明中将自支撑的碳纳米管膜作为光活性层源材料的载体，利用该碳纳米管膜极大的比表面积及自身的均匀性，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料在蒸发前即实现较为均匀的大面积分布。在蒸发的过程中利用该自支撑碳纳米管膜在电磁波信号或电信号的作用下瞬时加热的特性，在极短的时间将光活性层源材料完全气化，从而形成均匀且大面积分布的气态光活性层源材料。该第一电极与该碳纳米管膜间隔距离短，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料基本上均能得到利用，有效节约了光活性层源材料，提高了蒸镀速度及均匀性。另外，本发明采用图案化掩膜层覆盖基底并使多个第一电极的至少一部分裸露在外，然后在第一电极上依次形成有机发光层和第二电极，最后去除图案化掩膜层可一次性形成多个发光二极管，方法简单，有利于提高生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例有机发光二极管阵列的制备方法的流程图。
图2为本发明实施例有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图3为本发明实施例有机发光二极管的结构示意图。
图4为本发明实施例图案化掩膜层的结构示意图。
图5为本发明实施例从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜的扫描电镜照片。
图6为本发明一实施例碳纳米管膜结构的扫描电镜照片。
图7为本发明另一实施例有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图8为本发明一实施例蒸镀后的蒸发源的扫描电镜照片。
图9为本发明另一实施例有机发光二极管的结构示意图。
主要元件符号说明
有机发光二极管制备装置 100
蒸发源 110
碳纳米管膜结构 112
有机发光层源材料 114
支撑体 120
真空室 130
电磁波信号输入装置 140
第一电信号输入电极 150
第二电信号输入电极 152
有机发光二极管 200
基底 210
第一电极 220
有机发光层 230
第二电极 240
空穴传输层 250
空穴注入层 252
电子传输层 254
电子注入层 256
图案化掩膜层 260
通孔 262
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的有机发光二极管阵列的制备方法作进一步的详细说明。
请参阅图1至图4，本发明实施例提供有机发光二极管阵列的制备方法，包括以下步骤：
S10，提供一基底210，在该基底210表面形成多个第一电极220；
S20，在该基底210上形成一图案化掩膜层260，该图案化掩膜层260覆盖该基底210并使该多个第一电极220的至少一部分裸露在外；
S30，提供一蒸发源110，该蒸发源110包括碳纳米管膜结构112及有机发光层源材料114，该碳纳米管膜结构112为一载体，该有机发光层源材料114设置在该碳纳米管膜结构112表面，通过该碳纳米管膜结构112承载；
S40，将该蒸发源110与多个第一电极220的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构112输入电磁波信号或电信号加热所述该碳纳米管膜结构112，使该有机发光层源材料114蒸发，在裸露在外的多个第一电极220上蒸镀形成多个有机发光层230；
S50，在该多个有机发光层230上形成多个第二电极240；
S60，去除该图案化掩膜层260形成有机发光二极管阵列。
在该方法中，所述有机发光二极管阵列在有机发光二极管制备装置100中制备。该有机发光二极管阵列包括多个有机发光二极管200。该基底210为绝缘的硬质基底或柔性基底，该第一电极220及第二电极240均为导电层。当该有机发光二极管200的出光面为该基底210表面时，该基底210为透明基底，如玻璃基底、石英基底或透明的塑料或树脂基底，该第一电极220为透明导电层或多孔网状结构，如ITO层、FTO层或碳纳米管膜，该第二电极240为透明或不透明的导电层或多孔网状结构，如金属薄膜、金属网、ITO层、FTO层或碳纳米管膜。当该有机发光二极管200的出光面为该第二电极240表面时，该基底210可以为不透明基底，如硅基底，该第二电极240为透明导电层或多孔网状结构，如ITO层、FTO层或碳纳米管膜，该第一电极220为透明或不透明的导电层或多孔网状结构，如金属薄膜、金属网、ITO层、FTO层或碳纳米管膜。该第一电极220及第二电极240均可通过现有的蒸镀、溅射、涂覆或铺设等方法制备。该有机发光层源材料114为该有机发光层230的材料或者用于形成该有机发光层230的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机发光层230的材料。
该有机发光层230为具有高量子效率、良好的半导体性、成膜性以及热稳定性的高分子聚合物或小分子有机化合物。所述高分子聚合物为分子量在10000-100000之间，通常是导电共轭聚合物或半导体共轭聚合物。小分子有机化合物的分子量在500-2000之间。所述小分子有机化合物主要为有机染料，其具有化学修饰性强、选择范围广、易于提纯以及量子效率高等特性。所述小分子有机化合物的红光材料可以选自：罗丹明类染料、DCM、DCT、DCJT、DCJTB、DCJTI以及TPBD等。所述小分子有机化合物的绿光材料可以选自：香豆素染料Coumarin6、喹吖啶酮(quinacridone，QA)、六苯并苯(Coronene)、苯胺类(naphthalimide)。所述小分子有机化合物的蓝光材料可以选自：N-芳香基苯并咪唑类；以及1，2，4-三唑衍生物(TAZ)以及双芪类(distyrylarylene)。可以理解，该有机发光层230的材料及该有机发光层源材料114不限于上述材料，只要是在相同条件下气化温度低于碳纳米管的气化温度，且在蒸镀过程中不与碳反应的有机半导体发光材料即可，优选是气化温度小于或等于300℃的有机半导体发光材料。
在步骤S10中，在该基底210表面形成多个第一电极220，以便后续形成多个发光二极管220构成发光二极管阵列。该发光二级管阵列中多个发光二极管220在该基底210中的位置分布与多个第一电极220在该基底210上的位置分布对应。
在步骤S20中，该图案化掩膜层260覆盖该基底210并使该多个第一电极220的至少一部分裸露在外。裸露裸露当然，该图案化掩膜层260也可覆盖该基底210并使多个第一电极220均裸露在外。请参阅图4，该图案化掩膜层260具有多个通孔262。该通孔262与该第一电极220一一对应。一实施例中，该通孔262的尺寸略小于第一电极220的尺寸，以使掩膜层260覆盖第一电极210的至少一部分，使第一电极220部分裸露在外。在另一实施例中，该通孔262的尺寸与第一电极220的尺寸相同，使第一电极210全部裸露在外。由于图案化掩膜层260具有多个通孔262，气化的有机发光层源材料114只能从多个通孔262通过并到达该第一电极220，从而在未被该图案化掩膜层260覆盖裸露在外的该第一电极220的表面形成有机发光层230。该有机发光层230的形状与该通孔262的形状对应。
该图案化掩膜层260的材料可为金属，例如，不锈钢，铝合金等。通孔262的尺寸及第一电极220的尺寸可根据需要形成该有机发光层230的尺寸进行选择。本实施例中，该图案化掩膜层260的通孔262为500×500μm2正方形。该图案化掩膜层260的材料为不锈钢。在步骤20中，先制备图案化的不锈钢层，然后直接将图案化的不锈钢层设置在基底210上，覆盖该基底210及每个第一电极220的至少一部分。
在步骤S30中，该碳纳米管膜结构112为一载体，该有机发光层源材料114设置在该碳纳米管膜结构112表面，通过该碳纳米管膜结构112承载。优选地，该碳纳米管膜结构112优选为自支撑结构，至少部分悬空设置，该有机发光层源材料114设置在悬空的碳纳米管膜结构112表面。在一实施例中，步骤S21进一步包括提供两个相互间隔的支撑体120，分别设置在该碳纳米管膜结构112的两端，使该碳纳米管膜结构112在该两个支撑体120之间的部分悬空设置。
该碳纳米管膜结构112包括单层碳纳米管膜，或多层叠加的碳纳米管膜。每层碳纳米管膜包括多个大致相互平行的碳纳米管。该碳纳米管的延伸方向大致平行于该碳纳米管膜结构112的表面，该碳纳米管膜结构112具有较为均匀的厚度。具体地，该碳纳米管膜包括首尾相连的碳纳米管，是由多个碳纳米管通过范德华力相互结合并首尾相连形成的宏观膜状结构。该碳纳米管膜结构112及碳纳米管膜具有一宏观面积和一微观面积，该宏观面积指该碳纳米管膜结构112或碳纳米管膜在宏观上看作一膜状结构时所具有的膜面积，该微观面积指该碳纳米管膜结构112或碳纳米管膜在微观上看作由大量碳纳米管首尾相连搭接形成的多孔网状结构中所有能够用于担载该有机发光层源材料114的碳纳米管的表面积。
该碳纳米管膜优选是从碳纳米管阵列中拉取获得。该碳纳米管阵列为通过化学气相沉积的方法生长在该生长基底的表面。该碳纳米管阵列中的碳纳米管基本彼此平行且垂直于生长基底表面，相邻的碳纳米管之间相互接触并通过范德华力相结合。通过控制生长条件，该碳纳米管阵列中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。由于基本不含杂质且碳纳米管相互间紧密接触，相邻的碳纳米管之间具有较大的范德华力，足以使在拉取一些碳纳米管(碳纳米管片段)时，能够使相邻的碳纳米管通过范德华力的作用被首尾相连，连续不断的拉出，由此形成连续且自支撑的宏观碳纳米管膜。这种能够使碳纳米管首尾相连的从其中拉出的碳纳米管阵列也称为超顺排碳纳米管阵列。该生长基底的材料可以为P型硅、N型硅或氧化硅等适合生长超顺排碳纳米管阵列的基底。所述能够从中拉取碳纳米管膜的碳纳米管阵列的制备方法可参阅冯辰等人在2008年8月13日公开的中国专利申请CN101239712A。
从碳纳米管阵列中连续地拉出的该碳纳米管膜可以实现自支撑，该碳纳米管膜包括多个基本沿相同方向排列并首尾相连的碳纳米管。请参阅图5，在该碳纳米管膜中碳纳米管为沿同一方向择优取向排列。所述择优取向是指在碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多数碳纳米管的整体延伸方向基本平行于该碳纳米管膜的表面。进一步地，所述碳纳米管膜中多数碳纳米管是通过范德华力首尾相连。具体地，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的大多数碳纳米管中每一碳纳米管与在延伸方向上相邻的碳纳米管通过范德华力首尾相连，从而使该碳纳米管膜能够实现自支撑。当然，所述碳纳米管膜中存在少数随机排列的碳纳米管，这些碳纳米管不会对碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体取向排列构成明显影响。在本说明书中凡提及碳纳米管的延伸方向，均是指碳纳米管膜中大多数碳纳米管的整体延伸方向，即碳纳米管膜中碳纳米管的择优取向的方向。进一步地，所述碳纳米管膜可包括多个连续且定向排列的碳纳米管片段，该多个碳纳米管片段通过范德华力首尾相连，每一碳纳米管片段包括多个相互平行的碳纳米管，该多个相互平行的碳纳米管通过范德华力紧密结合。可以理解，所述碳纳米管膜中基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管并非绝对的直线状，可以适当的弯曲；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以适当的偏离延伸方向。因此，不能排除碳纳米管膜的基本朝同一方向延伸的多数碳纳米管中并列的碳纳米管之间可能存在部分接触而部分分离的情况。实际上，该碳纳米管膜具有较多间隙，即相邻的碳纳米管之间具有间隙，使该碳纳米管膜可以具有较好的透明度及较大的比表面积。然而，相邻碳纳米管之间接触的部分以及首尾相连的碳纳米管之间连接的部分的范德华力已经足够维持该碳纳米管膜整体的自支持性。
所述自支撑是该碳纳米管膜不需要大面积的载体支撑，而只要一边或相对两边提供支撑力即能整体上悬空而保持自身膜状或线状状态，即将该碳纳米管膜置于(或固定于)间隔一定距离设置的两个支撑体上时，位于两个支撑体之间的碳纳米管膜能够悬空保持自身膜状状态。所述自支撑主要通过碳纳米管膜中存在连续的通过范德华力首尾相连延伸排列的碳纳米管而实现。
该碳纳米管膜具有较小且均匀的厚度，约为0.5纳米至10微米。由于该从碳纳米管阵列中拉取获得的碳纳米管膜仅靠碳纳米管间的范德华力即可实现自支撑并形成膜状结构，因此该碳纳米管膜具有较大的比表面积，优选地，该碳纳米管膜的比表面积为200平方米每克～2600平方米每克(采用BET法测得)。该直接拉取获得的碳纳米管膜的单位面积质量约为0.01克每平方米～0.1克每平方米，优选为0.05克每平方米(此处的面积指碳纳米管膜的宏观面积)。由于该碳纳米管膜具有较小的厚度，且碳纳米管自身的热容小，因此该碳纳米管膜具有较小的单位面积热容(如小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文)。
该碳纳米管膜结构112可包括多层碳纳米管膜相互叠加，层数优选为小于或等于50层，更优选为小于或等于10层。在该碳纳米管膜结构112中，不同的碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向可以相互平行或交叉设置。请参阅图6，在一实施例中，该碳纳米管膜结构112包括至少两层相互层叠的碳纳米管膜，该至少两层碳纳米管膜中的碳纳米管分别沿两个相互垂直方向沿伸，从而形成垂直交叉。
该有机发光层源材料114可以通过溶液法、沉积法、蒸镀法、电镀法或化学镀法等方法担载在该碳纳米管膜结构112表面。该沉积法可以为化学气相沉积或物理气相沉积。在优选的实施例中，可通过溶液法在该碳纳米管膜结构112表面担载该有机发光层源材料114，具体包括以下步骤：
S301，将该有机发光层源材料114溶于或均匀分散于一溶剂中，形成混合物；
S302，将该混合物均匀附着于该碳纳米管膜结构112表面；以及
S303，将附着在该碳纳米管膜结构112表面的混合物中的溶剂蒸干，从而将有机发光层源材料114均匀的附着在该碳纳米管膜结构112表面。
步骤S301中，所述混合物可为一溶液或悬浮液。步骤S303中，该有机发光层源材料114附着在该碳纳米管膜结构112表面的方法可以为喷涂法、旋转涂覆法或浸渍法。
当该有机发光层源材料114包括多种材料时，该步骤S301可以包括使该多种材料在溶剂中按预定比例预先混合均匀的步骤，从而使担载在碳纳米管膜结构112不同位置上的该多种材料均具有该预定比例。
该有机发光层源材料114附着在该碳纳米管膜结构112表面。在宏观上该有机发光层源材料114可以看作一层状结构形成在该碳纳米管膜结构112的至少一个表面，优选为设置在该碳纳米管膜结构112的两个表面。该有机发光层源材料114与该碳纳米管膜结构112形成的复合膜的宏观厚度优选为小于或等于100微米，更优选为小于或等于5微米。由于承载在单位面积碳纳米管膜结构112上的有机发光层源材料114的量可以非常少，在微观上该有机发光层源材料114可以为纳米级尺寸的颗粒状或纳米级厚度的层状，附着在单根或少数几根碳纳米管表面。例如该有机发光层源材料114为颗粒状，粒径尺寸约为1纳米～500纳米，附着在首尾相连的碳纳米管中的单根碳纳米管表面。或者该有机发光层源材料114为层状，厚度尺寸约为1纳米～500纳米，附着在首尾相连的碳纳米管中的单根碳纳米管表面。该层状的有机发光层源材料114可以完全包覆该单根碳纳米管。该有机发光层源材料114在该碳纳米管膜结构112的形貌不但与有机发光层源材料114的量有关，也与有机发光层源材料114的种类，以及与碳纳米管的浸润性能等多种因素相关。例如，当该有机发光层源材料114在该碳纳米管表面不浸润时，易于形成颗粒状，当该有机发光层源材料114在该碳纳米管表面浸润时，则易于形成层状。另外，当该有机发光层源材料114是粘度较大的有机物时，也可能在该碳纳米管膜结构112表面形成一完整连续的薄膜。无论该有机发光层源材料114在该碳纳米管膜结构112表面的形貌如何，单位面积的碳纳米管膜结构112担载的该有机发光层源材料114的量应较少，使输入电信号或电磁波信号能够在瞬间(优选为1秒以内，更优选为10微秒以内)将该有机发光层源材料114完全气化。该有机发光层源材料114均匀的设置在该碳纳米管膜结构112表面，使该碳纳米管膜结构112不同位置的有机发光层源材料114担载量基本相等。
在该步骤S40中，该蒸发源110与多个该第一电极220的表面相对且间隔设置。该多个第一电极220的表面各处均与该碳纳米管膜结构112保持基本相等的间隔，即该碳纳米管膜结构112基本平行于该多个第一电极220的表面。具体地，该设置有有机发光层源材料114的碳纳米管膜结构112与该多个第一电极220的表面相对且间隔设置，间距优选为1微米～10毫米。该碳纳米管膜结构112的宏观面积大于或等于该多个第一电极220的表面的面积，从而使蒸镀时，该有机发光层源材料114的气体可以在基本相同的时间内到达该多个第一电极220的表面。此时，该第一电极220的表面为待镀表面。
该步骤S40可以在空气中进行，在优选的实施例中，该步骤S40可进一步包括将该蒸发源110及该有机发光层源材料114设置在真空室130中，在真空中向该碳纳米管膜结构112输入电磁波信号或电信号，使该有机发光层源材料114蒸发，在未被该图案化掩膜层260覆盖裸露在外的多个该第一电极220上蒸镀形成有机发光层230。
由于该蒸发源110与该第一电极220的表面相对且间隔设置，且该间隔距离较近，且向该碳纳米管膜结构112输入电磁波信号或电信号能够使担载在该碳纳米管膜结构112上的有机发光层源材料114在一瞬间全部蒸发，并迅速附着在该有机发光层230的表面，因此，达到该有机发光层230的表面任意局部位置的有机发光层源材料114就是与该有机发光层230的表面局部位置对应设置的碳纳米管膜结构112的局部位置的全部有机发光层源材料114。由于该碳纳米管膜结构112各处担载的有机发光层源材料114的量相同，即均匀担载，在该第一电极220表面形成的有机发光层230各处具有均匀的厚度，也就是形成的有机发光层230的厚度和均匀性由该有机发光层源材料114在该碳纳米管膜结构112担载的量和均匀性决定。当该有机发光层源材料114包括多种材料时，该碳纳米管膜结构112各处担载的各种材料的比例相同，则在该碳纳米管膜结构112与该第一电极220表面之间各局部位置的有机发光层源材料114气体中各种材料的比例相同，使各局部位置能够发生均匀的反应，从而在该第一电极220表面形成均匀的该有机发光层230。
当向该碳纳米管膜结构112输入电磁波信号时，可进一步包括提供一电磁波信号输入装置140，向该碳纳米管膜结构112发出电磁波信号，该电磁波信号输入装置140可以设置在该真空室130中或设置在该真空室130之外，只要能够使发出的电磁波信号传递至该碳纳米管膜结构112即可。碳纳米管对电磁波的吸收接近绝对黑体，对于各种波长的电磁波具有均一的吸收特性。该电磁波信号的平均功率密度在100mW/mm2～20W/mm2范围内。该碳纳米管膜结构112由于具有较小的单位面积热容，从而迅速根据该电磁波信号产生热响应而升温，由于该碳纳米管膜结构112具有较大的比表面积，可以迅速的与周围介质进行热交换，该碳纳米管膜结构112产生的热信号可以迅速加热该有机发光层源材料114至蒸发或升华温度。由于该有机发光层源材料114在该碳纳米管膜结构112的单位宏观面积的担载量较小，该热信号可以在一瞬间使该有机发光层源材料114完全气化。
请参阅图7，当向该碳纳米管膜结构112输入电信号时，可进一步包括提供第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152，该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构112电连接。优选地，该碳纳米管膜结构112在该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152之间悬空设置。该碳纳米管膜结构112为一电阻性元件，具有较小的单位面积热容，且具有较大比表面积及较小厚度。优选地，该碳纳米管膜结构112的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文，更优选为小于1.7×10-6焦耳每平方厘米开尔文，比表面积大于200平方米每克，厚度小于100微米。该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152向该碳纳米管膜结构112输入电信号，由于具有较小的单位面积热容，该碳纳米管膜结构112可以将输入的电能快速转换为热能，使自身温度快速升高，由于具有较大的比表面积及较小的厚度，该碳纳米管膜结构112可以与有机发光层源材料114进行快速的热交换，使有机发光层源材料114迅速被加热至蒸发或升华温度。
该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152与该碳纳米管膜结构112电连接，优选为直接设置在该碳纳米管膜结构112表面。该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152向该碳纳米管膜结构112通入一电流，优选为对该碳纳米管膜结构112进行直流通电。相互间隔的第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152可分别设置在该碳纳米管膜结构112两端。
在优选的实施例中，该碳纳米管膜结构112中至少一层碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向为从第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152方向延伸。该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152可具有一定强度，同时起到支撑该碳纳米管膜结构112的作用，例如该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152可以为导电棒或导电丝，则所述支撑体120可以省略。
在该步骤S40中，该电信号通过该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152输入该碳纳米管膜结构112。当该电信号为直流电信号时，该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152分别与直流电信号源的正极和负极电连接。当该电信号为交流电信号时，该第一电信号输入电极150及第二电信号输入电极152中一电极与交流电信号源电连接，另一电极接地。向该蒸发源110中输入的电信号的功率能够使该碳纳米管膜结构112的响应温度达到该有机发光层源材料114的气化温度，该功率取决于碳纳米管膜结构112的宏观面积S和需要达到的温度T，所需功率可根据公式σT4S计算，δ为Stefan-Boltzmann常数，碳纳米管膜结构112面积越大温度越高需要的功率越大。该碳纳米管膜结构112由于具有较小的单位面积热容，从而迅速根据该电信号产生热响应而升温，由于该碳纳米管膜结构112具有较大的比表面积，可以迅速的与周围介质进行热交换，该碳纳米管膜结构112产生的热信号可以迅速加热该有机发光层源材料114。由于该有机发光层源材料114在该碳纳米管膜结构112的单位宏观面积的担载量较小，该热信号可以在一瞬间使该有机发光层源材料114完全气化。
请参阅图8，可以看到该碳纳米管膜结构112表面的有机发光层源材料114蒸发后该碳纳米管膜结构112仍维持原有的首尾相连的碳纳米管形成的网络状结构。
在一实施例中，可以采用多个用于制备不同颜色有机发光层230的蒸发源110，通过多次蒸镀的方式在待镀表面的预定位置形成具有不同颜色的多个有机发光层230，以制备OLED显示器。图案化掩膜层260的每个通孔262与某种颜色的有机发光层230的位置对应。
请参阅图9，在优选的实施例中，该有机发光二极管200从该基底210依次包括第一电极210、空穴注入层252、空穴传输层250、有机发光层230、电子传输层254、电子注入层256及第二电极240。该空穴注入层252、空穴传输层250、电子传输层254及电子注入层256为可选择结构。
该有机发光二极管阵列的制备方法可进一步包括在该步骤S40之前在该第一电极220表面预先形成空穴传输层250的步骤，则该待镀表面可以为该空穴传输层250的表面。空穴传输层250的形成方法可以用现有的蒸镀及掩模刻蚀法、喷涂法或喷墨打印法，也可采用与本发明实施例中该有机发光层230相同的形成方法，即包括：
提供一空穴传输层蒸发源，该空穴传输层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴传输层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴传输层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；
将该空穴传输层蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴传输层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成空穴传输层250。
在更为优选的实施例中，该有机发光二极管阵列的制备方法可进一步包括在该步骤S40之前在该第一电极220表面与该空穴传输层250之间预先形成空穴注入层252的步骤。该空穴注入层252的形成方法可以用现有的蒸镀及掩模刻蚀法、喷涂法或喷墨打印法，也可采用与本发明实施例中该有机发光层230相同的形成方法，即包括：
提供一空穴注入层蒸发源，该空穴注入层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴注入层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴注入层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；
将该空穴注入层蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴注入层源材料蒸发，在该多个第一电极上蒸镀形成空穴注入层252。
在优选的实施例中，该有机发光二极管阵列的制备方法在该步骤S40之后及S50之前，可进一步包括在该有机发光层230表面形成电子传输层254的步骤，该电子传输层254的形成方法可以用现有的蒸镀及掩模刻蚀法、喷涂法或喷墨打印法，也可采用与本发明实施例中该有机发光层230相同的形成方法，即包括：
提供一电子传输层蒸发源，该电子传输层蒸发源包括碳纳米管膜结构及电子传输层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该电子传输层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；
将该电子传输层蒸发源与该多个有机发光层230的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该电子传输层源材料蒸发，在该多个有机发光层230上蒸镀形成电子传输层254。
在更为优选的实施例中，该有机发光二极管200的制备方法可进一步包括在该步骤S40之后及S50之前，在该电子传输层254表面形成电子注入层256的步骤。该电子注入层256的形成方法可以用现有的蒸镀及掩模刻蚀法、喷涂法或喷墨打印法。
所述空穴传输层250的材料和空穴传输层源材料可以选自具有较强空穴传输能力的材料，如NPB(N,N’-二-(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1-联苯基-4，4-二胺)、TPD(N,N’-二苯基-N,N’-双(间甲基苯基)-1,1’-联苯基-4，4’-二胺)、MTDATA(4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺)等材料。
所述空穴注入层252的材料和空穴注入层源材料可以为铜酞菁(CopperPhthalocyanine，CuPc)或PEDOT:PSS，PEDOT是EDOT(3，4-乙撑二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。
所述电子传输层254的材料和电子传输层源材料具有适当的电子传输能力，并有良好的成膜特性及稳定性，一般采用具有较大共轭平面的芳香族化合物，可以选自：AlQ(8-羟基喹啉铝)、PBD(2-(4-叔丁基苯)-5-(4-联苯基)-1，3，4-恶二唑)、Beq2以及DPVBi(4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯)等。
该电子注入层256的材料为具低功函数的碱金属或碱金属化合物，如氟化锂(LiF)、钙(Calcium，Ca)、镁(Magnesium，Mg)等。
可以理解，通过改变该碳纳米管膜结构112上担载的材料的种类，以及多次重复该步骤S40，可以在该第一电极220上形成其他需要的有机材料层。
在步骤S60中，去除该图案化掩膜260后形成多个发光二极管220，即形成发光二极管阵列。本实施例中，直接将图案化的不锈钢层移除，获得多个发光二极管。
本发明实施例将自支撑的碳纳米管膜作为光活性层源材料的载体，利用该碳纳米管膜极大的比表面积及自身的均匀性，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料在蒸发前即实现较为均匀的大面积分布。在蒸发的过程中利用该自支撑碳纳米管膜在电磁波信号或电信号的作用下瞬时加热的特性，在极短的时间将光活性层源材料完全气化，从而形成均匀且大面积分布的气态光活性层源材料。该待镀表面与该碳纳米管膜间隔距离短，使承载在该碳纳米管膜上的光活性层源材料基本上均能得到利用，有效节约了光活性层源材料，提高了蒸镀速度及均匀性。另外，本发明采用图案化掩膜层覆盖基底并使多个第一电极的至少一部分裸露在外，然后在第一电极上依次形成有机发光层和第二电极，最后去除图案化掩膜层可一次性形成多个发光二极管，方法简单，有利于提高生产效率。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (13)

1.一种有机发光二极管阵列的制备方法，包括：
S1，提供一基底，在该基底表面形成多个第一电极；
S2，在该基底上形成一图案化掩膜层，该图案化掩膜层覆盖该基底并使该多个第一电极的至少一部分裸露在外；
S3，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机发光层源材料，该碳纳米管膜结构为一自支撑结构，在支撑结构之间悬空设置，该有机发光层源材料设置在悬空的碳纳米管膜结构的表面，通过该碳纳米管膜结构承载；
S4，将该蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，通过向所述碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号使该有机发光层源材料蒸发，在所述裸露在外的多个第一电极上蒸镀形成多个有机发光层；
S5，在该多个有机发光层上形成多个第二电极；
S6，去除该图案化掩膜层形成有机发光二极管阵列。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该有机发光层源材料通过溶液法、沉积法、电镀法或化学镀法承载在该碳纳米管膜结构表面。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，在该碳纳米管膜结构表面承载该有机发光层源材料包括以下步骤：
S31，将该有机发光层源材料溶于或均匀分散于一溶剂中，形成混合物；
S32，将该混合物均匀附着于该碳纳米管膜结构表面；以及
S33，将附着在该碳纳米管膜结构表面的混合物中的溶剂蒸干，从而将该有机发光层源材料均匀的附着在该碳纳米管膜结构表面。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S31包括使多种材料在溶剂中按预定比例预先混合均匀的步骤，从而使担载在碳纳米管膜结构不同位置上的该多种材料均具有该预定比例。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S4进一步包括将该蒸发源及有机发光层源材料设置在真空室中，在真空中向该碳纳米管膜结构输入所述电磁波信号或电信号的步骤。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号时，进一步包括提供一电磁波信号输入装置，使该电磁波信号输入装置向该碳纳米管膜结构发出电磁波信号的步骤。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电信号时，进一步包括提供第一电信号输入电极及第二电信号输入电极，使该第一电信号输入电极及第二电信号输入电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接的步骤。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该步骤S3包括提供多个用于制备不同颜色有机发光层的蒸发源，该步骤S4中通过多次蒸镀在预定位置形成具有不同颜色的多个有机发光层。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，在该步骤S4之前，进一步包括提供一空穴传输层蒸发源，该空穴传输层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴传输层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴传输层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；以及将该空穴传输层蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴传输层源材料蒸发，在该多个第一电极上蒸镀形成空穴传输层。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，在该步骤S4之前，进一步包括提供一空穴注入层蒸发源，该空穴注入层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴注入层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴注入层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；以及将该空穴注入层蒸发源与该多个第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴注入层源材料蒸发，在该多个第一电极上蒸镀形成空穴注入层。
11.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，在该步骤S4之后及S5之前，进一步包括提供一电子传输层蒸发源，该电子传输层蒸发源包括碳纳米管膜结构及电子传输层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该电子传输层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；以及将该电子传输层蒸发源与该多个有机发光层的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该电子传输层源材料蒸发，在该多个有机发光层上蒸镀形成电子传输层。
12.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该蒸发源与该多个第一电极的表面之间的间距为1微米～10毫米。
13.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文，比表面积大于200平方米每克。
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