CN108780123A - 一种负载检测方法、负载检测电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

一种负载检测方法、负载检测电路及电子设备,涉及负载检测技术领域。其中，负载检测方法应用于负载回路，负载回路包括可控硅模块(42)与负载(43)，可控硅模块(42)与负载(43)串联。负载检测方法(60)包括：确定负载(43)的工作模式(61)；根据负载(43)的工作模式，采样流经负载(43)的电流检测信号(62)，可控硅模块(42)的工作状态包括导通期或截止期，电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，第一交流信号在可控硅模块(42)的工作状态为导通期时采样获得，第二交流信号在可控硅模块(42)的工作状态为截止期时采样获得；根据电流检测信号以及可控硅模块(42)的工作状态，确定负载回路的工作状态(63)。通过这种方式能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

Description

一种负载检测方法、负载检测电路及电子设备

技术领域

本申请涉及负载检测技术领域，特别是涉及一种负载检测方法、负载检测电路及电子设备。

背景技术

负载控制是各类电子智能控制产品的最终目的。为实现对负载的状态检测,现有技术是在负载回路中串联检测电阻,负载回路的负载电流流过该检测电阻时，通过对该负载电流进行取样，再将取样电流进行放大处理，以便后续步骤通过分析放大后的电流信号确定负载状态。

一般的，不同负载，其工作模式可以有所不同。例如：对于负载为加热器，其为电阻丝加热，该加热器的工作模式为全波工作模式，亦即：其可以将全部电源转化为热能。对于负载为发动机，为了控制发动机的转动频率，发动机一般工作在相位控制工作模式，以便灵活调整发动机的转动频率。

发明人在实现本申请的过程中，发现现有技术至少存在以下问题：传统技术只能够采用单一地检测方法检测负载状态，其未能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

申请内容

本申请实施例的一个目的旨在提供一种负载检测方法、负载检测电路及电子设备，其解决传统技术存在着未能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：

在第一方面，本申请实施例提供一种负载检测方法，应用于负载回路，所述负载回路包括可控硅模块与负载，所述可控硅模块与所述负载串联，所述方法包括：确定所述负载的工作模式；根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，所述可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，所述电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，所述第一交流信号在所述可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，所述第二交流信号在所述可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；根据所述电流检测信号以及所述可控硅模块的工作状态，确定所述负载回路的工作状态。

可选地，所述负载的工作模式包括全波工作模式，所述全波工作模式用于指示所述负载工作在全功率状态；所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，包括：根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换所述可控硅模块工作在截止期；在所述可控硅模块工作在截止期时，采样流经所述负载的第二交流信号。

可选地，所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，还包括：根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第二控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；采样所述第一交流信号。

可选地，所述负载的工作模式包括相位控制工作模式，所述相位控制工作模式用于指示所述负载工作在功率可变状态；所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，包括：根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至所述可控硅模块的控制角之间时，采样所述第二交流信号。

可选地，所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，还包括：根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于所述可控硅模块的控制角时，发送第三控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；采样所述第一交流信号。

可选地，所述负载回路的工作状态包括所述负载的负载状态与所述可控硅模块的开关状态；所述根据所述电流检测信号以及所述可控硅模块的工作状态，确定所述负载回路的工作状态，包括：在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态或者所述负载状态为异常状态；在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态，并且所述负载状态为正常状态；在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态；在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态。

在第二方面，本申请实施例提供一种负载检测装置，应用于负载回路，所述负载回路包括可控硅模块与负载，所述可控硅模块与所述负载串联，所述装置包括：第一确定模块，用于确定所述负载的工作模式；采样模块，用于根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，所述可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，所述电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，所述第一交流信号在所述可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，所述第二交流信号在所述可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；第二确定模块，用于根据所述电流检测信号以及所述可控硅模块的工作状态，确定所述负载回路的工作状态。

可选地，所述负载的工作模式包括全波工作模式，所述全波工作模式用于指示所述负载工作在全功率状态；所述采样模块包括：第一发送单元，用于根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换所述可控硅模块工作在截止期；第一采样单元，用于在所述可控硅模块工作在截止期时，采样流经所述负载的第二交流信号。

可选地所述采样模块还包括：第二发送单元，用于根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第二控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；第二采样单元，用于采样所述第一交流信号。

可选地，所述负载的工作模式包括相位控制工作模式，所述相位控制工作模式用于指示所述负载工作在功率可变状态；所述采样模块包括：第三采样单元，用于根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至所述可控硅模块的控制角之间时，采样所述第二交流信号。

可选地，所述采样模块还包括：第三发送单元，用于根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于所述可控硅模块的控制角时，发送第三控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；第四采样单元，用于采样所述第一交流信号。

可选地，所述负载回路的工作状态包括所述负载的负载状态与所述可控硅模块的开关状态；所述第二确定模块包括：第一确定单元，用于在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态或者所述负载状态为异常状态；第二确定单元，用于在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态，并且所述负载状态为正常状态；第三确定单元，用于在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态；第四确定单元，用于在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态。

在第三方面，本申请实施例提供一种负载检测电路，应用于负载回路，所述负载回路包括可控硅模块与负载，所述可控硅模块与所述负载串联，所述负载检测电路包括：转换模块，用于与所述可控硅模块并联，并且所述转换模块用于采样流经所述负载回路的电流检测信号，所述可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，所述电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，所述第一交流信号在所述可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，所述第二交流信号在所述可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；控制模块，其与所述转换模块连接，并用于向所述可控硅模块发送控制信号以及接收所述电流检测信号；其中，所述控制模块包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够用于执行任一项所述的负载检测方法。

可选地，所述可控硅模块包括双向可控硅与触发电路；所述双向可控硅包括第一主端子、第二主端子及控制端，所述转换模块用于连接在所述第一主端子与所述第二主端子之间，所述负载一端与所述第二主端子连接，所述负载另一端接地，所述控制端与所述触发电路的输出端连接，所述触发电路的输入端用于输入控制信号。

可选地，所述转换模块包括：光耦单元，用于采样流经所述负载回路的电流检测信号，所述光耦单元输出端与所述控制模块连接；限流单元，用于限制流过所述光耦单元的电流，所述限流单元输出端与所述光耦单元输入端连接，所述限流单元输入端连接至所述第一主端子。

可选地，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够用于执行根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号的操作包括：在所述负载工作在相位控制工作模式时，获取所述光耦单元的开启电压；判断所述双向可控硅的控制角对应的交流电压是否大于所述光耦单元的开启电压；若大于，在交流过零点与所述双向可控硅的控制角之间时，采样所述第二交流信号；若小于，从驱动所述负载工作的交流驱动信号中确定大于或等于所述开启电压的第三交流信号；在交流过零点与所述第三交流信号对应的相位之间，控制所述双向可控硅工作在截止期；采样所述第二交流信号。

可选地，所述光耦单元包括第一光耦与第一电阻，所述第一光耦原边的一端与所述限流单元连接，所述第一光耦原边的另一端连接至所述第二主端子，所述第一光耦副边的一端与外部电源连接，所述第一光耦副边的另一端分别与所述第一电阻的一端和所述控制模块连接，所述第一电阻的另一端接地。

可选地，所述转换模块还包括：保护单元，其连接在所述第二主端子，以及所述限流单元与所述光耦单元之间的第一节点之间，用于对所述光耦单元的输入电压进行钳位。

可选地，所述光耦单元包括第二光耦、第三光耦、第二电阻及第三电阻；所述第二光耦原边的一端与所述限流单元连接，所述第二光耦原边的另一端与所述第三光耦副边的一端连接，所述第二光耦副边的一端连接至外部电源，所述第二光耦副边的另一端分别与所述第二电阻的一端和所述控制模块连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第三光耦副边的另一端连接至所述第二主端子，所述第三光耦原边的一端连接至所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接至外部电源，所述第三光耦原边的另一端连接至所述控制模块。

可选地，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器还能够用于执行以下操作：向所述第三光耦发送第四控制信号，以将所述第三光耦切换至不同的工作状态。

在第四方面，本申请实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括任一项所述的负载检测电路。

在第五方面，本申请实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使电子设备执行任一项所述的负载检测方法。

在本申请各个实施例中，通过确定负载的工作模式，根据负载的工作模式，采样流经负载的电流检测信号，根据电流检测信号以及可控硅模块的工作状态，确定负载回路的工作状态，因此，其能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本申请实施例提供一种检测冰箱负载的应用场景示意图；

图2是本申请实施例提供一种加热器工作时的电流波形示意图；

图3a是本申请实施例提供一种发动机工作时的电流波形示意图；

图3b是本申请实施例提供另一种发动机工作时的电流波形示意图；

图4是本申请实施例提供一种负载检测系统的原理框图；

图5是本申请实施例提供一种负载工作在全波工作模式下的各个信号波形示意图；

图6是本申请实施例提供一种负载工作在相位控制工作模式下的各个信号波形示意图；

图7是本申请实施例提供一种负载检测电路的结构示意图；

图8是本申请实施例提供一种控制模块的结构示意图；

图9是本申请实施例提供一种负载检测系统的结构示意图；

图10是本申请另一实施例提供一种负载检测系统的结构示意图；

图11是本申请实施例提供一种负载工作在相位控制工作模式下的正弦交流信号波形图；

图12是本申请又另一实施例提供一种负载检测系统的结构示意图；

图13是本申请又另一实施例提供一种负载检测系统的结构示意图；

图14是本申请实施例提供一种负载检测装置的结构示意图；

图15是本申请实施例提供一种采样模块的结构示意图；

图16是本申请另一实施例提供一种采样模块的结构示意图；

图17是本申请又另一实施例提供一种采样模块的结构示意图；

图18是本申请实施例提供一种第二确定模块的结构示意图；

图19是本申请实施例提供一种负载检测方法的流程示意图；

图20是本申请实施例提供一种步骤62的流程示意图；

图21是本申请另一实施例提供一种步骤62的流程示意图；

图22是本申请又另一实施例提供一种步骤62的流程示意图；

图23是本申请实施例提供一种步骤63的流程示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

负载回路的检测是产品实现智能化的一个体现。在一些产品应用中，负载回路包括负载及与负载串联的开关模块，通过控制开关模块的开关状态便可以控制负载的工作状态。然而，在一些产品应用中，由于产品工作时间过长或者其它外界因素而导致产品的负载回路处于异常状态，产品往往未能够及时检测到负载回路的异常状态而无法精确完成后续的控制逻辑。例如，对于冰箱，控制器需要检测压缩机的工作状态，以便提示用户及时返修或者执行后续功能模块的控制逻辑。

图1是本申请实施例提供一种检测冰箱负载的应用场景示意图。如图1所示，此处冰箱的负载为压缩机11，通过控制开关12的闭合或断开状态，便可以对应控制压缩机11的工作状态，从而使电源13为压缩机11提供电流，其中，转换电路14采集流过压缩机11的强电，并且进行强弱隔离处理，向控制电路15发送弱电信号，控制电路15根据弱电信号及开关12的开关状态判断出开关12与压缩机11的实际工作状态。当控制电路15判断出开关12或压缩机11处于异常状态时，控制电路15启动报警电路16进行报警，以便用户及时将压缩机11返修。或者，当控制电路15判断出开关12和压缩机11皆处于正常状态时，控制电路15可以完成后续控制逻辑的执行，例如，通过显示器17显示当前冰箱运行正常。

因此，通过设置负载检测电路，其能够及时发现负载回路的问题，并且自动处理问题，从而实现产品智能化。

上述实施例只是给出负载回路的一种连接形式。在一些实施例中，负载回路中的开关及负载的连接方式、数量、控制逻辑均有所不同。但是，负载回路中的负载皆根据开关的工作状态进行对应的工作。

上述实施例给出负载为压缩机的训导内容，在许多应用场景中，负载可以为任何形式的设备或组件，其大到一台机床，小到一个电池系统中的一个电阻，此处不对负载的具体形式作出任何限制。

然而，如前所述，对于不同的产品或产品内不同的部件，其可以工作在不同的工作模式。例如：对于上面提到的加热器与发动机，加热器工作在全波工作模式，发动机工作在相位控制模式。举例而言：请参阅图2，图2是本申请实施例提供一种加热器工作时的电流波形示意图。如图2所示，包络线为正弦电流波形，加热器工作在全波工作模式，全波工作模式用于指示负载43工作在全功率状态，因此，其能够全频率地驱动加热器工作，加热器将全部电源转化为热能，因此，加热器工作在全功率状态。请一并参阅图3a与图3b，图3a是本申请实施例提供一种发动机工作时的电流波形示意图，图3b是本申请实施例提供另一种发动机工作时的电流波形示意图。如图3a所示，包络线为正弦电流波形，发动机工作在相位控制工作模式，相位控制工作模式用于指示负载43工作在功率可变状态。在每一周期内对应的相位30度(此时对应时间点为t1)时，驱动电流开始输入发动机以驱动发动机工作。如图3b所示，在每一周期内对应的相位60度(此时对应时间点为t2，t2大于t1)时，驱动电流开始输入发动机以驱动发动机工作。

因此，在工程实务过程的正常情况下，当负载的工作模式为全波工作模式时，驱动负载的电流波形是连续的。当负载的工作模式为相位控制工作模式时，驱动负载的电流波形在每一周期内皆有规律地断续，并且，断续电流对应的起始相位或终点相位是可调的，因此，驱动负载的功率是可变的。

基于此，本申请实施例提供一种负载检测系统。其中，如图4所示，该负载检测系统40包括负载检测电路41、可控硅模块42及负载43，负载检测电路41与可控硅模块42并联，可控硅模块42与负载43串联，其中，可控硅模块42与负载43构成负载回路，因此，负载回路的工作状态包括负载43的负载状态与可控硅模块42的开关状态。

可控硅模块42的工作状态包括导通期或截止期，负载检测电路41能够向可控硅模块42发送控制信号，以切换该可控硅模块42工作在导通期或截止期。当可控硅模块42工作在导通期时，正常时，外部电源依次流经可控硅模块42与负载43，从而驱动负载43工作。当可控硅模块42工作在截止期时，正常时，外部电源依次流经负载检测电路41与负载43，因此，负载检测电路41能够采样到流经负载43的电流信号。其中，外部电源可以为正弦交流电等等其它波形交流电。

在一些实施例中，该控制信号还可以由外部的控制设备发送，在此并不局限于控制信号的发送主体。

如前所述，由于不同负载具有不同的工作模式，因此，在检测负载回路的工作状态时，首先，负载检测电路41确定负载43的工作模式。具体的，在一些实施例中，负载检测电路41可以包括用户交互界面，该用户交互界面可以呈现二元选项，用于指示用户选择负载的工作模式，例如：二元选项分别为“全波工作模式”与“相位控制工作模式”，当用户选择“全波工作模式”时，负载检测电路41便可以确定负载43的工作模式为“全波工作模式”。当用户选择“相位控制工作模式”时，负载检测电路41便可以确定负载43的工作模式为“相位控制工作模式”。

与上述实施例不同点在于：负载检测电路41还可以根据预设规则自动确定负载43的工作模式，在此并不对负载检测电路41确定负载43的工作模式的方式作出任何限制。

其次，当负载检测电路41确定负载43的工作模式后，负载检测电路41根据负载43的工作模式，采样流经负载43的电流检测信号。其中，该电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，该第一交流信号在可控硅模块42的工作状态为导通期时采样获得，第二交流信号在可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得。举例而言：请再次参阅图3a，对于一个周期的正弦交流信号，在时间点t0(交流过零点)至时间t1之间内，由于可控硅模块42工作在截止期，此时的t0至t1对应的正选交流信号可以依次流经负载检测电路41与负载43，因此，t0至t1对应的正选交流信号可以理解为第二交流信号。同理，在时间点t1至时间t3(下一个交流过零点)之间内，由于可控硅模块42工作在导通期，此时的t1至t3对应的正选交流信号可以依次流经可控硅模块42与负载43，因此，t1至t3对应的正选交流信号可以理解为第一交流信号。

如前所述，由于负载可以工作在不同的工作模式，可控硅模块42可以在整个正弦交流信号的全部周期内一直工作在导通期，亦可以在每个周期内工作在截止期与导通期之集合，因此，出于本申请实施例所训导的目的，负载检测电路41采样电流检测信号的方式会有所不同。

举例而言：当负载43的工作模式为全波工作模式时，负载检测电路41根据负载43的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换可控硅模块42工作在截止期。进一步的，负载检测电路41在可控硅模块42工作在截止期时，采样流经负载43的第二交流信号。

请参阅图5，当负载检测电路41在交流过零点ta发送低电平的第一控制信号时，可控硅模块42便工作在截止期。此时，由于可控硅模块42被截止，于是，在可控硅模块42与负载43皆工作在正常状态时，时间点ta至tb之间对应的正弦电流信号依次流经负载检测电路41与负载43，因此，负载检测电路41便采样到流经负载43的第二交流信号，该第二交流信号为时间点ta至tb之间正弦电流信号对应的高电平信号。然而，在实际过程中，可控硅模块42与负载43可能工作在异常状态，例如：可控硅模块42或负载43已经被损坏，因此，第二交流信号可以为低电平。

再举例而言：当负载43的工作模式为全波工作模式时，负载检测电路41根据负载43的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，负载检测电路41向可控硅模块42发送第二控制信号以切换可控硅模块42工作在导通期。进一步的，负载检测电路41在可控硅模块42工作在导通期时，采样流经负载43的第一交流信号。

请再参阅图5，可控硅模块42在每半周期的交流过零点之处都接收到一个为高电平的第二控制信号，可控硅模块42被切换工作在导通期，例如：在时间点tb、tc、td的交流过零点发送高电平的第二控制信号。依此循环，于是，整个正弦交流信号能够连续输入负载43。

再举例而言：当负载43的工作模式为相位控制工作模式时，负载检测电路41根据负载43的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至可控硅模块42的控制角之间时，采样第二交流信号。其中，该控制角可以根据负载的功率需求确定。

请参阅图6，该可控硅模块42的控制角为45度，其中，该控制角对应的时间点为tg。负载检测电路41可以利用在可控硅模块42处于截止期内，采样第二交流信号，亦即：负载检测电路41可以时间点tg至时间点th之间采集第二交流信号。在可控硅模块42与负载43工作在正常状态时，第二交流信号流经负载检测电路41与负载43。在可控硅模块42或负载43工作在异常状态时，例如：可控硅模块42或负载43已经被损坏，因此，其未必有第二交流信号流经负载检测电路41与负载43。

再举例而言：当负载43的工作模式为相位控制工作模式时，负载检测电路41根据负载43的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于可控硅模块42的控制角时，发送第三控制信号以切换可控硅模块42工作在导通期。进一步的，负载检测电路41在可控硅模块42工作在导通期时，采样流经负载43的第一交流信号。

请再参阅图6，可控硅模块42在每半周期的控制角之处都接收到一个为高电平的第三控制信号，可控硅模块42被切换工作在导通期，例如：在时间tj、tk、tl发送高电平的第三控制信号，依此循环。

如前所述，负载回路的工作状态包括负载43的负载状态与可控硅模块42的开关状态，进一步的，负载43的负载状态包括正常状态与异常状态，可控硅模块42的开关状态包括正常状态与异常状态。

可控硅模块42或负载43的正常状态与异常状态可以理解的是：

基于可控硅模块42的控制逻辑，在正常的控制逻辑下，当可控硅模块42接收控制信号时，可控硅模块42应当是闭合或断开的。然而，当可控硅模块42出现异常时，控制信号原本指示开关进入闭合状态的，可控硅模块42却进入断开状态，此时的开关是异常的。同理：控制信号原本指示可控硅模块42进入断开状态的，可控硅模块42却进入闭合状态，此时的可控硅模块42是异常的。

基于负载43的控制逻辑，在正常的控制逻辑下，当负载43接收电力进行工作时，此时的负载43的工作状态为正常状态，当负载43接收电力却未能够工作时，此时的负载的工作状态为异常状态。例如：如图1所示的压缩机11，当压缩机11接收电力而进行制冷工作，此时的压缩机11的工作状态为正常状态。当压缩机11接收电力却未能够进行制冷工作，此时的压缩机11的工作状态为异常状态。

上述实施例所述的可控硅模块42与负载43的正常工作可以理解为遵循系统工作要求正常完成对应的动作。例如：可控硅模块42作为开关，负载检测电路41指示可控硅模块42断开时，可控硅模块42切换至断开状态，此时的可控硅模块42为正常状态，反之同理。再例如：负载43在正常工作状态下时，其会根据可控硅模块42的闭合或断开状态进行工作，当可控硅模块42闭合时，负载43应当是工作的，此为负载43在正常工作状态。当开关断开时，负载43应当是停止工作的，此为负载232在正常工作状态，反之同理。

最后，负载检测电路41根据电流检测信号以及可控硅模块42的工作状态，确定负载回路的工作状态。

具体的，在可控硅模块42处于截止期、并且第二交流信号为低电平的情况下，负载检测电路41确定开关状态为异常状态或者负载状态为异常状态。或者，在可控硅模块42处于截止期、并且第二交流信号为高电平的情况下，负载检测电路41确定开关状态为正常状态，并且负载状态为正常状态。举例而言：请再参阅图5，负载检测电路41发送控制信号指示可控硅模块42断开，亦即：可控硅模块42处于截止期，假设可控硅模块42的工作状态是正常状态(断开)，负载43的工作状态是正常状态(连通电流)，时间点ta至tb之间对应的正弦电流信号依次流经负载检测电路41与负载43，因此，第二交流信号应当是高电平。然而，当可控硅模块42的工作状态是异常状态(闭合)或者负载43的工作状态是异常状态(断开电流)，那么，第二交流信号应当是低电平。因此，负载检测电路41可以反推出可控硅模块42或负载43的工作状态。同理可得，结合图6亦可以得出此结论，在此不赘述。

进一步的，在可控硅模块42处于导通期、并且第一交流信号为低电平的情况下，负载检测电路41确定开关状态为正常状态。或者，在可控硅模块42处于导通期、并且第一交流信号为高电平的情况下，负载检测电路41确定开关状态为异常状态。举例而言：请再参阅图5，负载检测电路41发送控制信号指示可控硅模块42闭合，亦即：可控硅模块42处于导通期，假设可控硅模块42的工作状态是正常状态(断开)，负载43的工作状态是正常状态(连通电流)，时间点tb至tc之间对应的正弦电流信号依次流经可控硅模块42与负载43，其却未流经负载检测电路41，因此，第一交流信号应当是低电平。然而，当可控硅模块42的工作状态是异常状态(断开电流)，那么，时间点tb至tc之间对应的正弦电流信号依次流经负载检测电路41与负载43，因此，第二交流信号应当是高电平。因此，负载检测电路41可以反推出可控硅模块42或负载43的工作状态。同理可得，结合图6亦可以得出此结论，在此不赘述。

综上，该负载检测电路41能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

请参阅图7，在一些实施例中，该负载检测电路41包括转换模块411与控制模块412，转换模块411与可控硅模块42并联，控制模块412与转换模块411连接。

转换模块411用于采样流经负载回路的电流检测信号，并向控制模块发送该电流检测信号。在一些实施例中，转换模块411能够将流经负载回路的正弦交流信号转换为弱电信号，该弱电信号可以为高电平或低电平。转换模块411采样该正弦交流信号的方式多种多样，其可以为：当负载回路中的负载43工作时，流经负载43的正弦交流信号同时流经转换模块411，于是，转换模块411便可以采集到该正弦交流信号。亦可以：转换模块411可以通过电流传感器间接采集流经负载43的正弦交流信号。

控制模块412用于向可控硅模块42发送控制信号以及接收该电流检测信号。如前所述，该控制信号可以包括上述的第一控制信号至第三控制信号，其能够切换可控硅模块42的工作状态。该控制信号为方波信号，该方波信号可以为脉冲宽度调制信号(PulseWidth Modulation，PWM)，亦可以为脉冲频率调制信号(Pulse frequency modulation，PFM)，控制模块412可以根据正弦交流信号的相位发送控制信号，从而调节负载的功率。

进一步的，请参阅图8，该控制模块412包括至少一个处理器4121以及与所述至少一个处理器4121通信连接的存储器4122；其中，所述存储器4122存储有可被所述至少一个处理器4121执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器4121执行，以使所述至少一个处理器4121能够用于执行上述各个实施例所示的负载检测的控制逻辑。

请参阅图9，可控硅模块42包括双向可控硅421与触发电路422。双向可控硅421包括第一主端子T1、第二主端子T2及控制端G1，转换模块411连接在第一主端子T1与第二主端子T2之间，负载43一端与第二主端子T2连接，负载43另一端接地，控制端G1与触发电路422的输出端连接，触发电路422的输入端用于输入控制信号EN。

触发电路422包括可控硅光耦U3、电阻R4、电阻R5、电阻R6及三极管Q1，可控硅光耦U3的第一光耦主端子与控制端G1连接，第二光耦主端子与电阻R4一端连接，电阻R4另一端与第一主端子T1连接，可控硅光耦U3的第一红外二极管端子与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与外部电源连接，第二红外二极管端子与三极管Q1的集电极连接，三极管Q1的基极与电阻R6一端连接，电阻R6另一端用于输入控制信号EN，三极管Q1的发射极接地。

在双向可控硅421与负载43皆正常工作的前提下，当控制端G1接收到高电平时，双向可控硅421被触发而导通，于是，外部电源的电流流经双向可控硅421与负载43。由于该电流未流经转换模块411，因此，转换模块411转换出的第一交流信号为低电平。当控制端G1接收到低电平时，双向可控硅421被截止，于是，外部电源的电流流经转换模块411与负载43，由于该电流流经转换模块411，因此，转换模块411转换出的第二交流信号为高电平。

与图9所示的实施例不同点在于，如图10所示，转换模块411包括光耦单元4111、限流单元4112及保护单元4113，光耦单元4111输出端与控制模块412连接，限流单元4112输出端与光耦单4111输入端连接，限流单元4112输入端连接至第一主端子T1。保护单元4113连接在第二主端子T2，以及限流单元4112与4111光耦单元之间的第一节点1D之间，用于对光耦单元4111的输入电压进行钳位。

当控制信号为低电平并且指示双向可控硅421工作在截止期时，电流流经限流单元4112、光耦单元4111及负载43，其中，限流单元4112限制流过光耦单元4111的电流，以保护光耦单元4111。光耦单元4111将流过自身的电流转换为第二交流信号，其中，该第二交流信号为高电平。在控制逻辑上，当第二交流信号为高电平时，说明双向可控硅421与负载43工作在正常状态，当第二交流信号为低电平时，说明双向可控硅421或负载43工作在异常状态。

当控制信号为高电平并且指示双向可控硅421工作在导通期时，电流流经双向可控硅421与负载43，而未能够流过限流单元4112与光耦单元4111，因此，光耦单元4111转换出的第一交流信号为低电平。在控制逻辑上，当第一交流信号为低电平时，说明双向可控硅421与负载43工作在是正常状态，当第一交流信号为高电平时，说明双向可控硅421工作在异常状态，负载43工作在是正常状态。

综上，一方面，该负载检测电路41无需放大电路便可以实现负载回路的工作状态的检测，因此该负载检测电路41的结构简单科学。另一方面，负载检测电路41无需通过检测电阻进行负载电流的采样，避免了检测电阻所产生的热量而干扰到控制模块的检测，从而使负载检测电路41工作更加稳定可靠。

如前所述，本实施例利用双向可控硅421工作在截止期，并且通过光耦单元4111的强弱隔离作用输出第一交流信号或第二交流信号(高电平或低电平)，控制模块412据弱电信号与控制信号判断出双向可控硅421与负载43的实际工作状态。然而，在导通期时，双向可控硅421的控制角所对应的正弦交流电压应当大于光耦单元4111的开启电压，从而使双向可控硅421工作在截止期时，正弦交流电压能够驱动光耦单元4111导通，从而促使光耦单元4111将正弦交流电压转换成第二交流信号。

因此，首先，在负载43工作在相位控制工作模式时，控制模块412获取光耦单元4111的开启电压Vth，其中，用户可以将各个类型光耦单元对应的开启电压构建一个电压表，并预存于控制模块412的存储器4122上。检测时，控制模块412便可以查找该电压表从而获取对应的光耦单元4111的开启电压Vth。

其次，控制模块412判断双向可控硅421的控制角对应的交流电压V1是否大于光耦单元4111的开启电压Vth。若大于，在交流过零点与双向可控硅的控制角之间时，控制模块412接收转换模块411采样的第二交流信号。若小于，控制模块412从驱动负载43工作的交流驱动信号中确定大于或等于开启电压Vth的第三交流信号。

再次，在交流过零点与第三交流信号对应的相位之间，控制模块412控制双向可控硅421工作在截止期。

最后，控制模块412接收转换模块411采样的第二交流信号。

举例而言：请参阅图11，图11是本申请实施例提供一种负载工作在相位控制工作模式下的正弦交流信号波形图。如图11所示，负载工作在相位控制工作模式下，正常工作时，负载检测电路41在控制角为45度向双向可控硅421发送高电平的控制信号，触发双向可控硅421工作在导通期，从而使电流驱动负载43工作。

此处截取时间点tm至tn之间的正半波为例子进行详细阐述。双向可控硅421的控制角为45度，控制角对应的交流电压为V1，在正半波中确定与光耦单元4111的开启电压Vth相等的交流电压V2，再在正半波中确定大于光耦单元4111的开启电压Vth的交流电压V3，因此：

V1<Vth，Vth＝V2，V2<V3

由于V1小于Vth，因此，0-V1之间(双向可控硅421处于截止期)的交流电压未能够驱动光耦单元4111工作的，亦即：光耦单元4111在双向可控硅421的截止期内，所采样到的第二交流信号都是低电平，然而，出于检测目的，用户期望的是：在截止期内，假设排除双向可控硅421与负载43这一不确定因素之外，所采样到的第二交流信号还可以为高电平，其才能够真正地实施检测目的。

因此，当控制角对应的交流电压V1大于光耦单元4111的开启电压Vth时，控制模块412在交流过零点与双向可控硅的控制角之间时，控制模块412接收转换模块411采样的第二交流信号。

当控制角对应的交流电压V1小于光耦单元4111的开启电压Vth时，控制模块412在V2之后才向双向可控硅421发送触发信号，以控制双向可控硅421工作在导通期，亦即，反过来，在V2之前，双向可控硅421一直工作在截止期(其实，在正常情况下，双向可控硅421的截止期是在控制角对应的交流电压V1之前)。因此，控制模块412便可以在在交流过零点与V2或V3对应的相位之间，接收转换模块411采样的第二交流信号，从而能够可靠地实施检测目的。

请参阅图12，光耦单元4111包括第一光耦U1与第一电阻R1，第一光耦U1原边的一端与限流单元4112连接，第一光耦U1原边的另一端连接至第二主端子T2，第一光耦U1副边的一端与外部电源VCC连接，第一光耦U1副边的另一端分别与第一电阻R1的一端和控制模块412连接，第一电阻R1的另一端接地。

限流单元4112包括第七电阻R7，第七电阻R7连接在第一主端子T1与第一光耦U1原边的一端之间。

保护单元4113包括二极管D1，二极管D1的正极连接至第二主端子T2，二极管D1的负极连接至第一光耦U1原边的一端。二极管D1能够对第一光耦U1的输入电压进行钳位。

当双向可控硅421闭合时，交流电流依次流过双向可控硅421与负载43。当双向可控硅421断开时，正半周的交流电流依次流过第七电阻R7、第一光耦U1与负载43，负半周的交流电流依次流过负载43、二极管D1及第七电阻R7。

请参阅图13，在一些实施例中，为了避免负载43未工作时，负载43还处于弱电流消耗状态，光耦单元4111还用于响应于控制模块412发送的第四控制信号EN2，以切换至不同的工作状态。例如，当第四控制信号EN2为高电平时，光耦单元4111处于截止工作状态，此时的弱电流未能够流过负载，从而节省功耗。当第四控制信号EN2为低电平时，光耦单元4111处于导通工作状态，此时的强电流流过负载。

具体的，光耦单元4111包括第二光耦U2、第三光耦U3、第二电阻R2及第三电阻R3。第二光耦U2原边的一端与限流单元4112连接，第二光耦U2原边的另一端与第三光耦U3副边的一端连接，第二光耦U2副边的一端连接至外部电源VCC，第二光耦U2副边的另一端分别与第二电阻R2的一端和控制模块412连接，第二电阻R2的另一端接地，第三光耦U3副边的另一端连接至第二主端子T2，第三光耦U3原边的一端连接至第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接至外部电源VCC，第三光耦U3原边的另一端连接至控制模块412。

第三光耦U3原边的另一端接收第四控制信号EN2，其中，第四控制信号EN2控制第三光耦U3的工作状态。例如，当第四控制信号EN2为高电平时，第三光耦U3处于截止工作状态，此时的弱电流未能够流过负载，从而节省功耗。当第四控制信号EN2为低电平时，第二光耦U2与第三光耦U3处于导通工作状态，此时的弱电流流过负载。

下面结合图13作为另一实施例进一步阐述本申请实施例提供负载检测电路的工作原理：

如前所述，双向可控硅421的正常控制逻辑包括：当控制信号EN1为高电平时，双向可控硅421闭合；当控制信号EN1为低电平时，双向可控硅421断开。进一步的，控制模块412知悉以下对应关系：当控制信号EN1为高电平，双向可控硅421应当闭合；当控制信号EN1为低电平，双向可控硅421应当断开。

假设负载回路中的双向可控硅421与负载43工作在正常状态。控制模块412经过过零检测，在前面两个半波的过零点处皆发送高电平的控制信号EN1(PWM信号)，于是，双向可控硅421工作在导通期。此时，第二光耦U2副边输出的第一交流信号为低电平。

为了检测负载回路中的双向可控硅421与负载43是否存在故障，于是，在第三个半波的第一个过零点处，控制模块412发送控制信号EN1与第四控制信号EN2，其中，控制信号EN1为高电平，第四控制信号EN2为低电平。此时，双向可控硅421、第二光耦U2以及第三光耦U3皆导通。于是，当控制模块412检测到第一交流信号为低电平时，控制模块412便可以确定双向可控硅421是正常的。然而，当控制模块412检测到第一交流信号DET为高电平时，控制模块412便可以确定双向可控硅421是异常的。

然后，控制模块412再次发送控制信号EN1与第四控制信号EN2，其中，控制信号EN1为低电平，第四控制信号EN2为低电平。此时，双向可控硅421截止，第二光耦U2与第三光耦U3皆导通。于是，当控制模块412检测到第二交流信号为低电平时，控制模块412便可以确定双向可控硅421是异常的，或者，负载43是异常的。然而，当控制模块412检测到第二交流信号为高电平时，控制模块412便可以确定双向可控硅421是正常的，负载43也是正常的。

最后，当用户确定了双向可控硅421或负载43的工作状态后，为了节省功耗，于是，控制模块412发送高电平的第四控制信号EN2，此时的第三光耦U3处于截止状态，从而避免弱电流流过负载43的现象，节省了功耗。

在一些实施例中，控制模块22可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或者这些部件的任何组合。还有，此处的处理器可以是任何传统处理器、控制器、微控制器或状态机。控制模块22也可以被实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP核、或任何其它这种配置。

在本实施例中，该负载检测电路41可以应用于各种类型电子设备中，以使该电子设备实施本申请实施例所阐述的各个目的。

作为本申请实施例的另一方面，本申请实施例提供一种负载检测装置，应用于负载回路。该负载回路可以为上述各个实施例所述的负载回路，在此不赘述。该负载检测装置作为软件系统，其可以存储在图8所阐述控制模块412内。该负载检测装置包括若干指令，该若干指令存储于存储器内，处理器可以访问该存储器，调用指令进行执行，以完成上述负载检测装置。

请参阅图14，该负载检测装置50包括：第一确定模块51、采样模块52及第二确定模块53。

第一确定模块51用于确定负载的工作模式。

采样模块52用于根据负载的工作模式，采样流经负载的电流检测信号，可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，第一交流信号在可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，第二交流信号在可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得。

第二确定模块53用于根据电流检测信号以及可控硅模块的工作状态，确定负载回路的工作状态。

因此，其能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

在一些实施例中，负载的工作模式包括全波工作模式，全波工作模式用于指示负载工作在全功率状态。因此，如图15所示，该采样模块52包括：第一发送单元521与第一采样单元522。

第一发送单元521用于根据负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换可控硅模块工作在截止期。

第一采样单元522用于在可控硅模块工作在截止期时，采样流经负载的第二交流信号。

在一些实施例中，如图16所示，该采样模块52还包括：第二发送单元523与第二采样单元524。

第二发送单元523用于根据负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第二控制信号以切换可控硅模块工作在导通期。

第二采样单元524用于采样第一交流信号。

在一些实施例中，负载的工作模式包括相位控制工作模式，相位控制工作模式用于指示负载工作在功率可变状态。如图17所示，该采样模块52包括：第三采样单元525、第三发送单元526及第四采样单元527。

第三采样单元525用于根据负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至可控硅模块的控制角之间时，采样第二交流信号。

第三发送单元526用于根据负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于可控硅模块的控制角时，发送第三控制信号以切换可控硅模块工作在导通期。

第四采样单元527用于采样第一交流信号。

在一些实施例中，负载回路的工作状态包括所述负载的负载状态与所述可控硅模块的开关状态。如图18所示，该第二确定模块53包括：第一确定单元531、第二确定单元532、第三确定单元533及第四确定单元534。

第一确定单元531用于在可控硅模块处于截止期、并且第二交流信号为低电平的情况下，确定开关状态为异常状态或者负载状态为异常状态。

第二确定单元532用于在可控硅模块处于截止期、并且第二交流信号为高电平的情况下，确定开关状态为正常状态，并且负载状态为正常状态。

第三确定单元533用于在可控硅模块处于导通期、并且第一交流信号为低电平的情况下，确定开关状态为正常状态。

第四确定单元534用于在可控硅模块处于导通期、并且第一交流信号为高电平的情况下，确定开关状态为异常状态。

由于装置实施例和上述各个实施例是基于同一构思，在内容不互相冲突的前提下，装置实施例的内容可以引用上述各个实施例的，在此不赘述。

作为本申请实施例的又另一方面，本申请实施例提供一种负载检测方法。本申请实施例的负载检测法的功能除了借助上述图14至图18所述的负载检测装置的软件系统来执行，其亦可以借助硬件平台来执行。例如：负载检测方法可以在合适类型具有运算能力的处理器的电子设备中执行，例如：单片机、数字处理器(Digital Signal Processing，DSP)、可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)等等。

下述各个实施例的负载检测方法对应的功能是以指令的形式存储在电子设备的存储器上，当要执行下述各个实施例的负载检测方法对应的功能时，电子设备的处理器访问存储器，调取并执行对应的指令，以实现下述各个实施例的负载检测方法对应的功能。

存储器作为一种非易失性计算机可读存储介质，可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块，如上述实施例中的负载检测装置50对应的程序指令/模块(例如，图14至图18所述的各个模块和单元)，或者下述实施例负载检测方法对应的步骤。处理器通过运行存储在存储器中的非易失性软件程序、指令以及模块，从而执行负载检测装置50的各种功能应用以及数据处理，即实现下述实施例负载检测装置50的各个模块与单元的功能，或者下述实施例负载检测方法对应的步骤的功能。

存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

所述程序指令/模块存储在所述存储器中，当被所述一个或者多个处理器执行时，执行上述任意方法实施例中的负载检测方法，例如，执行下述实施例描述的图19至图23所示的各个步骤；也可实现附图14至图18所述的各个模块和单元的功能。

该负载检测方法应用于负载回路，其中，该负载回路可以为上述各个实施例所述的负载回路，在此不赘述。请参阅图19，该负载检测方法60包括：

步骤61、确定负载的工作模式；

步骤62、根据负载的工作模式，采样流经负载的电流检测信号；

在步骤62中，可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，第一交流信号在可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，第二交流信号在可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；

步骤63、根据电流检测信号以及可控硅模块的工作状态，确定负载回路的工作状态。

因此，其能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

在一些实施例中，负载的工作模式包括全波工作模式，全波工作模式用于指示负载工作在全功率状态。如图20所示，步骤62包括：

步骤621、根据负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换可控硅模块工作在截止期；

步骤623、采样所述第二交流信号。

在一些实施例中，如图21所示，步骤62还包括：

步骤622、根据负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第二控制信号以切换可控硅模块工作在导通期；

步骤624、采样第一交流信号。

与上述各个实施例不同点在于，负载的工作模式包括相位控制工作模式，相位控制工作模式用于指示负载工作在功率可变状态。如图22所示，步骤62包括：

步骤625、根据负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至可控硅模块的控制角之间时，采样第二交流信号。

步骤627、根据负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于可控硅模块的控制角时，发送第三控制信号以切换可控硅模块工作在导通期；

步骤629、采样第一交流信号。

在一些实施例中，负载回路的工作状态包括所述负载的负载状态与所述可控硅模块的开关状态。如图23所示，步骤63包括：

步骤631、在可控硅模块处于截止期、并且第二交流信号为低电平的情况下，确定开关状态为异常状态或者负载状态为异常状态；

步骤632、在可控硅模块处于截止期、并且第二交流信号为高电平的情况下，确定开关状态为正常状态，并且负载状态为正常状态；

步骤633、在可控硅模块处于导通期、并且第一交流信号为低电平的情况下，确定开关状态为正常状态；

步骤634、在可控硅模块处于导通期、并且第一交流信号为高电平的情况下，确定开关状态为异常状态。

由于方法实施例和上述各个实施例是基于同一构思，在内容不互相冲突的前提下，方法实施例的内容可以引用上述各个实施例的，在此不赘述。

作为本申请实施例的又另一方面，本申请实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，所述非暂态计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使电子设备执行任一项所述的负载检测方法。

其能够根据负载的工作模式灵活配置对应的负载检测控制逻辑。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请的不同方面的许多其它变化，为了简明，它们没有在细节中提供；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (14)

1.一种负载检测方法，应用于负载回路，所述负载回路包括可控硅模块与负载，所述可控硅模块与所述负载串联，其特征在于，所述方法包括：

确定所述负载的工作模式；

根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，所述可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，所述电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，所述第一交流信号在所述可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，所述第二交流信号在所述可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；

根据所述电流检测信号以及所述可控硅模块的工作状态，确定所述负载回路的工作状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述负载的工作模式包括全波工作模式，所述全波工作模式用于指示所述负载工作在全功率状态；

所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，包括：

根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第一控制信号以切换所述可控硅模块工作在截止期；

采样所述第二交流信号。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，还包括：

根据所述负载的全波工作模式，在交流信号的相位位于过零点时，发送第二控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；

采样所述第一交流信号。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述负载的工作模式包括相位控制工作模式，所述相位控制工作模式用于指示所述负载工作在功率可变状态；

所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，包括：

根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位处于交流过零点至所述可控硅模块的控制角之间时，采样所述第二交流信号。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述负载的工作模式，采样流经所述负载的电流检测信号，还包括：

根据所述负载的相位控制工作模式，在交流信号的相位大于所述可控硅模块的控制角时，发送第三控制信号以切换所述可控硅模块工作在导通期；

采样所述第一交流信号。

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述负载回路的工作状态包括所述负载的负载状态与所述可控硅模块的开关状态；

所述根据所述电流检测信号以及所述可控硅模块的工作状态，确定所述负载回路的工作状态，包括：

在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态或者所述负载状态为异常状态；

在所述可控硅模块处于截止期、并且所述第二交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态，并且所述负载状态为正常状态；

在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为低电平的情况下，确定所述开关状态为正常状态；

在所述可控硅模块处于导通期、并且所述第一交流信号为高电平的情况下，确定所述开关状态为异常状态。

7.一种负载检测电路，应用于负载回路，所述负载回路包括可控硅模块与负载，所述可控硅模块与所述负载串联，其特征在于，所述负载检测电路包括：

转换模块，用于与所述可控硅模块并联，并且所述转换模块用于采样流经所述负载回路的电流检测信号，所述可控硅模块的工作状态包括导通期或截止期，所述电流检测信号包括第一交流信号或第二交流信号，所述第一交流信号在所述可控硅模块的工作状态为导通期时采样获得，所述第二交流信号在所述可控硅模块的工作状态为截止期时采样获得；

控制模块，其与所述转换模块连接，并用于向所述可控硅模块发送控制信号以及接收所述电流检测信号；

其中，所述控制模块包括：

至少一个处理器；以及

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够用于执行如权利要求1至6任一项所述的负载检测方法。

8.根据权利要求7所述的负载检测电路，其特征在于，

所述可控硅模块包括双向可控硅与触发电路；

所述双向可控硅包括第一主端子、第二主端子及控制端，所述转换模块连接在所述第一主端子与所述第二主端子之间，所述负载一端与所述第二主端子连接，所述负载另一端接地，所述控制端与所述触发电路的输出端连接，所述触发电路的输入端用于输入控制信号。

9.根据权利要求8所述的负载检测电路，其特征在于，所述转换模块包括：

光耦单元，用于采样流经所述负载回路的电流检测信号，所述光耦单元输出端与所述控制模块连接；

限流单元，用于限制流过所述光耦单元的电流，所述限流单元输出端与所述光耦单元输入端连接，所述限流单元输入端连接至所述第一主端子。

10.根据权利要求9所述的负载检测电路，其特征在于，所述光耦单元包括第一光耦与第一电阻，所述第一光耦原边的一端与所述限流单元连接，所述第一光耦原边的另一端连接至所述第二主端子，所述第一光耦副边的一端与外部电源连接，所述第一光耦副边的另一端分别与所述第一电阻的一端和所述控制模块连接，所述第一电阻的另一端接地。

11.根据权利要求9所述的负载检测电路，其特征在于，所述转换模块还包括：保护单元，其连接在所述第二主端子，以及所述限流单元与所述光耦单元之间的第一节点之间，用于对所述光耦单元的输入电压进行钳位。

12.根据权利要求9所述的负载检测电路，其特征在于，所述光耦单元包括第二光耦、第三光耦、第二电阻及第三电阻；

所述第二光耦原边的一端与所述限流单元连接，所述第二光耦原边的另一端与所述第三光耦副边的一端连接，所述第二光耦副边的一端连接至外部电源，所述第二光耦副边的另一端分别与所述第二电阻的一端和所述控制模块连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第三光耦副边的另一端连接至所述第二主端子，所述第三光耦原边的一端连接至所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接至外部电源，所述第三光耦原边的另一端连接至所述控制模块。

13.根据权利要求12所述的负载检测电路，其特征在于，

所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器还能够用于执行以下操作：

向所述第三光耦发送第四控制信号，以将所述第三光耦切换至不同的工作状态。

14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求7至13任一项所述的负载检测电路。