CN108767384A - 一种高功率超宽带介质衰减器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，包括腔体、输入端口和输出端口；所述输入端口和所述输出端口分别设置在所述腔体的两侧；所述腔体设置有中心套筒，所述中心套筒中悬置有衰减片，所述衰减片通过导电银浆带与所述中心套筒接触；所述衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路。本高功率超宽带介质衰减器，能够降低频率变化时衰减量的波动，保证衰减器的使用。

Description

一种高功率超宽带介质衰减器

技术领域

本发明涉及衰减器技术领域，尤其涉及一种高功率超宽带介质衰减器。

背景技术

衰减器是一种提供衰减的电子元器件，广泛地应用于电子设备中，它的主要用途是：(1)调整电路中信号的大小；(2)在比较法测量电路中，可用来直读被测网络的衰减值；(3)改善阻抗匹配，若某些电路要求有一个比较稳定的负载阻抗时，则可在此电路与实际负载阻抗之间插入一个衰减器，能够缓冲阻抗的变化。

常规衰减器在使用时，衰减量会随着频率的变化波动，影响衰减器的使用。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题是提供一种高功率超宽带介质衰减器，能够降低频率变化时衰减量的波动，保证衰减器的使用。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种高功率超宽带介质衰减器，包括腔体、输入端口和输出端口；

所述输入端口和所述输出端口分别设置在所述腔体的两侧；

所述腔体设置有中心套筒，所述中心套筒中悬置有衰减片，所述衰减片通过导电银浆带与所述中心套筒接触；

所述衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路。

优选的，所述腔体材质为氧化铍陶瓷，所述氧化铍陶瓷为高温烧结炉烧结制成。

优选的，所述中心套筒的外部套接有散热片。

优选的，所述散热片沿所述中心套筒轴向设置。

优选的，所述散热片为铝合金结构，所述散热片的外表面设有电泳氧化发黑层。

优选的，所述衰减片通过插针连接所述输入端口和所述输出端口。

优选的，所述输入端口和所述输出端口与所述腔体连接处设置有防水密封圈。

本发明提出的高功率超宽带介质衰减器，衰减片悬置在中心套筒内，衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路，由于印刷的一致性很高，因此衰减量随频率的变化波动较小，能保证衰减器的使用。

附图说明

图1为本发明实施例提出的高功率超宽带介质衰减器的剖视图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提出了一种高功率超宽带介质衰减器，包括腔体1、输入端口2和输出端口3；

所述输入端口2和所述输出端口3分别设置在所述腔体1的两侧；

所述腔体1设置有中心套筒4，所述中心套筒中悬置有衰减片5，所述衰减片5通过导电银浆带与所述中心套筒4接触；

所述衰减片5设置有丝网印刷的厚膜电路。

可见，本发明实施例提出的高功率超宽带介质衰减器，衰减片悬置在中心套筒内，衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路，由于印刷的一致性很高，因此衰减量随频率的变化波动较小，能保证衰减器的使用。

在本发明的一个优选实施例中，所述腔体材质为氧化铍陶瓷，所述氧化铍陶瓷为高温烧结炉烧结制成。

本申请中，腔体可以采用氧化铍陶瓷，氧化铍陶瓷为高温烧结炉烧结制成。

其中，氧化铍陶瓷是以氧化铍为主要成分的陶瓷。主要用作大规模集成电路基板，大功率气体激光管，晶体管的散热片外壳，微波输出窗和中子减速剂等材料。

腔体使用氧化铍陶瓷制成，本身的致密性、硬度和强度都达到很高的标准。

在本发明的一个优选实施例中，所述中心套筒的外部套接有散热片6。

衰减器是一种能量消耗元件，功率消耗后变成热量；因此，当衰减器工作时，会产生一定的热量，因此可以通过在中心套筒外部套接有散热片，加速散热。

本申请中，衰减片通过导电银浆带连接中心套筒，导电银浆带的导热性能强，可以迅速导热。

在本发明的一个优选实施例中，所述散热片沿所述中心套筒轴向设置。

本实施例中，散热片沿中心套筒轴向设置，散热片之间可以形成散热通道，加强散热性能。

在本发明的一个优选实施例中，散热片为铝合金结构，所述散热片的外表面设有电泳氧化发黑层。

通过在散热片的外表通过电泳氧化进行发黑处理，可以增加散热片的防锈能力。

在本发明的一个优选实施例中，，所述衰减片通过插针连接所述输入端口和所述输出端口。

在本发明的一个优选实施例中，，所述输入端口和所述输出端口与所述腔体连接处设置有防水密封圈。

通过为衰减器使用防水结构，可以提高衰减器的防水等级，使其无论室内、室外或是极端环境条件下都能正常的工作。

本发明提出的高功率超宽带介质衰减器，

衰减器采用悬置微带线结构，功率可以达到100W，频率可达8G，本身材料使用工业级别陶瓷基片氧化铍，并采用高温烧结炉进行烧结，使基片本身的致密性、硬度和强度都达到了很高的标准，衰减片悬置于中心套筒之间，通过两边的导电银浆带与中心套筒进行接触，衰减片中间有一段规则丝网印刷而成的厚膜集成电路，由于印刷的一致性很高，所以衰减的波动随着频率的升高而变化很小，在8G以内的任意频点的衰减量基本都保持一致，波动范围在±0.3dB以内，通过对这种电路的面积及位置进行合理控制，可以有效的达到规定要求的衰减量，能量从输入端口输入，从输出端口输出，在中间厚膜电路部分进行能量的部分及全部的衰减，衰减的能量转化为热能，通过中心套筒、散热器传输到空气中，散热器采用铝合金结构，外表面采用电泳氧化发黑工艺，这种衰减器结构采用了防水结构，防水等级可以有效的达到IP67，无论室内、室外或是极端环境条件下都能正常的工作。

综上所述，本发明实施例至少可以实现如下效果：

在本发明实施例中，衰减片悬置在中心套筒内，衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路，由于印刷的一致性很高，因此衰减量随频率的变化波动较小，能保证衰减器的使用。

最后需要说明的是：以上所述仅为本发明的较佳实施例，仅用于说明本发明的技术方案，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所做的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，包括腔体、输入端口和输出端口；

所述输入端口和所述输出端口分别设置在所述腔体的两侧；

所述腔体设置有中心套筒，所述中心套筒中悬置有衰减片，所述衰减片通过导电银浆带与所述中心套筒接触；

所述衰减片设置有丝网印刷的厚膜电路。

2.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述腔体材质为氧化铍陶瓷，所述氧化铍陶瓷为高温烧结炉烧结制成。

3.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述中心套筒的外部套接有散热片。

4.如权利要求3所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述散热片沿所述中心套筒轴向设置。

5.如权利要求3所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述散热片为铝合金结构，所述散热片的外表面设有电泳氧化发黑层。

6.如权利要求1-5任一项所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述衰减片通过插针连接所述输入端口和所述输出端口。

7.如权利要求1所述的高功率超宽带介质衰减器，其特征在于，所述输入端口和所述输出端口与所述腔体连接处设置有防水密封圈。