CN108766875A - 一种掺磷乳胶源及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100‑120份、无水乙醇250‑350份、冰乙酸36‑50份、五氧化二磷45‑60份。本发明还公开了所述的掺磷乳胶源的制备方法。本发明的发明是专为二极管制造、太阳能芯片制造而研制的；该发明可用于电子行业较多领域，应用广泛；使用简单方便，毒性小。
Description
技术领域
本发明涉及一种掺磷乳胶源及制备方法。
背景技术
二极管为一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能，而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器，大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。太阳能电池芯片是具有光电效应的半导体器件，半导体的PN结被光照后产生电流，当光直射太阳能电池芯片，其中一部分被反射，一部分被吸收.一部分透过电池芯片(+)、被吸收的光激发被束缚的高能级状态下的电子，使之成为自由电子，这些自由电子在晶体内向各方向移动，余下空穴(电子以前的位置)，空穴也围绕晶体漂移，自由电子(一)在N结聚集，空穴(+)在P结聚集，当外部环路被闭合，电流产生。
因此，针对以上现状，迫切需要开发一种用于二极管和太阳能芯片制造，应用广泛，使用简单方便，且毒性小的掺磷乳胶源，以克服当前实际应用中的不足。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掺磷乳胶源及制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100-120份、无水乙醇250-350份、冰乙酸36-50份、五氧化二磷45-60份。
作为本发明进一步的方案：包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯105-115份、无水乙醇280-320份、冰乙酸40-46份、五氧化二磷48-56份。
作为本发明进一步的方案：包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯108份、无水乙醇300份、冰乙酸44份、五氧化二磷53份。
一种所述的掺磷乳胶源的制备方法，步骤如下：
1)在电热碗上，装上三囗烧瓶，在其中一个口上安装一根球形冷凝管，并接上自来水，从另一个口分别加入正硅酸乙酯100-120份、无水乙醇250-350份、冰乙酸36-50份，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷却至室温，取出备用；
2)从步骤1)中的备用液中，取出350份，放入1.4-1.5倍容量的大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷45-60份，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷却至室温；
3)将步骤2)中冷却至室温的烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，100份一瓶。
作为本发明进一步的方案：在步骤1)中，正硅酸乙酯、无水乙醇和冰乙酸的具体用量分别为：1080ml、3000ml和440ml；电热碗为10000ml；三囗烧瓶为10000ml，中间为50口磨口，其余两个为24口；球形冷凝管为10球。
作为本发明进一步的方案：在步骤2)中，大烧杯为5000ml；五氧化二磷的具体用量为：530g；滤液装塑料瓶为1000ml一瓶。
所述的掺磷乳胶源在制备二极管和太阳能芯片中的用途。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
该掺磷乳胶源的发明是专为二极管制造、太阳能芯片制造而研制的；该发明可用于电子行业较多领域，应用广泛；使用简单方便，毒性小。使用时，用笔或小刷蘸掺磷乳胶源涂在硅片上，稍干后进扩散炉，先在80-120度干燥0、5-1小时，之后在950-1250度进行磷扩散。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100份、无水乙醇250份、冰乙酸36份、五氧化二磷45份。
一种所述的掺磷乳胶源的制备方法，步骤如下：
1)在电热碗上，装上三囗烧瓶，在其中一个口上安装一根球形冷凝管，并接上自来水，从另一个口分别加入正硅酸乙酯100份、无水乙醇250份、冰乙酸36份，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷却至室温，取出备用；
2)从步骤1)中的备用液中，取出350份，放入1.4-1.5倍容量的大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷45份，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷却至室温；
3)将步骤2)中冷却至室温的烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，100份一瓶。
实施例2
一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯120份、无水乙醇350份、冰乙酸50份、五氧化二磷60份。
一种所述的掺磷乳胶源的制备方法，步骤如下：
1)在电热碗上，装上三囗烧瓶，在其中一个口上安装一根球形冷凝管，并接上自来水，从另一个口分别加入正硅酸乙酯120份、无水乙醇350份、冰乙酸50份，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷却至室温，取出备用；
2)从步骤1)中的备用液中，取出350份，放入1.4-1.5倍容量的大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷60份，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷却至室温；
3)将步骤2)中冷却至室温的烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，100份一瓶。
实施例3
一种掺磷乳胶源，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯108份、无水乙醇300份、冰乙酸44份、五氧化二磷53份。
一种所述的掺磷乳胶源的制备方法，步骤如下：
1)在电热碗上，装上三囗烧瓶，在其中一个口上安装一根球形冷凝管，并接上自来水，从另一个口分别加入正硅酸乙酯108份、无水乙醇300份、冰乙酸44份，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷却至室温，取出备用；
2)从步骤1)中的备用液中，取出350份，放入1.4-1.5倍容量的大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷53份，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷却至室温；
3)将步骤2)中冷却至室温的烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，100份一瓶。
在实际应用时，称取以下原料：正硅酸乙酯1080ml、无水乙醇3000ml、冰乙酸440ml、五氧化二磷530g。
制备操作如下(注意事项：操作时，旁边不能有明火；冰乙酸计量要准确；操作最好在天气晴朗操作)：
1、在10升电热碗上，装上10升三囗烧瓶(当中为50囗磨囗，其余为24口)，在一只24口上，装一根10球球形冷凝管，接上自来水，通过另一只24口，分别加入正硅酸乙酯1080ml、冰乙酸440ml、无水乙醇6000ml，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷至室温，取出备用；
2、从上述备用液中，取出3500ml，放入5000ml大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷530g，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷至室温，将烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，1000ml一瓶。
使用和贮藏：用多少，倒多少；因掺磷乳胶源易挥发，要迅速涂片，原装瓶盖子盖好；掺磷乳胶源要放2-5度冰箱保存，千万不可靠冰箱壁放。
该掺磷乳胶源的发明是专为二极管制造、太阳能芯片制造而研制的；该发明可用于电子行业较多领域，应用广泛；使用简单方便，毒性小。使用时，用笔或小刷蘸掺磷乳胶源涂在硅片上，稍干后进扩散炉，先在80-120度干燥0、5-1小时，之后在950-1250度进行磷扩散。
以上的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。
Claims (7)
1.一种掺磷乳胶源，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯100-120份、无水乙醇250-350份、冰乙酸36-50份、五氧化二磷45-60份。
2.根据权利要求1所述的掺磷乳胶源，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯105-115份、无水乙醇280-320份、冰乙酸40-46份、五氧化二磷48-56份。
3.根据权利要求2所述的掺磷乳胶源，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：正硅酸乙酯108份、无水乙醇300份、冰乙酸44份、五氧化二磷53份。
4.一种如权利要求1-3任一所述的掺磷乳胶源的制备方法，其特征在于，步骤如下：
1)在电热碗上，装上三囗烧瓶，在其中一个口上安装一根球形冷凝管，并接上自来水，从另一个口分别加入正硅酸乙酯100-120份、无水乙醇250-350份、冰乙酸36-50份，加热至回流，保持3小时，停止加热，冷却至室温，取出备用；
2)从步骤1)中的备用液中，取出350份，放入1.4-1.5倍容量的大烧杯中，装上搅拌器，在快速搅拌下，逐步均匀小量加入五氧化二磷45-60份，取出搅拌器，用塑料薄膜将大烧杯盖好，用绳子扎好，放在冷水中冷却至室温；
3)将步骤2)中冷却至室温的烧杯中的产品，经过布氏漏斗过滤，滤液装塑料瓶，100份一瓶。
5.根据权利要求4所述的掺磷乳胶源的制备方法，其特征在于，在步骤1)中，正硅酸乙酯、无水乙醇和冰乙酸的具体用量分别为：1080ml、3000ml和440ml；电热碗为10000ml；三囗烧瓶为10000ml，中间为50口磨口，其余两个为24口；球形冷凝管为10球。
6.根据权利要求5所述的掺磷乳胶源的制备方法，其特征在于，在步骤2)中，大烧杯为5000ml；五氧化二磷的具体用量为：530g；滤液装塑料瓶为1000ml一瓶。
7.如权利要求1-3任一所述的掺磷乳胶源在制备二极管和太阳能芯片中的用途。
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| US20040043895A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Agfa-Gevaert | Layer configuration with improved stability to sunlight exposure |
| CN101689579A (zh) * | 2007-04-30 | 2010-03-31 | 索林塔有限公司 | 具有包括容积补偿的容器的光伏设备 |
| US20110126897A1 (en) * | 2009-05-20 | 2011-06-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Composition for extruding fibers |
| CN104556072A (zh) * | 2015-01-12 | 2015-04-29 | 太原理工大学 | 一种原位改性制备单分散纳米二氧化硅的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US20040043895A1 (en) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Agfa-Gevaert | Layer configuration with improved stability to sunlight exposure |
| CN101689579A (zh) * | 2007-04-30 | 2010-03-31 | 索林塔有限公司 | 具有包括容积补偿的容器的光伏设备 |
| US20110126897A1 (en) * | 2009-05-20 | 2011-06-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Composition for extruding fibers |
| CN104556072A (zh) * | 2015-01-12 | 2015-04-29 | 太原理工大学 | 一种原位改性制备单分散纳米二氧化硅的方法 |
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