CN108761296A - 低气压环境中外绝缘vfto脉冲损耗率试验装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置及方法，VFTO发生装置包括外绝缘性测试装置外绝缘性测试装置，VFTO脉冲发生单元的信号输入端与信号发生控制器的触发控制模块电连接，VFTO脉冲发生单元的信号输出端与外绝缘性测试装置相连接；气压控制装置与外绝缘性测试装置的密闭气箱相连通；绝缘信息采集处理装置与外绝缘性测试装置中的外绝缘试样相连接。将外绝缘试样所处环境设置为低气压状态，然后控制VFTO发生装置产生VFTO脉冲信号，转换为高压信号后作用于所述外绝缘试样，绝缘信息采集处理装置获取处理后的外绝缘试样的VFTO脉冲损耗率，准确获得在低气压环境下VFT0对外绝缘的影响。
Description
技术领域
本申请涉及电气系统外绝缘测试技术领域，尤其涉及一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置及方法。
背景技术
电力系统是社会的重要基础设施，其可靠性对国民经济和人民生活具有重要影响，随着以气体绝缘组合电器设备(GIS，Gas Insulated Swithgear)线路为代表的高压充气线路的广泛使用，高压充气线路内部隔离开关等设备分合闸过程中，会产生大量特快速暂态过电压(VFTO，Very Fast Transient Overvoltage)信号，造成与之相连的绝缘子、避雷器、电缆终端等电气设备外绝缘出现闪络击穿故障，严重威胁电力系统的安全可靠运行。
这类故障在高原低气压地区更为严重，高压设备在低气压环境下，隔离开关动作或发生接地故障时，更易产生VFTO过电压，严重影响高压设备及其与之相连的其他设备，由于VFTO信号产生速度快，持续时间短，电压波形变化大，往往很难获定量定性的对VFTO在低压环境下对外绝缘性能影响的测量。
因此急需一种在可以在低气压环境下测试VFTO对外绝缘影响的方案。
发明内容
本申请提供了一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置及方法，以解决传统技术中的问题。
为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了如下技术方案：
一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，包括：信号发生控制器、VFTO发生装置、外绝缘性测试装置、气压控制装置和绝缘信息采集处理装置，其中：所述信号发生控制器的输出端与VFTO发生装置的输入端相连接，所述VFTO发生装置的输出端与所述外绝缘性测试装置相连接，用于将VFTO波形加载至外绝缘性测试装置上，所述气压控制装置和所述绝缘信息采集处理装置均与所述外绝缘性测试装置相连接。其中：所述信号发生控制器包括总控台、脉冲幅值控制通道和触发控制模块，所述脉冲幅值控制通道分别与所述总控台和所述触发控制模块电连接；所述VFTO发生装置包括高压屏蔽箱和VFTO脉冲发生单元，所述VFTO脉冲发生单元设置在所述高压屏蔽箱内，所述VFTO脉冲发生单元的信号输入端与所述触发控制模块电连接，所述VFTO脉冲发生单元的信号输出端与VFTO脉冲电缆的第一端电连接，所述VFTO脉冲电缆的第二端分别与所述外绝缘性测试装置相连接；外绝缘性测试装置包括外绝缘试样、测试台、气压传感器、密闭气箱，所述测试台固定设置在所述密闭气箱内，所述外绝缘试样和所述气压传感器设置在所述测试台上；所述气压控制装置包括真空泵，所述真空泵的吸气口与所述密闭气箱相连通；所述绝缘信息采集处理装置包括介质损耗测试仪、交流电源和处理设备，所述介质损耗测试仪分别与所述交流电源、所述处理设备和所述外绝缘性测试装置相连接。
可选地，所述VFTO脉冲发生单元包括：高压硅堆、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第一电阻器、第二电阻器、第一充电电阻器、第二充电电阻器、第一火花球隙、第二火花球隙和调波模块，所述高压硅堆的第一端与所述触发控制模块相连接，所述高压硅堆的第二端分别与所述第一电容器的第一端、所述第一电阻器的第一端和所述第一火花球隙的第一端相连接，所述第一电容器的第二端与所述第一充电电阻器的第一端相连接，所述第一电阻器的第二端分别与所述第二电阻器的第一端、第二电容器的第一端、第二火花球隙的第一端相连接，所述第一火花球隙的第二端分别与所述第一充电电阻器的第二端、所述第二电容器的第二端和所述第二充电电阻器的第一端相连接，所述第二电阻器的第二端分别与所述第三电容器的第一端和所述调波模块的第一端相连接，所述第二充电电阻的第二端分别与所述第二火花球隙的第二端与所述第三电容器的第二端相连接。
可选地，所述高压屏蔽箱外侧设置一陡化间隙，所述陡化间隙分别连接所述调波模块的第二端和所述VFTO脉冲电缆的第一端。
可选地，所述VFTO脉冲电缆与所述外绝缘性测试装置之间设置有高压转接头和高压电缆，所述高压转接头分别连接所述VFTO脉冲电缆的第一端和所述高压电缆的第一端，所述高压电缆的第二端与所述外绝缘试样相连接。
可选地，所述高压屏蔽箱上设置有第一穿墙套管、第二穿墙套管和第三穿墙套管，所述第一穿墙套管两端分别与所述触发控制模块和所述高压硅堆的第一端相连接，所述第二穿墙套管的第一端分别连接所述第一电容器的第二端和所述第一充电电阻器的第一端，所述第一电容器的第二端和所述第一充电电阻器的第一端通过所述第二穿墙套管的第二端接地，所述第三穿墙套管的两端分别连接所述调波模块的第二端和所述陡化间隙。
可选地，所述总控台包括脉冲触发控制按钮、充电触发控制按钮、紧急制动按钮和充电时间序列设置按钮，所述脉冲触发控制按钮、充电触发控制按钮、紧急制动按钮和充电时间序列设置按钮分别与所述总控台的处理器电连接。
可选地，所述触发控制模块包括开关状态显示器和电源自动转换开关，所述开关状态显示器和所述电源自动转换开关电连接。
可选地，所述陡化间隙与所述第三穿墙套管之间设置有第一绝缘挡板，所述第三穿墙套管一端固定设置在所述第一绝缘挡板上，所述VFTO脉冲电缆与所述陡化间隙之间设置有第二绝缘挡板，所述VFTO脉冲电缆的第一端与所述第二绝缘挡板相连接。
可选地，所述密闭气箱上设置有第四穿墙套管，所述高压电缆穿过所述第四穿墙套管与所述外绝缘试样相连接。
一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验方法，所述方法包括：检查信号发生控制器中的电源自动转换开关是否断开；如果所述电源自动转换开关断开，打开真空泵开关，根据其他传感器调节真空泵输出气体量，使密闭气箱内达到预设的气压值；设置总控制台的充电时间序列设置按钮，进行充电时间设定，启动充电触发控制按钮，电源自动转换开关闭合；当输出信号稳定时，启动脉冲触发控制按钮，控制所述VFTO发生装置产生VFTO信号；启动交流电源，通过介电损耗测试仪，分别获取外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗，通过所述外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗确定所述外绝缘试样在低气压下的脉冲损耗率，所述脉冲损耗率用于确定所述外绝缘试样的绝缘强度；按照上述方法重复获取多组测试结果，完成在低气压环境下VFTO对外绝缘试样影响后的绝缘强度分析。
由上述技术方案可知，本申请实施例提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置及方法，包括信号发生控制器、VFTO发生装置、外绝缘性测试装置、气压控制装置和绝缘信息采集处理装置，其中：所述信号发生控制器包括总控台、脉冲幅值控制通道和触发控制模块，所述脉冲幅值控制通道分别与所述总控台和所述触发控制模块电连接；所述VFTO发生装置包括高压屏蔽箱和VFTO脉冲发生单元，所述VFTO脉冲发生单元设置在所述高压屏蔽箱内，所述VFTO脉冲发生单元的信号输入端与所述触发控制模块电连接，所述VFTO脉冲发生单元的信号输出端与VFTO脉冲电缆的第一端电连接，所述VFTO脉冲电缆的第二端分别与所述外绝缘性测试装置相连接；外绝缘性测试装置包括外绝缘试样、测试台、气压传感器、密闭气箱，所述测试台固定设置在所述密闭气箱内，所述外绝缘试样和所述气压传感器设置在所述测试台上；所述气压控制装置包括真空泵，所述真空泵的吸气口与所述密闭气箱相连通；所述绝缘信息采集处理装置包括介质损耗测试仪、交流电源和处理设备，所述介质损耗测试仪分别与所述交流电源、所述处理设备和所述外绝缘性测试装置相连接。通过将外绝缘试样所处环境设置为低气压状态，然后通过信号发生控制器控制VFTO发生装置产生VFTO脉冲信号，将VFTO脉冲信号转换为高压信号后作用于所述外绝缘试样，绝缘信息采集处理装置获取处理后的外绝缘试样的VFTO脉冲损耗率，准确获得在低气压环境下VFT0对外绝缘的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验方法的流程示意图；
图1-2中，符号表示为：1-信号发生控制器，2-VFTO发生装置，3-外绝缘性测试装置，4-气压控制装置，5-绝缘信息采集处理装置，6-总控台，7-脉冲幅值控制通道，8-触发控制模块，9-高压屏蔽箱，10-VFTO脉冲发生单元，11-VFTO脉冲电缆，12-外绝缘试样，13-测试台，14-气压传感器，15-密闭气箱，16-真空泵，17-介质损耗测试仪，18-交流电源，19-处理设备，20-高压硅堆，21-第一电容器，22-第二电容器，23-第三电容器，24-第一电阻器，25-第二电阻器，26-第一充电电阻器，27-第二充电电阻器，28-第一火花球隙，29-第二火花球隙，30-调波模块，31-陡化间隙，32-高压转接头，33-高压电缆，34-第一穿墙套管，35-第二穿墙套管，36-第三穿墙套管，37-脉冲触发控制按钮，38-充电触发控制按钮，39-紧急制动按钮，40-充电时间序列设置按钮，41-开关状态显示器，42-电源自动转换开关，43-第一绝缘挡板，44-第二绝缘挡板，45-第四穿墙套管。
具体实施方式
下面结合附图对本申请进行详细说明。
如图1所示，为本申请提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置。参见图1，所述低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置包括：信号发生控制器1、VFTO发生装置2、外绝缘性测试装置3、气压控制装置4和绝缘信息采集处理装置5。
所述信号发生控制器1的输出端与VFTO发生装置2的输入端相连接，所述VFTO发生装置2的输出端与所述外绝缘性测试装置3相连接，用于将VFTO波形加载至外绝缘性测试装置3上，所述气压控制装置4和所述绝缘信息采集处理装置5均与所述外绝缘性测试装置3相连接。
所述信号发生控制器1包括总控台6、脉冲幅值控制通道7和触发控制模块8，所述脉冲幅值控制通道7分别与所述总控台6和所述触发控制模块8电连接。
所述总控台6包括脉冲触发控制按钮37、充电触发控制按钮38、紧急制动按钮39和充电时间序列设置按钮40，所述脉冲触发控制按钮37、充电触发控制按钮38、紧急制动按钮39和充电时间序列设置按钮40分别与所述总控台6的处理器电连接。脉冲触发控制按钮37控制发出脉冲信号，充电触发控制按钮38用于控制向VFTO发生装置2进行充电，紧急制动按钮39用于在紧急时刻对信号的控制，充电时间序列设置按钮40用于控制充电的顺序。所述触发控制模块8包括开关状态显示器41和电源自动转换开关42，所述开关状态显示器41和所述电源自动转换开关42电连接。
所述VFTO发生装置2包括高压屏蔽箱9和VFTO脉冲发生单元10，所述VFTO脉冲发生单元10设置在所述高压屏蔽箱9内，所述VFTO脉冲发生单元10的信号输入端与所述触发控制模块8电连接，所述VFTO脉冲发生单元10的信号输出端与VFTO脉冲电缆11的第一端电连接，所述VFTO脉冲电缆11的第二端分别与所述外绝缘性测试装置3相连接。
所述VFTO脉冲发生单元10包括：高压硅堆20、第一电容器21、第二电容器22、第三电容器23、第一电阻器24、第二电阻器25、第一充电电阻器26、第二充电电阻器27、第一火花球隙28、第二火花球隙29和调波模块30，所述高压硅堆20的第一端与所述触发控制模块8相连接，所述高压硅堆20的第二端分别与所述第一电容器21的第一端、所述第一电阻器24的第一端和所述第一火花球隙28的第一端相连接，所述第一电容器21的第二端与所述第一充电电阻器26的第一端相连接，所述第一电阻器24的第二端分别与所述第二电阻器25的第一端、第二电容器22的第一端、第二火花球隙29的第一端相连接，所述第一火花球隙28的第二端分别与所述第一充电电阻器26的第二端、所述第二电容器22的第二端和所述第二充电电阻器27的第一端相连接，所述第二电阻器25的第二端分别与所述第三电容器23的第一端和所述调波模块30的第一端相连接，所述第二充电电阻的第二端分别与所述第二火花球隙29的第二端与所述第三电容器23的第二端相连接。
所述高压屏蔽箱9外侧设置一陡化间隙31，所述陡化间隙31分别连接所述调波模块30的第二端和所述VFTO脉冲电缆11的第一端。所述陡化间隙31与所述第三穿墙套管36之间设置有第一绝缘挡板43，所述第三穿墙套管36一端固定设置在所述第一绝缘挡板43上，所述VFTO脉冲电缆11与所述陡化间隙31之间设置有第二绝缘挡板44，所述VFTO脉冲电缆11的第一端与所述第二绝缘挡板44相连接。
所述高压屏蔽箱9上设置有第一穿墙套管34、第二穿墙套管35和第三穿墙套管36，所述第一穿墙套管34两端分别与所述触发控制模块8和所述高压硅堆20的第一端相连接，所述第二穿墙套管35的第一端分别连接所述第一电容器21的第二端和所述第一充电电阻器26的第一端，所述第一电容器21的第二端和所述第一充电电阻器26的第一端通过所述第二穿墙套管35的第二端接地，所述第三穿墙套管36的两端分别连接所述调波模块30的第二端和所述陡化间隙31。
所述外绝缘性测试装置3包括外绝缘试样12、测试台13、气压传感器14、密闭气箱15，所述测试台13固定设置在所述密闭气箱15内，所述外绝缘试样12和所述气压传感器14设置在所述测试台13上。所述VFTO脉冲电缆11与所述外绝缘性测试装置3之间设置有高压转接头32和高压电缆33，所述高压转接头32分别连接所述VFTO脉冲电缆11的第一端和所述高压电缆33的第一端，所述高压电缆33的第二端与所述外绝缘试样12相连接。
所述气压控制装置4包括真空泵16，所述真空泵16的吸气口与所述密闭气箱15相连通。所述密闭气箱15上设置有第四穿墙套管45，所述高压电缆33穿过所述第四穿墙套管45与所述外绝缘试样12相连接。
所述绝缘信息采集处理装置5包括介质损耗测试仪17、交流电源18和处理设备19，所述介质损耗测试仪17分别与所述交流电源18、所述处理设备19和所述外绝缘性测试装置3相连接。
所述VFTO脉冲电缆11与所述外绝缘性测试装置3之间设置有高压转接头32和高压电缆33，所述高压转接头32分别连接所述VFTO脉冲电缆11的第一端和所述高压电缆33的第一端，所述高压电缆33的第二端与所述外绝缘试样12相连接。
由上述实施例可知，本实施例提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置包括：信号发生控制器1、VFTO发生装置2、外绝缘性测试装置3、气压控制装置4和绝缘信息采集处理装置5。所述信号发生控制器1的输出端与VFTO发生装置2的输入端相连接，所述VFTO发生装置2的输出端与所述外绝缘性测试装置3相连接，用于将VFTO波形加载至外绝缘性测试装置3上，所述气压控制装置4和所述绝缘信息采集处理装置5均与所述外绝缘性测试装置3相连接。所述信号发生控制器1包括总控台6、脉冲幅值控制通道7和触发控制模块8，所述脉冲幅值控制通道7分别与所述总控台6和所述触发控制模块8电连接；所述VFTO发生装置2包括高压屏蔽箱9和VFTO脉冲发生单元10，所述VFTO脉冲发生单元10设置在所述高压屏蔽箱9内，所述VFTO脉冲发生单元10的信号输入端与所述触发控制模块8电连接，所述VFTO脉冲发生单元10的信号输出端与VFTO脉冲电缆11的第一端电连接，所述VFTO脉冲电缆11的第二端分别与所述外绝缘性测试装置3相连接。所述外绝缘性测试装置3包括外绝缘试样12、测试台13、气压传感器14、密闭气箱15，所述测试台13固定设置在所述密闭气箱15内，所述外绝缘试样12和所述气压传感器14设置在所述测试台13上。所述气压控制装置4包括真空泵16，所述真空泵16的吸气口与所述密闭气箱15相连通。所述绝缘信息采集处理装置5包括介质损耗测试仪17、交流电源18和处理设备19，所述介质损耗测试仪17分别与所述交流电源18、所述处理设备19和所述外绝缘性测试装置3相连接。通过将外绝缘试样12所处环境设置为低气压状态，然后通过信号发生控制器1控制VFTO发生装置2产生VFTO脉冲信号，将VFTO脉冲信号转换为高压信号后作用于所述外绝缘试样12，绝缘信息采集处理装置5获取处理后的外绝缘试样12的VFTO脉冲损耗率，准确获得在低气压环境下VFT0对外绝缘的影响。
参见图2，为本申请实施例提供的一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验方法，所述方法包括：
S101，检查信号发生控制器中的电源自动转换开关是否断开。
S102，如果所述电源自动转换开关断开，打开真空泵开关，根据其他传感器调节真空泵输出气体量，使密闭气箱内达到预设的气压值。
S103，设置总控制台的充电时间序列设置按钮，进行充电时间设定，启动充电触发控制按钮，电源自动转换开关闭合。
S104，当输出信号稳定时，启动脉冲触发控制按钮，控制所述VFTO发生装置产生VFTO信号。
S105，启动交流电源，通过介电损耗测试仪，分别获取外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗，通过所述外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗确定所述外绝缘试样在低气压下的脉冲损耗率，所述脉冲损耗率用于确定所述外绝缘试样的绝缘强度。
具体地，启动交流电源，通过介电损耗测试仪对正常大气压101kPa条件下，外绝缘试样在VFTO脉冲电压作用下0.01～1000Hz范围内介质损耗δ1变化进行扫频测量和记录。然后调节密闭气箱内气压至低气压X kPa，通过相同的扫频方式测量得到低气压X kPa环境中，VFTO脉冲作用下0.01～1000Hz范围内外绝缘试样的介质损耗δX的数据；
首先，进行外绝缘试样介质损耗变化的偏差△δX计算，δX的计算方法如下：
式中，N为将0.01～1000Hz平均划分的份数，此处取为10；δ1i、δ2i分别为在所划分频率处的介质损耗值。在此基础上，进一步判断低气压环境下外绝缘试样的绝缘强度优劣，利用试样介质损耗变化δX与所述VFTO过电压脉冲施加时长tX的关系，即试样的脉冲损耗率η，其计算方法如下：
式中，tX即为外绝缘试样在VFTO过电压脉冲开始触发至介质损耗测试结束的总时间，可由测试者进行记录，一般为1～5s。η的值越大，表明该条件下外绝缘试样的强度越差，反之，表明其强度状态越好，当试样的脉冲损耗率η≤50％时，可认为其在低气压环境下的绝缘强度较好。
S106，按照上述方法重复获取多组测试结果，完成在低气压环境下VFTO对外绝缘试样影响后的绝缘强度分析。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述的本申请实施方式并不构成对本申请保护范围的限定。
Claims (10)
1.一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，包括：信号发生控制器(1)、VFTO发生装置(2)、外绝缘性测试装置(3)、气压控制装置(4)和绝缘信息采集处理装置(5)，其中：所述信号发生控制器(1)的输出端与VFTO发生装置(2)的输入端相连接，所述VFTO发生装置(2)的输出端与所述外绝缘性测试装置(3)相连接，用于将VFTO波形加载至外绝缘性测试装置(3)上，所述气压控制装置(4)和所述绝缘信息采集处理装置(5)均与所述外绝缘性测试装置(3)相连接；
所述信号发生控制器(1)包括总控台(6)、脉冲幅值控制通道(7)和触发控制模块(8)，所述脉冲幅值控制通道(7)分别与所述总控台(6)和所述触发控制模块(8)电连接；
所述VFTO发生装置(2)包括高压屏蔽箱(9)和VFTO脉冲发生单元(10)，所述VFTO脉冲发生单元(10)设置在所述高压屏蔽箱(9)内，所述VFTO脉冲发生单元(10)的信号输入端与所述触发控制模块(8)电连接，所述VFTO脉冲发生单元(10)的信号输出端与VFTO脉冲电缆(11)的第一端电连接，所述VFTO脉冲电缆(11)的第二端分别与所述外绝缘性测试装置(3)相连接；
所述外绝缘性测试装置(3)包括外绝缘试样(12)、测试台(13)、气压传感器(14)、密闭气箱(15)，所述测试台(13)固定设置在所述密闭气箱(15)内，所述外绝缘试样(12)和所述气压传感器(14)设置在所述测试台(13)上；
所述气压控制装置(4)包括真空泵(16)，所述真空泵(16)的吸气口与所述密闭气箱(15)相连通；
所述绝缘信息采集处理装置(5)包括介质损耗测试仪(17)、交流电源(18)和处理设备(19)，所述介质损耗测试仪(17)分别与所述交流电源(18)、所述处理设备(19)和所述外绝缘性测试装置(3)相连接。
2.根据权利要求1所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述VFTO脉冲发生单元(10)包括：高压硅堆(20)、第一电容器(21)、第二电容器(22)、第三电容器(23)、第一电阻器(24)、第二电阻器(25)、第一充电电阻器(26)、第二充电电阻器(27)、第一火花球隙(28)、第二火花球隙(29)和调波模块(30)，所述高压硅堆(20)的第一端与所述触发控制模块(8)相连接，所述高压硅堆(20)的第二端分别与所述第一电容器(21)的第一端、所述第一电阻器(24)的第一端和所述第一火花球隙(28)的第一端相连接，所述第一电容器(21)的第二端与所述第一充电电阻器(26)的第一端相连接，所述第一电阻器(24)的第二端分别与所述第二电阻器(25)的第一端、第二电容器(22)的第一端、第二火花球隙(29)的第一端相连接，所述第一火花球隙(28)的第二端分别与所述第一充电电阻器(26)的第二端、所述第二电容器(22)的第二端和所述第二充电电阻器(27)的第一端相连接，所述第二电阻器(25)的第二端分别与所述第三电容器(23)的第一端和所述调波模块(30)的第一端相连接，所述第二充电电阻的第二端分别与所述第二火花球隙(29)的第二端与所述第三电容器(23)的第二端相连接。
3.根据权利要求2所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述高压屏蔽箱(9)外侧设置一陡化间隙(31)，所述陡化间隙(31)分别连接所述调波模块(30)的第二端和所述VFTO脉冲电缆(11)的第一端。
4.根据权利要求3所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述VFTO脉冲电缆(11)与所述外绝缘性测试装置(3)之间设置有高压转接头(32)和高压电缆(33)，所述高压转接头(32)分别连接所述VFTO脉冲电缆(11)的第一端和所述高压电缆(33)的第一端，所述高压电缆(33)的第二端与所述外绝缘试样(12)相连接。
5.根据权利要求4所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述高压屏蔽箱(9)上设置有第一穿墙套管(34)、第二穿墙套管(35)和第三穿墙套管(36)，所述第一穿墙套管(34)两端分别与所述触发控制模块(8)和所述高压硅堆(20)的第一端相连接，所述第二穿墙套管(35)的第一端分别连接所述第一电容器(21)的第二端和所述第一充电电阻器(26)的第一端，所述第一电容器(21)的第二端和所述第一充电电阻器(26)的第一端通过所述第二穿墙套管(35)的第二端接地，所述第三穿墙套管(36)的两端分别连接所述调波模块(30)的第二端和所述陡化间隙(31)。
6.根据权利要求1所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述总控台(6)包括脉冲触发控制按钮(37)、充电触发控制按钮(38)、紧急制动按钮(39)和充电时间序列设置按钮(40)，所述脉冲触发控制按钮(37)、充电触发控制按钮(38)、紧急制动按钮(39)和充电时间序列设置按钮(40)分别与所述总控台(6)的处理器电连接。
7.根据权利要求5所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述触发控制模块(8)包括开关状态显示器(41)和电源自动转换开关(42)，所述开关状态显示器(41)和所述电源自动转换开关(42)电连接。
8.根据权利要求7所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述陡化间隙(31)与所述第三穿墙套管(36)之间设置有第一绝缘挡板(43)，所述第三穿墙套管(36)一端固定设置在所述第一绝缘挡板(43)上，所述VFTO脉冲电缆(11)与所述陡化间隙(31)之间设置有第二绝缘挡板(44)，所述VFTO脉冲电缆(11)的第一端与所述第二绝缘挡板(44)相连接。
9.根据权利要求4所述的低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验装置，其特征在于，所述密闭气箱(15)上设置有第四穿墙套管(45)，所述高压电缆(33)穿过所述第四穿墙套管(45)与所述外绝缘试样(12)相连接。
10.一种低气压环境中外绝缘VFTO脉冲损耗率试验方法，其特征在于，所述方法包括：
检查信号发生控制器中的电源自动转换开关是否断开；
如果所述电源自动转换开关断开，打开真空泵开关，根据其他传感器调节真空泵输出气体量，使密闭气箱内达到预设的气压值；
设置总控制台的充电时间序列设置按钮，进行充电时间设定，启动充电触发控制按钮，电源自动转换开关闭合；
当输出信号稳定时，启动脉冲触发控制按钮，控制所述VFTO发生装置产生VFTO信号；
启动交流电源，通过介电损耗测试仪，分别获取外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗，通过所述外绝缘试样在正常大气压下和低气压下的介质损耗确定所述外绝缘试样在低气压下的脉冲损耗率，所述脉冲损耗率用于确定所述外绝缘试样的绝缘强度；
按照上述方法重复获取多组测试结果，完成在低气压环境下VFTO对外绝缘试样影响后的绝缘强度分析。
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