CN108648998A - 一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 - Google Patents
一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108648998A CN108648998A CN201810376012.2A CN201810376012A CN108648998A CN 108648998 A CN108648998 A CN 108648998A CN 201810376012 A CN201810376012 A CN 201810376012A CN 108648998 A CN108648998 A CN 108648998A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- silicon substrate
- glass cover
- heat pipe
- fill orifice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 81
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 67
- 230000010412 perfusion Effects 0.000 claims abstract description 64
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 208000030208 low-grade fever Diseases 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 1
- 229910000743 fusible alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 1
- 238000011089 mechanical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 208000011580 syndromic disease Diseases 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
- B81C3/001—Bonding of two components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Abstract
本发明属于微器件的封装技术领域，涉及一种平板微热管的落差式灌封装置和方法。密封步骤如下：将玻璃盖板下侧湿法腐蚀出不连续的条形灌封沟道，将硅基板上侧干法刻蚀出不连续的条形灌封沟道和微热管的内腔室，硅基板上灌封沟道与玻璃盖板的灌封沟道交错排布，液体流经玻璃盖板上的灌封沟道后，必须借助硅基板上的灌粉沟道再流回玻璃盖板上的灌封沟道，形成纵向落差式结构。本发明可提高微热管灌注可靠性，避免热冲击下平面结构密封时的失效，拓展了可用的工质范围，且平板微热管表面无凸起，可与硅基微器件集成制造。
Description
技术领域
本发明属于微器件的封装技术领域，涉及一种平板微热管的落差式灌封装置和方法。
背景技术
近年来，随着IC工艺和MEMS工艺的发展，高性能半导体和微电子器件造性能提升的同时，带来了大热流密度的问题。因此设计优良的散热结构是上述器件稳定工作的基础。微热管是利用工质在其中的气液两相变化，实现热的快速传导，其传热效率远高于其本体材料的热导率，同时具有均温性好，热响应快等优点。而平板型的微热管由于其平面结构，更容易与器件紧凑集成或一体化制造。另一方面，其微米级的沟道尺寸可以提供较大的毛细力，实现工质在冷凝段和蒸发段之间的循环。
目前，微热管的制作瓶颈在于工质的灌注。由于半导体和微电子器件通常都是基于硅工艺制作，因此需要集成平面微热管进行热管理时，微热管的整体或部分材料是硅，这就导致了不能像传统热管一样采用冷焊的方法实现热管封接，需要外接灌注管进行热管的抽真空和工质灌注。另一方面，微热管的内积通常在1毫升以内，工质的灌注量在几十到几百微升之间，因此热管整体厚度通常在2mm以内，在此情况下，灌注管很难在平板微热管的厚度方向插入，需要垂直插入热管，导致平板热管的一面有凸起，限制了其应用场合。
近年来，国内外也开展了对微热管的灌注研究。【热管制造的新工艺及性能测试的试验研究，机械工程学报，2017，Vol53，No.5，160-165】切向挤压铝杆料形成真空铝管，工质灌注完成后，加热进一步去除不凝性气体后压合切断，形成微热管。【矩形微槽道结构与平板微热管传热特性研究，热能动力工程，2017，Vol32，No.2，42-46】采用硅基板，玻璃环和玻璃盖板制作平板微热管，采用硅胶密封热管，并实现工质灌注。【一种使用低熔点合金密封微热管灌注孔的方法ZL201510213969.1】公布了使用低熔点合金密封硅基微热管的封装方法，采用熔点在90-120℃之间的的低熔点合金固化后产生微量膨胀，在低熔点合金灌注沟道特定拐角处产生密封效果。综上，现有的微热管，金属热管通常体积都较大，因此工质灌注后可以采用加热等二次除气方式减少不凝性气体，同时提高工质的灌注比。而硅基热管，无论采用硅胶，还是静电键合，工质的灌注通常都需要外接灌注管，存在接口。采用硅胶密封的热管时间持久性和热冲击作用下的可靠性有待考证，而低熔点合金密封灌注孔密封方法中，密封沟道的拐角处容易漏气。虽然含铋的低熔点合金在凝固后的最初几天内会膨胀，强化密封效果，但是最初的漏气如果不可避免，热管的灌注依然失败，因此成功率不高。因此硅基平板微热管的工质灌封结构和方法仍是制约其应用的技术难点。
发明内容
本发明提供了一种平板微热管的落差式灌封装置和方法，通过MEMS工艺制造玻璃-硅平板微热管，完成工质灌注后，根据热管的工作温度，选择适当熔点的固体材料，填充入立体的密封结构，密封灌注孔，之后去除灌注管，使得灌封后的微热管仍旧是平板器件，实现微热管的平面封装。
本发明的技术方案：
一种平板微热管的落差式灌封装置，包括封装灌注孔、微热管内腔室、硅基板、工质灌注孔、硅基板灌封通道前端、硅基板灌注通道、硅基板灌封通道末端、玻璃盖板、蒸气腔和玻璃盖板灌注通道。
所述的玻璃盖板为方形结构，其中心设有方形凹槽状的蒸气腔，蒸气腔的左侧设有N+1个与左边界平行的方形凹槽状玻璃盖板灌注通道，相邻两个玻璃盖板灌注通道之间设有工质灌注孔。玻璃盖板的左下角内侧设有玻璃封装灌注孔，玻璃封装灌注孔与玻璃盖板灌注通道中轴线重合，玻璃盖板的右侧结构与左侧沿中心旋转对称，N≥1。
所述的硅基板与玻璃盖板形状相同，其中心设有与蒸气腔对应相同的微热管内腔室；微热管内腔室的左边界平行设有N个方形凹槽状硅基板灌注通道；硅基板灌注通道与玻璃盖板灌注通道宽度相同，与玻璃盖板上相邻两个玻璃盖板灌注通道错位设置。
硅基板灌封通道前端为烧瓶形结构，其瓶颈端为与硅基板灌注通道宽度相同的方形凹槽，圆形端与玻璃盖板的玻璃封装灌注孔形状对应相同，硅基板灌封通道前端与硅基板灌注通道沿同一中心轴线设置于硅基板上；硅基板灌封通道末端为L形凹槽，L形凹槽的一端与硅基板灌注通道中心轴线对称，另一端与微热管内腔室连通，硅基板的右侧结构与左侧沿中心旋转对称。
一种基于落差式灌封装置的密封方法，步骤如下：
第一步：在将玻璃盖板上腐蚀出2N+1玻璃盖板灌注通道，在玻璃盖板上打出工质灌注孔和封装灌注孔。
第二步：将硅基板上刻蚀出硅基板灌注通道，玻璃盖板灌注通道与硅基板灌注通道交错排布；玻璃盖板与硅基板静电键合后得到平板微热管，玻璃盖板灌注通道和硅基板灌注通道形成落差式立体沟道，键合后形成的微热管内腔室和蒸气腔共同构成工作的空间。
第三步：将封装材料放入封装灌注孔处，局部加热平板微热管封装灌注孔，封装材料熔化成液态填充封装灌注孔后冷却至室温。
第四步：将2N根PP管分别插入平板微热管的工质灌注孔，工质灌注孔密封。
第五步：通过PP管将平板微热管抽真空后，灌入构成工作的空间总体积30％～70％的液态工质，再将PP管热熔封口，实现密封。
第六步：将封装灌注孔处的封装材料加热至封装材料的熔点，液态封装材料流经工质灌注孔下方将工质灌注孔封住，并继续向前流动，使得封装材料在硅基板的灌封通道末端处凝固。
第七步：拆除PP管。
进一步的，所述的封装材料包含石蜡、高熔点合成蜡或者金材料。
进一步的，第四步采用环氧树脂胶涂覆密封工质灌注孔。
本发明的效果和益处：该方法采用落差式立体沟道实现微热管灌注孔的密封，可提高微热管灌注可靠性，避免热冲击下平面结构密封时的失效；由于不存在胶等物质，因此可以灌注有机溶剂作为工质，拓展了工质的范围；灌封后，平板微热管表面无凸起，可与硅基微器件集成制造。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
图2为本发明结构的盖板示意图。
图3为本发明采用的硅基微热管灌封流程图。
图中：1封装灌注孔；2微热管内腔室；3硅基板；4工质灌注孔；5硅基板灌封通道前端；6硅基板灌注通道；7硅基板灌封通道末端；8玻璃盖板；9蒸气腔；10玻璃盖板灌注通道。
具体实施方式
结合技术方案与说明书附图叙述本发明具体实施方式。
实施例
一种平板微热管的落差式灌封装置，包括封装灌注孔1、微热管内腔室2、硅基板3、工质灌注孔4、硅基板灌封通道前端5、硅基板灌注通道6、硅基板灌封通道末端7、玻璃盖板8、蒸气腔9和玻璃盖板灌注通道10；
所述的玻璃盖板8为方形结构，其中心设有方形凹槽状的蒸气腔9，蒸气腔9的左侧设有N+1个与左边界平行的方形凹槽状玻璃盖板灌注通道10，相邻两个玻璃盖板灌注通道10之间设有工质灌注孔4；玻璃盖板8的左下角内侧设有玻璃封装灌注孔1，玻璃封装灌注孔1与玻璃盖板灌注通道10中轴线重合，玻璃盖板8的右侧结构与左侧沿中心旋转对称，N≥1；
所述的硅基板3与玻璃盖板8形状相同，其中心设有与蒸气腔9对应相同的微热管内腔室2；微热管内腔室2的左边界平行设有N个方形凹槽状硅基板灌注通道6；硅基板灌注通道6与玻璃盖板灌注通道10宽度相同，与玻璃盖板8上相邻两个玻璃盖板灌注通道10错位设置；
硅基板灌封通道前端5为烧瓶形结构，其瓶颈端为与硅基板灌注通道6宽度相同的方形凹槽，圆形端与玻璃盖板8的玻璃封装灌注孔1形状对应相同，硅基板灌封通道前端5与硅基板灌注通道6沿同一中心轴线设置于硅基板3上；硅基板灌封通道末端7为L形凹槽，L形凹槽的一端与硅基板灌注通道6中心轴线对称，另一端与微热管内腔室2连通，硅基板3的右侧结构与左侧沿中心旋转对称。
一种基于落差式灌封装置的密封方法，步骤如下：
第一步，利用湿法腐蚀的方法在将玻璃盖板上腐蚀出不连续的玻璃盖板灌注通道10，用超声波打孔机在玻璃盖板上打出工质灌注孔4和封装灌注孔1。
第二步，将硅基板上采用干法刻蚀出不连续的硅基板灌注通道6，其中盖板灌注通道10与硅基板灌注通道6交错排布；玻璃盖板与硅基板静电键合后得到平板微热管，盖板灌注通道10和硅基板灌注通道6形成落差式立体沟道，键合后形成的微热管内腔室2和蒸气腔9共同构成工质存在与工作的空间。
第三步，取适量石蜡作为封装灌注孔的低熔点固体材料放入封装灌注孔1处，通过陶瓷片局部加热平板微热管封装灌注孔1下方，直到待封装材料熔化成液态，填充封装灌注孔1，之后冷却至室温。
第四步，将2根PP管分别插入平板微热管的左右两个工质灌注孔4，并用环氧树脂胶涂覆在工质灌注孔4周围，确保良好的密封性。
第五步，将PP管连接到工质灌注装置，将平板微热管抽真空后并灌注微热管内腔室总体积30％的液态工质，再用热夹钳将PP管热熔封口，实现暂时密封。
第六步，将封装灌注孔3处的石蜡再次用陶瓷片加热至石蜡的熔点，在硅基板灌封通道末端7处用帕尔贴制冷片控制温度梯度，由于平板微热管内为负压，液态石蜡流经工质灌注孔4下方将口封住，并继续向前流动，使得石蜡在硅基板的灌封通道末端7处凝固。
第七步，拆除PP管，实现了平板微热管的封装，封装后的微热管表面无凸起。
Claims (4)
1.一种平板微热管的落差式灌封装置，其特征在于，包括封装灌注孔(1)、微热管内腔室(2)、硅基板(3)、工质灌注孔(4)、硅基板灌封通道前端(5)、硅基板灌注通道(6)、硅基板灌封通道末端(7)、玻璃盖板(8)、蒸气腔(9)和玻璃盖板灌注通道(10)；
所述的玻璃盖板(8)为方形结构，其上设有方形凹槽状的蒸气腔(9)，蒸气腔(9)的左侧设有N+1个与左边界平行的方形凹槽状玻璃盖板灌注通道(10)，相邻两个玻璃盖板灌注通道(10)之间设有工质灌注孔(4)；玻璃盖板(8)的左下角内侧设有玻璃封装灌注孔(1)，玻璃封装灌注孔(1)与玻璃盖板灌注通道(10)中轴线重合，玻璃盖板(8)的右侧结构与左侧沿中心旋转对称，N≥1；
所述的硅基板(3)与玻璃盖板(8)形状相同，其上设有与蒸气腔(9)对应相同的微热管内腔室(2)；微热管内腔室(2)的左边界平行设有N个方形凹槽状硅基板灌注通道(6)；硅基板灌注通道(6)与玻璃盖板灌注通道(10)宽度相同，与玻璃盖板(8)上相邻两个玻璃盖板灌注通道(10)错位设置；
硅基板灌封通道前端(5)为烧瓶形结构，其瓶颈端为与硅基板灌注通道(6)宽度相同，圆形端与玻璃盖板(8)的玻璃封装灌注孔(1)形状对应相同，硅基板灌封通道前端(5)与硅基板灌注通道(6)沿同一中心轴线设置于硅基板(3)上；硅基板灌封通道末端(7)为L形凹槽，L形凹槽的一端与硅基板灌注通道(6)中心轴线对称，另一端与微热管内腔室(2)连通，硅基板(3)的右侧结构与左侧沿中心旋转对称。
2.权利要求1所述的灌封装置的密封方法，其特征在于，步骤如下：
第一步：在将玻璃盖板(8)上腐蚀出2(N+1)玻璃盖板灌注通道(10)，在玻璃盖板(8)上打出工质灌注孔(4)和封装灌注孔(1)；
第二步：将硅基板(3)上刻蚀出硅基板灌注通道(6)，玻璃盖板灌注通道(10)与硅基板灌注通道(6)交错排布；玻璃盖板(8)与硅基板(3)静电键合后得到平板微热管，玻璃盖板灌注通道(10)和硅基板灌注通道(6)形成落差式立体沟道，键合后形成的微热管内腔室(2)和蒸气腔(9)共同构成工作的空间；
第三步：将封装材料放入封装灌注孔(1)处，局部加热平板微热管封装灌注孔(1)，封装材料熔化成液态填充封装灌注孔(1)后冷却至室温；
第四步：将2N根PP管分别插入平板微热管的工质灌注孔(4)，工质灌注孔(4)密封；
第五步：通过PP管将平板微热管抽真空后，灌入构成工作的空间总体积30％～70％的液态工质，再将PP管热熔封口，实现密封；
第六步：将封装灌注孔(1)处的封装材料加热至封装材料的熔点，液态封装材料流经工质灌注孔(4)下方将工质灌注孔(4)封住，并继续向前流动，使得封装材料在硅基板(3)的灌封通道末端(7)处凝固；
第七步：拆除PP管。
3.如权利要求2所述的密封方法，其特征在于，所述的封装材料包含石蜡、高熔点合成蜡或金材料。
4.如权利要求2或3所述的密封方法，其特征在于，第四步采用环氧树脂胶涂覆密封工质灌注孔(4)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810376012.2A CN108648998B (zh) | 2018-04-23 | 2018-04-23 | 一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810376012.2A CN108648998B (zh) | 2018-04-23 | 2018-04-23 | 一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108648998A true CN108648998A (zh) | 2018-10-12 |
| CN108648998B CN108648998B (zh) | 2020-01-24 |
Family
ID=63747365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810376012.2A Expired - Fee Related CN108648998B (zh) | 2018-04-23 | 2018-04-23 | 一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108648998B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109520345A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-26 | 大连理工大学 | 一种三明治结构硅玻璃微热管的键合工艺 |
| CN113023666A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-25 | 太原理工大学 | 一种用于硅基平板微热管的灌封方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579141A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-02-12 | 华中科技大学 | 一种复合散热结构及其应用 |
| CN104457350A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-03-25 | 大连理工大学 | 采用蠕动泵灌注的微热管封装方法 |
| CN104961093A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-10-07 | 大连理工大学 | 一种使用低熔点合金密封微热管灌注孔的方法 |
| US20180009073A1 (en) * | 2015-11-02 | 2018-01-11 | Acmecools Tech. Ltd. | Micro heat pipe and method of manufacturing micro heat pipe |
-
2018
- 2018-04-23 CN CN201810376012.2A patent/CN108648998B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103579141A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-02-12 | 华中科技大学 | 一种复合散热结构及其应用 |
| CN104457350A (zh) * | 2014-11-03 | 2015-03-25 | 大连理工大学 | 采用蠕动泵灌注的微热管封装方法 |
| CN104961093A (zh) * | 2015-04-29 | 2015-10-07 | 大连理工大学 | 一种使用低熔点合金密封微热管灌注孔的方法 |
| US20180009073A1 (en) * | 2015-11-02 | 2018-01-11 | Acmecools Tech. Ltd. | Micro heat pipe and method of manufacturing micro heat pipe |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109520345A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-26 | 大连理工大学 | 一种三明治结构硅玻璃微热管的键合工艺 |
| CN113023666A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-25 | 太原理工大学 | 一种用于硅基平板微热管的灌封方法 |
| CN113023666B (zh) * | 2021-02-23 | 2023-12-12 | 太原理工大学 | 一种用于硅基平板微热管的灌封方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108648998B (zh) | 2020-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020248905A1 (zh) | 一种晶圆级三维堆叠微流道散热结构及其制造方法 | |
| CN109612316A (zh) | 薄壁均温板及其制造方法 | |
| US20140369005A1 (en) | Passive thermal management device | |
| Liu et al. | Performance and manufacturing of silicon-based vapor chambers | |
| CN108648998A (zh) | 一种平板微热管的落差式灌封装置和方法 | |
| TW200526107A (en) | Folded fin microchannel heat exchanger | |
| CN103344145A (zh) | 一种具有吸液芯流道的环路热管及其传热方法和制造方法 | |
| CN104961093B (zh) | 一种使用低熔点合金密封微热管灌注孔的方法 | |
| CN103925576A (zh) | 基于热管技术的led散热器 | |
| CN103335548A (zh) | 一种微热管的气相温控工质灌注方法 | |
| CN105161473A (zh) | 硅基毛细泵回路微型冷却器 | |
| CN103327792A (zh) | 一种无源驱动的微通道散热冷却装置 | |
| CN105990274B (zh) | 一种导热膜及其制作方法 | |
| CN106482561B (zh) | 一种基于二次烧结成型的多支路热管及其制备方法 | |
| CN104538372B (zh) | 散热型封装结构及其制作方法、散热型封装基板 | |
| CN208047152U (zh) | 一种均温散热器 | |
| CN109755194A (zh) | 一种集成半导体模块功率组件及其制作方法 | |
| WO2022241846A1 (zh) | 一种包括嵌入歧管式微流道的引线键合结构及其制备方法 | |
| CN103629960A (zh) | 一种具有粗化结构的脉动热管 | |
| CN204513305U (zh) | 吸热装置、散热装置和led工矿灯散热系统 | |
| CN106225539A (zh) | 一种带平板微通道蒸发器的三维脉动热管散热冷却装置 | |
| CN209546220U (zh) | 超薄导热装置 | |
| CN207147293U (zh) | 多孔热管 | |
| CN204534200U (zh) | 一种led工矿灯 | |
| CN101526321B (zh) | 相变式微通道流动冷却器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200124 |