CN108550968B - 一种带凹坑的波导低通谐波抑制器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与谐振腔连接的金属柱A。带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与每一个金属柱A相对应的且只在顶部与谐振腔连接的金属柱B。金属柱B的横截面与金属柱A的横截面不同。在谐振腔的顶部与每一个金属柱A对应设置有一个金属凹坑。每一个金属柱A嵌入与之对应设置的金属凹坑内。上述设计可以在不减小对应的金属柱A和金属柱B之间的间隙，因而不显著降低器件的功率容量的条件下，有效地增大对应的金属柱A和金属柱B之间的电容，从而加深滤波器的阻带抑制深度并展开滤波器的阻带带宽。可以广泛应用于雷达、导弹制导和各种那个移动通信系统中。

Description

一种带凹坑的波导低通谐波抑制器
技术领域
本发明涉及一种微波器件,具体地说，是涉及一类紧凑型高功率谐波抑制滤波器。
背景技术
由于电磁兼容国际国内标准实施的日益强化，通信和军事电子系统的谐波抑制日益成为一个关键技术问题。华夫模(Waffle Iron)波导低通滤波器具有低插损、高功率容量和宽阻带特性，是大功率通信系统和中远程雷达中谐波抑制的主要选择。传统的华夫模波导低通滤波器由上下对称的沿横向和纵向周期排列的金属柱阵列构成。为了加深其谐波抑制深度和展宽其阻带宽度，需要减小上下对应的金属柱之间的间隙，从而导致滤波器的功率容量的急剧下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种紧凑型一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，在加深其阻带抑制深度、展宽其阻带带宽的同时，提高谐波抑制滤波器的功率容量。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔连接的金属柱A。带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与每一个金属柱A相对应的只在顶部与所述谐振腔连接的金属柱B；金属柱B的横截面与所述金属柱A的横截面不同。为了进一步增大每一个金属柱A与谐振腔的上表面之间的电容，在所述谐振腔的顶部与每一个金属柱A对应设置有一个金属凹坑；每一个金属柱A嵌入与之对应设置的所述金属凹坑内。这种设计可以在不减小对应的金属柱A和金属柱B之间的间隙，因而不显著降低器件的功率容量的条件下，有效地增大对应的金属柱A和金属柱B之间的电容，从而加深滤波器的阻带抑制深度并展开滤波器的阻带带宽。
为了更好的实现发明目的，本发明还具有以下更优的技术方案：
在一些实施方式中，所述金属柱A为圆柱体，所述金属柱B为金属筒；所述金属柱A嵌入所述金属柱B内部。
在一些实施方式中，所述金属柱A为矩形体与所述每一根金属柱A对应有两根矩形金属柱B；所述每一根所述金属柱A嵌入与之对应的两根所述矩形金属柱B之间。
本发明利用上下不同的金属柱和金属凹坑结构，在不减小上下导体之间的间隙的前提下，有效地增大上下导体之间的电容，从而达到加深谐波抑制滤波器的抑制深度，展宽其阻带带宽的目的。与已有技术相比，本发明具有：结构紧凑、重量轻、节省材料、结构简单等优点。
附图说明
图1为本发明及其实施实例1的示意图。
图2为图1A--A的截面图。
图3为本发明实施实例2的示意图。
图中的标号为：1、谐振腔；2、金属柱A；3、金属柱B；4、金属凹坑；5、输入输出波导。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明。
实施实例1
如图1、图2所示，一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，包括谐振腔1，输入输出波导5和横向8排，纵向8列的只在底部与所述谐振腔1连接的金属柱A2。带凹坑的波导低通谐波抑制器还包括与每一个金属柱A2相对应的且只在顶部与所述谐振腔1连接的金属柱B3；金属柱B3的横截面与金属柱A2的横截面不同。
金属柱A2为矩形体与每一根金属柱A2对应有两根矩形金属柱B3；每一根所述金属柱A2嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B3之间。在谐振腔1的顶部与每一个所述金属柱A2对应设置有一个金属凹坑4；每一个金属柱A2嵌入与之对应设置的所述金属凹坑4内。
实施实例2
如图3所示，本实施实例与实施实例1的区别仅在于，每根所述金属柱A和每个金属凹坑都为圆柱体。没有在谐振腔顶部设置任何金属柱B。
本发明可以构成各种高功率的波导谐波抑制滤波器，在各种高功率的各种通信和军事电子系统中用于功率放大器的谐波抑制。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种带凹坑的波导低通谐波抑制器，其特征在于，包括谐振腔(1)，输入输出波导(5)和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔(1)连接的金属柱A(2)；在所述谐振腔(1)的顶部与每一个所述金属柱A(2)对应设置有一个金属凹坑(4)；每一个所述金属柱A(2)嵌入与之对应设置的所述金属凹坑(4)内。
2.根据权利要求1所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，还包括与每一个金属柱A(2)相对应的，只在顶部与所述谐振腔(1)连接的金属柱B(3)；所述金属柱B(3)的横截面与所述金属柱A(2)的横截面不同。
3.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)为圆柱体。
4.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱B(3)为金属筒。
5.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)嵌入所述金属柱B(3)内部。
6.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述金属柱A(2)为矩形体。
7.根据权利要求2所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，与所述每一根金属柱A(2)对应有两根矩形金属柱B(3)。
8.根据权利要求7所述的一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述每一根所述金属柱A(2)嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B(3)之间。
9.根据权利要求1-8所述的任意一种带凹坑的波导低通谐波抑制器,其特征在于，所述带凹坑的波导低通谐波抑制器相对于任意水平面上下都不对称。
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