CN108475137B - 使用混合估计方法减轻共模显示噪声 - Google Patents

使用混合估计方法减轻共模显示噪声 Download PDF

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Abstract

配置成用于电容性感测的处理系统包括传感器电路，该传感器电路具有获取传感器电极的绝对电容性剖面以及使用传感器电极获取跨电容性图像的功能性。该处理系统配置成：使用绝对电容性剖面以及跨电容性图像来创建共模噪声的第一估计、使用共模噪声的第一估计确定跨电容性图像中缺少输入对象的位置、基于该位置和跨电容性图像创建共模噪声的第二估计、使用共模噪声的第二估计确定输入对象的位置信息以及处理该位置信息。

Description

使用混合估计方法减轻共模显示噪声
技术领域
本发明一般涉及电子装置。
背景技术
包括接近传感器装置(通常又称作触摸板或触摸传感器装置)的输入装置广泛用于多种电子系统中。接近传感器装置通常包括常常通过表面来区分的感测区，其中接近传感器装置确定一个或多个输入对象的存在、位置和/或运动。接近传感器装置可用来为电子系统提供接口。例如，接近传感器装置常常用作较大计算系统的输入装置(诸如笔记本或台式计算机中集成的或者作为其外设的不透明触摸板)。接近传感器装置还常常用于较小计算系统(诸如蜂窝电话中集成的触摸屏)中。
发明内容
一般地，在一个方面，一个或多个实施例涉及配置成用于电容性感测的处理系统。该处理系统包括传感器电路，该传感器电路具有获取传感器电极的绝对电容性剖面以及使用传感器电极获取跨电容性图像的功能性。该处理系统配置成使用绝对电容性剖面以及跨电容性图像来创建共模噪声的第一估计、使用共模噪声的第一估计确定跨电容性图像中缺少输入对象的位置、基于该位置和跨电容性图像创建共模噪声的第二估计、使用共模噪声的第二估计确定输入对象的位置信息以及处理该位置信息。
一般地，在一个方面，一个或多个实施例涉及用于电容性感测的输入装置，该装置包括用于从发射器电极接收所产生信号的传感器电极和处理系统。该处理系统配置成获取传感器电极的第一绝对电容性剖面、使用传感器电极获取跨电容性图像、使用第一绝对电容性剖面和跨电容性图像创建共模噪声的第一估计以及使用共模噪声的第一估计确定跨电容性图像中缺少输入对象的位置。该处理系统进一步配置成基于该位置和跨电容性图像创建共模噪声的第二估计、使用共模噪声的第二估计确定输入对象的位置信息以及处理该位置信息。
一般地，在一个方面，一个或多个实施例涉及用于减轻共模噪声的方法。该方法包括获取传感器电极的第一绝对电容性剖面、使用传感器电极获取跨电容性图像、使用第一绝对电容性剖面和跨电容性图像创建共模噪声的第一估计以及使用共模噪声的第一估计确定跨电容性图像中缺少输入对象的位置。该方法进一步包括基于该位置和跨电容性图像创建共模噪声的第二估计、使用共模噪声的第二估计确定输入对象的位置信息以及处理该位置信息。
本发明的其它方面根据以下描述和所附权利要求将是显而易见的。
附图说明
本发明的优选示范实施例将结合附图在下文中描述，其中相似的名称表示相似的元件。
图1示出了按照本发明的一个或多个实施例的包括输入装置的示例系统的框图。
图2示出了按照本发明的一个或多个实施例的感测区的图。
图3、图4、图5、图6和图7示出了按照本发明的一个或多个实施例的流程图。
图8示出了按照本发明的一个或多个实施例的示例。
图9.1和图9.2示出了按照本发明的一个或多个实施例的示例。
具体实施方式
以下的详细描述实际上只是示范的而不是意在限制本发明或者本发明的应用和使用。此外，并不是意在通过前面的技术领域、背景技术、发明内容或者以下详细描述中提出的任何明确表达或暗示的理论来进行限制。
在本发明的实施例的以下详细描述中，提出了多个具体细节以便提供本发明的更加彻底的理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，在没有这些具体细节的情况下可以实施本发明。在其它实例中，没有详细地描述众所周知的特征以避免不必要地复杂化该描述。
在贯穿本申请中，序数词(例如，第一、第二、第三等)可以用作元件(即，本申请中的任何名词)的形容词。序数词的使用不是暗示或者创建元件的任何特定排序，也不是为了限制任何元件仅是单个元件，除非明确地公开，诸如通过术语“之前”、“之后”、“单个”和其它此类术语的使用。相反地，序数词的使用是为了在元件之间进行区分。举例来说，第一元件与第二元件不同，以及第一元件可以包含多于一个元件以及在元件的排序上继第二元件之后(或者之前)。相似地，在说明书中使用的序数可以或者可以不匹配用于权利要求中元件的序数。
本发明的各个实施例提供了促进改进的可用性的输入装置和方法。特别地，一个或多个实施例涉及生成输入装置的共模噪声的估计。基于该估计，位置信息可以被识别。
现在回到附图，图1是按照本发明的一个或多个实施例的示范输入装置100的框图。输入装置100可以配置成向电子系统(未示出)提供输入。如本文档中使用的，术语“电子系统”(或“电子装置”)广义地表示能够电子地处理信息的任何系统。电子系统的一些非限制性示例包括所有尺寸和形状的个人计算机，诸如台式计算机、膝上型计算机、上网本计算机、平板、万维网浏览器、电子书阅读器和个人数字助理(PDA)。附加的示例电子系统包括合成输入装置，诸如包括输入装置100和独立操纵杆或按键开关的物理键盘。其它示例电子系统包括诸如数据输入装置(包括遥控和鼠标)和数据输出装置(包括显示屏幕和打印机)之类的外设。其它示例包括远程终端、售货亭和视频游戏机(例如视频游戏控制台、便携游戏装置等)。其它示例包括通信装置(包括蜂窝电话，诸如智能电话)和媒体装置(包括记录器、编辑器和播放器，诸如电视机、机顶盒、音乐播放器、数码相框和数码相机)。附加地，电子系统可能是输入装置的主机或从机。
输入装置100可以实现为电子系统的物理部分，或者能够与电子系统在物理上分离。此外，输入装置100的部分可以是电子系统的组成部分。例如，确定模块的全部或者部分可以在电子系统的装置驱动器中实现。视情况而定，输入装置100可使用下列的任一个或多个与电子系统的部分进行通信：总线、网络和其它有线或无线互连。示例包括：I2C、SPI、PS/2、通用串行总线(USB)、蓝牙、RF和IRDA。
图1中，输入装置100示出为接近传感器装置(又常常称作“触摸板”或“触摸传感器装置”)，其配置成感测由一个或多个输入对象140在感测区120中提供的输入。示例输入对象包括手指和触控笔，如图1中所示。贯穿本说明书，使用输入对象的单数形式。尽管使用单数形式，但是在感测区120中可以存在多个输入对象。此外，哪些特定输入对象在感测区中可以随一个或多个手势的过程而改变。为了避免不必要地复杂化描述，使用输入对象的单数形式并且指的是以上变化的全部。
感测区120包含输入装置100之上、周围、之中和/或附近的任何空间，其中输入装置100能够检测用户输入(例如由一个或多个输入对象140所提供的用户输入)。特定感测区的尺寸、形状和位置逐个实施例可广泛地改变。
在一些实施例中，感测区120沿一个或多个方向从输入装置100的表面延伸到空间中，直到信噪比阻止充分准确的对象检测。在输入装置的表面上方的延伸可以称为上方表面感测区。在各个实施例中，这个感测区120沿特定方向所延伸的距离可以是大约小于一毫米、数毫米、数厘米或者以上，并且可随所使用的感测技术的类型和预期的精度而明显改变。因此，一些实施例感测的输入包括没有与输入装置100的任何表面相接触、与输入装置100的输入表面(例如触摸表面)相接触、与耦合某个量的外加力或压力的输入装置100的输入表面相接触和/或它们的组合。在各个实施例中，可由传感器电极位于其内的壳体的表面、由施加在传感器电极或者任何壳体之上的面板等来提供输入表面。在一些实施例中，感测区120在投影到输入装置100的输入表面时具有矩形形状。
输入装置100可利用传感器组件和感测技术的任何组合来检测感测区120中的用户输入。输入装置100包括用于检测用户输入的一个或多个感测元件。作为若干非限制性示例，输入装置100可使用电容性的、倒介电的、电阻的、电感的、磁性的、声学的、超声的和/或光学的技术。
一些实现配置成提供跨越一维、二维、三维或更高维的空间的图像。一些实现配置成提供沿特定轴或平面的输入的投影。此外，一些实现可以配置成提供一个或多个图像和一个或多个投影的组合。
在输入装置100的一些电阻的实现中，柔性的并导电的第一层通过一个或多个间隔元件与导电的第二层分离开。在操作期间，跨所述层创建一个或多个电压梯度。按压该柔性第一层可使其充分地偏转以在层之间创建电接触，引起反映层之间的(一个或多个)接触点的电压输出。这些电压输出可用于确定位置信息。
在输入装置100的一些电感的实现中，一个或多个感测元件获得由谐振线圈或线圈对感应的环路电流。该电流的幅度、相位和频率的某个组合可然后用来确定位置信息。
在输入装置100的一些电容性实现中，施加电压或电流以创建电场。附近的输入对象引起电场中的变化，并且产生电容性耦合中的可检测变化，其可作为电压、电流等中的变化来检测。
一些电容性实现利用电容性感测元件的阵列或者其它规则或不规则图案来创建电场。在一些电容性实现中，独立感测元件可欧姆地短接在一起，以形成较大传感器电极。一些电容性实现利用电阻片，其可以是电阻均匀的。
一些电容性实现利用基于传感器电极与输入对象之间的电容性耦合中的变化的“自电容”(或“绝对电容”)感测方法。在各个实施例中，传感器电极附近的输入对象改变传感器电极附近的电场，因而改变所测量的电容性耦合。在一个实现中，通过相对参考电压(例如系统接地)来调制传感器电极以及通过检测传感器电极与输入对象之间的电容性耦合来操作绝对电容感测方法。参考电压在各个实施例中可以是基本恒定的电压或变化的电压；参考电压可以是系统接地。使用绝对电容感测方法获取的测量可以被称为绝对电容性测量。
一些电容性实现利用基于传感器电极之间的电容性耦合中的变化的“互电容”(或“跨电容”)感测方法。在各个实施例中，传感器电极附近的输入对象改变传感器电极之间的电场，因而改变所测量的电容性耦合。在一个实现中，互电容感测方法通过检测一个或多个发射器传感器电极(又称作“发射器电极”或“发射器”)与一个或多个接收器传感器电极(又称作“接收器电极”或“接收器”)之间的电容性耦合来进行操作。发射器传感器电极可相对于参考电压(例如系统接地)来调制，以发送发射器信号。接收器传感器电极可相对于参考电压基本上保持为恒定，以促进所产生信号的接收。参考电压可以是基本恒定的电压，以及在各个实施例中参考电压可以是系统接地。在一些实施例中，发射器传感器电极可以均被调制。相对于接收器电极来调制发射器电极以发送发射器信号并且以促进所产生信号的接收。所产生信号可包括与一个或多个发射器信号和/或与一个或多个环境干扰源(例如其它电磁信号)对应的(一个或多个)影响。(一个或多个)影响可以是发射器信号、由一个或多个输入对象和/或环境干扰引起的发射器信号中的改变或者其它此类影响。传感器电极可以是专用发射器或接收器，或者可配置成既发送又接收。使用互电容感测方法获取的测量可以被称为互电容测量。
此外，传感器电极可以是改变形状和/或尺寸的。传感器电极的相同形状和/或尺寸可以在或可以不在相同组中。例如，在一些实施例中，接收器电极可以是相同形状和/或尺寸的，而在其它实施例中，接收器电极可以是改变形状和/或尺寸的。
图1中，处理系统110示为输入装置100的组成部分。处理系统110配置成操作输入装置100的硬件，以检测感测区120中的输入。处理系统110包括一个或多个集成电路(IC)的部分或全部和/或其它电路组件。处理系统可以包括传感器电路。例如，用于互电容传感器装置的处理系统可包括：发射器电路，配置成采用发射器传感器电极来发送信号；和/或接收器电路，配置成采用接收器传感器电极来接收信号。此外，用于绝对电容传感器装置的处理系统可以包括驱动器电路，所述驱动器电路配置成将绝对电容信号驱动到传感器电极上；和/或接收器电路，其配置成利用那些传感器电极来接收信号。在一个或多个实施例中，用于结合的互电容和绝对电容传感器装置的处理系统可以包括上述互电容和绝对电容电路的任何组合。在一些实施例中，处理系统110还包括电子可读指令，诸如固件代码、软件代码等。在一些实施例中，组成处理系统110的组件共同位于诸如在输入装置100的(一个或多个)感测元件附近。在其它实施例中，处理系统110的组件在物理上是独立的，其中一个或多个组件靠近输入装置100的(一个或多个)感测元件，而一个或多个组件在其它位置。例如，输入装置100可以是耦合到计算装置的外设，以及处理系统110可包括配置成运行于计算装置的中央处理单元以及与中央处理单元分离的一个或多个IC(也许具有关联固件)上的软件。作为另一个示例，输入装置100可在物理上集成到移动装置中，以及处理系统110可包括作为移动装置的主处理器的组成部分的电路和固件。在一些实施例中，处理系统110专用于实现输入装置100。在其它实施例中，处理系统110还执行其它功能，诸如操作显示屏幕、驱动触觉致动器等。
处理系统110可实现为一组模块，其操控该处理系统110的不同功能。各模块可包括作为处理系统110的一部分的电路。例如，电路可以是专用集成电路(ASIC)、一般硬件处理器或者其任何组合。在各个实施例中，可使用模块的不同组合。例如，如图1中所示，处理系统110可以包括确定模块150和传感器模块160。确定模块150可包括以下功能性：确定何时至少一个输入对象在感测区中、确定性噪比、确定输入对象的位置信息、识别手势、基于手势、手势或其它信息的组合来确定要执行的动作和/或执行其它操作。
传感器模块160可包括以下功能性：驱动感测元件来发送发射器信号以及接收所产生信号。例如，传感器模块160可以包括传感器电路，该传感器电路耦合到感测元件。例如传感器模块160可以包括发射器模块和接收器模块。发射器模块可以包括发射器电路，该发射器电路耦合到感测元件的发射部分。接收器模块可以包括接收器电路，该接收器电路耦合到感测元件的接收部分并且可以包括接收所产生信号的功能性。
虽然图1仅示出了确定模块150和传感器模块160，但是按照本发明的一个或多个实施例可以存在备选或者附加模块。此类备选或者附加模块可以对应于除了以上所述的一个或多个模块以外的不同的模块或者子模块。示例备选或附加模块包括：硬件操作模块，用于操作诸如传感器电极和显示屏幕之类的硬件；数据处理模块，用于处理诸如传感器信号和位置信息之类的数据；报告模块，用于报告信息；以及识别模块,配置成识别手势，诸如模式改变手势；以及模式改变模块，用于改变操作模式。此外，各个模块可以结合在独立集成电路中。例如，第一模块可以至少部分地被包括在第一集成电路中，以及独立模块可以至少部分地被包括在第二集成电路中。此外，单个模块的部分可以跨多个集成电路。在一些实施例中，处理系统作为整体可以执行各个模块的操作。
在一些实施例中，处理系统110直接通过引起一个或多个动作来响应感测区120中的用户输入(或者没有用户输入)。示例动作包括改变操作模式以及诸如光标移动、选择、菜单导航和其它功能之类的图形用户界面(GUI)动作。在一些实施例中，处理系统110向电子系统的某个部分(例如向与处理系统110分离的电子系统的中央处理系统，若这种独立中央处理系统存在的话)提供与输入(或者没有输入)有关的信息。在一些实施例中，电子系统的某个部分处理从处理系统110所接收的信息来对用户输入起作用，诸如促进全范围的动作，包括模式改变动作和GUI动作。
例如，在一些实施例中，处理系统110操作输入装置100的(一个或多个)感测元件，以产生指示感测区120中的输入(或者没有输入)的电信号。处理系统110可在产生提供给电子系统的信息中对电信号执行任何适当量的处理。例如，处理系统110可数字化从传感器电极所得到的模拟电信号。作为另一个示例，处理系统110可执行滤波或者其它信号调节。作为又一个示例，处理系统110可减去或者以其它方式考虑基线，使得信息反映电信号与基线之间的差。作为又一些示例，处理系统110可确定位置信息，将输入识别为命令，识别笔迹等。
如本文所使用的“位置信息”广义地包含绝对位置、相对位置、速度、加速度和其它类型的空间信息。示范“零维”位置信息包括近/远或接触/无接触信息。示范“一维”位置信息包括沿轴的位置。示范“二维”位置信息包括平面中的运动。示范“三维”位置信息包括空间中的瞬时或平均速度。其它示例包括空间信息的其它表示。还可确定和/或存储与一种或多种类型的位置信息有关的历史数据，包括例如随时间来跟踪位置、运动或者瞬时速度的历史数据。
在一些实施例中，输入装置100采用由处理系统110或者由某种其它处理系统所操作的附加输入组件来实现。这些附加输入组件可提供用于感测区120中的输入的冗余功能性或者某种其它功能性。图1示出感测区120附近的能够用来促进使用输入装置100来选择项目的按钮130。其它类型的附加输入组件包括滑块、球、轮、开关等。相反，在一些实施例中，输入装置100可以在没有其它输入组件的情况下实现。
在一些实施例中，输入装置100包括触摸屏界面，以及感测区120重叠显示屏幕的工作区的至少一部分。例如，输入装置100可包括覆盖显示屏幕的基本上透明的传感器电极，并且提供用于关联的电子系统的触摸屏界面。显示屏幕可以是能够向用户显示可视界面的任何类型的动态显示器，并且可包括下列任何类型：发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子体、电致发光(EL)或者其它显示技术。输入装置100和显示屏幕可共用物理元件。例如，一些实施例可将相同电组件的一部分用于显示和感测。在各个实施例中，显示装置的一个或多个显示电极可以配置成用于显示更新和输入感测两者。作为另一个示例，显示屏幕可部分或全部由处理系统110来操作。
应当理解，虽然本发明的许多实施例是在全功能设备的上下文中描述的，但是本发明的机制能够按照多种形式作为程序产品(例如软件)来分发。例如，本发明的机制可作为由电子处理器可读的信息承载介质(例如，由处理系统110可读的非暂时计算机可读和/或可记录/可写信息承载介质)上的软件程序来实现和分发。另外，本发明的实施例是同样适用的而与用于执行分发的介质的特定类型无关。例如，可以全部地或者部分地、暂时地或者永久地在非暂时计算机可读存储介质上存储执行本发明实施例的按照计算机可读程序代码形式的软件指令。非暂时的电子可读介质的示例包括各种盘、物理存储器、存储器、存储棒、存储卡、存储模块和/或任何其它计算机可读存储介质。电子可读介质可基于闪存、光、磁、全息或者任何其它存储技术。
虽然图1中未示出，但是处理系统、输入装置和/或主机系统可以包括一个或多个计算机处理器、关联存储器(例如，随机存取存储器(RAM)、高速缓存存储器、闪速存储器等)、一个或多个存储装置(例如，硬盘、诸如致密光盘(CD)驱动或者数字多功能光盘(DVD)驱动之类的光学驱动、闪速存储棒等)以及许多其它元件和功能性。(一个或多个)计算机处理器可以是用于处理指令的集成电路。例如，(一个或多个)计算机处理器可以是处理器的一个或多个内核或者微内核。此外，一个或多个实施例的一个或多个元件可以位于远程位置，并且通过网络连接到其它元件。此外，本发明的实施例可在具有若干节点的分布式系统上实现，其中本发明的各部分可以位于分布式系统中的不同节点上。在本发明的一个实施例中，节点对应于有区别的计算装置。备选地，节点可对应于具有关联物理存储器的计算机处理器。节点备选地可对应于具有共享存储器和/或资源的计算机处理器或者计算机处理器的微内核。
虽然图1示出了组件的配置，但是可以使用其它配置而没有偏离本发明的范围。例如，可以结合各个组件来创建单个组件。作为另一个示例，由单个组件执行的功能性可以由两个或者多个组件来执行。
图2示出按照本发明的一个或多个实施例的感测区200的部分的示例图。在本发明的一个或多个实施例中，感测区具有发射器轴202和接收器轴204。发射器轴202具有一组发射器电极，该组发射器电极包括发送发射器信号的功能性。接收器轴包括一组接收器电极，该组接收器电极包括接收所产生信号的功能性。发射器电极和接收器电极是传感器电极。对于跨电容性感测，当发射器电极或者在发射器轴上的传感器电极发送发射器信号时，由接收器电极或者接收器轴上的第二组传感器电极来接收所产生的信号。从所产生信号获得的测量可以被称为电容性传感器数据。使用的测量可以是原始的测量或者预处理的测量。在一个或多个实施例中，通过使用各发射器电极执行跨电容性感测获得的电容性传感器数据可以形成二维电容性图像。在二维电容性图像中，在发射器电极和接收器电极之间的各交叉点具有对应的值。换言之，术语跨电容性图像的使用指的是一组测量，由此各交叉点具有测量值。图像可以或者可以不按照图的形式，由此测量值被彩色或者灰度编码或者以其它方式是可显示的。
继续图2，一个或多个实施例可以包括执行混合感测的功能性。换言之，图1中所示的输入装置可以包括从感测区获得一个或多个剖面的功能性。剖面是来自沿感测区的特定轴的感测区的一组单维度值。例如，接收器轴绝对电容剖面是沿感测区200的接收器轴204获得的剖面。值得注意的是，接收器轴绝对电容剖面不参考在剖面的获取期间作为接收器的传感器电极的功能，而是参考在相应互电容或者有源笔感测中的传感器电极的功能。也就是说，接收器轴绝对电容剖面指的是沿传感器电极获取的剖面，其在跨电容性感测期间，传感器电极在接收器轴上。相反地，发射器轴绝对电容剖面指的是沿传感器电极获取的剖面，其在跨电容性感测期间，传感器电极在发射器轴上。因此，在接收器轴剖面或者发射器轴剖面中的值的集合是单维度的并且包括发射器轴202和接收器轴204上的、图2中所示的每个影线记号的单个原始测量值，而不是感测区域的二维电容性图像。
此外，接收器轴投影是跨电容性图像在接收器轴上的投影。发射器轴投影是跨电容性图像在发射器轴上的投影。使用图2的示例，接收器轴投影针对每列可以具有单个值，该值是跨电容性图像中在该列中的值的总和。发射器轴投影针对每行可以具有单个值，该值是跨电容性图像中在该行中的值的总和。
如上所述的，图2仅是示例。电极的尺寸、形状、数量和配置可以不同于图2中所示的示例而没有偏离本发明的范围。特殊地，虽然图2示出了按照网格图案配置的电极，但是电极可以按照不同图案来布置。此外，权利要求中针对传感器电极的术语“第一”和“第二”的使用可以指接收器轴和/或发射器轴，除非特定声明。
图3-图7示出了按照本发明的一个或多个实施例的流程图。尽管在这些流程图中的各个步骤顺序地出现和描述，但是本领域技术人员将理解的是，可以按照不同顺序执行步骤的一些或者全部，可以结合或者省略步骤的一些或者全部，以及可以并行地执行步骤的一些或者全部。此外，可以主动地或者被动地执行步骤。例如，一些步骤可以按照本发明的一个或多个实施例使用轮询或者中断驱动来执行。举例来说，按照本发明的一个或多个实施例，确定步骤可以不需要处理器来处理指令除非接收到表示条件存在的中断。作为另一个示例，按照本发明的一个或多个实施例，确定步骤可以通过执行测试来执行，诸如检查数据值来测试该值是否与测试的条件一致。
图3示出了按照本发明的一个或多个实施例的用于电容性感测的流程图。在步骤301中，按照本发明的一个或多个实施例，通过使用沿着发射器轴的发射器电极来发送发射器信号以及使用沿着接收器轴的接收器电极来接收所产生信号来获取跨电容性图像。接收所产生信号的传感器电极可以同时地接收所产生信号。此外，多个发射器电极可以使用一个或多个编码方案或者其它此类技术来同时地发送发射器信号。
在本发明的一个或多个实施例中，所产生的信号包括发射器信号、感测区中的任何输入对象和任何噪声(诸如热噪声和共模噪声)的影响。换言之，所产生的信号的测量受感测区中输入对象、发送的发射器信号的值和感测区中的任何噪声影响。可以处理所产生信号来获得电容性传感器数据。例如，可以获取来自所产生信号的测量来生成跨电容性图像。时间的和/或空间的滤波器可以应用于跨电容性图像。相似地，在进行之前可以从电容性传感器数据中减去基线。备选地，可以在以如下所述的方式减轻了跨电容性图像中的噪声的影响之后执行上述预处理。
继续图3，在步骤303中，针对感测区获取接收器轴绝对电容性剖面。例如，使用绝对电容感测可以获得接收器轴剖面。换言之，采用感测信号可以驱动沿着接收器轴的传感器电极，以及从沿着接收器轴的相同传感器电极来获取测量。沿着接收器轴的测量的组合形成接收器轴绝对电容性剖面。
相似地，在步骤305中，针对感测区获取发射器轴绝对电容性剖面。特别地，使用绝对电容感测可以获得发射器轴剖面。换言之，采用感测信号可以驱动沿着发射器轴的传感器电极，以及从沿着发射器轴的相同传感器电极来获取测量。沿着发射器轴的测量的组合形成发射器轴绝对电容性剖面。
一个或多个实施例可以对接收器轴绝对电容性剖面和发射器轴绝对电容性剖面执行预处理。例如，可以执行预处理来考虑基线、去除其它噪声源、应用时间的和/或空间的滤波器以及执行其它处理。
尽管按照特定顺序讨论了步骤301-305，但是如上所述，可以按照并行和/或按照不同顺序执行以上步骤。例如，同时地或者在执行跨电容性感测的同时，可以在发射器和/或接收器轴上进行绝对电容性感测。通过另一个示例，执行绝对电容性感测可以在执行跨电容性感测之前。可以存在其它变化而没有偏离本发明的内容。
在步骤307中，按照本发明的一个或多个实施例，使用接收器轴绝对电容性剖面和跨电容性图像来创建共模噪声的第一估计。在一个或多个实施例中，共模噪声的第一估计是跨电容性图像中噪声的初始估计。换言之，使用在跨电容性图像中的测量与剖面中的测量之间的关系，可以生成共模噪声的第一估计。
在步骤309中，使用共模噪声的第一估计在跨电容性图像中确定缺少输入对象的位置。缺少输入对象的位置是感测区中缺少输入对象的影响的位置。特别地，缺少输入对象的位置并不对应于输入对象的可能位置，不具有耦合噪声(由输入对象引起的)的输入对象，不具有由低基质和输入对象引起的影响(例如，负向区域，其不具有输入对象并且由于低基质而不对应于在两个对角线放置的输入对象的存在)和/或不具有因感测区中任何输入对象引起的其它影响。如上所述，跨电容性图像中共模噪声的第一估计可以是共模噪声的粗略估计并且可以用于识别具有感测区中输入对象的影响的可能位置。特别地，从跨电容性图像中的每个测量值中减去共模噪声的粗略估计以创建修正的跨电容性图像。在修正的跨电容性图像中，具有(一个或多个)输入对象的影响的可能的(一个或多个)位置可以具有提高的测量值的绝对值。换言之，提高的测量值是各具有大于检测阈值的绝对值的测量值。缺少提高的测量值的位置可对应于不具有输入对象的区域。因此，通过忽视具有可能的输入对象的位置，可以确定剩余位置缺少输入对象。
在步骤311中，使用位置和跨电容性图像来创建跨电容性图像中共模噪声的第二估计。第二估计可以假设为跨电容性图像中的实际噪声。换言之，尽管第一估计是粗略估计，但是第二估计可以呈现极小的误差。基于缺少输入对象的位置可以执行第二估计的创建，该位置被假设仅具有噪声以及发射器信号的已知影响。因此，缺少输入对象的位置提供了共模噪声的估计。在一些实施例中，利用特别小的输入对象(诸如触摸笔尖)，可以从缺少输入对象的位置和跨电容性图像中直接确定共模噪声的第二估计。在其它实施例中，使用绝对电容性剖面。此外，对于整个跨电容性图像和/或对于跨电容性图像的部分(该部分对应于输入对象的可能位置)可以重新计算第二估计。
在步骤313中，按照本发明的一个或多个实施例使用共模噪声的第二估计来确定输入对象的位置信息。特别地，类似于第一估计，可以针对第二估计调整原始的、潜在地预处理的跨电容性图像。例如，可以从跨电容性图像中减去第二估计。在本发明的一个或多个实施例中，第二估计包括跨电容性图像中每个像素的值。因此，通过识别像素和从跨电容性图像中对应的像素中减去第二估计中的值可以执行从跨电容性图像中减去第二估计，从而获得修正的图像。例如，处理修正的跨电容性图像可以通过以下步骤来执行：使用分割来识别修正的电容性图像中的聚类，对每个聚类执行峰值检测，基于聚类的尺寸和其它属性来过滤错误的输入对象(例如，手掌或者其它大的输入对象)以及执行其它处理。在一个或多个实施例中，对于每个聚类，输入对象的位置可以对应于聚类中的峰值。因此，可以添加位置作为位置信息的部分。附加信息(诸如，聚类的尺寸和在该位置处跨电容性图像的值)可以被添加到位置信息。来自一个或两个剖面的信息可以用来识别输入对象与表面感测区的距离。
在步骤315中，按照本发明的一个或多个实施例来处理位置信息。例如，输入装置可以向主机装置报告位置信息。如果主机装置执行处理系统的全部或部分，那么处理系统可以向主机操作系统报告位置信息，或者主机操作系统可以向应用程序报告位置信息。处理位置信息可以包括基于位置信息执行动作。例如，主机装置可以改变用户界面的显示器的状态、改变主机装置的状态或者执行另一个动作。
回到图4，图4示出了按照本发明的一个或多个实施例的用于创建共模噪声的第一估计的流程图。特别地，可以执行图4的步骤来执行图3的步骤307(如上所述)。在图4的步骤401中，按照本发明的一个或多个实施例来创建跨电容性图像的接收器轴投影。通过单独地以及针对沿着接收器轴的每个传感器电极的方式，对沿着接收器轴传感器电极的像素的测量值进行求和来创建接收器轴投影。因此，结果是针对沿着接收器轴的每个传感器电极的单个值。通过诸如在具有每个传感器电极的值的阵列中进行组合的方式，产生的值形成了接收器轴投影。按照本发明的一个或多个实施例可以执行其它操作来创建接收器轴投影。
相似地，在步骤403中，按照本发明的一个或多个实施例来创建跨电容性图像的发射器轴投影。通过单独地以及针对沿着发射器轴的每个传感器电极的方式，对沿着发射器轴传感器电极的像素的测量值进行求和来创建发射器轴投影。因此，结果是针对沿着发射器轴的每个传感器电极的单个值。通过组合的方式，测量产生值形成发射器轴投影。按照本发明的一个或多个实施例可以执行其它操作来创建发射器轴投影。
在步骤405中，使用接收器轴投影、发射器轴投影、接收器轴绝对电容性剖面和发射器轴绝对电容性剖面来确定共模噪声的第一估计。在一些实施例中，确定基质参数并且将其用来创建共模噪声的第一估计。基质参数是估计电容性输入装置电性接地程度的值。例如，接地可以通过用户或导电表面。在其它实施例中，诸如当用户在平板上具有电容性输入装置时，输入装置可以不充分地接地。输入装置的接地程度可以在测量的不同的和邻近的帧之间变化。换言之，对于第一感测帧，输入装置可以处于高基质环境中，然而对于随后的帧，输入装置是低基质环境。因此，基质参数可以在感测帧之间变化，以及可以针对每个感测帧被确定。在本发明的一个或多个实施例中可以直接或者间接被确定。
在一些实施例中，通过将基质参数设置为常数可以执行确定基质参数。在这样的实施例中，当输入装置处于与其它接地状态相对的接地状态(通过常数基质参数来反映)中时，一个或多个实施例可以显示更高程度的准确度。
在其它实施例中，可以计算基质参数。例如，使用图5的流程图可以执行基质参数的计算。继续图4，在一些实施例中，不是直接计算基质参数并且然后使用基质参数，可将用于确定共模噪声的第一估计的方程处理为使得基质参数不被显性地计算出来，而是使用计算来形成用于确定共模噪声的第一估计的等式。
继续图4的步骤405，可以基于发射器轴投影和发射器轴绝对电容剖面之间的关系来执行确定共模噪声的第一估计。特别地，发射器轴投影的形状应该匹配发射器轴绝对电容剖面的形状。一个或多个实施例最小化了发射器轴投影形状和发射器轴绝对电容剖面形状之间的标准误差，同时考虑了共模噪声。换言之，一个或多个实施例生成了共模噪声的值，其最小化了发射器轴投影形状和发射器轴绝对电容剖面形状之间的标准误差。在一些实施例中，整个发射器轴绝对电容剖面和发射器轴投影用来确定共模噪声的第一估计。在其它实施例中，仅部分的发射器轴绝对电容剖面和发射器轴投影的对应部分用来确定共模噪声的第一估计。
图5示出了按照本发明的一个或多个实施例的用于使用基质参数确定共模噪声的第一估计的流程图。在步骤501中，按照本发明的一个或多个实施例来确定基质参数，该基质参数将接收器轴投影关联于接收器轴绝对电容剖面。在一个或多个实施例中，可以如下执行确定基质参数。接收器轴投影的形状应该匹配接收器轴绝对电容剖面的形状。接收器轴形状匹配的程度取决于基质参数。因此，一个或多个实施例生成共模噪声的值，其最小化了接收器轴投影形状和接收器轴绝对电容剖面形状之间的标准误差。
在步骤503中，使用基质参数、发射器轴投影和发射器轴绝对电容剖面来估计跨电容性图像的共模噪声的第一估计。参考图4的步骤405，可以如上所述的方式执行估计共模噪声的第一估计。
在一个或多个实施例中，如上所述的基质参数是关于接收器轴的。可以计算发射器轴基质参数。例如，参考步骤501，可以使用如上所述的相同或相似步骤计算发射器轴的基质参数，但是这针对发射器轴而不是接收器轴。通过另一个示例，通过执行校准步骤可以计算发射器轴基质参数以确定常数值，该常数值将发射器轴基质参数关联于接收器轴基质参数。在执行校准之后，通过将接收器轴基质参数乘以常数值，可以计算发射器轴基质参数。在步骤503中，发射器轴基质参数可以用来确定共模噪声的第一估计。
图6示出了按照本发明的一个或多个实施例的用于识别缺少输入对象的位置的流程图。在步骤601中，使用共模噪声的第一估计更新跨电容性图像以考虑共模噪声。参考图3的步骤309，可以如上所述的方式执行更新跨电容性图像。
在图6的步骤603中，从更新的图像中确定输入对象检测阈值。输入对象检测阈值是更新的图像中的像素的最小值，通过该值输入对象被确定为在像素的位置处。换言之，满足输入对象检测阈值的像素的绝对值大于确定的噪声。在一个或多个实施例中，输入对象检测阈值在整个图像中是相同的。在本发明的一个或多个实施例中，可以如下执行确定输入对象检测阈值。计算共模噪声的第一估计中的全体像素的共模噪声的方差。可以计算热噪声的方差。热噪声可以是预定值或者计算的值，并且反映由于输入装置的热状态引起的噪声。共模噪声的方差可以被添加到热噪声的方差来生成总噪声的方差。在本发明的一个或多个实施例中，总噪声的方差的平方根可以乘以常数来生成输入对象检测阈值。按照方程的形式，以上描述是输入对象检测阈值＝(常数)*(平方根(热噪声方差+共模噪声方差))。仅通过举例来说的目的，常数可以是诸如4的值。可以使用常数的其它值而没有偏离本发明的范围。
在步骤605中，按照本发明的一个或多个实施例从更新的图像中确定满足输入对象检测阈值的可能的输入对象的位置。在本发明的一个或多个实施例中，更新图像中的每个像素的绝对值与输入对象检测阈值比较。如果像素的绝对值大于输入对象检测阈值，那么像素可以确定为可能的输入对象位置。
在步骤607中，缺少输入对象的位置被选择为不包括每个可能的输入对象位置的区域。换言之，如果像素的绝对值不大于或者在一些实施例中等于输入对象检测阈值，那么像素可以确定为缺少输入对象的位置。像素可以被标记为缺少输入对象的位置。在一个或多个实施例中，可以使用多个阈值而不是单个阈值。例如，对于可能的输入对象位置可以存在第一阈值而对于缺少输入对象的位置可以存在第二阈值。一个或多个实施例可以选择具有位置的严格子集的区域而不是选择全部位置。
可以如下执行选择区域。在一个或多个实施例中，选择发射器轴上的传感器电极。作出沿着传感器电极的像素是否具有阈值数量的对应于缺少输入对象的位置的像素的确定。例如，对于传感器电极，可以作出沿着传感器电极的多于阈值数量的像素在更新图像中是否具有小于输入对象检测阈值的值的确定。举例来说阈值数量，阈值数量可以是7。可以使用其它阈值数量而没有偏离本发明的范围。如果传感器电极具有多于阈值数量的对应于缺少输入对象的位置的像素，那么传感器电极可以被标记为对应于缺少输入对象的区域。值得注意的是，在一个或多个实施例中，如果阈值数量大于零，那么在区域中可能存在输入对象。在一个或多个实施例中，选择作为区域的传感器电极对应于沿着发射器轴的发射器电极。
在本发明的一个或多个实施例中，仅单个区域被选择作为对应于缺少输入对象的区域。例如，可以选择仅单个传感器电极。在其它实施例中，可以选择多个区域。例如，可以选择满足阈值数量的每个区域。以另一个示例为例，可以选择限定数量的区域。例如，限定数量可以是满足阈值数量的可能区域的百分之五十。选择的区域的数量可以影响跨电容性图像中共模噪声的第二估计中的准确程度以及生成第二估计的时间。
图7示出了按照本发明的一个或多个实施例的、用于使用选择区域来生成跨电容性图像中共模噪声的第二估计的流程图。特别地，图7示出了由此区域对应于发射器电极的流程图。在步骤701中，使用沿着选择的发射器电极的每个像素确定噪声值。在本发明的一个或多个实施例中，选择的发射器电极对应于图6的步骤607中的所选择的缺少输入对象的区域。噪声值是使用了原始跨电容性图像中像素的值的总计值。换言之，因为发射器轴上的像素缺少输入对象，所以像素的值可以假设为噪声。在一个或多个实施例中，总计值是沿着选择的发射器电极的像素的平均值。可以使用其它总计方式而没有偏离本发明的范围。
在步骤703中，按照本发明的一个或多个实施例使用噪声值针对发射器轴绝对电容性剖面确定共模噪声的估计。换言之，当参考图4的步骤405求解以上所述的方程时，噪声值可以设置为噪声的常数值。利用从更新的图像中确定的、关于输入对象的可能位置的附加信息，当将发射器轴绝对电容性剖面的形状与发射器轴投影匹配时，一个或多个实施例提供了共模噪声的更加准确的估计。在一个或多个实施例中，基质参数可以被认为与以上使用接收器轴投影和接收器轴绝对电容性剖面计算的相同。通过最小化发射器轴绝对电容性剖面与发射器轴投影之间的标准平方误差，同时使基质参数和噪声值为常数，可以执行估计共模噪声。
在步骤705中，针对发射器轴绝对电容性剖面，从共模噪声的估计中确定共模噪声的第二估计。如上所述针对共模噪声的第一估计的确定可以执行共模噪声的第二估计的确定。然而，如上所述，使用输入对象的可能位置是已知的事实，可以知道位置的噪声值。因此，第二估计比第一估计更加准确。
确定共模噪声的第二估计可以执行如下。针对缺少输入对象的一个或多个区域可以确定共模噪声的第二估计。此外，可以结合发射器轴绝对电容剖面或者其子集和发射器轴投影或者其子集以及基质参数来使用关于区域或者其子集的共模噪声的第二估计，从而估计发射器轴绝对电容剖面的共模噪声的最终版本。通过在发射器轴绝对电容剖面与发射器轴投影之间作形状匹配和使发射器轴绝对电容剖面与发射器轴投影之间的误差最小化的方式可以执行估计。然后结合发射器轴投影和发射器轴绝对电容剖面以及基质参数来使用最终估计，从而再次估计针对区域(该区域没有计算第二估计)或者整个图像的跨电容性图像中的共模噪声。
尽管在图7中没有示出，但是使用跨电容性图像的共模噪声的第二估计可以确定接收器轴的共模噪声的估计。特别地，使用以上所述的用于使用第一估计来生成更新的图像的相同技术，可使用共模噪声的第二估计生成更新的跨电容性图像。从更新的图像中可以确定接收器轴投影。接收器轴剖面的共模噪声的估计可以通过以下步骤来确定：比较接收器轴投影或者其子集的形状与接收器轴绝对电容性剖面或者其子集的形状，以及最小化投影和剖面或者投影和剖面的子集之间的平方误差，通过选择接收器轴剖面的噪声的适当值。接收器轴剖面的共模噪声的估计可以用来更新接收器轴剖面。使用更新的接收器轴剖面和更新的发射器轴剖面，可以确定位置信息。例如，位置信息可以是输入对象到感测区的距离或者其它位置信息。
尽管图7示出了针对发射器轴绝对电容剖面来确定共模噪声的估计，但是在一些实施例中，可以省略步骤703。例如，如果跨电容性图像中仅有的输入对象的可能的位置是小区域的，诸如触摸笔，那么剩余区域的噪声信息可以用来确定对应于触摸笔的位置的噪声。
尽管以上没有讨论，但是在本发明的一个或多个实施例中，跨电容性图像中缺少输入对象的位置可以映射到发射器轴绝对电容剖面和/或接收器轴绝对电容性剖面。在这样的实施例中，缺少输入对象的发射器轴绝对电容剖面和/或接收器轴绝对电容性剖面仅有一部分用来生成对应剖面的共模噪声的估计。
图8示出了按照本发明的一个或多个实施例的具有输入对象的感测区的示例图表组。在图表中，纵轴代表测量值，而其余的轴对应于发射器轴和接收器轴。纵轴上具有较大值的位置可对应于输入对象。特别地，初始图表802是跨电容性图像的图表，其中出现了共模噪声以及反映在跨电容性图像的测量值中。如通过变化的量所示，基于变化性的程度，自动处理跨电容性图像以便获得位置信息并且不对噪声作调整可能是有挑战性的。
第一估计图表804示出了在针对共模噪声的第一估计更新跨电容性图像之后的跨电容性图像的图表。如在第一估计图表中所示，考虑共模噪声的第一估计的更新的图像可能由于噪声而具有某种变化，但是比初始图表802更加光滑。
第二估计图表806示出了在针对共模噪声的第二估计更新跨电容性图像之后的跨电容性图像的图表。按照本发明的一个或多个实施例，如在第二估计图表中所示，考虑共模噪声的第二估计的更新的图像比第一估计图表804更加光滑并且提供了对具有输入对象的感测区的更加准确的描绘。
图9.1和图9.2示出了按照本发明的一个或多个实施例的另一个示例。在图9.1和图9.2所示的示例中，笔和30mm的芯出现在感测区中。图9.1示出了按照本发明的一个或多个实施例的接收器轴绝对电容性剖面的接收器轴图表902和发射器轴绝对电容性剖面的发射器轴图表904。在示出的图表中，点线示出了没有调整共模噪声的剖面，实线示出了调整共模噪声的剖面。
图9.2示出了按照本发明的一个或多个实施例的跨电容性图像的图表。特别地，图9.2示出了原始跨电容性图像的图表906和按照本发明的一个或多个实施例的调整共模噪声的更新的图像的图表908。如图9.2中所示，虽然原始跨电容性图像具有太多共模噪声来示出笔，但是在更新的跨电容性图像中减少了共模噪声，使得笔位置910具有升高的值。
因此，本文阐述的实施例和示例的呈现是为了最好地解释本发明和其特定应用，以及由此使得本领域技术人员能够实施和使用本发明。然而，本领域技术人员将认识到，上述描述和示例仅为了说明和示例的目的而呈现。本文阐述的描述不是意在穷举或者将本发明限制于所公开的精确形式。
尽管已经针对有限数量的实施例来描述本发明，但是得益于该公开的本领域技术人员将理解的是，可以设计出没有偏离如本文公开的本发明的范围的其它实施例。相应地，本发明的范围应该仅通过所附权利要求来限制。

Claims (20)

1.一种配置成用于电容性感测的处理系统，所述处理系统包括：
具有以下功能性的传感器电路：
获取第一多个传感器电极的第一绝对电容性剖面；以及
使用所述第一多个传感器电极获取跨电容性图像；
其中所述处理系统配置成：
使用所述第一绝对电容性剖面和所述跨电容性图像来创建共模噪声的第一估计；
使用所述共模噪声的第一估计来确定所述跨电容性图像中缺少输入对象的位置；
基于所述位置和所述跨电容性图像来创建共模噪声的第二估计；
使用所述共模噪声的第二估计来确定所述输入对象的位置信息；以及
处理所述位置信息。
2.如权利要求1所述的处理系统，其中所述第一多个传感器电极是接收器电极，以及其中获取所述跨电容性图像包括使用第二多个传感器电极发送发射器信号以及使用所述第一多个接收器电极接收所产生信号，其中所述所产生信号包括所述发射器信号的影响。
3.如权利要求1所述的处理系统，其中所述处理系统进一步配置成：
获取第二多个传感器电极的第二绝对电容性剖面，
其中创建所述共模噪声的第一估计包括：
沿第一轴创建所述跨电容性图像的第一投影，所述第一轴对应于所述第一多个传感器电极；
沿第二轴创建所述跨电容性图像的第二投影，所述第二轴对应于所述第二多个传感器电极；以及
使用所述第一投影、所述第二投影、所述第一绝对电容性剖面和所述第二绝对电容性剖面来确定所述共模噪声的第一估计。
4.如权利要求3所述的处理系统，其中确定所述共模噪声的第一估计包括：
确定基质参数，所述基质参数将所述第一投影与所述第一绝对电容性剖面关联，其中所述基质参数识别具有所述输入对象的感测区的接地状态，以及
使用所述基质参数、所述第二投影和所述第二绝对电容性剖面来估计所述共模噪声的第一估计。
5.如权利要求1所述的处理系统，其中所述处理系统进一步配置成：
获取第二多个传感器电极的第二绝对电容性剖面，所述第二多个传感器电极对应于发射器轴，所述发射器轴包括用于生成所述跨电容性图像的多个发射器电极，以及
创建所述第二绝对电容性剖面的共模噪声的第三估计，
其中使用所述共模噪声的第三估计来创建所述共模噪声的第一估计。
6.如权利要求5所述的处理系统，其中确定所述跨电容性图像中缺少所述输入对象的所述位置包括：
使用所述共模噪声的第一估计来更新所述跨电容性图像以考虑共模噪声；
从所述更新的跨电容性图像确定输入对象检测阈值；
从所述更新的跨电容性图像确定满足所述输入对象检测阈值的每个可能的输入对象位置；以及
将所述更新的跨电容性图像中不包含每个可能的输入对象的区域选择为缺少所述输入对象的所述位置。
7.如权利要求1所述的处理系统，其中基于所述位置和所述跨电容性图像来创建所述共模噪声的第二估计包括：
使用沿着多个发射器电极的一个发射器电极的每个像素来确定所述发射器电极的噪声值，其中所述发射器电极对应于缺少所述输入对象的所述位置；
使用所述噪声值确定发射器轴绝对电容性剖面的共模噪声的第三估计；以及
从所述发射器轴绝对电容性剖面的所述共模噪声的第三估计中确定所述共模噪声的第二估计。
8.如权利要求7所述的处理系统，其中所述处理系统进一步配置成：
生成所述第一绝对电容性剖面的共模噪声的第四估计。
9.如权利要求1所述的处理系统，其中处理所述位置信息包括执行从以下组成的组中选择的至少一个：报告所述位置信息和根据所述位置信息改变主机装置的状态。
10.一种用于电容性感测的输入装置包括：
用于从发射器电极接收所产生信号的第一多个传感器电极；以及
处理系统，配置成：
获取所述第一多个传感器电极的第一绝对电容性剖面；
使用所述第一多个传感器电极来获取跨电容性图像；
使用所述第一绝对电容性剖面和所述跨电容性图像来创建共模噪声的第一估计；
使用所述共模噪声的第一估计确定所述跨电容性图像中缺少输入对象的位置；
基于所述位置和所述跨电容性图像创建共模噪声的第二估计；
使用所述共模噪声的第二估计确定所述输入对象的位置信息；以及
处理所述位置信息。
11.如权利要求10所述的输入装置，其中所述处理系统进一步包括以下功能性：
获取第二多个传感器电极的第二绝对电容性剖面，
其中创建所述共模噪声的第一估计包括：
沿第一轴创建所述跨电容性图像的第一投影，所述第一轴对应于所述第一多个传感器电极，
沿第二轴创建所述跨电容性图像的第二投影，所述第二轴对应于所述第二多个传感器电极，以及
使用所述第一投影、所述第二投影、所述第一绝对电容性剖面和所述第二绝对电容性剖面来确定所述共模噪声的第一估计。
12.一种用于减轻共模噪声的方法，所述方法包括：
获取第一多个传感器电极的第一绝对电容性剖面；
使用所述第一多个传感器电极获取跨电容性图像；
使用所述第一绝对电容性剖面和所述跨电容性图像创建共模噪声的第一估计；
使用所述共模噪声的第一估计确定所述跨电容性图像中缺少输入对象的位置；
基于所述位置和所述跨电容性图像创建共模噪声的第二估计；
使用所述共模噪声的第二估计确定所述输入对象的位置信息；以及
处理所述位置信息。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一多个传感器电极是接收器电极，以及其中获取所述跨电容性图像包括使用第二多个传感器电极发送发射器信号以及使用所述第一多个接收器电极接收所产生信号，其中所述所产生信号包括所述发射器信号的影响。
14.如权利要求12所述的方法，还包括：
获取第二多个传感器电极的第二绝对电容性剖面，
其中创建所述共模噪声的第一估计包括：
沿第一轴创建所述跨电容性图像的第一投影，所述第一轴对应于所述第一多个传感器电极,
沿第二轴创建所述跨电容性图像的第二投影，所述第二轴对应于所述第二多个传感器电极,以及
使用所述第一投影、所述第二投影、所述第一绝对电容性剖面和所述第二绝对电容性剖面来确定所述共模噪声的第一估计。
15.如权利要求14所述的方法，其中确定所述共模噪声的第一估计包括：
确定基质参数，所述基质参数将所述第一投影与所述第一绝对电容性剖面关联，其中所述基质参数识别具有所述输入对象的感测区的接地状态，以及
使用所述基质参数、所述第二投影和所述第二绝对电容性剖面来估计所述共模噪声的第一估计。
16.如权利要求12所述的方法，进一步包括：
获取第二多个传感器电极的第二绝对电容性剖面，所述第二多个传感器电极对应于发射器轴，所述发射器轴包括用于生成所述跨电容性图像的多个发射器电极；以及
创建所述第二绝对电容性剖面的共模噪声的第三估计，
其中使用所述共模噪声的第三估计来创建所述共模噪声的第一估计。
17.如权利要求16所述的方法，其中确定所述跨电容性图像中缺少所述输入对象的所述位置包括：
使用所述共模噪声的第一估计来更新所述跨电容性图像以考虑共模噪声；
从所述更新的跨电容性图像确定输入对象检测阈值；
从所述更新的跨电容性图像中确定满足所述输入对象检测阈值的每个可能的输入对象位置；以及
将所述更新的跨电容性图像中不包含每个可能的输入对象的区域选择为缺少所述输入对象的所述位置。
18.如权利要求12所述的方法，其中基于所述位置和所述跨电容性图像来创建所述共模噪声的第二估计包括：
对于沿着对应于缺少所述输入对象的所述位置的多个发射器电极的一个发射器电极的每个像素，确定所述传感器电极的噪声值；
使用所述噪声值确定发射器轴绝对电容性剖面的共模噪声的第三估计；以及
从所述发射器轴绝对电容性剖面中确定所述共模噪声的第二估计。
19.如权利要求18所述的方法，进一步包括：
生成所述第一绝对电容性剖面的共模噪声的第四估计。
20.如权利要求12所述的方法，其中处理所述位置信息包括执行从以下组成的组中选择的至少一个：报告所述位置信息和根据所述位置信息改变主机装置的状态。
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