CN108447850A - 一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜残留应力测试结构，包括：并列设于衬底上的两个第一支撑柱；悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构；两段第一被测薄膜，分别悬空设于第一环形圈两侧，每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈上；如第一被测薄膜因残留应力较大而发生翘曲时，会拉动其连接的第一环形指针结构，使之变形，并引起第一环形指针结构发生平移，因而会在第一环形指针结构上设置的位移测量结构上引起量化的变化，从而可以对第一被测薄膜的残留应力进行量化评估。本发明还公开了一种薄膜残留应力测试结构的制作方法。

Description

一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法。

背景技术

薄膜残留应力的存在在CMOS以及MEMS工艺中有着非常大的副作用，如不加以控制的话，就会造成硅片严重翘曲和碎片的风险。而对薄膜残留应力的控制，首先就是要测试和监控薄膜的残留应力。这时，就需要采用适当的薄膜残留应力测试结构。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种薄膜残留应力测试结构及其制作方法。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种薄膜残留应力测试结构，所述测试结构建立在衬底上，至少包括：

并列设于衬底上的两个第一支撑柱；

悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构，所述第一环形指针结构包括一个水平的第一环形圈及一个一端连接第一环形圈且垂直于两个第一支撑柱连线设置的水平第一悬臂，所述第一悬臂上具有位移测量结构；

两段第一被测薄膜，分别悬空设于第一环形圈两侧，每个所述第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈上。

优选地，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第一悬臂外部标杆上的原点标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第一悬臂外部标杆上的刻度标记。

优选地，所述刻度标记为刻度坐标或刻度尺。

优选地，还包括：

并列设于衬底上的两个第二支撑柱；

悬空设于两个第二支撑柱之间的一个第二环形指针结构，所述第二环形指针结构包括一个水平的第二环形圈及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线设置的水平第二悬臂；

两段第二被测薄膜，分别悬空设于第二环形圈两侧，每个所述第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈上；

所述第一悬臂、第二悬臂平行相向交错设置，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第二悬臂上的原点标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第二悬臂上的刻度标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第二悬臂上的另一刻度标记。

优选地，还包括：

并列设于衬底上的两个第二支撑柱；

悬空设于两个第二支撑柱之间的一个第二环形指针结构，所述第二环形指针结构包括一个水平的第二环形圈及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线设置的水平第二悬臂；

两段第二被测薄膜，分别悬空设于第二环形圈两侧，每个所述第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈上；

所述第一悬臂、第二悬臂平行相向交错设置，所述位移测量结构包括一个与第一悬臂、第二悬臂的端部同时连接的第三悬臂，以所述第三悬臂的一自由端的端点作为原点标记，并在该端点外侧设置的标杆上对应垂直设有刻度标记。

优选地，所述刻度标记为刻度坐标或刻度尺。

优选地，所述第一被测薄膜、第二被测薄膜为单层或叠层结构。

一种上述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔，以及在对应第一悬臂外部的原点标记或刻度标记位置形成标杆孔；

对所述第一支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，以及在标杆孔中形成标杆；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构，以及在标杆上形成原点标记或刻度标记；

去除所述牺牲层。

一种上述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔；

对所述第一支撑孔和第二支撑孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，在第二支撑孔中形成第二支撑柱；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜和第二被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜、第二被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构和第二环形指针结构；

去除所述牺牲层。

一种上述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔，以及在对应刻度标记位置形成标杆孔；

对所述第一支撑孔、第二支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，在第二支撑孔中形成第二支撑柱，以及在标杆孔中形成标杆；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜和第二被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜、第二被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构和第二环形指针结构，以及在标杆上形成刻度标记；

去除所述牺牲层。

从上述技术方案可以看出，本发明通过形成悬空设置的薄膜残留应力测试结构，如被测薄膜(第一被测薄膜；或第一被测薄膜和第二被测薄膜)因残留应力较大而发生翘曲时，会拉动其中间连接的环形指针结构(第一环形指针结构；或第一环形指针结构和第二环形指针结构)，使之变形，并引起环形指针结构发生平移，因而在位移测量结构上引起量化的变化(即原点标记与刻度标记之间的相对位移量，或者两个刻度标记之间的相对位移量)，从而可以对被测薄膜的残留应力进行量化评估。

附图说明

图1是本发明第一较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图；

图2是本发明第二较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图；

图3是本发明第三较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图；

图4是本发明第四较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。

在以下本发明的具体实施方式中，请参阅图1，图1是本发明第一较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图。如图1所示，本发明的一种薄膜残留应力测试结构，建立在衬底(图略)上，至少包括：第一支撑柱11、12、第一环形指针结构31和41、第一被测薄膜21、22等组成部分。

第一支撑柱共有两个，两个第一支撑柱11、12并列竖直设于衬底上。

第一环形指针结构31和41为一个，第一环形指针结构31和41悬空设于两个第一支撑柱11、12之间。第一环形指针结构31和41包括一个水平设置的第一环形圈31及一个一端连接第一环形圈且垂直于两个第一支撑柱连线水平设置的第一悬臂41；第一悬臂较佳地位于图示第一环形圈的圆周最低点处。

第一悬臂41上设有位移测量结构；位移测量结构可如图示包括设于第一悬臂41上的刻度标记411，以及对应设于第一悬臂外部的原点标记412；或者，位移测量结构可包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第一悬臂外部的刻度标记。刻度标记可采用刻度坐标或刻度尺形式。对应设于第一悬臂外部的原点标记或者刻度标记可设置在相距第一悬臂的标杆15上。

第一被测薄膜为独立的两段，两段第一被测薄膜21、22分别悬空设于第一环形圈31两侧。其中，每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈的圆周上。第一被测薄膜可以是单层薄膜或叠层薄膜结构。

请参阅图2，图2是本发明第二较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图。如图2所示，本发明的一种薄膜残留应力测试结构，建立在衬底上，至少包括：第一支撑柱11、12和第二支撑柱13、14、第一环形指针结构31和41和第二环形指针结构32和42、第一被测薄膜21、22和第二被测薄膜23、24等组成部分。

第一支撑柱共有两个，两个第一支撑柱11、12并列竖直设于衬底上。

第一环形指针结构为一个，第一环形指针结构31和41悬空设于两个第一支撑柱11、12之间。第一环形指针结构31和41包括一个水平设置的第一环形圈31及一个一端连接第一环形圈且垂直于两个第一支撑柱连线水平设置的第一悬臂41；第一悬臂较佳地位于图示第一环形圈的圆周最低点处。第一悬臂41上设有位移测量结构。

第一被测薄膜为独立的两段，两段第一被测薄膜21、22分别悬空设于第一环形圈31两侧。其中，每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈的圆周上。

与第一实施例不同的是，本实施例的测试结构还包括：第二支撑柱13、14、第二环形指针结构32和42、第二被测薄膜23、24。

第二支撑柱共有两个，两个第二支撑柱13、14并列竖直设于衬底上。

第二环形指针结构为一个，第二环形指针结构32和42悬空设于两个第二支撑柱13、14之间。第二环形指针结构32和42包括一个水平设置的第二环形圈32及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线水平设置的第二悬臂42；第二悬臂较佳地位于图示第一环形圈的圆周最高点处。

第二被测薄膜为独立的两段，两段第二被测薄膜23、24分别悬空设于第二环形圈32两侧。其中，每个第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈的圆周上。第一被测薄膜、第二被测薄膜可以是单层薄膜或叠层薄膜结构。

第一支撑柱和第二支撑柱、第一环形指针结构和第二环形指针结构、第一被测薄膜和第二被测薄膜的材质可一致，并可采用结构一致、反向对称的方式进行排列。

并且，第一悬臂41、第二悬臂42平行相向交错设置。位移测量结构较佳地位于第一悬臂的自由端的侧面；位移测量结构可如图示包括设于第一悬臂41上的刻度标记411，以及对应设于第二悬臂42上的另一刻度标记413。或者，位移测量结构也可包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第二悬臂上的原点标记；或者，位移测量结构还可包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第二悬臂上的刻度标记。刻度标记可采用刻度坐标或刻度尺形式。

请参阅图3，图3是本发明第三较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图。如图3所示，本发明的一种薄膜残留应力测试结构，建立在衬底上，至少包括：第一支撑柱11、12和第二支撑柱13、14、第一环形指针结构31和41和第二环形指针结构32和42、第一被测薄膜21、22和第二被测薄膜等23、24组成部分。

第一支撑柱共有两个，两个第一支撑柱11、12并列竖直设于衬底上。

第一环形指针结构为一个，第一环形指针结构31和41悬空设于两个第一支撑柱11、12之间。第一环形指针结构31和41包括一个水平设置的第一环形圈31及一个一端连接第一环形圈且垂直于两个第一支撑柱连线水平设置的第一悬臂41；第一悬臂较佳地位于图示第一环形圈的圆周最低点处。第一悬臂41上设有位移测量结构。

第一被测薄膜为独立的两段，两段第一被测薄膜21、22分别悬空设于第一环形圈31两侧。其中，每个第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈上。

与第一实施例不同的是，本实施例的测试结构还包括：第二支撑柱13、14、第二环形指针结构32和42、第二被测薄膜23、24。

第二支撑柱共有两个，两个第二支撑柱13、14并列竖直设于衬底上。

第二环形指针结构为一个，第二环形指针结构32和42悬空设于两个第二支撑柱13、14之间。第二环形指针结构32和42包括一个水平设置的第二环形圈32及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线水平设置的第二悬臂42；第二悬臂较佳地位于图示第一环形圈的圆周最高点处。

第二被测薄膜为独立的两段，两段第二被测薄膜23、24分别悬空设于第二环形圈32两侧。其中，每个第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈的圆周上。第一被测薄膜、第二被测薄膜可以是单层薄膜或叠层薄膜结构。

第一支撑柱和第二支撑柱、第一环形指针结构和第二环形指针结构、第一被测薄膜和第二被测薄膜的材质可一致，并可采用结构一致、反向对称的方式进行排列。

并且，第一悬臂41、第二悬臂42平行相向交错设置。位移测量结构较佳地位于第一悬臂41的自由端的端部；位移测量结构可如图示包括一个与第一悬臂、第二悬臂的端部同时连接的第三悬臂43；第三悬臂较佳地与第一悬臂、第二悬臂相垂直连接。以第三悬臂43的一自由端的端点作为原点标记412，并相距该端点外侧对应垂直设有刻度标记411。刻度标记可采用刻度坐标或刻度尺形式。对应设于第三悬臂43外部的刻度标记411可设置在相距第三悬臂的标杆15上。

下面结合附图对本发明上述的薄膜残留应力测试结构的制作方法进行详细说明。

请参阅图1。本发明的一种上述第一实施例的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，首先在衬底上沉积牺牲层。

接着，在牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔；并在对应第一悬臂外部的原点标记或刻度标记位置形成标杆孔。

然后，对第一支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱11、12，以及在标杆孔中形成标杆15。

之后，在牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜图形21、22。

接下来，在牺牲层及第一被测薄膜图形上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构31和41，以及在标杆15上形成原点标记412(或刻度标记)。其中，形成的第一环形指针结构31和41包括第一环形圈31、垂直连接于第一环形圈的第一悬臂41，以及第一悬臂41上的刻度标记411(或原点标记)。

最后，可通过释放工艺去除牺牲层，形成悬空设置在衬底上的测试结构。

请参阅图2。本发明的一种上述第二实施例的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，首先在衬底上沉积牺牲层。

接着，在牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔。

然后，对第一支撑孔和第二支撑孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱11、12，在第二支撑孔中形成第二支撑柱13、14。

之后，在牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜图形21、22和第二被测薄膜图形23、24。

接下来，在牺牲层及第一被测薄膜、第二被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构31和41和第二环形指针结构32和42。其中，形成的第一环形指针结构31和41包括第一环形圈31、垂直连接于第一环形圈的第一悬臂41，以及第一悬臂端部侧面上的刻度标记411；形成的第二环形指针结构32和42包括第二环形圈32、垂直连接于第二环形圈的第二悬臂42，以及第二悬臂端部对应侧面上的另一刻度标记413。

最后，可通过释放工艺去除牺牲层，形成悬空设置在衬底上的测试结构。

请参阅图3。本发明的一种上述第三实施例的薄膜残留应力测试结构的制作方法，包括：

提供一衬底，首先在衬底上沉积牺牲层。

接着，在牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔，以及在对应刻度标记位置形成标杆孔。

然后，对第一支撑孔、第二支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱11、12，在第二支撑孔中形成第二支撑柱13、14，以及在标杆孔中形成标杆15。

之后，在牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜图形21、22和第二被测薄膜图形23、24。

接下来，在牺牲层及第一被测薄膜图形、第二被测薄膜图形上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构31和41和第二环形指针结构32和42，以及在标杆15上形成刻度标记411。其中，形成的第一环形指针结构31和41包括第一环形圈31、垂直连接于第一环形圈的第一悬臂41，以及第一悬臂端部垂直连接的组成位移测量结构的第三悬臂43；形成的第二环形指针结构32和42包括第二环形圈32、垂直连接于第二环形圈的第二悬臂42，第二悬臂端部垂直连接第三悬臂。以第三悬臂43的图示右侧自由端的端面作为位移测量结构的原点标记412设置处。

最后，可通过释放工艺去除牺牲层，形成悬空设置在衬底上的测试结构。

请参阅图4，图4是本发明第四较佳实施例的一种薄膜残留应力测试结构示意图。如图4所示，本发明的一种薄膜残留应力测试结构，可在上述第一至第三较佳实施例基础上，将整个结构设计为一至多个微桥结构。以一个微桥结构为例，在微桥结构5中由至少两个支撑柱(支撑柱11和12，或支撑柱13和14)等结构作为支撑而形成微桥结构5。在微桥结构5的支撑柱(支撑柱11和12，或支撑柱13和14)上设有环形指针结构(第一环形指针结构或第二环形指针结构)3，环形指针结构3包括一个水平的环形圈(第一环形圈31或第二环形圈32)及一个一端连接环形圈且垂直于两个支撑柱连线设置的水平悬臂(第一悬臂41或第二悬臂42)，悬臂上具有位移测量结构。

环形指针结构可采用已知的低应力薄膜制作，其俯视图形可为圆形或其他相关封闭图形。

被测薄膜(被测薄膜21和22，或被测薄膜23和24)2与环形指针结构3的低应力薄膜相连接。其中，环形指针结构的低应力薄膜的长度可以优化，长度较长时，其形变可以引起结构变化导致的有位移测量结构读数增加，但其长度必须控制在整个结构可以支撑且形变不会引起结构坍塌的范围内。

为了上述结构实现方便，还可以在支撑柱与环形指针结构的低应力薄膜、被测薄膜之间添加相关的薄膜，如增加黏附性、支撑作用等功能的薄膜等。

上述结构的制作方法可参照前述第一至第三实施例的薄膜残留应力测试结构的制作方法。

综上，本发明通过形成悬空设置的薄膜残留应力测试结构，当整个结构释放后，如被测薄膜(第一被测薄膜；或第一被测薄膜和第二被测薄膜)因残留应力较大而发生翘曲时，会拉动其中间连接的环形指针结构(第一环形指针结构；或第一环形指针结构和第二环形指针结构)，使之变形，并引起环形指针结构发生平移，因而在位移测量结构上引起量化的变化(即原点标记与刻度标记之间的相对位移量，或者两个刻度标记之间的相对位移量)，从而可以对被测薄膜的残留应力进行量化评估。

以上的仅为本发明的优选实施例，实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜残留应力测试结构，其特征在于，所述测试结构建立在衬底上，至少包括：

并列设于衬底上的两个第一支撑柱；

悬空设于两个第一支撑柱之间的一个第一环形指针结构，所述第一环形指针结构包括一个水平的第一环形圈及一个一端连接第一环形圈且垂直于两个第一支撑柱连线设置的水平第一悬臂，所述第一悬臂上具有位移测量结构；

两段第一被测薄膜，分别悬空设于第一环形圈两侧，每个所述第一被测薄膜的一端连接在对应侧的第一支撑柱上，另一端连接在对应侧的第一环形圈上。

2.根据权利要求1所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第一悬臂外部标杆上的原点标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第一悬臂外部标杆上的刻度标记。

3.根据权利要求2所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，所述刻度标记为刻度坐标或刻度尺。

4.根据权利要求1所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，还包括：

并列设于衬底上的两个第二支撑柱；

悬空设于两个第二支撑柱之间的一个第二环形指针结构，所述第二环形指针结构包括一个水平的第二环形圈及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线设置的水平第二悬臂；

两段第二被测薄膜，分别悬空设于第二环形圈两侧，每个所述第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈上；

所述第一悬臂、第二悬臂平行相向交错设置，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第二悬臂上的原点标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的原点标记，以及对应设于第二悬臂上的刻度标记；或者，所述位移测量结构包括设于第一悬臂上的刻度标记，以及对应设于第二悬臂上的另一刻度标记。

5.根据权利要求1所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，还包括：

并列设于衬底上的两个第二支撑柱；

悬空设于两个第二支撑柱之间的一个第二环形指针结构，所述第二环形指针结构包括一个水平的第二环形圈及一个一端连接第二环形圈且垂直于两个第二支撑柱连线设置的水平第二悬臂；

两段第二被测薄膜，分别悬空设于第二环形圈两侧，每个所述第二被测薄膜的一端连接在对应侧的第二支撑柱上，另一端连接在对应侧的第二环形圈上；

所述第一悬臂、第二悬臂平行相向交错设置，所述位移测量结构包括一个与第一悬臂、第二悬臂的端部同时连接的第三悬臂，以所述第三悬臂的一自由端的端点作为原点标记，并在该端点外侧设置的标杆上对应垂直设有刻度标记。

6.根据权利要求4或5所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，所述刻度标记为刻度坐标或刻度尺。

7.根据权利要求4或5所述的薄膜残留应力测试结构，其特征在于，所述第一被测薄膜、第二被测薄膜为单层或叠层结构。

8.一种权利要求2所述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔，以及在对应第一悬臂外部的原点标记或刻度标记位置形成标杆孔；

对所述第一支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，以及在标杆孔中形成标杆；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构，以及在标杆上形成原点标记或刻度标记；

去除所述牺牲层。

9.一种权利要求4所述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔；

对所述第一支撑孔和第二支撑孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，在第二支撑孔中形成第二支撑柱；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜和第二被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜、第二被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构和第二环形指针结构；

去除所述牺牲层。

10.一种权利要求5所述的薄膜残留应力测试结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，在所述衬底上沉积牺牲层；

在所述牺牲层中刻蚀形成两个并列的第一支撑孔和两个并列的第二支撑孔，以及在对应刻度标记位置形成标杆孔；

对所述第一支撑孔、第二支撑孔和标杆孔进行材料填充，以在第一支撑孔中形成第一支撑柱，在第二支撑孔中形成第二支撑柱，以及在标杆孔中形成标杆；

在所述牺牲层上沉积第一被测薄膜材料，并图形化，形成第一被测薄膜和第二被测薄膜；

在所述牺牲层及第一被测薄膜、第二被测薄膜上沉积第一环形指针结构材料，并图形化，形成第一环形指针结构和第二环形指针结构，以及在标杆上形成刻度标记；

去除所述牺牲层。