CN108445650B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。所述显示面板包括:相对设置的阵列基板和彩膜基板;所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层,所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。本发明通过用氧化石墨烯制成光传输介质层,降低了显示装置的功耗,显示面板的厚度和显示面板的制造成本,提高了显示面板的透光率,同时还简化了显示面板的制造步骤。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
薄膜场效应晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,TFT-LCD)通常包括依次设置的阵列基板、液晶层以及彩膜基板。
相关技术中,TFT-LCD能够通过调节加载在液晶层上的电场的强度,控制液晶层中液晶分子的偏转程度,进而调节穿过液晶层之后的光线的振动方向,从而显示图像。
相关技术中,驱动液晶分子偏转所需的电压一般较高,增加了显示装置的功耗。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置,可以解决相关技术的显示装置的功耗较高的问题,所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
相对设置的阵列基板和彩膜基板;
所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层,所述光传输介质层由氧化石墨烯制成。
可选的,所述阵列基板上设置有多个像素单元,每个所述像素单元包括:驱动晶体管,以及与所述驱动晶体管连接的像素电极;
所述像素电极设置在所述光传输介质层的一侧,所述光传输介质层的另一侧设置有公共电极。
可选的,所述显示面板还包括:设置在所述彩膜基板和所述光传输介质层之间的电极基板;
所述公共电极设置在所述电极基板靠近所述光传输介质层的一侧。
可选的,每个所述像素单元还包括:电容器;
所述电容器的一端与所述像素电极连接,另一端与用于提供高频电压信号的高频信号线连接。
可选的,所述电容器为可变电容。
可选的,所述高频信号线设置在所述阵列基板上,且所述高频信号线的输入端与控制芯片连接。
可选的,所述驱动晶体管的栅极与栅线连接,第一极与数据线连接,第二极与所述像素电极连接;
所述高频信号线与所述数据线平行设置。
可选的,所述高频电压信号的频率范围为1千赫兹至100千赫兹。
第二方面,提供了一种显示面板的制造方法,所述方法包括:
提供一阵列基板和一彩膜基板;
在所述阵列基板和所述彩膜基板之间填充氧化石墨烯,得到光传输介质层。
第三方面,提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述第一方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置,该显示面板中的光传输介质层是由氧化石墨烯制成的,相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言,驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低,降低了显示装置的功耗,此外,相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压,还会设置配向层,以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本发明实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低,因此显示面板中无需设置配向层,从而简化了显示面板的制造步骤。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种像素单元的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种氧化石墨烯的排列方式的示意图;
图6是本发明实施例提供的一种亮态显示面板的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的另一种氧化石墨烯的排列方式的示意图;
图8是本发明实施例提供的一种暗态显示面板的结构示意图;
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图;
图10是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图,如图1所示,该显示面板可以包括:
相对设置的阵列基板10和彩膜基板20。
阵列基板10和彩膜基板20之间可以设置有光传输介质层30,该光传输介质层30可以由氧化石墨烯制成。其中,该氧化石墨烯是指石墨烯的氧化物,该氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液,其结构为二维结构,二维结构是指分子或原子在空间沿二维方向的正、反向延伸作有规律排布的结构。该氧化石墨烯的极性较强,驱动电压较低,其驱动电压一般为4伏特每毫米(V/mm)。而在相关技术中,一般采用液晶层作为光传输介质层,驱动该液晶层中的液晶分子偏转的电压一般为1伏特每微米(V/um),相比而言,氧化石墨烯的驱动电压较低,降低了显示装置的功耗。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板,光传输介质层是由氧化石墨烯制成的,相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言,驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低,降低了显示装置的功耗。此外,相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压,还会设置配向层,以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本发明实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低,因此显示面板中无需设置配向层,从而简化了显示面板的制造步骤。
进一步的,由于相关技术中显示面板的液晶层中的液晶分子为透明的,因此需要设置偏光片来实现显示面板的暗态显示。但是,偏光片的设置会降低显示面板的透光率。而本发明实施例提供的显示面板中,采用氧化石墨烯作为光传输介质层,由于氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液,其在未施加电场的情况下不透光,可以实现显示面板的暗态显示,因此显示面板中无需再设置偏光片,从而可以提高显示面板的透光率,降低显示面板的厚度和制造成本。
在本发明实施例中,阵列基板10上可以设置有多个像素单元,图2为本发明实施例提供的一种像素单元的结构示意图,参考图2,每个像素单元可以包括:驱动晶体管A1,以及与该驱动晶体管A1连接的像素电极A2。
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图,参考图3,光传输介质层30可以设置在像素电极A2远离阵列基板10的一侧,该光传输介质层30的另一侧可以设置有公共电极60,该公共电极60用于提供恒定的基准电压,该基准电压可以为0伏特左右。
需要说明的是,在本发明实施例中,像素电极A2和公共电极60均可以为透明材质,示例的,该像素电极A2和公共电极60可以为氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)电极。
可选的,参考图2,驱动晶体管A1的栅极可以与栅线B1连接,第一极可以与数据线B2连接,第二极可以与像素电极A2连接。
栅线B1可以为驱动晶体管A1提供栅极驱动信号,以驱动该驱动晶体管A1开启。示例的,该栅极驱动信号的时序图可以如图2中的D1所示。该阵列基板中设置有多条栅线,每条栅线与一行像素单元中的各个驱动晶体管连接,该多条栅线用于对阵列基板上的各行像素单元进行逐行扫描。
数据线B2可以为驱动晶体管A1提供控制电压,进而为像素电极A2充电,示例的,该控制电压的电压信号的时序图可以如图2中的D2所示。该像素电极A2充电后,可以与公共电极60共同驱动光传输介质层30中的氧化石墨烯偏转。
可选的,如图3所示,该显示面板还可以包括:设置在彩膜基板20和光传输介质层30之间的电极基板50;其中,公共电极60可以设置在该电极基板50靠近光传输介质层30的一侧。
图4是本发明实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图,如图4所示,阵列基板中的每个像素单元中可以设置有一个独立的像素电极A2,该公共电极60为板状电极,该公共电极60能够分别与每个像素电极A2形成电场。
可选的,如图2所示,每个像素单元还可以包括:电容器C。
该电容器C的一端可以与像素电极A2连接,另一端可以与用于提供高频电压信号的高频信号线B3连接。
其中,该电容器C可以为PN结(p-n junction)半导体可变电容,可变电容为电容量可以在一定范围内调节的电容器,该PN结半导体可变电容易与显示面板的制程相集成,可以避免增加显示面板制造工艺的复杂度。该高频信号线B3也可以设置在阵列基板10上,且该高频信号线B3的输入端可以与控制芯片(图2中未示出)连接,该控制芯片用于向高频信号线B3输出高频电压信号,该高频电压信号的频率范围为1千赫兹至100千赫兹,可选的,该高频电压信号的频率可以为10千赫兹。高频信号线B3输出的高频电压信号可以通过电容器C保持像素电极A2的电压,进而保证氧化石墨烯的分散性。示例的,该高频电压信号的示意图可以如图2中的D3所示。
可选的,如图2所示,该用于提供高频电压信号的高频信号线B3可以与数据线B2平行设置。
可选的,在本发明实施例中,每个像素单元中的像素电极A2与公共电极60之间均可以形成电场,该电场的方向垂直于阵列基板的承载面,该电场可以控制光传输介质层30中的氧化石墨烯的偏转,从而实现对显示面板射出的光线的控制。具体的,可以通过调节数据线B2所提供的控制电压的大小来调节电容器C的大小,以调节像素电极102上加载的电压的大小,进而实现对该电场的电场强度的调节,最终即可实现对光传输介质层30中的氧化石墨烯的偏转角度的调节。
当该电场强度为预设阈值时,如图5所示,光传输介质层30中的氧化石墨烯均垂直于阵列基板10的承载面排列,此时如图6所示,光线可以穿过显示面板射出,显示面板为亮态;当通过调节控制电压的大小来对电场的电场强度进行调节时,可以实现对光传输介质层30中的氧化石墨烯的偏转角度的调节,进而实现对穿过光传输介质层30的光线的强度的调节,从而使得显示面板显示不同的灰阶;当该电场强度被调节为零时(即数据线B2未提供控制电压时),如图7所示,光传输介质层30中的氧化石墨烯散乱分布,此时,如图8所示,光线无法穿过显示面板,显示面板为暗态。
综上所述,本发明实施例提供的显示面板,光传输介质层是由氧化石墨烯制成的,相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言,驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低,降低了显示装置的功耗,此外,相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压,还会设置配向层,以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本发明实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低,因此显示面板中无需设置配向层,从而简化了显示面板的制造步骤。
进一步的,由于相关技术中显示面板的液晶层中的液晶分子为透明的,因此需要设置偏光片来实现显示面板的暗态显示。但是,偏光片的设置会降低显示面板的透光率。而本发明实施例提供的显示面板中,采用氧化石墨烯作为光传输介质层,由于氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液,其在未施加电场的情况下不透光,可以实现显示面板的暗态显示,因此显示面板中无需再设置偏光片,从而可以提高显示面板的透光率,降低显示面板的厚度和制造成本。
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法,如图9所示,该显示面板的制造方法可以包括:
步骤201、提供一阵列基板和一彩膜基板。
步骤202、在该阵列基板和该彩膜基板之间填充氧化石墨烯,得到光传输介质层。
其中,在上述步骤202中,可以在阵列基板的四周涂布封框胶70(参考图3),然后在该封框胶内填充氧化石墨烯得到光传输介质层;进一步的,即可将该彩膜基板形成在光传输介质层远离阵列基板的一侧。
可选的,该阵列基板上可以形成有多个像素单元,每个像素单元可以包括:驱动晶体管,以及与该驱动晶体管连接的像素电极。
该驱动晶体管的栅极可以与栅线连接,第一极可以与数据线连接,第二极可以与像素电极连接。
各个像素单元中的像素电极可以形成在光传输介质层靠近阵列基板的一侧,该光传输介质层的另一侧可以形成有公共电极,该公共电极可以用于提供恒定电压。
可选的,在阵列基板上形成光传输介质层之后,还可以在该光传输介质层远离阵列基板的一侧设置电极基板,该电极基板靠近光传输介质层的一侧形成有公共电极;最后,即可在该电极基板远离光传输介质层的一侧设置彩膜基板。
进一步的,阵列基板上形成的每个像素单元还可以包括:电容器,该电容器的一端可以与像素电极连接,另一端可以与用于提供高频电压信号的高频信号线连接。
其中,该电容器可以为PN结半导体可变电容,可变电容为电容量可以在一定范围内调节的电容器。该高频信号线可以形成在阵列基板上,且可以将该高频信号线的输入端与控制芯片连接。该控制芯片用于向高频信号线输出高频电压信号,该高频电压信号的频率范围为1千赫兹至100千赫兹,可选的,该高频电压信号的频率可以为10千赫兹。高频信号线输出的高频电压信号可以通过电容器保持像素电极的电压,进而保证氧化石墨烯的分散性。
其中,该用于提供高频电压信号的高频信号线可以与数据线平行设置在阵列基板上。
综上所述,本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法,该方法可以在阵列基板和彩膜基板之间填充氧化石墨烯作为光传输介质层,相较于相关技术中驱动液晶分子偏转所需的电压而言,驱动氧化石墨烯偏转所需的电压较低,因此降低了显示装置的功耗。此外,相关技术中的显示面板为了降低液晶分子的驱动电压,还会设置配向层,以使得液晶层中的液晶分子以一定的预倾角均匀排列。而由于本发明实施例中氧化石墨烯的驱动电压较低,因此显示面板中无需设置配向层,从而简化了显示面板的制造步骤。
进一步的,由于相关技术中显示面板的液晶层中的液晶分子为透明的,因此需要设置偏光片来实现显示面板的暗态显示。但是,偏光片的设置会降低显示面板的透光率。而本发明实施例提供的显示面板中,采用氧化石墨烯作为光传输介质层,由于氧化石墨烯为棕黄色的悬浊液,其在未施加电场的情况下不透光,可以实现显示面板的暗态显示,因此显示面板中无需再设置偏光片,从而可以提高显示面板的透光率,降低显示面板的厚度和制造成本。
图10是本发明实施例提供一种显示装置的结构示意图,参考图10,该显示装置可以包括显示面板00和背光源01,该显示面板00可以为如图1、图3或图4所示的显示面板,该背光源01可以设置在阵列基板10远离彩膜基板20的一侧,可以作为显示面板00的光源。
该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、AMOLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
相对设置的阵列基板和彩膜基板;
所述阵列基板和所述彩膜基板之间设置有光传输介质层,所述光传输介质层由氧化石墨烯制成;
所述阵列基板上设置有多个像素单元,每个所述像素单元包括:电容器、驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的像素电极;
所述像素电极设置在所述光传输介质层的一侧,所述光传输介质层的另一侧设置有公共电极;
所述电容器的一端与所述像素电极连接,另一端与用于提供高频电压信号的高频信号线连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:设置在所述彩膜基板和所述光传输介质层之间的电极基板;
所述公共电极设置在所述电极基板靠近所述光传输介质层的一侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容器为可变电容。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述高频信号线设置在所述阵列基板上,且所述高频信号线的输入端与控制芯片连接。
5.根据权利要求1至4任一所述的显示面板,其特征在于,所述驱动晶体管的栅极与栅线连接,第一极与数据线连接,第二极与所述像素电极连接;
所述高频信号线与所述数据线平行设置。
6.根据权利要求1至4任一所述的显示面板,其特征在于,
所述高频电压信号的频率范围为1千赫兹至100千赫兹。
7.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一阵列基板和一彩膜基板;
在所述阵列基板和所述彩膜基板之间填充氧化石墨烯,得到光传输介质层;
在所述阵列基板上形成有多个像素单元,每个所述像素单元包括:电容器、驱动晶体管以及与所述驱动晶体管连接的像素电极;
所述像素电极形成在所述光传输介质层的一侧,所述光传输介质层的另一侧形成有公共电极;
所述电容器的一端与所述像素电极连接,另一端与用于提供高频电压信号的高频信号线连接。
8.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至6任一所述的显示面板。
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