CN108418593B - 谐波抑制装置及电子装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种谐波抑制装置及电子装置。所述谐波抑制装置包括控制电路及谐波抑制电路,所述控制电路根据谐波的频段及所述电子装置中产生所述谐波的非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配。本申请的谐波抑制装置有利于改善电子装置的辐射杂散。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备领域,尤其涉及一种谐波抑制装置及电子装置。
背景技术
辐射杂散是电子设备的强制认证指标,特别是全球移动通通信系统(GlobalSystem for Mobile Communication,GSM)频段,由于GSM本身的功率较高,很容易导致辐射杂散超标。现有技术中,移动终端等依靠天线辐射信号的电子设备,随着便携性以及智能化的发展,移动终端内集成多种功能的电子器件,受到排布空间限制,这些电子器件与天线的距离较近。例如,通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)座、指纹芯片等。通常而言,天线与激励源相连,所述激励源用于产生激励信号,并将所述激励信号传输给天线,天线接收激励信号并根据所述激励信号产生预定频段的电磁波信号(比如,GSM900MHZ),并将所述预定频段的电磁波信号辐射出去。由于USB座、指纹芯片等和天线的距离较近,天线产生的预定频段的电磁波信号会耦合到这些器件上,这些器件往往是非线性的,这些非线性器件将耦合而来的能量通过非线性作用产生谐波,比如二次谐波(1800MHZ)或者三次谐波(2700MHZ)。当这些非线性器件电长度与辐射所述谐波所需要的电长度相匹配时,所述非线性器件则可以作为辐射体将所述谐波辐射出去,进而导致辐射杂散超标。
发明内容
本申请提供了一种谐波抑制装置,应用于电子装置中。所述谐波抑制装置包括控制电路及谐波抑制电路,所述控制电路根据谐波的频段及所述电子装置中产生所述谐波的非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配。
本申请还提供了一种电子装置,所述电子装置包括天线、非线性器件及谐波抑制装置,所述谐波抑制装置包括控制电路及谐波抑制电路,所述天线用于接收激励信号,根据所述激励信号产生电磁波信号,并将所述电磁波信号辐射出去,所述非线性器件位于所述天线周围,所述非线性器件耦合所述电磁波信号产生谐波,所述控制电路根据所述谐波的频段及所述非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配。
相较于现有技术,本申请的谐波抑制装置中包括谐波抑制电路及控制电路,所述控制电路根据所述谐波的频段及所述非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度均不匹配,进而使得所述谐波不能通过所述非线性器件辐射出去。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一较佳实施方式提供的电子装置的电路结构示意图。
图2为本申请的谐波抑制电路与所述非线性器件的连接关系示意图。
图3为本申请第一实施例提供的非线性器件通过所述开关子电路接地示意图。
图4为本申请第二实施例提供的非线性器件通过所述开关子电路接地示意图。
图5为本申请一实施例提供的电子装置的结构示意图。
图6为本申请另一实施例提供的电子装置的结构示意图。
图7为本申请又一实施例提供的电子装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要理解的是,在本申请的实施方式的描述中,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请的实施方式和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的实施方式的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的实施方式的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
本申请提供一种一电子装置。请参阅图1,图1为本申请一较佳实施方式提供的电子装置的电路结构示意图。所述电子装置1包括但不仅限于为智能手机、互联网设备(mobile internet device,MID)、电子书、便携式播放站(Play Station Portable,PSP)或个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)等便携式设备。所述电子装置1还具有指纹识别与USB数据连接的功能。所述电子装置1包括天线10、非线性器件20及谐波抑制装置30。所述谐波抑制装置30包括控制电路310及谐波抑制电路320。所述天线10用于接收激励信号,根据所述激励信号产生电磁波信号,并将所述电磁波信号辐射出去。所述非线性器件20位于所述天线10周围,所述非线性器件20耦合所述电磁波信号产生谐波。所述控制电路310根据所述谐波的频段及所述非线性器件20的电长度发出控制信号。所述谐波抑制电路320,用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件20的电长度以使得所述非线性器件20改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配。
其中,所述非线性器件20改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配指的是,所述非线性器件20改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度不匹配,进而使得所述谐波无法通过所述非线性器件20辐射出去。
相较于现有技术,本申请的谐波抑制装置30中包括谐波抑制电路320及控制电路310,所述控制电路310根据所述谐波的频段及所述非线性器件20的电长度发出控制信号,所述谐波在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件20的电长度以使得所述非线性器件20改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度均不匹配,进而使得所述谐波不能通过所述非线性器件20辐射出去。
所述电子装置1包括激励源40,所述激励源40用于产生激励信号,并将所述激励信号传输至所述天线10。所述天线10接收所述激励信号,根据所述激励信号产生电磁波信号,并将所述电磁波信号辐射出去。当所述电磁波信号的功率大于预设功率时,大于预设功率的所述电磁波信号会造成天线10周围的器件产生非线性,产生非线性的器件称为非线性器件20。在一实施方式中,所述预设功率为2瓦。所述非线性器件20将耦合而来的电磁波信号通过非线性作用产生谐波,比如二次谐波、三次谐波等。举例而言,当所述天线10辐射的电磁波信号GSM900MHZ的谐波时,那么所述非线性器件20将耦合而来的电磁波信号通过非线性作用产生的述二次谐波为1800MHZ,产生的三次谐波为2700MHZ,......,产生的N次谐波为N*900MHZ,其中N为正整数。当这些非线性器件20的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度相匹配时,所述非线性器件20则可以作为辐射体将所述谐波辐射出去,进而导致辐射杂散超标。
所述非线性器件20的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度相匹配指的是所述非线性器件20的电长度等于所述谐波波长的四分之一。对于没有设置接地点的长方形的非线性器件20而言,所述非线性器件20的电长度为所述长方形的非线性器件20的长边的长度。对于没有设置接地点的圆弧形的非线性器件20而言,所述非线性器件20的电长度为所述非线性器件20的周长。
请参阅图2,图2为本申请的谐波抑制电路与所述非线性器件的连接关系示意图。所述谐波抑制电路320包括多个开关子电路321。所述开关子电路321包括信号接收端321a、第一端321b及第二端321c。所述信号接收端321a电连接所述控制电路310,以接收所述控制信号,所述第一端321b电连接在所述非线性器件20上,所述第二端321c接地,且每个开关子电路321的第一端321b电连接在所述非线性器件20上不同的位置。对于一个开关子电路321而言:所述信号接收端321a在所述控制信号控制所述第一端321b与所述第二端321c导通或者截止。具体地,对于一个开关子电路321而言,当所述信号接收端321a在所述控制信号的控制下控制所述第一端321b与所述第二端321c导通时,所述开关子电路321导通,所述非线性器件20通过所述开关子电路321的第一端321b及第二端321c接地;当所述第一端321b及所述第二端321c在所述控制信号的控制下截止时,所述第一端321b及所述第二端321c截止,以断开所述非线性器件20与地的电连接。谐波抑制电路320中的所有开关子电路321的第一端321b电连接在所述非线性器件20上的位置在所述非线性器件20上均匀分布。
具体地,为了方便描述,将所述第一端321b电连接在所述非线性器件20上的位置记为连接点。所述开关子电路321的个数至少为两个。在一实施方式中,所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的任意两个相邻连接点之间的电长度等于所述非线性器件20中的总电长度/M,其中,M为所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的所有的连接点的数目。此种设置方式使得所述非线性器件20上的谐波更加均匀地传输到地极。
请参阅图3,图3为本申请第一实施例提供的非线性器件通过所述开关子电路接地示意图。在本实施方式中,所述非线性器件20为长方形,所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的任意两个相邻的连接点之间的长边的长度不等于所述谐波的波长的四分之一。由于对于长方形的非线性器件20而言,所述非线性器件20的电长度为所述非线性器件20的长边的长度,而所述非线性器件20的电长度等于谐波波长的四分之一的时候,就可以将所述谐波辐射出去。当任意两个相邻的连接点之间的长边的长度不等于所述谐波的波长的四分之一,通过所述开关子电路321接地后的非线性器件20就不能将所述谐波辐射出去,进而避免了所述辐射杂散的产生。在本实施方式中,所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的连接点的数目为四个,其中,两个所述连接点分布为所述非线性器件20的两个场边的中点,另外两个所述连接点分布位于所述非线性器件20的两个短边的中点。可以理解地,所述开关子电路321的个数可以为但不仅仅限于前述所介绍的四个。
请参阅图4,图4为本申请第二实施例提供的非线性器件通过所述开关子电路接地示意图。在本实施方式中,所述非线性器件20为圆弧形,所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的任意两个相邻的连接点之间的圆弧线的长度不等于所述谐波的四分之一。由于对于圆弧形的非线性器件20而言,所述非线性器件20的电长度为所述非线性器件20的周长,而所述非线性器件20的电长度等于所述谐波波长的四分之一的时候,就可以将所述谐波辐射出去。当任意两个相邻的连接点的之间的圆弧形的长度不等于所述谐波的四分之一,接地后的所述非线性器件20就不能将所述谐波辐射出去,进而避免了辐射杂散的产生。在本实施方式中,所述非线性器件20中连接所述开关子电路321的连接点的数目为四个,所述圆弧形的非线性器件20的圆心位于相对的两个连接点连线上。可以理解地,所述开关子电路321的个数可以为但不仅仅限于前述所介绍的四个。
所述控制电路310根据所述谐波的频段、所述非线性器件20电长度以及各个开关子电路321的第一端321b连接在所述非线性器件20上的位置,发出控制信号使得需要接地的开关子电路321导通并接地,并使得其余的开关子电路321截止并断开与地之间的连接。
具体地,所述控制电路310根据所述谐波的频段、所述非线性器件20的电长度以及各个开关子电路321的第一端321b连接在所述非线性器件20上的位置,计算出辐射所述谐波的所需要的电长度是多长,进而确定需要导通的开关子电路321,然后发出控制信号使得需要接地的开关子电路321导通并接地,并使得其余的开关子电路321截止并断开与地之间的连接,使得所述非线性器件20的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配,即,使得所述非线性器件20的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度不匹配,进而使得所述谐波不能通过所述非线性器件20辐射出去。当所述谐波的个数为多个时,所述控制电路310根据每个谐波的频段、所述非线性器件20的电长度以及各个开关子电路321的第一端321b连接在所述非线性器件20的位置,计算出辐射每个谐波所需要的电长度,并进而确定需要导通的开关子电路321,然后发出控制信号使得需要接地的开关子电路321导通并接地,并使得其余的开关子电路321截止并断开与地之间的连接,使得所述非线性器件20的电长度与辐射每一个谐波所需要的电长度都失配,即,使得所述非线性器件20的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度均不匹配,进而使得所有的谐波均不能通过所述非线性器件20辐射出去。
请再次参阅图1,在本实施方式中,所述开关子电路321为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端321a,所述薄膜晶体管的源极作为所述第一端321b,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第二端321c。或者,在其他实施方式中,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端321a,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第一端321b,所述薄膜晶体管的源极作为所述第二端321c。
在一实施方式中,所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管导通;当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止。
可以理解地,在其他实施方式中,所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止;当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述P型薄膜晶体管导通。
可以理解地,当所述开关子电路321为薄膜晶体管时,所述谐波抑制电路320中的所有开关子电路321可以均为N型薄膜晶体管,也可以均为P型薄膜晶体管,也可以为N型薄膜晶体管与P型薄膜晶体管的任意组合。
请参阅图5,图5为本申请一实施例提供的电子装置的结构示意图。所述非线性器件20包括指纹模组210,所述指纹模组210包括指纹支架211和指纹识别芯片212。所述指纹支架211用于支撑固定所述指纹识别芯片212,所述指纹识别芯片212用于识别指纹信息,所述谐波抑制电路320与所述指纹识别芯片212电连接。
所述非线性器件20还包括通用串行总线(Universal Serial Bus,USB)座220。所述USB座220设置在所述指纹支架211上方,且与所述指纹支架211间隔设置,所述USB座220接地。
所述电子装置1包括小板50,所述激励源40设置在所述小板50上,所述激励源40用于产生所述激励信号,且所述小板50上设置第一地极510。
请一并参阅图2及图5,在本实施方式中,所述谐波抑制电路320中的开关子电路321的第二端321c电连接所述第一地极510,由于所述第二端321c电连接所述第一地极510,使得所述非线性器件20产生的谐波传导至所述第一地极510,从而消除了所述谐波。且所述谐波抑制电路320也可以邻近所述小板50设置或者集成在所述小板50上,以增大所述电子装置1中器件的集成度。
所述电子装置1还包括大板60,所述大板60设置第二地极610,其中,所述第二地极610的面积大于所述第一地极510的面积。在本实施方式中,所述大板60为所述电子装置1的主板。
请一并参阅图2及图6,图6为本申请另一实施例提供的电子装置的结构示意图。所述谐波抑制电路320邻近所述小板50设置或者集成在所述小板50上,所述谐波抑制电路320中的开关子电路321的第二端321c电连接所述第二地极610。由于所述第二地极610的面积大于所述第一地极510的面积,因此,相较于所述第二端321c电连接所述第一地极510的情况,所述开关子电路321的第二端321c电连接所述第二地极610的时候,可以使得所述非线性器件20产生的谐波快速地回流到第二地极610,加快了所述谐波消除的速度。
请一并参阅图2及图7,图7为本申请又一实施例提供的电子装置的结构示意图。所述谐波抑制电路320邻近所述小板50设置或者集成在所述小板50上,且所述第一地极510与所述第二地极610电连接,所述开关子电路321的第二端321c电连接所述第一地极510,所述谐波回流到所述第一地极510及所述第二地极610。所述第一地极510及所述第二地极610电连接的方式可以为但不仅限于通过导线电连接。由于所述第一地极510与所述第二地极610电连接,所述第一地极510与所述第二地极610连通成的一个整体的地极的面积相较于单独的第一地极510及单独的第二地极610更大,因此,进一步加快了所述非线性器件20产生的谐波消除的速度。
进一步地,结合上述各个实施方式,所述谐波抑制电路320中每个开关子电路321的第二端321c电连接至地的路径彼此独立,从而使得所述每个开关子电路321电连接至地的路径彼此互不干扰,且可以将所述第二端321c电连接至地的路径尽可能得做得更短,从而加快了所述非线性器件20产生的谐波消除的速度。
请再次参阅图1,所述谐波抑制装置30还包括信号检测器330,所述信号检测器330控制电路310用于在所述天线10开启时检测所述天线10周围的信号,以得到所述谐波的频段。
具体地,所述信号检测器330可以为但不仅限于为所述天线10本身。或者,当所述电子装置1中包括多个天线10时,所述信号检测器330为所述电子装置1中的任意一个天线10。
在一实施方式中,所述控制电路310根据所述电子装置1所使用的运营商的信息以得到所述天线10辐射的电磁波信号的频段,进而得到所述谐波的频段。具体地,所述控制电路310读取所述电子装置1所使用的运营商的信息,并根据所述运营商的信息确定所述天线10辐射的电磁波信号的频段,通常而言,对于不同的运营商,所述天线10辐射的电磁波信号的频段不同。举例而言,当所述电子装置1所使用的运营商为中国移动时,则所述天线10辐射的电磁波信号的频段为第一频段;当所述电子装置1所使用的运营商为中国联通时,则所述天线10辐射的电磁波信号的频段为第二频段;当所述电子装置1所使用的运营商为中国电信时,则所述天线10辐射的电磁波信号的频段为第三频段;其中,所述第一频段、所述第二频段及所述第三频段各不相等。
请再次参阅图1,所述电子装置1还包括阻抗匹配电路70。所述阻抗匹配电路70用于匹配所述激励源40的输出阻抗与所述天线10的输入阻抗之间的匹配度。具体地,所述阻抗匹配电路70的一端电连接所述激励源40,另一端电连接所述天线10,所述阻抗匹配电路70用于调整所述激励源40的输出阻抗,并且所述阻抗匹配电路70还用于调整所述天线10的输入阻抗,以调整所述输出阻抗与所述输入阻抗的匹配度。通过调整所述激励源40的输出阻抗与所述天线10的输入阻抗之间的匹配度,使得所述激励源40的输出阻抗与所述天线10辐射体之间的输入阻抗匹配,以减小所述激励源40发出的激励信号在所述天线10上的能量损失,提高所述激励源40发出的激励信号的信号传输质量,以提高所述电子装置1的通信质量。
以上是本申请实施例的实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请实施例原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
Claims (19)
1.一种谐波抑制装置,应用于电子装置中,其特征在于,所述谐波抑制装置包括控制电路及谐波抑制电路,所述控制电路根据谐波的频段及所述电子装置中产生所述谐波的非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配,其中,所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配为:所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度不匹配,进而使得所述谐波无法通过所述非线性器件辐射出去;
其中,所述谐波抑制电路包括多个开关子电路,所述多个开关子电路电连接在所述非线性器件上不同的位置和地之间,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下选择不同的开关子电路导通而改变所述非线性器件的电长度。
2.如权利要求1所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述开关子电路包括信号接收端、第一端及第二端,所述信号接收端电连接所述控制电路,以接收所述控制信号,所述第一端电连接在所述非线性器件上,所述第二端接地,且每个开关子电路的第一端电连接在所述非线性器件上不同的位置,对于一个开关子电路而言:所述信号接收端在所述控制信号控制所述第一端与所述第二端导通或者截止,当所述信号接收端在所述控制信号的控制下控制所述第一端与所述第二端导通时,所述开关子电路导通,所述非线性器件通过所述开关子电路的第一端及第二端接地;当所述第一端及所述第二端在所述控制信号的控制下截止时,所述第一端及所述第二端截止,以断开所述非线性器件与地的电连接。
3.如权利要求2所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述控制电路根据所述谐波的频段、所述非线性器件电长度以及各个开关子电路的第一端连接在所述非线性器件上的位置,发出控制信号使得需要接地的开关子电路导通并接地,并使得其余的开关子电路截止并断开与地之间的连接。
4.如权利要求2所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述开关子电路为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端,所述薄膜晶体管的源极作为所述第一端,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第二端;或者,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第一端,所述薄膜晶体管的源极作为所述第二端。
5.如权利要求4所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管导通,当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止;或者,所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止;当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述P型薄膜晶体管导通。
6.如权利要求1所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述谐波抑制装置还包括信号检测器,所述信号检测器用于在所述电子装置中的天线开启时检测所述天线周围的信号,以得到所述谐波的频段。
7.如权利要求6所述的谐波抑制装置,其特征在于,所述控制电路根据所述电子装置所使用的运营商的信息以得到所述天线辐射的电磁波的频段,进而得到所述谐波的频段。
8.一种电子装置,其特征在于,所述电子装置包括天线、非线性器件及谐波抑制装置,所述谐波抑制装置包括控制电路及谐波抑制电路,所述天线用于接收激励信号,根据所述激励信号产生电磁波信号,并将所述电磁波信号辐射出去,所述非线性器件位于所述天线周围,所述非线性器件耦合所述电磁波信号产生谐波,所述控制电路根据所述谐波的频段及所述非线性器件的电长度发出控制信号,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下改变所述非线性器件的电长度以使得所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配,其中,所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度失配为:所述非线性器件改变后的电长度与辐射所述谐波所需要的电长度不匹配,进而使得所述谐波无法通过所述非线性器件辐射出去;
其中,所述谐波抑制电路包括多个开关子电路,所述多个开关子电路电连接在所述非线性器件上不同的位置和地之间,所述谐波抑制电路用于在所述控制信号的控制下选择不同的开关子电路导通而改变所述非线性器件的电长度。
9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述开关子电路包括信号接收端、第一端及第二端,所述信号接收端电连接所述控制电路,以接收所述控制信号,所述第一端电连接在所述非线性器件上,所述第二端接地,且每个开关子电路的第一端电连接在所述非线性器件上不同的位置,对于一个开关子电路而言:所述信号接收端在所述控制信号控制所述第一端与所述第二端导通或者截止,当所述信号接收端在所述控制信号的控制下控制所述第一端与所述第二端导通时,所述开关子电路导通,所述非线性器件通过所述开关子电路的第一端及第二端接地;当所述第一端及所述第二端在所述控制信号的控制下截止时,所述第一端及所述第二端截止。
10.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,谐波抑制电路中的所有开关子电路的第一端电连接在所述非线性器件上连接点的位置在所述非线性器件上均匀分布。
11.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述控制电路根据所述谐波的频段、所述非线性器件电长度以及各个开关子电路的第一端连接在所述非线性器件上的位置,发出控制信号使得需要接地的开关子电路导通并接地,并使得其余的开关子电路截止并断开与地之间的连接。
12.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述开关子电路为薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端,所述薄膜晶体管的源极作为所述第一端,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第二端;或者,所述薄膜晶体管的栅极为所述信号接收端,所述薄膜晶体管的漏极作为所述第一端,所述薄膜晶体管的源极作为所述第二端。
13.如权利要求12所述的电子装置,其特征在于,所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管导通,当所述N型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止;或者,所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为高电平信号的时候,所述薄膜晶体管截止;当所述P型薄膜晶体管的栅极接收到的所述控制信号为低电平信号的时候,所述P型薄膜晶体管导通。
14.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置包括激励源和小板,所述激励源用于产生所述激励信号,所述激励源设置在所述小板上,所述小板设置第一地极,所述开关子电路的第二端连接至所述第一地极。
15.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置包括激励源、小板和大板,所述激励源用于产生所述激励信号,所述激励源设置在所述小板上,所述小板设置第一地极,所述大板设置第二地极,其中,所述第二地极的面积大于所述第一地极的面积,所述开关子电路的第二端连接至所述第二地极。
16.如权利要求9所述的电子装置,其特征在于,所述电子装置包括激励源、小板和大板,所述激励源用于产生所述激励信号,所述激励源设置在所述小板上,所述小板设置第一地极,所述大板设置第二地极,所述第一地极电连接所述第二地极,其中,所述第二地极的面积大于所述第一地极的面积,所述开关子电路的第二端电连接所述第一地极。
17.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述非线性器件包括指纹模组,所述指纹模组包括指纹支架和指纹识别芯片,所述指纹支架用于支撑固定所述指纹识别芯片,所述指纹识别芯片用于识别指纹信息,所述谐波抑制电路与所述指纹识别芯片电连接。
18.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述谐波抑制装置还包括信号检测器,所述信号检测器用于在所述天线开启时检测所述天线周围的信号,以得到所述谐波的频段。
19.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述控制电路根据所述电子装置所使用的运营商的信息以得到所述天线辐射的电磁波信号的频段,进而得到所述谐波的频段。
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