CN108390683A - 一种信号传输方法及信号传输电路 - Google Patents

Abstract

一种信号传输方法及信号传输电路，该信号传输电路应用于可穿戴设备中，其中：主控芯片发送包括与第一射频信号信息相匹配的2G信号的频率信息的第一射频信号信息至射频收发芯片，并发送根据第一射频信号的频率信息获取第一射频信号的功率等级至APT芯片；射频收发芯片发送第一射频信号至TxM芯片；APT芯片输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片；TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块；天线模块在接收到第二射频信号时，输出第二射频信号。实施本发明实施例，能够降低可穿戴设备的发射消耗，从而提高可穿戴设备的续航能力。

Description

一种信号传输方法及信号传输电路

技术领域

本发明涉及可穿戴设备技术领域，具体涉及一种信号传输方法及信号传输电路。

背景技术

目前，可穿戴设备通常是使用传输模块(Transmit Module，TM)内部的2G功率放大器(Power Amplifier，PA)来实现对2G射频信号的功率放大的，其中，现有的TM是通过电池电压(voltage battery，VBAT)对PA进行偏置供电的。在实践中发现，使用VBAT为PA提供的偏置电压是保持不变的，这就使得在信号的发射功率较小时，增加了可穿戴设备的发射功耗，从而降低了可穿戴设备的续航能力。

发明内容

本发明实施例公开一种信号传输方法及信号传输电路，能够降低可穿戴设备的发射消耗，从而提高可穿戴设备的续航能力。

本发明实施例第一方面公开了一种信号传输方法，所述方法应用于可穿戴设备的信号传输电路中，所述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块，所述方法包括：

所述主控芯片发送第一射频信号信息至所述射频收发芯片；所述第一射频信号信息包括与所述第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，所述第一射频信号为2G信号；

所述主控芯片以所述第一射频信号的频率信息为依据，获取所述第一射频信号的功率等级，并发送所述功率等级至所述APT芯片；

所述射频收发芯片在接收到所述第一射频信号信息时，发送所述第一射频信号至所述TxM芯片；

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片；

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块；

所述天线模块在接收到所述第二射频信号时，输出所述第二射频信号。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第一方面中，所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，获取所述TxM芯片内置的功率放大器的功放参数；

所述APT芯片以所述功率等级与所述功放参数为依据，计算得到与所述功率等级和所述功放参数二者相匹配的控制电压；

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第一方面中，所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的直流电压接口；所述TxM芯片的直流电压接口用于接受所述控制电压，并为所述TxM芯片进行供电操作。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第一方面中，所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块，包括：

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号；

所述TxM芯片通过所述TxM芯片内置的低通滤波器对所述放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第一方面中，所述信号传输电路还包括天线匹配电路；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块，包括：

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线匹配电路，以使所述天线匹配电路在所述天线模块的天线阻抗为匹配阻抗时，发送所述第二射频信号至所述天线模块。

本发明实施例第二方面公开一种信号传输电路，所述信号传输电路应用于可穿戴设备中，并且所述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块，其中，

所述主控芯片，用于发送第一射频信号信息至所述射频收发芯片；所述第一射频信号信息包括与所述第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，所述第一射频信号为2G信号；

所述主控芯片，还用于以所述第一射频信号的频率信息为依据，获取所述第一射频信号的功率等级，并发送所述功率等级至所述APT芯片；

所述射频收发芯片，用于在接收到所述第一射频信号信息时，发送所述第一射频信号至所述TxM芯片；

所述APT芯片，用于在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片；

所述TxM芯片，用于在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块；

所述天线模块，用于在接收到所述第二射频信号时，输出所述第二射频信号。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第二方面中，所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片的方式具体为：

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，获取所述TxM芯片内置的功率放大器的功放参数；

所述APT芯片以所述功率等级与所述功放参数为依据，计算得到与所述功率等级和所述功放参数二者相匹配的控制电压；

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第二方面中，所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的方式具体为：

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的直流电压接口；所述TxM芯片的直流电压接口用于接受所述控制电压，并为所述TxM芯片进行供电操作。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第二方面中，所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块的方式具体为：

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号；

所述TxM芯片通过所述TxM芯片内置的低通滤波器对所述放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块。

作为一种可选的实施方式，在本发明实施例第二方面中，所述信号传输电路还包括天线匹配电路；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块的方式具体为：

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线匹配电路，以使所述天线匹配电路在所述天线模块的天线阻抗为匹配阻抗时，发送所述第二射频信号至所述天线模块。

本发明实施例第三方面公开一种可穿戴设备，包括：

存储有可执行程序代码的存储器；

与所述存储器耦合的处理器；

所述处理器调用所述存储器中存储的所述可执行程序代码，执行本发明实施例第一方面公开的一种的信号传输方法。

本发明实施例第四方面公开一种计算机可读存储介质，其存储计算机程序，其中，所述计算机程序使得计算机执行本发明实施例第一方面公开的一种信号传输方法。

与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：

本发明实施例中，用于可穿戴设备的信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块，其中，上述信号传输电路中的主控芯片将第一射频信号信息(2G信号信息)发送给射频收发芯片，同时，上述主控芯片获取第一射频信号的功率等级，并发送给功率等级至APT芯片，当APT芯片接收到功率等级时，APT芯片获取并发送与上述功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片，同时射频收发芯片发送第一射频信号至TxM芯片，TxM芯片在控制电压的控制下，对上述第一射频信号进行功率放大与滤波，并发送对第一射频信号放大滤波得到的第二射频信号至天线模块，以使天线模块输出第二射频信号。可见，实施本发明实施例，能够通过APT芯片控制TxM芯片的输入电压，以使TxM芯片可以对2G射频信号进行功率放大与滤波操作，避免了传统中较大的固定电池电压带来的功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例公开的一种信号传输方法的流程示意图；

图2是本发明实施例公开的另一种信号传输方法的流程示意图；

图3是本发明实施例公开的另一种信号传输方法的流程示意图；

图4是本发明实施例公开的一种信号传输电路的结构示意图；

图5是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图；

图6是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图；

图7是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图；

图8是本发明实施例公开的一幅频段为GSM900的数据对比表；

图9是本发明实施例公开的一幅频段为GSM900的数据对比图；

图10是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE900的数据对比表；

图11是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE900的数据对比图；

图12是本发明实施例公开的一幅频段为GSM1800的数据对比表；

图13是本发明实施例公开的一幅频段为GSM1800的数据对比图；

图14是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE1800的数据对比表；

图15是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE1800的数据对比图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明实施例及附图中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

本发明实施例公开一种信号传输方法及信号传输电路，能够降低可穿戴设备的发射消耗，从而提高可穿戴设备的续航能力。以下分别进行详细说明。

实施例一

请参阅图1，图1是本发明实施例公开的一种信号传输方法的流程示意图。其中，该信号传输方法应用于可穿戴设备的信号传输电路中，上述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块。如图1所示，该信号传输方法可以包括以下步骤：

101、主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片；该第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，上述第一射频信号为2G信号。

本发明实施例中，第一射频信号信息可以包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息、与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的功率信息以及其他信息，对此本发明实施中不做限定。

本发明实施例中，主控芯片可以为主流的支持2G通信，支持APT芯片的主控芯片。

本发明实施例中，2G信号的频率可以为任意的2G频率，其中对于具体使用某种频率的2G信号，本发明实施例不做限定。

作为一种可选的实施方式，主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片；该第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，上述第一射频信号为2G信号，可以包括：

主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片；该第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，上述第一射频信号可以具体为GSM900频段或EDGE900频段或GSM1800频段或EDGE1800频段四种频段中的任意一种频段的2G信号。

实施这种实施方式，可穿戴设备可以具体化上述四个频段，其中，当输出上述四个频段的2G信号时，可以有效地降低功率损耗，从而提高可穿戴设备的续航能力；其中，图8至图15所示内容可以有效体现出上述效果。

作为一种可选的实施方式，主控芯片具有存储功能，其中，在主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片之前，该方法还可以包括：

主控芯片检测是否接收到调用信息，若未接收到调用信息，主控芯片则重复执行检测是否接收到调用信息的步骤；若主控芯片接收到调用信息，主控芯片则获取调用信息中包括的传输者信息和第一射频信号信息，并记录传输者信息，其中，传输者信息是上级传输硬件名称或者可穿戴设备中触发发送调用信息操作的软件名称中的一个或者全部；其中，上级传输硬件名称为上级传输硬件的名称，上级传输硬件可以为传输调用信息的硬件。

实施这种实施方式，主控芯片可以在发送第一射频信号信息之前，获取触发发送上述第一射频信号信息的调用信息，并获取记录调用信息中包括的传输者信息，使得主控芯片在每次发送传输者信息和第一射频信号信息时，都会进行信息记录，从而保证了主控芯片发送第一射频信号信息的可查性。

作为一种进一步可选的实施方式，主控芯片获取调用信息中包括的传输者信息和第一射频信号信息，并记录传输者信息之后，该方法还可以包括：

当主控芯片检测到已记录传输者信息的信息总量超过预设清理总量时，主控芯片以预设清理方式对传输者信息进行清理，其中，上述预设清理方式为优先清理存储时间久远的传输者信息，并确定剩余信息是预设清理总量的预设百分比的信息量的一种清理方式。

实施这种实施方式，主控芯片可以定量更新存储空间中存储的传输者信息，从而保证主控芯片可以存储新的传输者信息，进而避免信息无用且冗余的情况出现，提高了主控芯片的内存利用率。

作为一种进一步可选的实施方式，主控芯片获取调用信息中包括的传输者信息和第一射频信号信息，并记录传输者信息之后，或者在当主控芯片检测到已记录传输者信息的信息总量超过预设清理总量时，主控芯片以预设清理方式对传输者信息进行清理之后，该方法还可以包括：

当主控芯片检测到传输者信息未清理的时长等于或大于预设清理时长时，主控芯片以定时清理方式对传输者信息进行清理，其中，上述定时清理方式为按照时间比例清理存在时长较长的传输者信息的一种清理方式。

实施这种实施方式，主控芯片可以定时更新存储空间中存储的传输者信息，从而保证主控芯片可以存储新的传输者信息，进而避免信息无用且冗余的情况出现，提高了主控芯片的内存利用率。

作为一种进一步可选的实施方式，在主控芯片则获取调用信息中包括的传输者信息和第一射频信号信息，并记录传输者信息之后，该方法还可以包括：

主控芯片对已存储的传输者信息进行统计整理，获取到包括软件名称的传输者信息集合，并在上述传输者信息集合中检测是否存在连续多次包括相同软件名称的传输者信息，若是，则将上述软件名称上传至可穿戴设备的软件管理中心，以使得软件管理中心标记与该软件名称对应的软件为信号高频使用软件，并使软件管理中心使用整合算法对一定时间内相同软件发送的调用信息进行整合。

在上述的实施方式中，软件管理中心可以为软件，也可以为能够执行上述固定功能的硬件，也可以为能够以其他形式执行上述功能的装置，对此本发明实施例中不做限定。

实施这种实施方式，主控芯片和软件管理中心可以进行联合，并且软件管理中心可以在获取到主控芯片获取的信息之后，根据上述信息确定使用信号传输电路频率较高的软件应用，并在对该软件应用在短时间内发送的多个调用信息时，对多个调用信息进行打包整合处理，从而可以减少信号传输电路在短时间内发送信号的次数，进而降低由于高频率发送带来的功耗。

102、主控芯片以第一射频信号的频率信息为依据，获取第一射频信号的功率等级，并发送功率等级至APT芯片。

作为一种可选的实施方式，主控芯片以第一射频信号的频率信息为依据，获取第一射频信号的功率等级，并发送功率等级至APT芯片之后，该方法还可以包括：

主控芯片检测是否存在天线模块发送信号的信息，若是，则确定信号发射成功；若否，主控芯片在预设时长阈值之后，再次检测是否存在天线模块发送信号的信息，若否，则记录信号未发送成功的信息，并重新发送功率等级至APT芯片。

实施这种实施方式，主控芯片可以对信号传输电路对信号是否发送成功进行监控，并在信号发送失败之后进行记录并重新发送，从而可以避免由于信号只发送一次而导致的信号发送失败的情况出现，进而降低了信号发送失败的概率，提高了信号传输电路发送信号的稳定性。

103、射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，发送第一射频信号至TxM芯片。

本发明实施例中，射频收发芯片可以同主控芯片、APT芯片、TxM芯片配合，从而起到发射2G射频小功率信号和接收2G射频信号两种功能。

作为一种可选的实施方式，射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，发送第一射频信号至TxM芯片，可以包括：

射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，打开信号发送功能，关闭信号接收功能，并发送第一射频信号至TxM芯片。

实施这种实施方式，射频收发芯片可以将发送和接收两种功能，划分为两种独立工作的情形，其中在发送信号的时候射频收发芯片不接收信号，在接收信号是不发送信号，这就使得射频收发芯片可以更加简单地执行单一指令，避免两种工作模式同时进行而带来的从而提高了射频收发芯片的稳定性。

作为一种进一步可选的实施方式，射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，打开信号发送功能，关闭信号接收功能，并发送第一射频信号至TxM芯片之后，还可以包括：

射频收发芯片关闭信号发送功能，打开信号接收功能。

实施这种实施方式，射频收发芯片可以在需要发送信号的时候启动信号发送功能，在不发送信号的时候启动信号接收功能，从而使得射频收发芯片可以在任何不发送信号的时候接收到外来信号，并对外来信号进行处理，进行提高了射频收发芯片的智能性。

在上述可选的实施方式中，上述功能可以通过硬件来实现，也可以通过软件控制来实现，对具体的实现方式，本发明实施例不做限定。

104、APT芯片在接收到功率等级时，输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片。

本发明实施例中，APT芯片可以同主控芯片及TxM芯片配合来实现根据不同的2G发射功率动态调试APT输出电压。

本发明实施例中，APT技术的全称为Average Power Tracking，中文名称为平均功率跟踪技术，在本发明实施例中，APT芯片为射频功放电源管理芯片(PA Power ManagementIC)，该APT芯片至少可以对射频的电源进行管理，对于APT芯片未使用的其他功能，本发明实施例中不做限定。

本发明实施例中，APT芯片还可以替换使用包括包络跟踪(Envelop Tracking，ET)功能的芯片，其中，更换芯片时需对整体电路进行相应的更改与调整，对此本发明实施例中不做赘述。

作为一种可选的实施方式，APT芯片在接收到功率等级时，输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片，可以包括：

APT芯片在接收到功率等级时，根据功率等级与控制电压匹配关系，输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片；其中，上述匹配关系可以根据检测到的可穿戴设备的忙闲程度自动调整，忙闲程度为忙时，比原功率等级数(原有的一个控制电压对应的功率等级数量)多的多个功率等级匹配一个控制电压，其中控制电压有多个，忙闲程度为闲时，比原功率等级数少的多个功率等级匹配一个控制电压。

实施这种实施方式，APT芯片可以根据忙闲程度自动调控匹配关系，使得APT芯片可以自由控制工作程度，从而避免忙时工作压力大，闲时工作压力小的情况出现，进而提高了APT芯片与可穿戴设备的智能性。

105、TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块。

本发明实施例中，TxM芯片可以为支持主控及APT芯片的第三方厂商TXM芯片，其功能为实现2G射频小功率信号到大功率信号的放大。

本发明实施例中，可参考图8，例如GSM900，当期望发射功率为33dBm时，可穿戴设备实际发出的功率为32.1dBm(看Real Power(dBm)APT这一行，实测功率均符合标准规范)，TXM常规接VBAT电池供电的方式，TXM的偏置电压即为VBAT电压(此处测试电压为3.8V)，对应的整机功耗为272mA。

用APT方式时，可穿戴设备根据网络(可为基站，综测仪)下发的功率控制信息，调用对应功率等级的射频收发芯片发射参数和TxM芯片的APT偏置电压，最终输出对应功率。该方式适用于本方案所有2G频段工作。总体来说，可穿戴设备要输出什么样的2G发射功率是被动受控于网络的调度，可穿戴设备需要做的是根据网络下发的功率控制指令输出相应的功率即可。

在算法方面总体上的一种理解为：经过预先调试的功率等级和APT偏压参数固化在可穿戴设备内，可穿戴设备在实际工作时根据网络调度和内部固化参数使2G APT正常输出相应功率。

TXM芯片的供电接口接APT芯片的偏压输出，经过调试，我们设定为3.5V(即此时TXM的偏压为3.5V)，可穿戴设备输出相同功率时，APT方式的整机功耗降低为264mA。相比使用VBAT，使用APT芯片的方式时，整机电流下降了8mA。同样地，在可以查看任意发射功率情形下，使用VBAT和使用APT芯片的偏置电压及整机功耗。其中不同功率等级的APT偏压需根据TxM规格书、功耗、性能需求进行调试(偏压并非越低越好或越高越好)。如图中所示，GSM900的APT调试结果为PCL5～PCL6是3.5V，PCL7～PCL9是3.0V，PCL10～PCL19是2.0V。(PCL为Power Class Level，为3GPP组织定义的功率等级概念，不同的PCL对应相应的实际功率，例如PCL5＝33dBm，PCL6＝31dBm，PCL7＝29dBm，如此类推，不同频段PCL和实际功率的对应关系可能不同，例如GSM900和EDGE900，GSM1800和EDGE1800，具体可参考后面的表格，这些对应关系均为3GPP组织定义的标准)。

作为一种可选的实施方式，TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块，可以包括：

TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率的放大得到放大后的第一射频信号(该第一射频信号的功率符合通信行业的通信标准即可)，并且TxM芯片对放大后的第一射频信号进行滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块。

实施这种实施方式，TxM芯片为第一射频信号的功率的放大确定了一个放大底限，并使得TxM芯片只需根据上述放大底限对第一射频信号进行放大就可以实现后续的功能，从而可以有效的避免对第一射频信号的过度放大而带来的功耗。

作为一种进一步可选的实施方式，TxM芯片对放大后的第一射频信号进行滤波，可以包括：

TxM芯片根据第一射频信号的频率调节低通滤波的门上限，并进一步地对放大后的第一射频信号进行低通滤波。

实施这种实施方式，TxM芯片可以根据第一射频信号的频率信息自适应调节TxM芯片中的低通滤波器的滤波门上限，从而提高了滤波的准确性，增强了TxM芯片的信号处理能力。

106、天线模块在接收到第二射频信号时，输出第二射频信号。

本发明实施例中，天线模块为可穿戴设备最终2G信号发射和接收的组件。

本发明实施例中，TxM芯片应为支持2G信号放大并支持2G APT功能的射频前端模组。主控芯片，射频收发芯片及APT芯片为套片，需成套协同工作，所有芯片均需支持2G APT功能应用；其余常规的发射匹配电路，接收滤波及匹配电路无需做特别设计。

在本发明实施例中，可穿戴设备上2G输出功率放大器普遍采用TxM芯片内部的2G功率放大器用来做2G射频信号功率放大，使用APT芯片进行电压偏置时可以解决传统电池电压供电带来的无法灵活根据2G功率放大器的发射功率来动态调整TxM芯片的偏置电压的问题，从而进一步降低2G发射功耗，避免对功耗高度敏感的穿戴设备续航时间造成阻碍，并进一步提高2G续航能力。

在图1所描述的方法中，当信号传输电路工作时，主控芯片已知第一发射信号信息(包括第一发射信号的功率等级)，并控制射频收发芯片发射2G射频小功率信号；同时，主控芯片发送第一射频信号的功率等级至APT芯片，以使APT芯片输出与功率等级对应的APT偏压，并打开TxM芯片，以使TxM芯片在接收到2G小功率射频信号输入和APT偏压之后，输出符合期望发射功率的射频信号。实施这种实施方式，能够通过APT芯片对TxM芯片进行偏压控制，实现准确控制TxM芯片对2G小功率信号的功率放大及滤波操作，避免了传统的VBAT以恒定不变的偏置电压对TxM芯片进行电压控制而带来的额外功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力。另外，2G各个功率等级在保证射频功率计射频指标满足行业法规的前提下，降低了2G各频段各发射功率的整体功耗；另外，可穿戴设备利用主流通信芯片组中的APT芯片的2G APT功能。无需额外增加APT芯片，不增加电路复杂度，从而减少了成本。

实施例二

请参阅图2，图2是本发明实施例公开的另一种信号传输方法的流程示意图。其中，该信号传输方法应用于可穿戴设备的信号传输电路中，上述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块。如图2所示，该信号传输方法可以包括以下步骤：

201、主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片；该第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，上述第一射频信号为2G信号。

202、主控芯片以第一射频信号的频率信息为依据，获取第一射频信号的功率等级，并发送功率等级至APT芯片。

203、射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，发送第一射频信号至TxM芯片。

204、APT芯片在接收到功率等级时，获取TxM芯片内置的功率放大器的功放参数。

205、APT芯片以功率等级与功放参数为依据，计算得到与功率等级和功放参数二者相匹配的控制电压。

206、APT芯片输出控制电压至TxM芯片的直流电压接口；该TxM芯片的直流电压接口用于接受控制电压，并为TxM芯片进行供电操作。

实施步骤204～步骤206，APT芯片可以根据功率放大器的功放参数与预先获得功率等级计算出控制电压的电压值，并将该控制电压输入至TxM芯片的直流电压接口，使得APT芯片可以根据两个数据进行更准确的控制电压确定，并将该控制电压在指定的硬件电压输入位置进行输入，从而做到准确控制TxM执行后续步骤。

207、TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块。

208、天线模块在接收到第二射频信号时，输出第二射频信号。

在图2所描述的方法中，当信号传输电路工作时，主控芯片已知第一发射信号信息(包括第一发射信号的功率等级)，并控制射频收发芯片发射2G射频小功率信号；同时，主控芯片发送第一射频信号的功率等级至APT芯片，APT芯片接收上述第一射频信号的功率等级，并且获取TxM芯片内置的功率放大器的功放参数，在得到功率等级与放大参数之后，确定待输出的控制电压，并准确输出与功率等级和放大参数二者相对应的APT偏压，其中该APT偏压由APT芯片输入至TxM芯片的直流电压接口，TxM芯片在接收到2G小功率射频信号输入和APT偏压之后，输出符合期望发射功率的射频信号。实施这种实施方式，能够通过APT芯片对TxM芯片进行偏压控制，实现准确控制TxM芯片对2G小功率信号的功率放大及滤波操作，避免了传统的VBAT以恒定不变的偏置电压对TxM芯片进行电压控制而带来的额外功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力；同时，APT芯片可以根据2G小功率信号的功率等级与TxM芯片中功率放大器的功放参数确定符合当前电路的控制电压，从而实现对TxM芯片的准确控制，进而降低信号发射损耗，提高可穿戴设备的续航能力。

实施例三

请参阅图3，图3是本发明实施例公开的另一种信号传输方法的流程示意图。其中，该信号传输方法应用于可穿戴设备的信号传输电路中，上述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片、天线匹配电路以及天线模块。如图3所示，该信号传输方法可以包括以下步骤：

301、主控芯片发送第一射频信号信息至射频收发芯片；该第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，上述第一射频信号为2G信号。

302、主控芯片以第一射频信号的频率信息为依据，获取第一射频信号的功率等级，并发送功率等级至APT芯片。

303、射频收发芯片在接收到第一射频信号信息时，发送第一射频信号至TxM芯片。

304、APT芯片在接收到功率等级时，获取TxM芯片内置的功率放大器的功放参数。

305、APT芯片以功率等级与功放参数为依据，计算得到与功率等级和功放参数二者相匹配的控制电压。

306、APT芯片输出控制电压至TxM芯片的直流电压接口；该TxM芯片的直流电压接口用于接受控制电压，并为TxM芯片进行供电操作。

307、TxM芯片在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号。

308、TxM芯片通过TxM芯片内置的低通滤波器对放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号。

309、TxM芯片发送第二射频信号至天线匹配电路，以使天线匹配电路在天线模块的天线阻抗为匹配阻抗时，发送第二射频信号至天线模块。

实施步骤307～步骤309，TxM芯片可以通过内置的器件对信号进行放大及滤波处理，并且上述滤波处理不再使用传统的带通滤波器而是使用低通滤波器，从而避免了单独的功率放大器与滤波器之间的连接损耗，并且使用低通滤波器可以有效降低传统使用带通滤波器带来的功率损耗；同时，TxM芯片发送第二射频信号至天线匹配电路，该天线匹配电路可以自动匹配天线的阻抗，使之天线阻抗为匹配阻抗，从而可以避免天线与装置连接时的馈线损耗。

310、天线模块在接收到第二射频信号时，输出第二射频信号。

请参阅图8和图9，其中，图8是本发明实施例公开的一幅频段为GSM900的数据对比表，图9是本发明实施例公开的一幅频段为GSM900的数据对比图。如图8所示，当功率发射等级不同时，使用VBAT产生的功率损耗要大于使用APT产生的功率损耗，同时可以在表格中看出，APT输入的电压会随着功率发射等级的不同发生变化，使得信号传输电路可以通过这种电压变化减少功率的损耗；如图9所示，该图的纵坐标为总电流(单位为毫安)，横坐标为输出功率(单位为分贝毫瓦)，两条拟合曲线中的一条为使用VBAT在GSM900频段时产生的数据拟合出的拟合曲线，另一条为使用APT在GSM900频段时产生的数据拟合出的拟合曲线，其中，从图9中可以直观地观察到，VBAT对应的拟合曲线的功率消耗要大于APT对应的拟合曲线的功率消耗，从而可以清楚地看出使用APT可以节约功率损耗。

请参阅图10和图11，其中，图10是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE900的数据对比表，图11是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE900的数据对比图，图10与图8为类似表，图11与图9为类似图，其中具体的表头与坐标轴意义以下将不再赘述。如图10所示，当功率发射等级不同时，使用VBAT产生的功率损耗要大于使用APT产生的功率损耗，同时可以在表格中看出，APT输入的电压会随着功率发射等级的不同发生变化，使得信号传输电路可以通过这种电压变化减少功率的损耗；如图11所示，由图11中可以直观地观察到，VBAT对应的拟合曲线的功率消耗要大于APT对应的拟合曲线的功率消耗，从而可以清楚地看出使用APT可以节约功率损耗。

请参阅图12和图13，其中，图12是本发明实施例公开的一幅频段为GSM1800的数据对比表，图13是本发明实施例公开的一幅频段为GSM1800的数据对比图，图12与图8为类似表，图13与图10为类似图，其中具体的表头与坐标轴意义以下将不再赘述。如图12所示，当功率发射等级不同时，使用VBAT产生的功率损耗要大于使用APT产生的功率损耗；如图13所示，VBAT对应的拟合曲线的功率消耗要大于APT对应的拟合曲线的功率消耗，因此可以清楚地看出使用APT可以节约功率损耗。

请参阅图14和图15，其中，图14是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE1800的数据对比表，图14是本发明实施例公开的一幅频段为EDGE1800的数据对比图，图14与图10为类似表，图15与图11为类似图，其中具体的表头与坐标轴意义以下将不再赘述。如图14所示，当功率发射等级不同时，使用VBAT产生的功率损耗要大于使用APT产生的功率损耗；如图15所示，VBAT对应的拟合曲线的功率消耗要大于APT对应的拟合曲线的功率消耗，因此可以清楚地看出使用APT可以节约功率损耗。

在图3所描述的方法中，当信号传输电路工作时，主控芯片已知第一发射信号信息(包括第一发射信号的功率等级)，并控制射频收发芯片发射2G射频小功率信号；同时，主控芯片发送第一射频信号的功率等级至APT芯片，APT芯片接收上述第一射频信号的功率等级，并且获取TxM芯片内置的功率放大器的功放参数，在得到功率等级与放大参数之后，确定待输出的控制电压，并准确输出与功率等级和放大参数二者相对应的APT偏压，其中该APT偏压由APT芯片输入至TxM芯片的直流电压接口，TxM芯片在接收到2G小功率射频信号输入和APT偏压之后，对2G小功率信号进行功率放大与滤波，输出第二射频信号至天线匹配电路，天线匹配电路在获取到第二射频信号时，调整天线模块的天线阻抗为最佳的匹配阻抗(标准阻抗)，并发送第二射频信号至天线模块，以使天线模块输出符合期望发射功率的射频信号。实施这种实施方式，能够通过APT芯片对TxM芯片进行偏压控制，实现准确控制TxM芯片对2G小功率信号的功率放大及滤波操作，避免了传统的VBAT以恒定不变的偏置电压对TxM芯片进行电压控制而带来的额外功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力；同时，APT芯片可以根据2G小功率信号的功率等级与TxM芯片中功率放大器的功放参数确定符合当前电路的控制电压，从而实现对TxM芯片的准确控制，进而降低信号发射损耗，提高可穿戴设备的续航能力；另外，TxM芯片可以在控制电压的控制下，通过内置的功率放大器对第一射频信号进行功率放大，并且通过TxM芯片内置的低通滤波器对放大后的射频信号进行滤波，得到并发送第二射频信号至天线匹配电路，天线匹配电路可以调节天线阻抗为电路中与天线最适合的匹配阻抗，并在完成调节之后发送第二射频信号，使得天线模块可以输出第二射频信号，从而避免由于天线模块与TxM芯片之间馈线等因素造成的信号质量问题。

实施例四

请参阅图4，图4是本发明实施例公开的一种信号传输电路的结构示意图。如图4所示，该信号传输电路应用于可穿戴设备中，并且该信号传输电路可以包括主控芯片401、射频收发芯片402、射频电源管理APT芯片403、发射模组TxM芯片404以及天线模块405，其中，

主控芯片401，用于发送第一射频信号信息至射频收发芯片402；第一射频信号信息包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，第一射频信号为2G信号。

本发明实施例中，第一射频信号信息可以包括与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息、与第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的功率信息以及其他信息，对此本发明实施中不做限定。

本发明实施例中，主控芯片401可以为主流的支持2G通信，支持APT芯片的主控芯片401。

本发明实施例中，2G信号的频率可以为任意的2G频率，其中对于具体使用某种频率的2G信号，本发明实施例不做限定。

主控芯片401，还用于以第一射频信号的频率信息为依据，获取第一射频信号的功率等级，并发送功率等级至APT芯片403。

射频收发芯片402，用于在接收到第一射频信号信息时，发送第一射频信号至TxM芯片404。

本发明实施例中，射频收发芯片402可以同主控芯片401、APT芯片403、TxM芯片404配合，从而起到发射2G射频小功率信号和接收2G射频信号两种功能。

APT芯片403，用于在接收到功率等级时，输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片404。

本发明实施例中，APT芯片403可以同主控芯片及TxM芯片404配合来实现根据不同的2G发射功率动态调试APT输出电压。

本发明实施例中，APT技术的全称为Average Power Tracking，中文名称为平均功率跟踪技术，在本发明实施例中，APT芯片403为射频功放电源管理芯片(PA PowerManagement IC)，该APT芯片403至少可以对射频的电源进行管理，对于APT芯片403未使用的其他功能，本发明实施例中不做限定。

本发明实施例中，APT芯片403还可以替换使用包括包络跟踪(EnvelopTracking，ET)功能的芯片，其中，更换芯片时需对整体电路进行相应的更改与调整，对此本发明实施例中不做赘述。

TxM芯片404，用于在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块405。

本发明实施例中，TxM芯片404可以为支持主控芯片401及APT芯片403的第三方厂商TxM芯片，其功能为实现2G射频小功率信号到大功率信号的放大。

本发明实施例中，可参考图8，例如GSM900，当期望发射功率为33dBm时，可穿戴设备实际发出的功率为32.1dBm(看Real Power(dBm)APT这一行，实测功率均符合标准规范)，TXM常规接VBAT电池供电的方式，TXM的偏置电压即为VBAT电压(此处测试电压为3.8V)，对应的整机功耗为272mA.

用APT方式时，可穿戴设备根据网络(可为基站，综测仪)下发的功率控制信息，调用对应功率等级的射频收发芯片发射参数和TxM芯片的APT偏置电压，最终输出对应功率。该方式适用于本方案所有2G频段工作。总体来说，可穿戴设备要输出什么样的2G发射功率是被动受控于网络的调度，可穿戴设备需要做的是根据网络下发的功率控制指令输出相应的功率即可。

在算法方面总体上的一种理解为：经过预先调试的功率等级和APT偏压参数固化在可穿戴设备内，可穿戴设备在实际工作时根据网络调度和内部固化参数使2G APT正常输出相应功率。

天线模块405，用于在接收到第二射频信号时，输出第二射频信号。

可见，实施这种实施方式，能够通过APT芯片对TxM芯片进行偏压控制，实现准确控制TxM芯片对2G小功率信号的功率放大及滤波操作，避免了传统的VBAT以恒定不变的偏置电压对TxM芯片进行电压控制而带来的额外功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力。

实施例五

请参阅图5，图5是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图。其中，图5所示的信号传输电路是由图4所示的信号传输电路进行优化得到的，其中，如图5所示，该信号传输电路还可以包括天线匹配电路406。与图4所示的信号传输电路相比，图5所示的APT芯片403在接收到功率等级时，输出与功率等级相匹配的控制电压至TxM芯片404的方式具体为：

APT芯片403在接收到所述功率等级时，获取TxM芯片404内置的功率放大器的功放参数。

APT芯片403以功率等级与功放参数为依据，计算得到与功率等级和功放参数二者相匹配的控制电压。

APT芯片403输出控制电压至TxM芯片404。

作为一种可选的实施方式，在图5所示的信号传输电路中，APT芯片403输出控制电压至TxM芯片404的方式具体为：

APT芯片403输出控制电压至TxM芯片404的直流电压接口；其中，TxM芯片404的直流电压接口用于接受控制电压，并为TxM芯片404进行供电操作。

作为一种可选的实施方式，在图5所示的信号传输电路中，TxM芯片404在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送第二射频信号至天线模块405的方式具体为：

TxM芯片404在控制电压的控制下，对第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号。

TxM芯片404通过TxM芯片404内置的低通滤波器对放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号。

TxM芯片404发送第二射频信号至天线模块405。

作为一种可选的实施方式，在图5所示的信号传输电路中，TxM芯片404发送第二射频信号至天线模块405的方式具体为：

TxM芯片404发送第二射频信号至天线匹配电路406，以使天线匹配电路406在天线模块405的天线阻抗为匹配阻抗时，发送第二射频信号至天线模块405。

请参阅图6，图6是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图。如图6所示，该信号传输电路还包括接收滤波及匹配电路407，使用图6所示的信号传输电路可以通过天线模块405接收外来的信号，并传输外来信号给发射模组TxM芯片404，再通过TxM芯片404传输外来信号给接收滤波及匹配电路407，并将处理得到的信号经由射频收发芯片402发送至主控芯片401，从而使可穿戴设备对处理得到的信号进行处理，其中TxM芯片404可以对接收到的外来信号进行粗略去噪处理。

可见，实施这种实施方式，能够通过APT芯片对TxM芯片进行偏压控制，实现准确控制TxM芯片对2G小功率信号的功率放大及滤波操作，避免了传统的VBAT以恒定不变的偏置电压对TxM芯片进行电压控制而带来的额外功率损耗，从而降低了可穿戴设备整体的信号发射功耗，进而增加了可穿戴设备的续航能力；同时，APT芯片可以根据2G小功率信号的功率等级与TxM芯片中功率放大器的功放参数确定符合当前电路的控制电压，从而实现对TxM芯片的准确控制，进而降低信号发射损耗，提高可穿戴设备的续航能力；另外，TxM芯片可以在控制电压的控制下，通过内置的功率放大器对第一射频信号进行功率放大，并且通过TxM芯片内置的低通滤波器对放大后的射频信号进行滤波，得到并发送第二射频信号至天线匹配电路，天线匹配电路可以调节天线阻抗为电路中与天线最适合的匹配阻抗，并在完成调节之后发送第二射频信号，使得天线模块可以输出第二射频信号，从而避免由于天线模块与TxM芯片之间馈线等因素造成的信号质量问题。

实施例六

请参阅图7，图7是本发明实施例公开的另一种信号传输电路的结构示意图。如图7所示，该信号传输电路可以包括：

存储有可执行程序代码的存储器701；

与存储器701耦合的处理器702；

其中，处理器702调用存储器701中存储的可执行程序代码，执行图1～图3任意一种信号传输方法。

本发明实施例公开一种计算机可读存储介质，其存储计算机程序，其中，该计算机程序使得计算机执行图1～图3任意一种信号传输方法。

应理解，说明书通篇中提到的“本发明实施例”或“作为一种可选的实施方式”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“本发明实施例”或“作为一种可选的实施方式”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。

本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存储器(Random Access Memory，RAM)、可编程只读存储器(Programmable Read-only Memory，PROM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM)、一次可编程只读存储器(One-time Programmable Read-Only Memory，OTPROM)、电子抹除式可复写只读存储器(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)、只读光盘(CompactDisc Read-Only Memory，CD-ROM)或其他光盘存储器、磁盘存储器、磁带存储器、或者能够用于携带或存储数据的计算机可读的任何其他介质。

以上对本发明实施例公开的一种信号传输方法及信号传输电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种信号传输方法，其特征在于，所述方法应用于可穿戴设备的信号传输电路中，所述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块，所述方法包括：

所述主控芯片发送第一射频信号信息至所述射频收发芯片；所述第一射频信号信息包括与所述第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，所述第一射频信号为2G信号；

所述主控芯片以所述第一射频信号的频率信息为依据，获取所述第一射频信号的功率等级，并发送所述功率等级至所述APT芯片；

所述射频收发芯片在接收到所述第一射频信号信息时，发送所述第一射频信号至所述TxM芯片；

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片；

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块；

所述天线模块在接收到所述第二射频信号时，输出所述第二射频信号。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，获取所述TxM芯片内置的功率放大器的功放参数；

所述APT芯片以所述功率等级与所述功放参数为依据，计算得到与所述功率等级和所述功放参数二者相匹配的控制电压；

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片，包括：

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的直流电压接口；所述TxM芯片的直流电压接口用于接受所述控制电压，并为所述TxM芯片进行供电操作。

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块，包括：

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号；

所述TxM芯片通过所述TxM芯片内置的低通滤波器对所述放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述信号传输电路还包括天线匹配电路；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块，包括：

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线匹配电路，以使所述天线匹配电路在所述天线模块的天线阻抗为匹配阻抗时，发送所述第二射频信号至所述天线模块。

6.一种信号传输电路，其特征在于，所述信号传输电路应用于可穿戴设备中，并且所述信号传输电路包括主控芯片、射频收发芯片、射频电源管理APT芯片、发射模组TxM芯片以及天线模块，其中，

所述主控芯片，用于发送第一射频信号信息至所述射频收发芯片；所述第一射频信号信息包括与所述第一射频信号信息相匹配的第一射频信号的频率信息，所述第一射频信号为2G信号；

所述主控芯片，还用于以所述第一射频信号的频率信息为依据，获取所述第一射频信号的功率等级，并发送所述功率等级至所述APT芯片；

所述射频收发芯片，用于在接收到所述第一射频信号信息时，发送所述第一射频信号至所述TxM芯片；

所述APT芯片，用于在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片；

所述TxM芯片，用于在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块；

所述天线模块，用于在接收到所述第二射频信号时，输出所述第二射频信号。

7.根据权利要求6所述的信号传输电路，其特征在于，所述APT芯片在接收到所述功率等级时，输出与所述功率等级相匹配的控制电压至所述TxM芯片的方式具体为：

所述APT芯片在接收到所述功率等级时，获取所述TxM芯片内置的功率放大器的功放参数；

所述APT芯片以所述功率等级与所述功放参数为依据，计算得到与所述功率等级和所述功放参数二者相匹配的控制电压；

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片。

8.根据权利要求7所述的信号传输电路，其特征在于，所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的方式具体为：

所述APT芯片输出所述控制电压至所述TxM芯片的直流电压接口；所述TxM芯片的直流电压接口用于接受所述控制电压，并为所述TxM芯片进行供电操作。

9.根据权利要求6～8任一项所述的信号传输电路，其特征在于，所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率调整和滤波，得到第二射频信号，并发送所述第二射频信号至所述天线模块的方式具体为：

所述TxM芯片在所述控制电压的控制下，对所述第一射频信号进行功率放大，得到放大后的射频信号；

所述TxM芯片通过所述TxM芯片内置的低通滤波器对所述放大后的射频信号进行滤波，得到第二射频信号；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块。

10.根据权利要求9所述的信号传输电路，其特征在于，所述信号传输电路还包括天线匹配电路；

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线模块的方式具体为：

所述TxM芯片发送所述第二射频信号至所述天线匹配电路，以使所述天线匹配电路在所述天线模块的天线阻抗为匹配阻抗时，发送所述第二射频信号至所述天线模块。