CN108336162A - 一种双面太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
一种双面太阳能电池及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108336162A CN108336162A CN201810127620.XA CN201810127620A CN108336162A CN 108336162 A CN108336162 A CN 108336162A CN 201810127620 A CN201810127620 A CN 201810127620A CN 108336162 A CN108336162 A CN 108336162A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type silicon
- back surface
- electrode
- exposed
- predeterminated position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 150
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 150
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 150
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 23
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 21
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N [Si][Ag] Chemical compound [Si][Ag] XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 aluminium Silver Chemical compound 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0684—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells double emitter cells, e.g. bifacial solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种双面太阳能电池及其制造方法,其中该方法包括:对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散;对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理;在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极。本申请公开的上述技术方案,在制绒后的P型硅的正表面和背表面同时进行磷扩散,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,在背表面的裸露位置处制备正电极,并在背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,也即只需对P型硅的正表面和背表面进行一次磷扩散,而不需要进行两次不同的扩散,从而可以降低制备太阳能电池的复杂程度,缩短制备太阳能电池的时间,提高制备太阳能电池的效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种双面太阳能电池及其制造方法。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化为电能的装置,目前,以晶硅太阳能电池为主流太阳能电池,传统的太阳能电池为单面太阳能电池,也即只有正表面能够吸收太阳光并转化为电能,而背面则无法吸收太阳光并转化为电能,从而使得太阳能电池的光电转化效率比较低,因此,两面都可以进行发电的双面太阳能电池受到人们的关注。
在现有的双面太阳能电池中,多以N型硅作为衬底,相应的,制备太阳能电池的工艺大致为:在N型硅的正表面和背表面分别制备绒面;在制绒后的N型硅的正表面扩散硼,以形成P型硅,在制绒后的N型硅的背表面扩散磷,以形成N+型硅;去除磷扩散过程中在N型硅表面所形成的磷硅玻璃;对扩散后的N型硅的正表面和背表面进行钝化,制备减反射膜、钝化膜;在钝化后的N型硅的正表面和背表面分别制备电极,最终得到P-N-N+结构的双面太阳能电池。在上述过程中,由于需要经历硼扩散和磷扩散这两次扩散,而扩散本身是一个比较复杂的过程,并且考虑到两次扩散的物质不同,在对正表面进行扩散时为了防止扩散物质对背表面造成污染,或在对背表面进行扩散时为了防止扩散物质对正表面造成污染,则需要对非扩散的一面进行保护,而这些操作均会使太阳能电池的生产工艺变得复杂。
综上所述,现有的制备双面太阳能电池的方法存在工艺比较复杂的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种双面太阳能电池及其制造方法,以解决现有的制备双面太阳能电池的方法所存在的工艺比较复杂的问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种双面太阳能电池的制造方法,包括:
对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散;
对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理;
在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极。
优选的,在对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散之前,还包括:
在制绒后的P型硅背表面的预设位置覆盖介质;
对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,包括:
取下在P型硅背表面的预设位置所覆盖的介质,以将预设位置处的P型硅裸露出来。
优选的,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,包括:
去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷。
优选的,去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷,包括:
在磷扩散后P型硅背表面预设位置处涂覆硅腐蚀膏,利用所述硅腐蚀膏去除预设位置处的磷。
优选的,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,包括:
在P型硅背表面裸露位置印刷铝浆,并进行烧结,形成正电极。
优选的,在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,包括:
在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面、背表面裸露位置分别印刷银浆,并进行烧结,形成正面银电极和背面银电极。
一种双面太阳能电池,基于上述任一项所述的双面太阳能电池的制造方法,从上至下依次包括正面电极、正面钝化层、N型硅、P型硅、N型硅、背面钝化层、背面电极,所述背面电极包括位于裸露位置的正电极和位于裸露位置之外的负电极。
优选的,所述背面电极中包括的正电极为铝电极。
优选的,所述正面电极为银电极,所述背面电极中包括的负电极为银电极、所述铝电极上分布有银电极。
本发明提供了一种双面太阳能电池及其制造方法,其中该方法包括:对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散;对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理;在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极。本申请公开的上述技术方案,以P型硅为衬底,在制绒后的P型硅的正表面和背表面同时进行磷扩散,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,在P型硅背表面的裸露位置处制备正电极,并在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,也即只需对P型硅的正表面和背表面进行一次磷扩散,而不需要进行两次不同的扩散,从而可以降低制备太阳能电池的复杂程度,缩短制备太阳能电池的时间,提高制备太阳能电池的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参见图1,其示出了本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法的流程图,可以包括:
S11:对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散。
选用P型硅作为双面太阳能电池的衬底,对P型硅的正表面和背表面进行制绒处理,以在P型硅的正表面和背表面形成金字塔结构。制绒完成之后,可以在P型硅的正表面和背表面同时进行磷扩散,以在P型硅的正表面和背表面分别形成N型硅,从而使P型硅和N型硅的接触面位置处形成双面PN结,也即只需进行一次磷扩散即可在P型硅的正表面和背表面分别形成PN结,从而可以简化太阳能电池的工艺流程。
S12:对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理。
考虑到太阳能电池需要通过正电极和负电极将内部的电流输送至外部,并形成回路,而在磷扩散后的P型硅的正表面和背表面所制备的电极均为负电极,则需要将P型硅给部分裸露出来,以便于在裸露的P型硅上制备正电极,为了尽可能的增大太阳能电池的有效受光面积,以提高太阳能电池的光电转换效率,则可以对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,以将背表面预设位置处的P型硅给裸露出来,其中,所提及的预设位置可以是预先在背表面进行等份划分所形成的位置,也可以是根据实际需要进行非等份划分所形成的位置。
S13:在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极。
在对P型硅进行了磷扩散以及裸露处理之后,可以在P型硅背表面除裸露位置之外的位置、以及P型硅的正表面分别制备负电极,并在P型硅背表面的裸露位置处制备正电极,以制备出双面P型太阳能电池。
本申请公开的上述技术方案,以P型硅为衬底,在制绒后的P型硅的正表面和背表面同时进行磷扩散,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,在P型硅背表面的裸露位置处制备正电极,并在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,也即只需对P型硅的正表面和背表面进行一次磷扩散,而不需要进行两次不同的扩散,从而可以降低制备太阳能电池的复杂程度,缩短制备太阳能电池的时间,提高制备太阳能电池的效率。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法,在对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散之前,还可以包括:
在制绒后的P型硅背表面的预设位置覆盖介质;
对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,可以包括:
取下在P型硅背表面的预设位置所覆盖的介质,以将预设位置处的P型硅裸露出来。
在对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散之前,可以在制绒后的P型硅背表面的预设位置处覆盖介质,在进行磷扩散的过程中,预设位置处所覆盖的介质可以阻挡磷扩散至对应位置处的P型硅中,从而可以对对应位置处的P型硅起到保护的作用。相应地,在磷扩散完成之后,则可以取下P型硅背表面预设位置处所覆盖的介质,以将被介质所覆盖的P型硅裸露出来,也即先在P型硅预设位置进行遮挡处理,再对P型硅进行磷扩散,然后去除预设位置的遮挡,这种裸露处理的方式几乎不会给预设位置处的P型硅带来损伤,并且在这种情况下可以减少磷的使用量,降低太阳能电池的制造成本。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,可以包括:
去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷。
在对P型硅完成制绒之后,可以直接对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散,在磷扩散之后,可以去除P型硅背表面预设位置处所扩散的磷,以将预设位置处的P型硅给裸露出来,也即先对P型硅进行磷扩散,然后对P型硅的预设位置进行裸露处理,这种裸露处理的方式操作比较简单。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法,去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷,可以包括:
在磷扩散后P型硅背表面预设位置处涂覆硅腐蚀膏,利用硅腐蚀膏去除预设位置处的磷。
在对制绒后的P型硅正表面和背表面进行磷扩散之后,可以在P型硅背表面预设位置处涂覆硅腐蚀膏,利用涂覆的硅腐蚀膏将预设位置处所扩散的磷腐蚀掉,也即将预设位置处所形成的N型硅给腐蚀掉,从而将预设位置处的P型硅给裸露出来,腐蚀完所扩散的磷之后,则洗去所涂覆的硅腐蚀膏,以免对其他位置处的P型硅造成损伤,利用硅腐蚀膏进行腐蚀便于控制腐蚀的程度,当然,也可以通过其他方式去除预设位置处所扩散的磷,例如利用等离子体进行刻蚀以去除预设位置处所扩散的磷等,这些具体方式均在本发明的保护范围之内。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,可以包括:
在P型硅背表面裸露位置印刷铝浆,并进行烧结,形成正电极。
在对P型硅背表面预设位置进行裸露处理之后,可以在P型硅的裸露位置通过丝网印刷或者其他方式印刷铝浆,并进行高温烧结,从而在P型硅裸露位置处形成正电极,采用铝作为双面P型太阳能电池的正电极可以降低功函数,使电极与P型硅之间形成更好的接触,在一定程度上可以提高双面P型太阳能电池的性能。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法,在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,包括:
在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面、背表面裸露位置分别印刷银浆,并进行烧结,形成正面银电极和背面银电极。
在P型硅背表面利用铝浆制备完正电极之后,可以在P型硅的背表面和正表面分别通过丝网印刷或其他方式印刷银浆,也即在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面、背表面裸露位置分别印刷银浆,并进行烧结,从而形成正面银电极和背面银电极。银作为电极具有导电率高、化学稳定好、附着力强等特点。
本发明实施例还提供了一种双面太阳能电池,如图2所示,其示出了本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的结构示意图,该双面太阳能电池基于上述任一种双面太阳能电池的制造方法,从上至下依次可以包括正面电极1、正面钝化层2、第一N型硅3、P型硅4、第二N型硅5、背面钝化层6、背面电极7,背面电极7包括位于裸露位置的正电极71和位于裸露位置之外的负电极72。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池,背面电极7中所包括的正电极71为铝电极。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池,正面电极1为银电极,背面电极7中包括的负电极72为银电极、铝电极上分布有银电极。
本发明实施例提供的一种双面太阳能电池中对应部分的详细说明请参见本发明实施例提供的一种双面太阳能电池的制造方法中对应部分的详细说明,在此不再赘述。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外,本发明实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明,以免过多赘述。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种双面太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:
对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散;
对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理;
在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对制绒后的P型硅的正表面和背表面进行磷扩散之前,还包括:
在制绒后的P型硅背表面的预设位置覆盖介质;
对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,包括:
取下在P型硅背表面的预设位置所覆盖的介质,以将预设位置处的P型硅裸露出来。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对P型硅背表面的预设位置进行裸露处理,包括:
去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,去除磷扩散后P型硅背表面预设位置处所扩散的磷,包括:
在磷扩散后P型硅背表面预设位置处涂覆硅腐蚀膏,利用所述硅腐蚀膏去除预设位置处的磷。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,包括:
在P型硅背表面裸露位置印刷铝浆,并进行烧结,形成正电极。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面分别制备负电极,在P型硅背表面裸露位置制备正电极,包括:
在P型硅背表面除裸露位置外的位置、正表面、背表面裸露位置分别印刷银浆,并进行烧结,形成正面银电极和背面银电极。
7.一种双面太阳能电池,其特征在于,基于权利要求1-6任一项所述的双面太阳能电池的制造方法,从上至下依次包括正面电极、正面钝化层、N型硅、P型硅、N型硅、背面钝化层、背面电极,所述背面电极包括位于裸露位置的正电极和位于裸露位置之外的负电极。
8.根据权利要求7所述的双面太阳能电池,其特征在于,所述背面电极中包括的正电极为铝电极。
9.根据权利要求8所述的双面太阳能电池,其特征在于,所述正面电极为银电极,所述背面电极中包括的负电极为银电极、所述铝电极上分布有银电极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810127620.XA CN108336162A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种双面太阳能电池及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810127620.XA CN108336162A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种双面太阳能电池及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108336162A true CN108336162A (zh) | 2018-07-27 |
Family
ID=62927107
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810127620.XA Pending CN108336162A (zh) | 2018-02-08 | 2018-02-08 | 一种双面太阳能电池及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108336162A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037366A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-18 | 晶科能源有限公司 | 一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101101936A (zh) * | 2007-07-10 | 2008-01-09 | 中电电气(南京)光伏有限公司 | 选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法 |
CN101777603A (zh) * | 2009-01-08 | 2010-07-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 背接触太阳能电池的制造方法 |
CN101777606A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-07-14 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺 |
CN102738309A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-17 | 辽宁朝阳太阳能科技有限公司 | 双面高效陷光纳米绒面的双pn结晶硅太阳能电池制造方法 |
CN102800738A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种叉指型背接触式太阳能电池及其制备方法 |
CN203071093U (zh) * | 2011-12-16 | 2013-07-17 | 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 | 背触点-太阳能电池 |
CN103474515A (zh) * | 2013-10-09 | 2013-12-25 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | P型双面太阳电池的制作方法 |
CN103620800A (zh) * | 2011-04-19 | 2014-03-05 | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 | 用于制造太阳能电池的方法 |
-
2018
- 2018-02-08 CN CN201810127620.XA patent/CN108336162A/zh active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101101936A (zh) * | 2007-07-10 | 2008-01-09 | 中电电气(南京)光伏有限公司 | 选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法 |
CN101777603A (zh) * | 2009-01-08 | 2010-07-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 背接触太阳能电池的制造方法 |
CN101777606A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-07-14 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池选择性扩散工艺 |
CN103620800A (zh) * | 2011-04-19 | 2014-03-05 | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 | 用于制造太阳能电池的方法 |
CN102800738A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | 中国科学院微电子研究所 | 一种叉指型背接触式太阳能电池及其制备方法 |
CN203071093U (zh) * | 2011-12-16 | 2013-07-17 | 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 | 背触点-太阳能电池 |
CN102738309A (zh) * | 2012-07-11 | 2012-10-17 | 辽宁朝阳太阳能科技有限公司 | 双面高效陷光纳米绒面的双pn结晶硅太阳能电池制造方法 |
CN103474515A (zh) * | 2013-10-09 | 2013-12-25 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | P型双面太阳电池的制作方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037366A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-18 | 晶科能源有限公司 | 一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109244194B (zh) | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 | |
CN104538501A (zh) | N型双面电池及其制作方法 | |
CN105826409B (zh) | 一种局部背场n型太阳能电池的制备方法 | |
WO2019128073A1 (zh) | 一种高效mwt太阳能电池的制备方法 | |
CN105529374A (zh) | 一种晶硅太阳能电池的正面电极 | |
CN108321252A (zh) | 一种太阳能电池栅线的制备方法 | |
CN105679850A (zh) | 一种晶硅太阳能电池 | |
CN105529373A (zh) | 一种晶硅太阳能电池的正面电极 | |
CN105655424A (zh) | 全背场扩散n型硅基电池及其制备方法 | |
CN101872808A (zh) | 一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制作方法 | |
CN105633177A (zh) | 一种晶硅太阳能电池 | |
CN103646992A (zh) | 一种p型晶体硅双面电池的制备方法 | |
CN102903765A (zh) | 一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法 | |
CN105679849A (zh) | 一种晶硅太阳能电池 | |
CN105552145B (zh) | 一种晶硅太阳能电池 | |
CN102097525A (zh) | 一种一步扩散制备n型太阳能电池的方法 | |
CN108336162A (zh) | 一种双面太阳能电池及其制造方法 | |
CN102169833B (zh) | 一种低功耗二极管制造工艺 | |
CN105957921A (zh) | 一种利用印刷技术制备n型硅ibc太阳电池的方法 | |
CN105161552A (zh) | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 | |
CN102738309A (zh) | 双面高效陷光纳米绒面的双pn结晶硅太阳能电池制造方法 | |
CN104521002B (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
CN105552144B (zh) | 一种晶硅太阳能电池的正面电极 | |
CN108183147A (zh) | 一种mwt硅太阳能电池的制备方法 | |
CN102361050A (zh) | 一种太阳能电池制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180727 |