CN108330544B - 冷等离子体着色碱卤晶体的方法 - Google Patents
冷等离子体着色碱卤晶体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108330544B CN108330544B CN201810269458.5A CN201810269458A CN108330544B CN 108330544 B CN108330544 B CN 108330544B CN 201810269458 A CN201810269458 A CN 201810269458A CN 108330544 B CN108330544 B CN 108330544B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plasma
- alkali halide
- crystal
- alkali
- color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000003513 alkali Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004040 coloring Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 title claims abstract description 18
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 18
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 42
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M potassium chloride Inorganic materials [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 19
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 19
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 halogen ion Chemical class 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- CJLMBIMJYLGFOF-UHFFFAOYSA-K potassium;lead(2+);trichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[K+].[Pb+2] CJLMBIMJYLGFOF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/20—Doping by irradiation with electromagnetic waves or by particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法包括以下步骤：(1)将碱卤化物晶体置于等离子体发生装置的两个电极之间；(2)通入等离子放电气体；(3)在两个电极上施加电压，等离子体产生且其中的高能电子对碱卤化物晶体表面进行轰击，一段时间后，将产物取出，完成后处理并得到着色的成品。本发明采用的冷等离子体着色碱卤晶体的方法，整个反应过程在室温下进行，是一种低能量的处理方式，这有利于我们较为方便地对碱卤晶体色心一类的缺陷诱导进行控制。
Description
技术领域
本发明属于材料科学技术领域，尤其是涉及冷等离子体着色碱卤晶体的方法。
背景技术
碱卤晶体是一种良好的光学材料，而经过加热、辐照等方法产生的碱卤色心晶体在光学非线性和光电子等方面均具有良好的光学性能，因此受到了人们的广泛关注。对于碱卤晶体变色现象的研究最初始于将氯化钠晶体置于钠蒸汽中加热处理后，原来无色透明的晶体变为了红色。20世纪20年代以后，通过对于碱卤晶体的赋色、颜色变化、光化学反应、光电导和光吸收谱等系统的实验研究，最早提出了色心(F心)理论，碱卤晶体形成离子空位，由于卤素离子空位带正电荷，能够俘获一个电子，就可以形成一个色心，从而原来透明的晶体就显现出颜色，实现碱卤晶体着色。
带有色心的碱卤化物晶体是制作可调谐激光器的材料，色心激光器有可能成为一种有实用价值的激光技术，另外，人为控制的色心材料在诸如半导体、发光和光电导等许多技术领域中有着广泛的应用；而且，利用某些色心所具有的偏振光吸收二色性的特性，色心晶体在光信息储存材料也有很大的应用前景；另一方面，色心作为一种负离子空位缺陷，也有可能会在新材料领域产生更多新的用途。
目前，碱卤晶体着色主要有附加着色和辐照着色等方式，其中辐照的方式参看以下专利的内容：
1.中国专利CN 102828252 A报道了一种利用飞秒激光在KCl晶体中空间选择性地着色的方法，其将切割并抛光好的KCl晶体放在由计算机控制的三维移动平台上，再利用显微物镜把飞秒激光器发出的飞秒激光聚焦到KCl晶体的内部，再用计算机程序控制三维平台的移动，从而控制KCl晶体的色心的轮廓和位置，实现空间选择性地着色。
2.中国专利CN 1571226 A报道了一种在KBr晶体中制作色心可饱和吸收体的方法，其先将KBr晶体切割成1mm厚的薄晶体片，然后进行抛光，在飞秒激光的辐照下，利用步进电机慢慢移动晶体，最后在晶体上形成长宽高分别为10μm的辐照体。体中的晶体由于飞秒激光的辐照作用，形成大量的F2+心，F2+心在1.54μm左右有较强的吸收，其能级结构适于做饱和吸收体，以实现微区的自调Q激光输出。本发明利用飞秒激光在KBr晶体中制作色心可饱和吸收体的方法简单、可以实现微米级的微区饱和吸收体的制作，尺寸准确，易于操作。
3.中国专利CN 104303379 A报道了基于碱卤化物色心晶体的中红外体布拉格光栅，其通过在碱卤化物晶体内形成多个色心，并选择性地去除多个色心的子集而在中红外光谱区域内产生碱卤化物晶体的折射率的改变，从而制造出工作在中红外光谱范围的体布拉格光栅。
4.中国专利CN 101089237 A报道了一种飞秒激光诱导制备氯铅化钾色心激光晶体和波导晶体材料，其采用飞秒激光诱导色心，实现近红外或2500nm～5000nm的中红外激光输出。波导晶体材料采用飞秒激光诱导，形成有大量F2色心的微米线，在fs激光的高温高压下形成了折射率四周高而中间低的光波导材料。把KPb2Cl5光波导和KPb2Cl5激光功能色心结合起来可以制成微米色心激光器，有望在KPb2Cl5晶体中实现光波的传输、激光振荡和光放大。
无论上述哪种方案均有各自的缺陷和不足，如附加着色法需要高温条件，对离子浓度、扩散温度必须精确控制，对操作要求很高；辐照法通过X射线或γ射线进行轰击，对晶体内部结构会产生一定的破坏，而且反应装置复杂，且较难得到均匀的着色碱卤色心晶体。除此之外，现有技术还存在反应时间长、耗能高等缺陷。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供装置简单、操作方便、环境友好、着色效率高的一种冷等离子体着色碱卤晶体的方法。
本发明所采用的具体技术方案如下：
一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将碱卤化物晶体置于等离子体发生装置的两个电极之间；
(2)通入等离子放电气体；
(3)在两个电极上施加电压，等离子体产生且其中的高能电子对碱卤化物晶体表面进行轰击，一段时间后，将产物取出，完成后处理并得到着色的成品。
进一步的，所述碱卤化物晶体为NaCl或KCl中的任意一种，其形状为粉末或片状物。
进一步的，所述等离子体放电气体为空气、氩气或氧气中的任意一种或任意两种的混合气或三种的混合气。
进一步的，等离子放电过程中，发生装置内保持常压。
进一步的，所述等离子体形式为辉光放电等离子体或介质阻挡放电等离子体或电晕放电等离子体。
进一步的，所述电压为300-1000V的直流或交流电压，所述轰击时间为10-60分钟。
进一步的，所述的后处理过程包括洗涤和干燥。
进一步的，所述洗涤使用无水乙醇或丙酮进行多次清洗。
进一步的，所述干燥在30-60℃下进行，时间2-6小时。
本发明的优点和有益效果是：
1.本方法中，电压等级较低，产生的等离子体属于冷等离子体(低温等离子体)，反应过程温度低，解决了高温使碱卤化物晶体产生自由电子的问题，反应在室温下即可以完成，操作非常简便，环境友好，与现有技术相比，将处理时间缩短为1个小时以内，效率更高。
2.本方法中，冷等离子体的处理停留在碱卤化物晶体的表面，而不会进入到碱卤化物晶体的内部，避免了现有技术中的X射线或γ射线对碱卤化物晶体内部的破坏。
3.本方法中，冷等离子体对碱卤化物晶体表面的作用均匀，着色晶体产品颜色均匀，不存在颜色梯度。
4.本发明采用的冷等离子体着色碱卤晶体的方法，整个反应过程在室温下进行，是一种低能量的处理方式，这有利于我们较为方便地对碱卤晶体色心一类的缺陷诱导进行控制。
附图说明
图1是实施例1制备的着色NaCl色心晶体的XRD谱图；
图2是处理前的NaCl与处理后的着色NaCl色心晶体的颜色变化对比；
图3是处理后的着色KCl色心晶体表面的TEM图；
图4是处理前的KCl与处理后的着色KCl色心晶体的原子力显微镜图像对比。
具体实施方式
本发明通过以下实施例进一步详述，但本实施例所叙述的技术内容是说明性的，而不是限定性的，不应依此来局限本发明的保护范围。
一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，包括以下步骤：
(1)将碱卤化物晶体置于等离子体发生装置的两个电极之间；
(2)通入等离子放电气体；
(3)在两个电极上施加电压，等离子体产生且其中的高能电子对碱卤化物晶体表面进行轰击，一段时间后，将产物取出，完成后处理并得到着色的成品。
优选的方案是：碱卤化物晶体为NaCl或KCl中的任意一种，其形状为粉末或片状物。等离子体放电气体为空气、氩气或氧气中的任意一种或任意两种的混合气或三种的混合气。等离子放电过程中，发生装置内保持常压。等离子体形式为辉光放电等离子体或介质阻挡放电等离子体或电晕放电等离子体。电压为300-1000V的直流或交流电压，轰击时间为10-60分钟。
更优选的方案是：后处理过程包括洗涤和干燥。洗涤使用无水乙醇或丙酮清洗1次。干燥在30-60℃下进行，时间2-6小时。
在等离子体处理过程中，由于高能电子具有荷质比最大、迁移速率最快的特点，其最快到达碱卤化物晶体待处理的表面，高能电子进入晶体结构内部后产生晶体缺陷，产生的负离子空位带有一个等效的正电荷，能够将自由电子束缚，形成最初的色心，由此实现了碱卤化物晶体的着色。
这一低能量的处理方式有利于我们较为方便地对碱卤晶体色心一类的缺陷诱导进行控制，在利用碱卤化物晶体来存储信息方面有很大的应用潜能。
等离子体通过改变电压、放电气氛等控制碱卤化物晶体产生缺陷，而这种缺陷会对光学性质产生明显影响，产生不同的颜色，并可以作为光储存材料。和X射线，中子束，电子束辐照等方法相比设备更为简单，操作更为方便，也更环保节能。
最终的产品的收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，置于空气中一个月后仍然保持稳定且不变色。
实施例1
将NaCl粉末置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氧气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加600V的交流电压，采用介质阻挡放电等离子体进行处理，处理时间为20min。
反应产物经无水乙醇清洗后，在40℃条件下干燥4小时，得到最终成品，成品的颜色为紫色，从图1的XRD谱图和图2的表观颜色分析(图2中左侧瓶体内为处理前的白色NaCl粉末，图2中右侧瓶体内为处理后的紫色NaCl色心晶体)，证明所得成品既是着色的NaCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
实施例2
将NaCl薄片置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入空气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加1000V的直流电压，采用电晕放电等离子体进行处理，处理时间为60min。
反应产物经无水乙醇清洗后，在60℃条件下干燥2小时，得到最终成品，成品的颜色为棕色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是棕色的NaCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
实施例3
将NaCl粉末置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氩气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加300V的交流电压，采用辉光放电等离子体进行处理，处理时间为10min。
反应产物经丙酮清洗后，在30℃条件下干燥6小时，得到最终成品，成品的颜色为蓝色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是蓝色的NaCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
实施例4
将KCl粉末置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氩气和氧气的混合气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加950V的交流电压，采用介质阻挡放电等离子体进行处理，处理时间为40min。
反应产物经丙酮清洗后，在40℃条件下干燥4小时，得到最终成品，成品的颜色为棕色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是棕色的KCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
透射电子显微镜(TEM)的图片如图3所示，处理后的KCl色心晶体表面具有许多纳米级别的小突起，推测在晶体表面形成了一定量的晶体团簇。
原子力显微镜(AFM)的图片如图4所示，处理前和处理后的KCl色心晶体表面发生了明显的变化，图中的颜色深表示表面高度低，颜色浅表示表面高度高，左图为处理前且具有类似划痕的断面，但平面整体较平整，右图为处理后且表面形貌发生了显著变化，说明等离子体与表面发生了较强的相互作用
实施例5
将KCl粉末置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氩气和氧气的混合气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加350V的交流电压，采用介质阻挡放电等离子体进行处理，处理时间为40min。
反应产物经丙酮清洗后，在40℃条件下干燥4小时，得到最终成品，成品的颜色为蓝色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是蓝色的KCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
实施例6
将KCl薄片置于等离子体发生装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氩气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加600V的交流电压，采用辉光放电等离子体进行处理，处理时间为50min。
反应产物经无水乙醇清洗后，在40℃条件下干燥5小时，得到最终成品，成品的颜色为紫色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是紫色的KCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
实施例7
将KCl粉末置于等离子体装置的两个电极之间，在室温(20-30℃)下通入氧气作为放电气体，常压条件下在两电极间施加550V的交流电压，采用电晕放电等离子体进行处理，处理时间为30min。
反应产物经丙酮清洗后，在40℃条件下干燥6小时，得到最终成品，成品的颜色为紫色，从XRD谱图和表观颜色分析，证明所得成品既是紫色的KCl色心晶体。
经过原料与成品的计量比较，产品收率为100％，着色均匀，无颜色梯度，且置于空气中一个月稳定不变色。
本发明采用的冷等离子体着色碱卤晶体的方法，整个反应过程在室温下进行，是一种低能量的处理方式，这有利于我们较为方便地对碱卤晶体色心一类的缺陷诱导进行控制。
Claims (5)
1.一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将碱卤化物晶体置于等离子体发生装置的两个电极之间，所述碱卤化物晶体形状为粉末或片状物；
(2)通入等离子体放电气体，所述等离子体放电气体为空气、氩气或氧气中的任意一种或任意两种的混合气或三种的混合气；
(3)在两个电极上施加电压，等离子体产生且其中的高能电子对碱卤化物晶体表面进行轰击，一段时间后，将产物取出，完成后处理并得到着色的成品，所述电压为300-1000V的直流或交流电压，轰击时间为10-60分钟，等离子放电过程中，发生装置内保持常压；
其中，所述碱卤化物晶体为NaCl或KCl中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：所述等离子体形式为辉光放电等离子体或介质阻挡放电等离子体或电晕放电等离子体。
3.根据权利要求1或2所述的一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：所述后处理包括洗涤和干燥。
4.根据权利要求3所述的一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：所述洗涤使用无水乙醇或丙酮进行多次清洗。
5.根据权利要求3所述的一种利用冷等离子体着色碱卤晶体的方法，其特征在于：所述干燥在30-60℃下进行，时间2-6小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810269458.5A CN108330544B (zh) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 冷等离子体着色碱卤晶体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810269458.5A CN108330544B (zh) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 冷等离子体着色碱卤晶体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108330544A CN108330544A (zh) | 2018-07-27 |
| CN108330544B true CN108330544B (zh) | 2022-07-19 |
Family
ID=62932494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810269458.5A Expired - Fee Related CN108330544B (zh) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 冷等离子体着色碱卤晶体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108330544B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110342576B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-12-14 | 天津大学 | 一种室温下电子轰击制备二硫化钼或二硫化钨纳米片的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1571226A (zh) * | 2004-04-22 | 2005-01-26 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 在KBr晶体中制作色心可饱和吸收体的方法 |
| US20140348200A1 (en) * | 2012-01-12 | 2014-11-27 | The Uab Research Foundation | Middle-infrared volumetric bragg grating based on alkali halide color center crystals |
| CN102828252A (zh) * | 2012-05-04 | 2012-12-19 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 利用飞秒激光在KCl晶体中空间选择性地着色的方法 |
-
2018
- 2018-03-29 CN CN201810269458.5A patent/CN108330544B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108330544A (zh) | 2018-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | Time-dependent population imaging for high-order-harmonic generation in solids | |
| Timoshenko et al. | Silicon nanocrystals as photosensitizers of active oxygen for biomedical applications | |
| Weeks et al. | Relation between E′ centers and hydroxyl bonds in silica | |
| Du et al. | Precipitation of CsPbBr3 quantum dots in borophosphate glasses inducted by heat-treatment and UV-NIR ultrafast lasers | |
| Xiao et al. | Vapor-assisted epitaxial growth of porphyrin-based MOF thin film for nonlinear optical limiting | |
| Wang et al. | Reexamination of wavelength scaling of harmonic yield in intense midinfrared fields | |
| CN108330544B (zh) | 冷等离子体着色碱卤晶体的方法 | |
| Artemyev et al. | Impact of intense laser pulses on the autoionization dynamics of the 2 s 2 p doubly excited state of He | |
| Wang et al. | Electrode-selective deposition/etching processes using an SiF4/H2/Ar plasma chemistry excited by sawtooth tailored voltage waveforms | |
| CN106906451B (zh) | 一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法 | |
| Iqbal et al. | The structural and optical band gap energy evaluation of TiO2-Fe2O3 composite | |
| Han et al. | Enhanced two-step two-frequency upconversion luminescence in a core/shell/shell nanostructure | |
| Coll III et al. | Observation of libron-libron interactions in solid hydrogen | |
| Uchida et al. | Improving the laser-Induced-damage tolerance characteristics of 4-dimethylamino-N-methyl-4-stilbazoliumtosylate crystals for THz wave generation by annealing | |
| Stepanov et al. | Characterization of the surface of silver ion-implanted silicon by optical reflectance | |
| JP2017214235A (ja) | 光輝材およびその利用 | |
| Sargsyan et al. | Optical Properties and Radiation Resistance of Diopside Obtained by Microwave Method | |
| CN113972305A (zh) | 一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法 | |
| Mikhailov et al. | Optical properties and photostability of silicon dioxide powders modified with SiO2 hollow particles and nanoparticles of various oxides | |
| Chen et al. | Synthesis of dual functional Al-doped ZnO particles for photocatalysis and heat shielding property applications | |
| Wang et al. | Enhanced visible-active photochromism of a polyoxometalates/TiO 2 composite film by combining Bi 2 O 3 nanoparticles | |
| CN107797312B (zh) | 陶瓷复合材料及其制备方法、波长转换器 | |
| Surovoi et al. | Kinetic regularities of thermal transformations in nanosized lead films | |
| Kitazawa et al. | Radiation-induced luminescence from sol-gel silica glasses and phosphosilicate glasses by 1 MeV H+ and 3 MeV Zr2+ irradiations | |
| CN105088344B (zh) | 一种在锌片上制备PbS敏化ZnO纳米棒阵列的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220719 |