CN108281421A - 一种射频芯片的版图结构 - Google Patents

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侯兴江
石雯
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract

本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种射频芯片的版图结构,包括:晶片,晶片一中心区以及包围中心区的边缘区;中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;中心区和边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;其中,金属隔离环中存在有用于断开金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个断口处的边缘区内设置有与对应的断口走向平行的金属隔离段;所形成的金属隔离环能够将与用于收发射频信号的电路产生耦合降至最低,有效地保证了射频信号的性能。

Description

一种射频芯片的版图结构
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种射频芯片的版图结构。
背景技术
射频收发芯片在无线通信,电子对抗和雷达系统等许多领域中有广泛用途。随着现代无线通讯系统的发展,移动通信和雷达以及卫星通信等通信系统对收发切换开关的开关速度,功率容量和集成性等方面有了更高的要求。
传统的射频收发芯片不注重版图布局对射频性能的影响,由于传统使用的保护环是一个闭环的大电感,那么芯片中的电感以及射频走线与该保护环离的比较近时,会通过耦合的方式相互影响,特别是射频发射信号经过保护环耦合到射频接收端从而影响射频接收电路的性能以及工作状态。
发明内容
针对上述问题,本发明提出了一种射频芯片的版图结构,其中,包括:
晶片,所述晶片一中心区以及包围所述中心区的边缘区;
所述中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;
所述中心区和所述边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;
其中,所述金属隔离环中存在有用于断开所述金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个所述断口处的所述边缘区内设置有与对应的所述断口走向平行的金属隔离段。
上述的版图结构,其中,每个所述金属隔离段的长度大于对应的所述断口的长度。
上述的版图结构,其中,所述金属隔离环为矩形。
上述的版图结构,其中,矩形的所述金属隔离环的一组对边的每个边上分别有两个所述断口。
上述的版图结构,其中,矩形的所述金属隔离环的每个边上分别具有多个所述断口。
上述的版图结构,其中,所述金属隔离环由铜金属形成。
上述的版图结构,其中,所述金属隔离段由铜金属形成。
上述的版图结构,其中,所述金属隔离段的宽度与所述金属隔离环的宽度相同。
有益效果:本发明提出的一种射频芯片的版图结构,所形成的金属隔离环能够将与用于收发射频信号的电路产生耦合降至最低,有效地保证了射频信号的性能。
附图说明
图1为本发明一实施例中射频芯片的版图结构的俯视示意图;
图2为本发明另一实施例中射频芯片的版图结构的俯视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。
在一个较佳的实施例中,如图1所示,提出了一种射频芯片的版图结构,其中,可以包括:
晶片10,晶片一中心区以及包围中心区的边缘区;
中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;
中心区和边缘区之间由金属隔离环20进行划分定义;
其中,金属隔离环20中存在有用于断开金属隔离环20的环形回路的多个断口;邻近每个断口处的边缘区内设置有与对应的断口走向平行的金属隔离段30。
上述技术方案中,由于金属隔离环20采用多个断口将自身的环形回路断开,与完整的环形结构相比,具有的电性耦合能力更小,对射频信号的干扰更小;图1中,射频接收电路在版图结构的顶部暴露出了第一连接焊盘ind、第一接地焊盘GND以及射频信号接收焊接RX,射频发射电路在版图结构的顶部暴露出了第二连接焊盘ind’、第二接地焊盘GND’以及射频信号发射焊盘TX;各个含片与晶片10的具体连接方式,例如与晶片10中衬底的连接方式,均为本领域惯用的技术手段,在此不再赘述。
在一个较佳的实施例中,每个金属隔离段30的长度大于对应的断口的长度。
在一个较佳的实施例中,金属隔离环20为矩形,但这只是一种优选的情况,不应视为是对本发明的限制。
上述技术方案中,矩形的金属隔离环在四个角上还可以设置有倒角。
如图1所示,上述实施例中,优选地,矩形的金属隔离环20的一组对边的每个边上分别有两个断口。
如图2所示,上述实施例中,优选地,矩形的金属隔离环20的每个边上分别具有多个断口。
上述技术方案中,由于金属隔离环20的每个边上的断口数量很多,金属隔离段30的数量也很多,此时众多的金属隔离段30围绕金属隔离环20分布,批次之间不相连接。
在一个较佳的实施例中,金属隔离环20由铜金属形成。
在一个较佳的实施例中,金属隔离段30由铜金属形成。
在一个较佳的实施例中,金属隔离段30的宽度与金属隔离环20的宽度相同。
上述技术方案中,每个金属隔离段30的长度也可以保持相同,可以仅仅在拐角处形成相对连续的过度结构,以简化工艺。
综上所述,本发明提出的一种射频芯片的版图结构,包括:晶片,晶片一中心区以及包围中心区的边缘区;中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;中心区和边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;其中,金属隔离环中存在有用于断开金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个断口处的边缘区内设置有与对应的断口走向平行的金属隔离段;所形成的金属隔离环能够将与用于收发射频信号的电路产生耦合降至最低,有效地保证了射频信号的性能。
通过说明和附图,给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例,基于本发明精神,还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例,然而,这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (8)

1.一种射频芯片的版图结构,其特征在于,包括:
晶片,所述晶片一中心区以及包围所述中心区的边缘区;
所述中心区内制备有一射频接收电路和一射频发射电路;
所述中心区和所述边缘区之间由金属隔离环进行划分定义;
其中,所述金属隔离环中存在有用于断开所述金属隔离环的环形回路的多个断口;邻近每个所述断口处的所述边缘区内设置有与对应的所述断口走向平行的金属隔离段。
2.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,每个所述金属隔离段的长度大于对应的所述断口的长度。
3.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述金属隔离环为矩形。
4.根据权利要求3所述的版图结构,其特征在于,矩形的所述金属隔离环的一组对边的每个边上分别有两个所述断口。
5.根据权利要求3所述的版图结构,其特征在于,矩形的所述金属隔离环的每个边上分别具有多个所述断口。
6.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述金属隔离环由铜金属形成。
7.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述金属隔离段由铜金属形成。
8.根据权利要求1所述的版图结构,其特征在于,所述金属隔离段的宽度与所述金属隔离环的宽度相同。
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