CN108198806A - 一种超高显色指数的led光源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种超高显色指数的LED光源，包括LED蓝光芯片和荧光层，所述LED蓝光芯片的面层覆盖有荧光层，其特征在于：所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的LED蓝光芯片组；所述荧光层包括荧光粉混合物和有机硅胶透明材料，所述荧光粉混合物包括A类荧光粉、B类荧光粉和C类荧光粉；所述A类荧光粉的化学通式包括Ca1‑mAlSiN3:Eum，B类荧光粉的化学通式包括Y(3‑a)Al5O12:Cea，C类荧光粉的化学通式包括Y(3‑b)(Al,Ga)5O12:Ceb，各化学通式中：0.01≤m≤0.1,0.01≤a≤0.3，0.1≤b≤0.3。本发明显色指数高、成本低、体积小、重量轻和光密度高。

Description

一种超高显色指数的LED光源
技术领域
本发明属于LED光源照明技术领域，特别是涉及一种超高显色指数的LED光源。
背景技术
LED作为第四代照明产品，相对于传统光源有节能、寿命长等优势；但是目前市面上大多数LED照明产品是冷光源，其白光原理是由蓝色芯片激发荧光粉产生，这种发光形式相对于传统的热发光光源如太阳光、白炽灯的显色性较低(太阳光和白炽灯显色指数大于99)。虽然经过LED荧光粉行业的不断发展，通过开发出不同体系种类的荧光粉，制作的白光LED色指数不断升高，但是最高显色指数也只能达到90左右。
中国专利201120379834.X公开了“一种高显色性LED模组”，所述高显色性LED模组具有多个显色指数互不相同的LED点阵，由多个显色指数互不相同的LED点阵配合形成LED模组，丰富了LED模组的发射波长，并使LED模组的显色指数较其中最高显色指数的LED点阵还高，而各LED点阵的光强不变，从而提高整个LED模组的显色性，并保持高亮度。但该方案还存在以下明显不足：一是将多种显色指数的LED混合使用，其装配工艺较为复杂；二是虽然该LED模组的出光显色指数有所提升，但是因多组显色指数相互搭配，使得发出的光线颜色不均匀；三是显色指数达到90以上，但提升的幅度还不大。
中国专利201310234723.3公开了“一种基于混合荧光粉转换的高显色性白光LED的制造方法”，所述混合荧光粉中包括在蓝光激发下发射出绿-黄橙色光的荧光粉，主要为硅酸盐体系M3-aSiO5:aEu2+，(0＜a＜0.1，M为Sr、Ba中的一种或者两种)，或者铝酸盐体系Re3-aAl5-bGabO12:aCe3+(0＜a＜0.1；0≤b＜3；Re＝Ce、Lu中的一种或两种)中的一种或者两种；其中，混合荧光粉中发射红光的荧光粉主要为M2-aSi5N8:aEu2+(0＜a＜0.2，M为Sr、Ba中的一种或者两种)。将荧光粉与硅胶混合均匀，通过改变不同比例的绿-黄橙色荧光粉、红色氮化物荧光粉以及封装用硅胶的比例，与Ga(In)N蓝光芯片封装后可制备出色温2500-6500K范围内，显色指数大于85，光效大于80lm/W的白光LED，在照明工业上具有广泛应用前景。但该方案还存在以下明显不足：一是显色指数能达到85以上，虽然有所提升，但离太阳光100显色指数仍有很大差距；二是所采用的硅酸盐类型荧光粉，其老化性能差、不耐温、易水解，缺乏实用性。
随着LED行业的迅速发展，使得市场对于LED的封装结构提出了更高的要求，如低成本、工艺简单、体积小、重量轻、高光密度、电性能好等是当今的主要发展方向，但目前的LED光源产品的显色性能还不能满足这些要求。
发明内容
本发明的目的是为克服现有技术所存在的不足而提供一种超高显色指数的LED光源，本发明的LED光源不仅具有显色指数高的优点，而且还具有成本低、体积小、重量轻、光密度高和装配使用简便可靠的优点。
根据本发明提出的一种超高显色指数的LED光源，包括LED蓝光芯片和荧光层，所述LED蓝光芯片的面层覆盖有荧光层，其特征在于：所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的LED蓝光芯片组，所述LED蓝光芯片组包括主波长为440～450nm的LED蓝光芯片和主波长为450～460nm的LED蓝光芯片；所述荧光层包括荧光粉混合物和有机硅胶透明材料，所述荧光粉混合物包括A类荧光粉、B类荧光粉和C类荧光粉；所述A类荧光粉的化学通式包括Ca1-mAlSiN3:Eum，B类荧光粉的化学通式包括Y(3-a)Al5O12:Cea，C类荧光粉的化学通式包括Y(3-b)(Al,Ga)5O12:Ceb，各化学通式中：0.01≤m≤0.1,0.01≤a≤0.3，0.1≤b≤0.3。
本发明的实现原理是：本发明为提高LED光源的Ra值，采用A类荧光粉、B类荧光粉、C类荧光粉和有机硅胶透明材料混合形成荧光层，该荧光层与两种不同主波长组合的LED蓝光芯片组(即主波长为440～450nm的LED蓝光芯片和主波长为450～460nm的LED蓝光芯片)通过压模工艺进行适配；本发明一方面可通过使用不同类型光色荧光粉配合两种不同激发波长，补偿发光源所需不同的光谱成分，另一方面还可通过调整不同光色之间的峰值比例来得到设定色温阶段的高显色指数的结果。
本发明与现有技术相比其显著优点在于：一是本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的显色指数Ra能够达到98以上，如本发明具体实施例得出的LED光源模块的显色性能参见表1；二是通过两种不同主波长的LED搭配使用，共同激发荧光粉，并配合三种特定类型的荧光粉，以达到丰富补充光谱的目的，提升显色指数；三是应用本发明的LED光源相对于传统LED光源具有成本低、体积小、重量轻、光密度高和装配使用简便可靠的优点。
表1
附图说明
图1为本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的单结构示意图。
图2为本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的双结构示意图。
图3为本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的三结构示意图。
图4为本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的CSP倒装芯片设置结构的俯视示意图。
图5为本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的CSP倒装芯片设置结构的侧视示意图。
图1-5中的编号说明：荧光层1、CSP倒装芯片的承载膜2、主波长为440～450nm的LED蓝光芯片3、主波长为450～460nm的LED蓝光芯片4。
图6为本发明实施例1制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图7为本发明实施例2制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图8为本发明实施例3制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图9为本发明实施例4制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图10为本发明实施例5制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图11为本发明实施例6制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图12为本发明实施例7制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图13为本发明实施例8制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图14为本发明实施例9制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图15为本发明实施例10制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图16为本发明实施例11制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
图17为本发明实施例12制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步的详细描述。
结合图1-5，本发明提出的一种超高显色指数的LED光源，包括LED蓝光芯片和荧光层1，所述LED蓝光芯片的面层覆盖有荧光层1，其中：所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的LED蓝光芯片组，所述LED蓝光芯片组包括主波长为440～450nm的LED蓝光芯片3和主波长为450～460nm的LED蓝光芯片4；所述荧光层1包括荧光粉混合物和有机硅胶透明材料，所述荧光粉混合物包括A类荧光粉、B类荧光粉和C类荧光粉；所述A类荧光粉的化学通式包括Ca1-mAlSiN3:Eum，B类荧光粉的化学通式包括Y(3-a)Al5O12:Cea，C类荧光粉的化学通式包括Y(3-b)(Al,Ga)5O12:Ceb，各化学通式中：0.01≤m≤0.1,0.01≤a≤0.3，0.1≤b≤0.3。
本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的进一步优选方案是：
所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的CSP倒装芯片组，所述CSP倒装芯片的前后左右面层和上面层均覆盖有荧光层。
所述LED蓝光芯片组中445～450nm的LED蓝光芯片3的数量与455～460nm的LED蓝光芯片4的数量相等并按两两成对设置，为1对、2对或2对以上。
所述A类荧光粉受激发后的发射波峰值为645～665nm，所述B类荧光粉受激发后的发射波峰值为540～560nm，C类荧光粉受激发后的发射波峰值为500-540nm。
所述A类荧光粉受激发后的发射波峰值为650～660nm，所述B类荧光粉受激发后的发射波峰值为550～560nm，所述C类荧光粉受激发后的发射波峰值为520～540nm。
所述荧光层1中包括30～40wt％荧光粉混合物、60～70wt％有机硅胶透明材料。
所述荧光粉混合物包括15～20wt％A类荧光粉、15～20wt％B类荧光粉和60～70wt％C类荧光粉。
所述荧光粉混合物包括18～20wt％A类荧光粉、15～17wt％B类荧光粉和65～67wt％C类荧光粉。
所述有机硅胶透明材料的透光率≥98％、耐高温性能为250℃不变色。
本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的具体实施例进一步公开如下。
结合图1、图2和图3，本发明全部实施例所述的荧光层1是由荧光粉混合物与有机硅胶透明材料充分混合组成，所述荧光粉混合物包括A类荧光粉、B类荧光粉和C类荧光粉；所述A类荧光粉选用化学通式为Ca1-mAlSiN3:Eum的氮化物红粉，B类荧光粉选用化学通式为Y(3-a)Al5O12:Cea的YAG黄粉，C类荧光粉选用化学通式为Y(3-b)(Al,Ga)5O12:Ceb的YAG黄绿粉，各化学通式中：0.01≤m≤0.1,0.01≤a≤0.3，0.1≤b≤0.3。所述有机硅胶透明材料的性能要求为：透光率≥98％、耐高温性能为250℃不变色。所述CSP倒装芯片的承载膜2选用蓝膜。所述LED蓝光芯片组选用主波长为440～450nm的LED蓝光芯片3和主波长为450～460nm的LED蓝光芯片4并两两成对设置，其类型优选选用CSP倒装芯片，以组合形成不同主波长相互搭配的单结构(1对CSP倒装芯片组)的LED光源(参见图1)、双结构(2对CSP倒装芯片组)的LED光源(参见图2)或三结构(3对CSP倒装芯片组)的LED光源(参见图3)，以此类推。本发明全部实施例的工艺过程采用并符合本领域LED光源的制造工艺规定。
实施例1。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为440nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为450nm的LED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.99)AlSiN3:Eu0.01称取A类荧光粉1.5g、Y2.99Al5O12:Ce0.01B类荧光粉1.5g、Y2.9(Ga4.2Al0.8)O12:Ce0.1C类荧光粉7g和有机硅胶20g并进行充分混合；测得其A类荧光粉的发射波峰值为645nm、B类荧光粉的发射波峰值为540nm，C类荧光粉的发射波峰值为500nm；通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3043K，Ra为98.1的白光LED光源的成品。实施例1制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图6所示。
实施例2。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为442nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为452nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.95)AlSiN3:Eu0.05称取A类荧光粉1.7g、Y2.8Al5O12:Ce0.2B类荧光粉1.7g、Y2.8(Ga4.1Al0.9)O12:Ce0.2C类荧光粉6.6g和有机硅胶18g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为647nm，B类荧光粉发射波峰值为545nm，C类荧光粉发射波峰值为510nm，通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3011K，Ra为98.3的白光LED光源的成品。实施例2制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图7所示。
实施例3。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为445nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为455nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.9)AlSiN3:Eu0.1称取A类荧光粉2g、Y2.7Al5O12:Ce0.3B类荧光粉2g、Y2.7(Ga4Al1)O12:Ce0.3C类荧光粉6g和有机硅胶19g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为650nm，B类荧光粉发射波峰值为550nm，C类荧光粉发射波峰值为520nm，通过压膜工艺将含有荧光粉的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3156K，Ra为98.4的白光LED光源的成品。实施例3制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图8所示。
实施例4。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为447nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为457nm的LED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.99)AlSiN3:Eu0.01称取A类荧光粉1.8g、Y2.99Al5O12:Ce0.01B类荧光粉1.7g、Y2.9(Ga4.2Al0.8)O12:Ce0.1C类荧光粉6.5g和有机硅胶23g并进行充分混合；测得其A类荧光粉的发射波峰值为655nm、B类荧光粉的发射波峰值为555nm，C类荧光粉的发射波峰值为530nm；通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3214K，Ra为98.3的白光LED光源的成品。实施例4制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图9所示。
实施例5。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为450nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为460nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.95)AlSiN3:Eu0.05称取A类荧光粉1.5g或者(Ca0.95)AlSiN3:Eu0.05与(Sr0.82Ca0.13)AlSiN3:Eu0.05混合的A类荧光粉1.4g，其中(Ca0.95)AlSiN3:Eu0.05荧光粉1.3g，、(Sr0.82Ca0.13)AlSiN3:Eu0.05荧光粉0.1g，Y2.8Al5O12:Ce0.2B类荧光粉2g、Y2.8(Ga4.1Al0.9)O12:Ce0.2C类荧光粉6.7g和有机硅胶17.5g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为665nm，B类荧光粉发射波峰值为560nm，C类荧光粉发射波峰值为540nm，通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为2876K，Ra为98.6的白光LED光源的成品。实施例5制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图10所示。
实施例6。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为448nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为458nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.9)AlSiN3:Eu0.1称取A类荧光粉1.9g、Y2.7Al5O12:Ce0.3B类荧光粉1.5g、Y2.7(Ga4Al1)O12:Ce0.3C类荧光粉6.6g和有机硅胶20g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为660nm，B类荧光粉发射波峰值为557nm，C类荧光粉发射波峰值为538nm，通过压膜工艺将含有荧光粉的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3044K，Ra为98.7的白光LED光源的成品。实施例6制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图11所示。
实施例7。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为447nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为457nm的LED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.99)AlSiN3:Eu0.01称取A类荧光粉2g、Y2.99Al5O12:Ce0.01B类荧光粉1.8g、Y2.9(Ga4.2Al0.8)O12:Ce0.1C类荧光粉6.2g和有机硅胶22g并进行充分混合；测得其A类荧光粉的发射波峰值为663nm、B类荧光粉的发射波峰值为560nm，C类荧光粉的发射波峰值为540nm；通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3133K，Ra为98.4的白光LED光源的成品。实施例7制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图12所示。
实施例8。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为446nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为456nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.95)AlSiN3:Eu0.05称取A类荧光粉1.7g、Y2.8Al5O12:Ce0.2B类荧光粉2g、Y2.8(Ga4.1Al0.9)O12:Ce0.2C类荧光粉6.3g和有机硅胶19g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为657nm，B类荧光粉发射波峰值为553nm，C类荧光粉发射波峰值为533nm，通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为2936K，Ra为98.3的白光LED光源的成品。实施例8制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图13所示。
实施例9。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为449nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为459nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.9)AlSiN3:Eu0.1称取A类荧光粉1.9g、Y2.7Al5O12:Ce0.3B类荧光粉2g、Y2.7(Ga4Al1)O12:Ce0.3C类荧光粉6.1g和有机硅胶19.5g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为662nm，B类荧光粉发射波峰值为556nm，C类荧光粉发射波峰值为537nm，通过压膜工艺将含有荧光粉的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3022K，Ra为98.5的白光LED光源的成品。实施例9制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图14所示。
实施例10。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为443nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为453nm的LED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.96)AlSiN3:Eu0.04称取A类荧光粉1.9g、Y2.95Al5O12:Ce0.05B类荧光粉1.9g、Y2.8(Ga4.3Al0.7)O12:Ce0.2C类荧光粉6.2g和有机硅胶22g并进行充分混合；测得其A类荧光粉的发射波峰值为654nm、B类荧光粉的发射波峰值为561nm，C类荧光粉的发射波峰值为525nm；通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3213K，Ra为98.0的白光LED光源的成品。实施例10制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图15所示。
实施例11。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为444nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为454nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.8)AlSiN3:Eu0.2称取A类荧光粉1.7g、Y2.7Al5O12:Ce0.3B类荧光粉1.9g、Y2.7(Ga4.1Al0.9)O12:Ce0.3C类荧光粉6.4g和有机硅胶20.5g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为656nm，B类荧光粉发射波峰值为552nm，C类荧光粉发射波峰值为534nm，通过压膜工艺将含有荧光粉混合物的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为2936K，Ra为98.2的白光LED光源的成品。实施例11制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图16所示。
实施例12。
按照上述本发明提出的一种超高显色指数的LED光源的方案及其优选方案的要求，选用激发光源的主波长为449nm的LED蓝光芯片和激发光源的主波长为459nmLED蓝光芯片；按照化学通式(Ca0.98)AlSiN3:Eu0.02称取A类荧光粉1.85g、Y2.7Al5O12:Ce0.3B类荧光粉1.9g、Y2.85(Ga4.25Al0.75)O12:Ce0.15C类荧光粉6.05g和有机硅胶20.7g并进行充分混合；测得其A类荧光粉发射波峰值为661nm，B类荧光粉发射波峰值为548nm，C类荧光粉发射波峰值为536nm，通过压膜工艺将含有荧光粉的有机硅胶透明材料与CSP倒装芯片结合制作成LED光源的半成品，再经固化工艺后即制成色温为3076K，Ra为98.4的白光LED光源的成品。实施例12制得的超高显色指数的LED光源的发射光谱如图17所示。
本发明的具体实施方式中未涉及的说明属于本领域公知的技术，可参考公知技术加以实施。
本发明经反复实验验证，取得了满意的试用效果。
以上具体实施方式及实施例是对本发明提出的一种超高显色指数的LED光源技术思想的具体支持，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何等同变化或等效的改动，均仍属于本发明技术方案保护的范围。

Claims (9)

1.一种超高显色指数的LED光源，包括LED蓝光芯片和荧光层(1)，所述LED蓝光芯片的面层覆盖有荧光层(1)，其特征在于：所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的LED蓝光芯片组，所述LED蓝光芯片组包括主波长为440～450nm的LED蓝光芯片(3)和主波长为450～460nm的LED蓝光芯片(4)；所述荧光层(1)包括荧光粉混合物和有机硅胶透明材料，所述荧光粉混合物包括A类荧光粉、B类荧光粉和C类荧光粉；所述A类荧光粉的化学通式包括Ca1- mAlSiN3:Eum，B类荧光粉的化学通式包括Y(3-a)Al5O12:Cea，C类荧光粉的化学通式包括Y(3-b)(Al,Ga)5O12:Ceb，各化学通式中：0.01≤m≤0.1,0.01≤a≤0.3，0.1≤b≤0.3。
2.根据权利要求1所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述LED蓝光芯片为两种不同主波长组合的CSP倒装芯片组，所述CSP倒装芯片的前后左右面层和上面层均覆盖有荧光层。
3.根据权利要求2所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述LED蓝光芯片组中445～450nm的LED蓝光芯片(3)的数量与455～460nm的LED蓝光芯片(4)的数量相等并按两两成对设置，为1对、2对或2对以上。
4.根据权利要求2所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述A类荧光粉受激发后的发射波峰值为645～665nm，所述B类荧光粉受激发后的发射波峰值为540～560nm，C类荧光粉受激发后的发射波峰值为500-540nm。
5.根据权利要求3所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述A类荧光粉受激发后的发射波峰值为650～660nm，所述B类荧光粉受激发后的发射波峰值为550～560nm，所述C类荧光粉受激发后的发射波峰值为520～540nm。
6.根据权利要求2所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述荧光层(1)中包括30～40wt％荧光粉混合物、60～70wt％有机硅胶透明材料。
7.根据权利要求6所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述荧光粉混合物包括15～20wt％A类荧光粉、15～20wt％B类荧光粉和60～70wt％C类荧光粉。
8.根据权利要求7所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述荧光粉混合物包括18～20wt％A类荧光粉、15～17wt％B类荧光粉和65～67wt％C类荧光粉。
9.根据权利要求1或2所述的一种超高显色指数的LED光源，其特征在于：所述有机硅胶透明材料的透光率≥98％、耐高温性能为250℃不变色。
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