CN108196790B - 数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质,本发明通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,能够减少页模型从存储器中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升存储器的利用率。

Description

数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及数据存储领域,尤其涉及一种数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质。
背景技术
NandFlash存储设备是Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案,NandFlash存储设备具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
但是由于NandFlash存储设备的制作过程的不良操作,或者由于磨损不平衡,通常会导致某些页被“磨损坏掉”,无法存放数据,假设存储块block0有两个坏页:存储页page2和存储页page2302,现有的存储设备的管理方式,受限于存储控制芯片的静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)空间,管理算法的复杂度,读写效率等原因,主要做法有两种:1、存在坏页的块都不使用,即将block0标记为坏块不使用;2、所有块的page2和page2302都不用,即使用一个统一的页模型,将存在坏页的地方,所有块的相同偏移都不用;但是现有的存储设备的管理方式会存在找不到可用容量或者可用容量很低而导致NandFlash存储设备利用率低的问题,因此急需一种能够提升NandFlash存储设备利用率的方案出现。
发明内容
本发明的主要目的在于一种数据管理方法、存储设备及计算机可读存储介质,旨在解决现有技术中找不到可用容量或者可用容量很低而导致NandFlash存储设备利用率低的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种数据管理方法,所述数据管理方法包括以下步骤:
NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块;
当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式;
根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
优选地,所述当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式之前,所述数据管理方法还包括:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况;
根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型。
优选地,所述遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况,具体包括:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
优选地,所述根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型,具体包括:
从所述坏页情况中获取所述目标存储块的目标坏页情况;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块的坏页位置不同时,确定所述目标页模型的模型类型为多页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置。
优选地,所述当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,具体包括:
当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型;
当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型;
当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型。
优选地,所述遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况之后,所述数据管理方法还包括:
根据所述坏页情况获取各存储块的页模型类型;
将各存储块中所述页模型类型为所述相同页模型的存储块分为相同页模型组;
将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组。
优选地,所述将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为所述多页模型组之后,所述数据管理方法还包括:
在所述NandFlash存储设备的存储区域内以组为单位为所述相同页模型组分配存储空间,并以块为单位为所述多页模型组分配存储空间。
优选地,所述根据所述读取方式获取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述目标命令访问操作指令进行响应之后,所述数据管理方法还包括:
当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存取存储器,以使所述随机存储器对所述切换指令进行响应。
此外,为实现上述目的,本发明还提出一种存储设备,所述存储设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的数据管理程序,所述数据管理程序配置为实现如上文所述的数据管理方法的步骤。
此外,为实现上述目的,本发明还提出一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有数据管理程序,所述数据管理程序被处理器执行时实现如上文所述的数据管理方法的步骤。
本发明提出的数据管理方法,本发明通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,通过根据不同的页模型获取不同的读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的存储设备结构示意图;
图2为本发明数据管理方法第一实施例的流程示意图;
图3为本发明数据管理方法第二实施例的流程示意图;
图4为本发明数据管理方法第三实施例的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例的解决方案主要是:本发明通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,通过根据不同的页模型获取不同的读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命,解决了现有技术中找不到可用容量或者可用容量很低而导致NandFlash存储设备利用率低的技术问题。
参照图1,图1为本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的存储设备结构示意图。
如图1所示,该存储设备可以包括:处理器1001,例如CPU,通信总线1002、用户端接口1003,网络接口1004,存储器1005。其中,通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户端接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard),可选用户端接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是高速RAM存储器,也可以是稳定的存储器(non-volatile memory),例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。
本领域技术人员可以理解,图1中示出的存储设备结构并不构成对该存储设备的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。
如图1所示,作为一种计算机可读存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户端接口模块以及数据管理程序。
本发明存储设备通过处理器1001调用存储器1005中存储的数据管理程序,并执行以下操作:
NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块;
当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式;
根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况;
根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
从所述坏页情况中获取所述目标存储块的目标坏页情况;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块的坏页位置不同时,确定所述目标页模型的模型类型为多页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型;
当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型;
当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
根据所述坏页情况获取各存储块的页模型类型;
将各存储块中所述页模型类型为所述相同页模型的存储块分为相同页模型组;
将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
在所述NandFlash存储设备的存储区域内以组为单位为所述相同页模型组分配存储空间,并以块为单位为所述多页模型组分配存储空间。
进一步地,处理器1001可以调用存储器1005中存储的数据管理程序,还执行以下操作:
当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存取存储器,以使所述随机存储器对所述切换指令进行响应。
本实施例通过上述方案,通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,通过根据不同的页模型获取不同的读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命。
基于上述硬件结构,提出本发明数据管理方法实施例。
参照图2,图2为本发明数据管理方法第一实施例的流程示意图。
在第一实施例中,所述数据管理方法包括以下步骤:
步骤S10、NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块;
需要说明的是,NandFlash存储设备是Flash存储器的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案,NandFlash存储设备具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,所述目标主设备可以是HOST主机,也可以是其他能够发送相应指令的服务器,还可以是其他能够发送相应指令进而对NandFlash存储设备进行相应操作的设备,本实施例对此不加以限制。
可以理解的是,当所述NandFlash存储设备接收到目标主设备发送的访问操作指令后,能够根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,所述目标存储块为与所述访问操作指令对应的存储块,即执行或响应所述访问操作指令需要使用或调用的存储块。
步骤S20、当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式;
需要说明的是,所述随机存储器(Random Access Memory,RAM)是与中央处理器(Central Processing Unit,CPU)直接交换数据的内部存储器,也叫主存或内存,按照存储单元的工作原理,所述随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM),所述目标主设备通过与所述随机存储器进行连接,能够随时快速读写相应数据,实现数据的快速交互。
可以理解的是,所述目标页模型为所述目标存储块中的页模型,每一个存储块都有相应的页模型,当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,即无法从所述随机存储器中直接读取所述目标页模型,需要根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式。
步骤S30、根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
应当理解的是,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,一般的,所述NandFlash存储设备的存储区域可以是所述NandFlash存储设备的单层单元(Single-Level Cell,SLC)区域,通过将所述目标页模型存放在SLC区域,可以确保在存储设备的生命周期内,模型数据都能够稳定存储,能够有效的提高数据存储的稳定性,读取到所述目标页模型后,将所述目标页模型发送至所述随机存储器,可以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行快速响应。
进一步地,所述步骤S30之后,所述数据管理方法还包括:
当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存取存储器,以使所述随机存储器对所述切换指令进行响应。
需要说明的是,所述切换指令为所述目标主设备发送至所述NandFlash存储设备的切换指令,用于从当前操作的模型组的页模型切换至另一个模型组的页模型的指令,当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存取存储器,以使所述随机存储器对所述切换指令进行响应。
本实施例通过上述方案,通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,通过根据不同的页模型获取不同的读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命。
进一步地,图3为本发明数据管理方法第二实施例的流程示意图,如图3所示,基于第一实施例提出本发明数据管理方法第二实施例,在本实施例中,所述步骤S20之前,所述数据管理方法还包括以下步骤:
步骤S201、遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况;
需要说明的是,所述坏页情况用于统计和记录各存储块中的好页和坏页的情况,通过遍历NandFlash存储设备中的多个存储块,能够获取各存储块的坏页情况,即各存储块的好页与坏页分布情况。
进一步地,所述步骤S201具体包括以下步骤:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
可以理解的是,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页相对于现有的主流用byte方式进行标识,能够减少存储空间的占用,进一步提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命,通过bit标识各目标存储块中的好页和坏页后,能够根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
进一步地,所述步骤S201之后,所述数据管理方法还包括:
根据所述坏页情况获取各存储块的页模型类型;
将各存储块中所述页模型类型为所述相同页模型的存储块分为相同页模型组;
将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组。
应当理解的是,根据各存储块的坏页情况,可以获取各存储块的页模型类型,进而将相同页模型的存储块分为相同页模型组,将无法归类的页模型的存储块分为多页模型组,通过将页模型相同的分为一组,其他无法归类的分为另一组,能够有利于分组管理各存储块,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能。
进一步地,所述步骤将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组之后,所述数据管理方法还包括:
在所述NandFlash存储设备的存储区域内以组为单位为所述相同页模型组分配存储空间,并以块为单位为所述多页模型组分配存储空间。
可以理解的是,根据各存储块的页模型类型将各存储块分为所述相同页模型组和所述多页模型组后,有利于对各存储块进行分组管理,对于相同页模型组一般只需要给每组提供(X+7)/8个byte的存储空间,X为每个存储块中的存储页的个数,不同的NandFlash存储设备对应的存储块中的存储页的个数是不同的,用bit表示页模型对应的页是好页还是坏页,其中bit为1表示好页,bit为0表示坏页,对于多页模型组一般需要单独为每个存储块提供(X+7)/8个byte的存储空间,同样用bit表示好坏页,通过分别为不同页模型类型的存储块提供存储空间,能够确保在存储设备的生命周期内,模型数据都能稳定存储,增强NandFlash存储设备的稳定性,使存储器使用寿命延长,并且进行区别存储后,能够提高读取速度和效率,显著提高NandFlash存储设备的读写性能。
步骤S202、根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型。
需要说明的是,根据所述坏页情况能够确定所述目标页模型的模型类型,在本实施例中所述目标页模型的模型类型分为两种,相同页模型和多页模型,一般的,将相同的页模型的目标存储块的可以分为相同页模型组A、相同页模型组B和相同页模型组C等,将少量无法归类的目标存储块可以单独分为一组,称为多页模型组,当然还可以是通过其他方式确定所述目标页模型的模型类型,本实施例对此不加以限制。
进一步地,所述步骤S202具体包括以下步骤:
从所述坏页情况中获取所述目标存储块的目标坏页情况;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块的坏页位置不同时,确定所述目标页模型的模型类型为多页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置。
需要说明的是,通过所述坏页情况可以从各存储块中找到与所述目标存储块对应的目标坏页情况,当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置,一般的将具有相同坏页位置的分为一组,即将具有相同坏页位置的页模型作为相同页模型,当然也可以是将坏页位置相近的页模型分为一组,作为相同页模型,本实施例对此不加以限制。
可以理解的是,通过根据目标坏页的情况的不同,即所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置,或不同的坏页位置,来判断所述目标页模型的模型类型为相同页模型或多页模型,能够避免多个模型导致的占用大量内存空间的情况发生,进一步提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能。
本实施例通过上述方案,通过遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况,根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页相对于现有的主流用byte方式进行标识,能够减少存储空间的占用,进一步提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,通过根据目标坏页的情况的不同,判断所述目标页模型的模型类型为相同页模型或多页模型,能够避免多个模型导致的占用大量内存空间的情况发生,进一步提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能。
进一步地,图4为本发明数据管理方法第三实施例的流程示意图,如图4所示,基于第二实施例提出本发明数据管理方法第三实施例,在本实施例中,所述步骤S20具体包括以下步骤:
步骤S21、当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型;
需要说明的是,当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型,当所述随机存储器中存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,直接从所述随机存储器中读取所述目标页模型,只有需要进行模型组切换时,才需要重新从所述NandFlash存储设备中读取所述目标页模型。
步骤S22、当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型;
可以理解的是,当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型,即当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,只需要从同一模型组中读取该组对应的统一页模型,将所述统一页模型作为所述目标页模型进而使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
步骤S23、当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型。
应当理解的是,当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型,即当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,需要从多页模型组中找到目标存储块对应的单一页模型,将所述单一页模型作为所述目标页模型进而使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
在具体实现中,当需要操作的存储块变为其他目标存储块时,若所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,将重新从所述多页模型组中寻找到对应的存储块及相应的单一页模型,将所述单一页模型作为所述目标页模型进而使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应;若目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,将仍然只需要从同一模型组中读取该组对应的统一页模型,将所述统一页模型作为所述目标页模型进而使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,当需要进行不同的模型组的切换,则需要重新从所述NandFlash存储设备中读取所述目标页模型。
本实施例通过上述方案,通过当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型,当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型,当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型,通过所述目标页模型为所述相同页模型和所述多页模型来确定读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,能够避免多个模型导致的占用大量内存空间的情况发生,进一步提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能。
此外,本发明实施例还提出一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有数据管理程序,所述数据管理程序被处理器执行时实现如下操作:
NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块;
当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式;
根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况;
根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
从所述坏页情况中获取所述目标存储块的目标坏页情况;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块的坏页位置不同时,确定所述目标页模型的模型类型为多页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型;
当所述目标页模型的模型类型为所述相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型;
当所述目标页模型的模型类型为所述多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
根据所述坏页情况获取各存储块的页模型类型;
将各存储块中所述页模型类型为所述相同页模型的存储块分为相同页模型组;
将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
在所述NandFlash存储设备的存储区域内以组为单位为所述相同页模型组分配存储空间,并以块为单位为所述多页模型组分配存储空间。
进一步地,所述数据管理程序被处理器执行时还实现如下操作:
当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存取存储器,以使所述随机存储器对所述切换分组指令进行响应。
本实施例通过上述方案,通过NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块,当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应,通过根据不同的页模型获取不同的读取方式,能够减少页模型从NandFlash存储设备中读取出来的次数,提高读取速度和效率,显著提升NandFlash存储设备的利用率,提高NandFlash存储设备的读写性能、稳定性及使用寿命。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种数据管理方法,其特征在于,所述数据管理方法包括:
NandFlash存储设备接收目标主设备发送的访问操作指令,根据所述访问操作指令查找到对应的目标存储块;
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况;
根据所述坏页情况确定目标页模型的模型类型;
当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式;
根据所述读取方式从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应;
所述当随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,根据所述目标页模型的模型类型确定所述目标页模型的读取方式,具体包括:
当所述随机存储器中未存储有与所述目标存储块对应的目标页模型时,获取所述目标页模型的模型类型;
当所述目标页模型的模型类型为相同页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述相同页模型中的统一页模型;
当所述目标页模型的模型类型为多页模型时,确定所述目标页模型的读取方式为读取所述多页模型中与所述目标存储块对应的单一页模型。
2.如权利要求1所述的数据管理方法,其特征在于,所述遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况,具体包括:
遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,使用bit标识各目标存储块中的好页和坏页,根据标识后的各目标存储块的好页和坏页生成各存储块的坏页情况。
3.如权利要求2所述的数据管理方法,其特征在于,所述根据所述坏页情况确定所述目标页模型的模型类型,具体包括:
从所述坏页情况中获取所述目标存储块的目标坏页情况;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块具有相同坏页位置时,确定所述目标页模型的模型类型为相同页模型;
当所述目标坏页情况为所述目标存储块与所述NandFlash存储设备中其他存储块的坏页位置不同时,确定所述目标页模型的模型类型为多页模型,所述坏页位置为各存储块中坏页所在的位置。
4.如权利要求1所述的数据管理方法,其特征在于,所述遍历所述NandFlash存储设备中的多个存储块,获取各存储块的坏页情况之后,所述数据管理方法还包括:
根据所述坏页情况获取各存储块的页模型类型;
将各存储块中所述页模型类型为所述相同页模型的存储块分为相同页模型组;
将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为多页模型组。
5.如权利要求4所述的数据管理方法,其特征在于,所述将各目标存储块中所述页模型类型为多页模型的存储块分为所述多页模型组之后,所述数据管理方法还包括:
在所述NandFlash存储设备的存储区域内以组为单位为所述相同页模型组分配存储空间,并以块为单位为所述多页模型组分配存储空间。
6.如权利要求1-5中任一项所述的数据管理方法,其特征在于,所述根据所述读取方式获取所述目标页模型,并将所述目标页模型发送至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述访问操作指令进行响应之后,所述数据管理方法还包括:
当接收到切换指令时,重新从所述NandFlash存储设备的存储区域内读取新的目标页模型,并将所述新的目标页模型存放至所述随机存储器,以使所述随机存储器对所述切换指令进行响应。
7.一种存储设备,其特征在于,所述存储设备包括:存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的数据管理程序,所述数据管理程序配置为实现如权利要求1至6中任一项所述的数据管理方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有数据管理程序,所述数据管理程序被处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述的数据管理方法的步骤。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI269167B (en) * 2005-05-04 2006-12-21 Apacer Technology Inc Dynamic memory management method and computer-readable recording medium for making a computer execute the method
KR100874916B1 (ko) * 2007-02-15 2008-12-19 삼성전자주식회사 데이터 저장장치 및 그의 작동 방법
CN105718328B (zh) * 2016-01-12 2017-10-27 珠海煌荣集成电路科技有限公司 存储器坏区的数据备份方法及系统
CN105786407B (zh) * 2016-02-26 2017-07-14 湖南国科微电子股份有限公司 基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型及坏块处理方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Bad page relaxation to prolong the lifetime of flash devices;Ming-Chang Yang;《IEEE》;20150205;全文 *
NAND Flash 坏块管理算法研究与实现;张鹏;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20160215;第I137-56页 *
空间图像存储器NAND Flash的可靠性;李进等;《光学精密工程》;20120515;第1090-1101页 *

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