CN108112120A - 一种低功耗的高压快速启动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子技术领域,具体为一种低功耗的高压快速启动电路,其能够同时实现快速启动和低功耗,其包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV,所述电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极,且该节点为IC驱动芯片的使能端,所述二极管D2的正极、电容C0的另一端接地,所述NMOS开关管Q1的漏极连接所述电阻R2另一端,所述NMOS管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极、电源VCC,所述二极管D1的正极、电容C1另一端接地。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域,具体为一种低功耗的高压快速启动电路。
背景技术
当今的高压启动电路,其启动速度快和功耗低是相矛盾的,即启动速度快了,对应的功耗也会增加,如在LED灯具中的驱动IC芯片,虽然启动的速度变快了,但是自身的功耗增加,如果功耗降低了,那么启动速度也会相应变慢。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种低功耗的高压快速启动电路,其能够同时实现快速启动和低功耗。
其技术方案是这样的:一种低功耗的高压快速启动电路,其特征在于,其包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV,所述电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极,且该节点为IC驱动芯片的使能端,所述二极管D2的正极、电容C0的另一端接地,所述NMOS开关管Q1的漏极连接所述电阻R2另一端,所述NMOS管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极,、电源VCC,所述二极管D1的正极、电容C1另一端接地。
采用本发明的电路后,高压源HV通过电阻R1给电容C1充电使得电容C1两端的电压很快达到IC驱动芯片的工作电压VCC,当IC驱动芯片启动后, NMOS开关管Q1关断,进入低功耗状态,从而同时实现了快速启动和低功耗。
附图说明
图1为本发明电路原理图。
具体实施方式
见图1所示,一种低功耗的高压快速启动电路,其包括电阻R1和电阻R2,电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV,电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极,且该节点为IC驱动芯片的使能端,二极管D2的正极、电容C0的另一端接地,NMOS开关管Q1的漏极连接电阻R2另一端,NMOS管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极、电源VCC,二极管D1的正极、电容C1另一端接地。
工作原理如下所述:开始时,电容C0两端电压为0,NMOS开关管Q1是关断的,电容C1两端电压为0V,这时IC驱动芯片不工作,随着时间的推移,高压源HV通过电阻R1给电容C0充电,当电容C0两端的电压达到NMOS开关管Q1开通的阈值,则NMOS开关管Q1导通,高压源HV通过电阻R2给电容C1充电,由于电阻R2阻值很小,所以电容C1两端的电压很快达到IC的工作电压VCC(VCC给IC供电),当IC驱动芯片使能端启动后,将Enable拉低,这时电容C0两端的电压为0 ,NMOS开关管Q1关断。启动电路完成了启动工作,进入低功耗状态(功耗为HV2/R1)。二极管D1和二极管D2起电压限幅的作用,保护电压不超过IC驱动芯片的最大工作电压。
Claims (1)
1.一种低功耗的高压快速启动电路,其特征在于,其包括电阻R1和电阻R2,所述电阻R1一端和电阻R2一端均连接高压源HV,所述电阻R1另一端连接电容C0一端、二极管D2的负极、NMOS开关管Q1的栅极,且该节点为IC驱动芯片的使能端,所述二极管D2的正极、电容C0的另一端接地,所述NMOS开关管Q1的漏极连接所述电阻R2另一端,所述NMOS管Q1的源极连接电容C1一端、二极管D1的负极,、电源VCC,所述二极管D1的正极、电容C1另一端接地。
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