CN108039547B - 一种3dB电桥 - Google Patents

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    • H01P5/12Coupling devices having more than two ports
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Abstract

本发明公开了一种3dB电桥,包括有第一耦合环带和第二耦合环带;第一耦合环带包括有圆饼状第一主耦合带,沿第一主耦合带的边径向延伸出四个阻耦带,四个阻耦带之间等弧长设置;所述阻耦带的自由端均为圆弧状,其中两个阻耦带之间连接有第一连接带,另外两个阻耦带之间连接有第二连接带;其中两个阻耦带远离第一连接带的一侧均设有矩形开槽;另外两个阻耦带远离第二连接带的一侧也均设有矩形开槽;其耦合值在上述要求频段内的参数为3dB左右,完全符合设计要求,端口隔离度在30+3 dB左右,另外,值得一提的是,其在频段内,其端口驻波比小于1.25。

Description

一种3dB电桥
技术领域
本发明涉及一种3dB电桥。
背景技术
目前, 宽频率带3DB电桥一直是功分器类努力的方向,缩短空间距离,实现宽频3dB电桥是目前迫切需要的。
发明内容
本发明的目的在于克服以上所述的缺点,提供一种3dB电桥。
为实现上述目的,本发明的具体方案如下:一种3dB电桥,包括有第一耦合环带和第二耦合环带;第一耦合环带包括有圆饼状第一主耦合带,沿第一主耦合带的边径向延伸出四个阻耦带,四个阻耦带之间等弧长设置;所述阻耦带的自由端均为圆弧状,其中两个阻耦带之间连接有第一连接带,另外两个阻耦带之间连接有第二连接带;其中两个阻耦带远离第一连接带的一侧均设有矩形开槽;另外两个阻耦带远离第二连接带的一侧也均设有矩形开槽;
第一连接带向外垂直延伸出有第一输入端,第二连接带向外垂直延伸出有第一输出端;
所述第二耦合环带包括有四个环形带,每个环形带均设有一个弧度为1/3π弧度的缺口;相邻两个环形带之间的相邻端口通过第三连接带相连,其中两个相邻的环形带之间通过第四连接带相连,另外两个相邻的环形带之间通过第五连接带相连;还包括有第二主耦合带,第二主耦合带向外延伸出两条第六连接带,分别与第四连接带对应的第三连接带以及第五连接带对应的第三连接带相连;第四连接带向外延伸出有第二输入端,第五连接带向外延伸出有第二输出端;
耦合时,第一主耦合带与第二主耦合带重叠,所述阻耦带位于对应的环形带区域上方。
其中,第四连接带为弧形带。
其中,所述第五连接带为弧形带。
其中,所述第二主耦合带的直径小于第一主耦合带。
其中,所述第一主耦合带与第二主耦合带之间还设有绝缘支撑柱。
本发明的有益效果为:其耦合值在上述要求频段内的参数为3dB左右,完全符合设计要求,端口隔离度在30+3 dB左右,另外,值得一提的是,其在频段内,其端口驻波比小于1.25。
附图说明
图1是本发明第一耦合环带的正视图;
图2是本发明第二耦合环带的正视图;
图3是第一耦合环带的立体图;
图4是第二耦合环带的立体图;
图5 是本发明的立体图;
图1至图5中的附图标记说明:
11-第一主耦合带;12-阻耦带;13-矩形开槽;14-第一连接带;15-第一输入端;16-第二连接带;17-第一输出端;21-第二主耦合带;22-第六连接带;23-环形带;24-第三连接带;25-第四连接带;26-第二输入端;27-第五连接带;28-第二输出端。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细的说明,并不是把本发明的实施范围局限于此。
如图1至图5所示,本实施例所述的一种3dB电桥,包括有第一耦合环带和第二耦合环带;第一耦合环带包括有圆饼状第一主耦合带11,沿第一主耦合带11的边径向延伸出四个阻耦带12,四个阻耦带12之间等弧长设置;所述阻耦带12的自由端均为圆弧状,其中两个阻耦带12之间连接有第一连接带14,另外两个阻耦带12之间连接有第二连接带16;其中两个阻耦带12远离第一连接带14的一侧均设有矩形开槽13;另外两个阻耦带12远离第二连接带16的一侧也均设有矩形开槽13;
第一连接带14向外垂直延伸出有第一输入端15,第二连接带16向外垂直延伸出有第一输出端17;
所述第二耦合环带包括有四个环形带23,每个环形带23均设有一个弧度为1/3π弧度的缺口;相邻两个环形带23之间的相邻端口通过第三连接带24相连,其中两个相邻的环形带23之间通过第四连接带25相连,另外两个相邻的环形带23之间通过第五连接带27相连;还包括有第二主耦合带21,第二主耦合带向外延伸出两条第六连接带22,分别与第四连接带25对应的第三连接带24以及第五连接带27对应的第三连接带24相连;第四连接带25向外延伸出有第二输入端26,第五连接带27向外延伸出有第二输出端28;耦合时,第一主耦合带11与第二主耦合带重叠,所述阻耦带12位于对应的环形带23区域上方。组合时,第一主耦合带11与第二主耦合带重叠并且之间保持间距,第一主耦合带11与第二主耦合带均采用介电常数为2.5-2.6左右的导体;其设计频率包含LTE的2750Mhz,本电桥其在频率0.7Ghz至2.9Ghz内可实现较好的耦合效果,其耦合值在上述要求频段内的参数为3dB左右,完全符合设计要求,端口隔离度在30+3 dB左右,另外,值得一提的是,其在频段内,其端口驻波比小于1.25。第一主耦合带11与第二主耦合带厚度保持在3.5-4mm左右,本电桥承载功率可达350W。为了达到最优化的耦合效果,其具体尺寸可以优化为:
第一主耦合带11的直径为40mm,阻耦带12的宽度为15mm,最长的长度为34mm;第一连接带14和第二连接带16大小相同,带宽为6.5mm,最长边为:44mm,矩形开槽13的短边为,长边为:4.25mm,16.3mm;环形带23的带宽为6mm,外径为:60mm;第三连接带24不做要求,第二主耦合带的直径为26mm。本实施例所述的一种3dB电桥,第四连接带25为弧形带。本实施例所述的一种3dB电桥,所述第五连接带27为弧形带。本实施例所述的一种3dB电桥,所述第二主耦合带的直径小于第一主耦合带11。本实施例所述的一种3dB电桥,所述第一主耦合带11与第二主耦合带之间还设有绝缘支撑柱。
以上所述仅是本发明的一个较佳实施例,故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,包含在本发明专利申请的保护范围内。

Claims (5)

1.一种3dB电桥,其特征在于:包括有第一耦合环带和第二耦合环带;第一耦合环带包括有圆饼状第一主耦合带(11),沿第一主耦合带(11)的边径向延伸出四个阻耦带(12),四个阻耦带(12)之间等弧长设置;所述阻耦带(12)的自由端均为圆弧状,其中两个阻耦带(12)之间连接有第一连接带(14),另外两个阻耦带(12)之间连接有第二连接带(16);其中两个阻耦带(12)远离第一连接带(14)的一侧均设有矩形开槽(13);另外两个阻耦带(12)远离第二连接带(16)的一侧也均设有矩形开槽(13);
第一连接带(14)向外垂直延伸出有第一输入端(15),第二连接带(16)向外垂直延伸出有第一输出端(17);
所述第二耦合环带包括有四个环形带(23),每个环形带(23)均设有一个弧度为1/3π弧度的缺口;相邻两个环形带(23)之间的相邻端口通过第三连接带(24)相连,其中两个相邻的环形带(23)之间通过第四连接带(25)相连,另外两个相邻的环形带(23)之间通过第五连接带(27)相连;还包括有第二主耦合带(21),第二主耦合带向外延伸出两条第六连接带(22),分别与第四连接带(25)对应的第三连接带(24)以及第五连接带(27)对应的第三连接带(24)相连;第四连接带(25)向外延伸出有第二输入端(26),第五连接带(27)向外延伸出有第二输出端(28);
耦合时,第一主耦合带(11)与第二主耦合带重叠,所述阻耦带(12)位于对应的环形带(23)区域上方。
2.根据权利要求1所述的一种3dB电桥,其特征在于:第四连接带(25)为弧形带。
3.根据权利要求1所述的一种3dB电桥,其特征在于:所述第五连接带(27)为弧形带。
4.根据权利要求1所述的一种3dB电桥,其特征在于:所述第二主耦合带的直径小于第一主耦合带(11)。
5.根据权利要求1所述的一种3dB电桥,其特征在于:所述第一主耦合带(11)与第二主耦合带之间还设有绝缘支撑柱。
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