CN107995607A - 操作近场通信装置的方法 - Google Patents

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Abstract

操作NFC装置以与NFC标签通信可以包括：基于在NFC装置以活动模式操作时NFC装置和NFC标签之间的通信是否失败，将NFC装置在以待机模式操作或者以活动模式操作之间转换；基于与以待机模式操作的NFC装置相关联的标签检测灵敏度检测NFC标签；当在待机模式中检测到NFC标签时将NFC装置转换为以活动模式操作，并基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数自适应地控制标签检测灵敏度。可以基于基于一个或多个用户环境参数自适应地控制标签检测灵敏度而优化功耗和标签检测灵敏度。

Description

操作近场通信装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月26日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10-2016-0140303号的优先权，将其公开通过引用全面包括于此。
技术领域
示例实施例总的来说涉及半导体器件，以及更加具体地涉及操作近场通信(NFC)装置的方法。
背景技术
近场通信(NFC)技术是短距离无线通信技术。随着NFC技术的发展，NFC装置已经在移动装置中更通常地采用。在有些情况下，当包括在移动装置中时，NFC装置可能消耗来自移动装置的电源(例如，电池)的功率。结果，在移动装置中包括NFC装置可能导致移动装置的电源的功耗增加，由此导致移动装置中增大的电能耗尽速率。
发明内容
某些示例实施例可以提供包括自适应地控制与NFC装置相关联的标签检测灵敏度的NFC装置和/或操作NFC装置的方法。
根据某些示例实施例，操作近场通信(NFC)装置的方法可以包括：在NFC装置以活动模式操作时基于NFC装置和NFC标签之间的通信不成功的确定将NFC装置转换为以待机模式操作，在NFC装置以待机模式操作时检测至少一个NFC标签，在NFC装置以待机模式操作时基于检测到至少一个NFC标签将NFC装置转换为以活动模式操作，和基于与NFC装置相关联的用户环境参数至少满足阈值的确定自适应地控制与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。待机模式可以与第一NFC功耗级别相关联，活动模式与第二NFC功耗级别相关联，第一NFC功耗级别低于第二NFC功耗级别。
根据某些示例实施例，操作近场通信(NFC)装置的方法可以包括：在NFC装置以活动模式操作时基于NFC装置和NFC标签之间的通信不成功的确定将NFC转换为以待机模式操作，和在NFC装置以待机模式操作时基于检测到至少一个NFC标签将NFC装置转换为以活动模式操作。
根据某些示例实施例，该方法可以包括：在近场通信(NFC)装置以活动模式操作时基于NFC装置未参与NFC通信的确定将NFC装置配置为以待机模式操作，和在NFC装置以待机模式操作时基于在NFC装置检测到至少一个NFC标签将NFC装置配置为以活动模式操作。待机模式可以与第一NFC功耗级别相关联。活动模式可以与第二NFC功耗级别相关联。第一NFC功耗级别可以低于第二NFC功耗级别。
根据某些示例实施例的NFC装置和操作NFC装置的方法可以配置为基于基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数自适应地控制标签检测灵敏度，而优化功耗和标签检测范围。当要由NFC装置执行的通信的概率相对高时，可以通过增加标签检测灵敏度来保证标签检测范围，以增加通信成功率和增强用户体验。相反地，当要由NFC装置执行的通信的概率相对低时可以通过减小标签检测灵敏度来减小功耗。
附图说明
从以下结合附图的详细说明可以更清楚地理解本公开的示例实施例。
图1是图示根据某些示例实施例的操作近场通信(NFC)装置的方法的流程图。
图2是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。
图3是图示根据某些示例实施例的与NFC装置相关联的标签检测灵敏度的控制的概念图。
图4是图示根据某些示例实施例的操作NFC装置的方法的流程图。
图5是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。
图6是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的发射器的框图。
图7是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的调节器的框图。
图8是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的自适应标签检测器的框图。
图9是图示根据某些示例实施例的包括在图8的自适应标签检测器中的电流监视器的电路图。
图10是图示根据某些示例实施例的包括在图8的自适应标签检测器中的判定电路的图。
图11和图12是用于描述根据某些示例实施例的图5的NFC装置的待机模式期间的标签检测的图。
图13是图示根据某些示例实施例的随着NFC标签接近NFC读取器驱动电流的改变的曲线图。
图14是图示根据某些示例实施例的基于驱动电流和标签检测灵敏度的标签检测的图。
图15是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。
图16是图示根据某些示例实施例的包括在图15的NFC装置中的自适应标签检测器的框图。
图17是图示根据某些示例实施例的包括在图16的自适应标签检测器中的传感器的图。
图18是图示根据某些示例实施例的包括在图16的自适应标签检测器中的传感器的图。
图19和图20是用于描述图15的NFC装置的待机模式期间的标签检测的图。
图21是图示根据某些示例实施例的随着NFC标签接近NFC读取器天线电压的改变的曲线图。
图22是图示根据某些示例实施例的基于天线电压和标签检测灵敏度的标签检测的图。
图23是图示根据某些示例实施例的与NFC装置相关联的标签检测灵敏度的控制的概念图。
图24A和图24B是图示根据某些示例实施例的操作NFC装置的方法的流程图的分开的部分。
图25是图示根据某些示例实施例的电子装置的框图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述各种示例实施例，在附图中示出了一些示例实施例。在图中，相同的附图标记表示全文中相同的元件。可以省略重复的描述。
图1是图示根据某些示例实施例的操作近场通信(NFC)装置的方法的流程图。
参考图1，在某些示例实施例中，当做出NFC装置和NFC标签之间的通信失败(例如，NFC装置未参与与NFC标签的通信)的确定时，近场通信(NFC)装置转换(例如，配置)为以待机模式操作。可以在NFC装置以活动模式操作时做出这种确定。相对于在以活动模式操作的NFC装置的功耗(例如，第二NFC功耗级别)，待机模式与在NFC装置的减小的功耗(例如，第一NFC功耗级别)相关联(S100)。在NFC装置以待机模式操作时，NFC装置基于与NFC装置相关联的标签检测灵敏度检测NFC标签(S200)，且NFC装置基于检测到NFC标签的在NFC装置的确定转换为活动模式。在NFC装置以待机模式操作时可以做出这种确定(S300)。根据某些示例实施例，NFC装置基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度(S400)。与NFC装置相关联的标签检测灵敏度可以指NFC装置对与在NFC装置的特定阈值邻近范围内的一个或多个NFC标签的检测和/或通信的灵敏度。与NFC装置相关联的标签检测灵敏度可以指NFC装置对与在NFC装置的特定阈值邻近范围内的一个或多个NFC标签的检测和/或通信的配置。在某些示例实施例中，与NFC装置相关联的标签检测灵敏度与距NFC装置的最大范围成正比，在该范围可以由NFC装置检测到NFC标签。可以基于调整NFC装置的一个或多个特性，包括调整与NFC装置相关联的功耗级别，调整NFC装置的一个或多个元件的配置，其某些组合等，来调整与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。与NFC装置相关联的用户环境参数可以包括与在NFC装置的特定的邻近范围(“临近距离”)内的外部环境的一个或多个方面相关联的一个或多个检测到和/或确定的参数。一个或多个用户环境参数可以包括在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间和指示NFC装置和一个或多个先前检测到的NFC标签之间通信的失败数目(“数量”)(例如，NFC装置和至少一个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败尝试的数量)的通信失败计数中的至少一个。
在NFC系统中，用作NFC读取器的NFC装置可以以待机模式操作以检测NFC标签，以使得当没有NFC标签邻近NFC装置(例如，在特定阈值邻近范围内)时功耗减小到第一NFC功耗级别(例如，“保存”功率)。如果在用作NFC读取器的NFC装置检测到NFC标签和/或当在用作NFC读取器的NFC装置检测到NFC标签时，NFC读取器可以转换为活动模式，以使得在NFC装置的功耗增加到第二功耗级别，且参与与检测到的NFC标签的通信(例如，NFC通信)。当与NFC装置相关联的标签检测灵敏度增加时，可以增强用户体验且可以增加与NFC装置相关联的功耗。根据某些示例实施例，基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括：基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地(例如，“动态地”)控制与NFC装置相关联的标签检测灵敏度，以优化与NFC装置相关联的功耗和与NFC装置相关联的标签检测范围。基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括：基于与NFC装置相关联的用户环境参数至少满足特定条件的确定而自适应地控制标签检测灵敏度。该特定条件可以包括阈值(例如，阈值持续时间值，阈值数量值等)、一个或多个值的范围(例如，阈值持续时间值的范围、阈值数量值的范围等)、其某些组合，等等。
基于与NFC装置相关联的用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，基于NFC装置将立即参与NFC通信的概率相对低(例如，低于阈值概率值)的确定，减小与NFC装置相关联的标签检测灵敏度以减小与NFC装置相关联的功耗。在某些示例实施例中，基于与NFC装置相关联的用户环境参数自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，基于在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间超过基准时间(例如，阈值持续时间值)的确定而减小与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。在某些示例实施例中，基于用户环境而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，如果指示与先前检测到的NFC标签的通信的失败数目(“数量”)的通信失败计数超过基准计数(例如，阈值数量值)则减小标签检测灵敏度。
基于与NFC装置相关联的用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，基于NFC装置将立即参与NFC通信的概率相对高的(例如，超过阈值概率值)的确定，增加与NFC装置相关联的标签检测灵敏度以增加NFC通信成功率和增强用户体验。在某些示例实施例中，基于用户环境而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，基于NFC装置和检测到的NFC标签之间的通信成功(例如，NFC参与与检测到的NFC标签的通信)的确定而增加与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。在某些示例实施例中，基于用户环境而自适应地控制标签检测灵敏度可以包括，基于与NFC装置的用户交互将与NFC装置相关联的标签检测灵敏度增加到最高灵敏度级别，该与NFC装置的用户交互包括与NFC装置相关联的NFC功能的用户启动的激活(例如，用户使能NFC装置的NFC功能)。
图2是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。
如图2所示的NFC装置10可以通过NFC方案与外部装置通信(例如，参与通信)。在某些示例实施例中，NFC装置10可以执行检测NFC卡是否接近于NFC装置10(例如，在NFC装置10的某个阈值邻近范围内)的操作，和检测NFC读取器是否接近于NFC装置10(例如，在NFC装置10的某个阈值邻近范围内，其中与NFC读取器检测相关联的阈值邻近范围可以与与NFC卡相关联的阈值邻近范围相同或者不同)的操作。这些作为NFC卡(或者标签)和NFC装置的操作可以替代地和重复地执行。如果NFC装置10检测到NFC读取器接近NFC装置10和/或当NFC装置10检测到NFC读取器接近NFC装置10时，NFC装置10可以以卡模式操作，在卡模式中NFC装置10操作为卡。在卡模式中，NFC装置10可以使用从NFC读取器发出的电磁波EMW与NFC读取器传递数据(例如，发送和接收数据)。如果NFC装置10检测到NFC卡接近NFC装置10(例如，在NFC装置10的阈值邻近范围内)和/或当NFC装置10检测到NFC卡接近NFC装置10时，NFC装置10可以以读取器模式操作，在该读取器模式中，NFC装置10操作为读取器。在读取器模式中，NFC装置10可以发射电磁波EMW以与NFC卡传递数据。
参考图2，NFC装置10包括谐振器100(在这里也称为谐振单元100)和NFC芯片200。NFC芯片200包括收发器单元RX/TX、自适应标签检测器ATD和控制器CON。NFC装置10的一个或多个元件可以由执行在存储器装置上存储的程序指令的一个或多个处理器实现。
谐振单元100可以包括谐振电路，该谐振电路包括具有电感组件的天线和谐振电容器。收发器单元RX/TX耦合到谐振单元100。如在这里提到的，“耦合的”元件可以直接或者间接耦合到另一元件。收发器单元RX/TX解调通过谐振单元100接收的RF信号以将已解调信号提供到控制器CON，并调制来自控制器CON的信号以通过谐振单元100发送已调制RF信号。自适应标签检测器ATD检测在待机模式期间NFC卡或者NFC标签是否接近于NFC装置10。控制器CON可以包括处理器、存储器块等，以用于控制NFC装置10的总体操作。控制器CON可以控制NFC装置10在以上述活动模式和待机模式之一操作之间的转换，并基于与NFC装置10相关联的一个或多个用户环境参数自适应地控制与NFC装置10相关联的标签检测灵敏度。以下将参考图5和图15进一步描述NFC芯片200的配置和操作。
如果NFC装置10以读取器模式操作和/或当NFC装置10以读取器模式操作时，谐振单元100发射电磁波EMW以与NFC卡传递数据。如果NFC装置10以读取器模式操作和/或当NFC装置10以读取器模式操作时，NFC芯片200可以提供输出电流或者驱动电流IAD到谐振单元100，且谐振单元100可以发射与驱动电流IAD对应的电磁波EMW以与NFC卡通信。因为NFC卡包括包含具有电感组件的天线和谐振电容器的谐振电路，在谐振单元100发射电磁波EMW时，可以在谐振单元100和位于谐振单元100附近的NFC卡之间发生互感。因此，可以通过与NFC卡的互感在谐振单元100的谐振电路生成天线电压VAN。
图3是图示根据某些示例实施例的与NFC装置相关联的标签检测灵敏度的控制的概念图。
参考图3，与NFC装置相关联的标签检测灵敏度(TDS)可以在待机模式期间(例如，在NFC装置以待机模式操作时)基于与NFC装置相关联的用户环境参数，在第一灵敏度级别LV1和低于第一灵敏度级别LV1的第二灵敏度级别LV2之间变换，以使得减小与NFC装置相关联的功耗。如果用户环境参数改变以使得减小NFC装置的即将来临的通信的概率和/或当用户环境参数改变以使得减小NFC装置的即将来临的通信的概率时，可以执行级别降低操作LVSF1以将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1减小到第二灵敏度级别LV2。如果用户环境参数改变以使得增加NFC装置的即将来临的通信的概率和/或当用户环境参数改变以使得增加NFC装置的即将来临的通信的概率时，例如，当与检测到的NFC标签的通信成功时，可以执行级别升高操作LVSF2以将标签检测灵敏度TDS从第二灵敏度级别LV2增加到第一灵敏度级别LV1。
如果标签检测灵敏度TDS跨越用户环境参数的范围固定在相对高的级别和/或当标签检测灵敏度TDS跨越用户环境参数的范围固定在相对高的级别时，可能检测到无效信号或者标签检测误差可能增加，且因此可能增加与NFC装置相关联的功耗。在某些示例实施例中，如果标签检测灵敏度TDS固定在相对低的级别和/或当标签检测灵敏度TDS固定在相对低的级别时，标签检测范围可能缩窄，且因此可能不利地影响与NFC装置相关联的用户体验。根据某些示例实施例，可以基于用户环境参数自适应地控制标签检测灵敏度TDS以优化与NFC装置相关联的功耗和标签检测范围。
图4是图示根据某些示例实施例的操作NFC装置的方法的流程图。
图4图示如参考图3描述的标签检测灵敏度TDS在第一灵敏度级别LV1和第二灵敏度级别LV2之间的控制。
参考图2、图3和图4，基于用户使能NFC装置的NFC功能(NFC ON)的确定(S10)，NFC芯片200中的控制器CON可以将标签检测灵敏度TDS初始化为第一灵敏度级别LV1，且将通信失败计数CFC初始化为零(S11)。LV1可以是最大标签检测灵敏度级别。在初始化之后，NFC芯片200可以以活动模式执行操作(S12)。
如果NFC装置10以活动模式操作和/或当NFC装置10以活动模式操作时，NFC芯片200可以生成RF场以检测和激活接近NFC装置10的NFC标签。可以通过发射具有例如几十毫秒到几百毫秒的脉冲宽度的脉冲来在活动模式中生成RF场或者电磁波EMW。如果在RF场中存在NFC标签和/或当在RF场中存在NFC标签时，NFC标签可以发送消息到NFC装置10，且NFC装置10可以激活到标签的连接或者链接。标签的激活可以包括顺序地发送用于各种类型的NFC标签(“标签”)的激活命令。如果没有接收到有效响应和/或当没有接收到有效响应时，NFC装置10可以确定通信失败且关闭RF场。
如果通信成功和/或当通信成功时(S13：“是”)，控制器CON初始化标签检测灵敏度TDS和通信失败计数CFC(S11)，并如上所述地以活动模式执行操作(S12)。如果通信失败和/或当通信失败时(S13：“否”)，控制器CON检查当前标签检测灵敏度TDS是否是第一灵敏度级别LV1(S14)。
如果标签检测灵敏度TDS是第一灵敏度级别LV1和/或当标签检测灵敏度TDS是第一灵敏度级别LV1时(S14：“是”)，控制器CON将通信失败计数CFC增加一个灵敏度级别增量(S15)，并检查当前通信失败计数CFC是否超过基准计数RFC(例如，阈值数量)(S16)。如果标签检测灵敏度TDS是低于第一灵敏度级别LV1的第二灵敏度级别LV2和/或当标签检测灵敏度TDS是低于第一灵敏度级别LV1的第二灵敏度级别LV2时(S14：“否”)，控制器CON将NFC装置从以活动模式操作转换为以待机模式操作，且自适应标签检测器ATD执行以待机模式的操作(S21)，即，基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。
如果通信失败计数CFC不超过基准计数RFC(例如，阈值数量值)和/或当通信失败计数CFC不超过基准计数RFC时(S16：“否”)，控制器CON将NFC装置10从以活动模式操作转换为以待机模式操作，且自适应标签检测器ATD执行以待机模式的操作(S17)，即，基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。
用作NFC读取器的NFC装置10可以以待机模式操作以检测接近NFC装置10的标签，由此“节省功率”(例如，“保存功率”、减小功耗等)。待机模式可以被称为低功率感应(LPS)模式。可以基于发射例如具有几百微秒的脉冲宽度的脉冲而在待机模式中生成RF场或者电磁波EMW。可以基于与活动模式相比减小待机模式中的脉冲宽度来减小与NFC装置10相关联的功耗。
如果基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签和/或当基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签时(S18：“否”)，自适应标签检测器ATD执行如上所述的以待机模式的操作(S17)，直到待机模式的持续时间SBT(例如，在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间)超过基准时间RFT(例如，阈值持续时间值)为止((S19：“否”)。如果基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS检测到标签和/或当基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS检测到标签时(S18：“是”)，控制器CON将NFC装置从以待机模式操作转换为以活动模式操作并执行如上所述的以活动模式的操作(S12)。
当通信失败计数CFC超过基准计数RFC时(S16：“是”)或者当待机模式的持续时间SBT超过基准时间RFT时(S19：“是”)，控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1改变到第二灵敏度级别LV2(S20)，且自适应标签检测器ATD基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS在以待机模式的操作中执行操作(S21)，即，标签检测的操作。在某些示例实施例中，如果控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1改变到第二灵敏度级别LV2和/或当控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1改变到第二灵敏度级别LV2时，控制器CON可以将通信失败计数CFC初始化为零。
如果基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签和/或当基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签时(S22：“否”)，自适应标签检测器ATD执行如上所述的以待机模式的操作(S21)直到检测到标签为止(S22：“是”)。
如果基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签和/或当基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签时(S22：“是”)，控制器CON可以将NFC装置10从以待机模式操作转换为以活动模式操作并执行如上所述的以活动模式的操作(S12)。如上所述，当通信成功时(S13：“是”)，控制器CON初始化标签检测灵敏度TDS和通信失败计数CFC(S11)，并执行以活动模式的操作(S12)。结果，如果在基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签之后通信成功和/或当在基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签之后通信成功时，控制器CON可以将标签检测灵敏度TDS从第二灵敏度级别LV2增加到第一灵敏度级别LV1。
在下文中，参考图5到图22的示例实施例，描述根据某些示例实施例的NFC装置的配置和操作。标签检测的某些示例实施例基于调节器电流的改变且参考图5到图14描述标签检测灵敏度TDS，并且标签检测的某些示例实施例基于天线电压的改变且参考图15到图22描述标签检测灵敏度TDS。
图5是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。用于以读取器模式操作NFC装置10a的元件以及用于以卡模式操作NFC装置10a的元件在图5中图示了。
参考图5，NFC装置10a包括谐振单元100(在这里也称为谐振器100)和NFC芯片200a。
NFC芯片200a通过第一功率端子L1、第二功率端子L2、第一传输端子TX1、第二传输端子TX2和接收端子RX耦合到谐振器100。谐振器100包括：谐振电路110，该谐振电路110包括天线L和第一电容器C1；匹配电路120，耦合到谐振电路110、第一传输端子TX1和第二传输端子TX2，并包括第二电容器C2和第三电容器C3以执行阻抗匹配。谐振器100进一步包括：第一滤波器130，耦合到谐振电路110和接收端子RX，并包括第四电容器C4；和第二滤波器140，耦合到谐振电路110、第一功率端子L1和第二功率端子L2，并包括第五电容器C5和第六电容器C6。如图5所示的谐振器100的配置仅是示例，且根据某些示例实施例的谐振器100的配置可以不限于上述的，而是可以多样地修改。
NFC芯片200a可以在卡模式下通过第一功率端子L1和第二功率端子L2执行信号发射操作和信号接收操作，在读取器模式下通过第一传输端子TX1和第二传输端子TX2执行信号发射操作，和在读取器模式下通过接收端子RX执行信号接收操作。
NFC芯片200a包括处理器220、存储器230、第一解调器241、第一调制器242、振荡器243、混频器244、解复用器245、发射器250、调节器260、自适应标签检测器300a、整流器271、调节器273、电源开关PSW、第二解调器281和第二调制器283。
处理器220可以控制NFC芯片200a的总体操作。处理器220可以通过从电源，比如电池接收第一电源电压VDD1而操作。
如果在NFC装置10a以活动模式操作执行信号接收操作(例如，与以活动模式操作的NFC装置10a同时)和/或当在NFC装置10a以活动模式操作执行信号接收操作时，解调器241通过解调通过接收端子RX从谐振器100供应的信号而生成接收数据RD，以将接收数据RD提供到处理器220。处理器220可以在存储器230中存储接收数据RD。
如果在NFC装置10a以活动模式操作时执行信号发射操作和/或当在NFC装置10a以活动模式操作时执行信号发射操作时，处理器220从存储器230读出发射数据TD以将发射数据TD提供到调制器242，且调制器242调制发射数据TD以提供调制信号。另外，振荡器243生成具有与载波频率(例如，13.56MHz)对应的频率的载波信号CW，解复用器245可以响应于选择信号SS将载波信号CW提供到混频器244，且混频器244可以组合载波信号CW与已调制信号以生成传输调制信号TMS。
在待机模式的预设阶段和检测阶段中的每一个中，解复用器245可以响应于来自处理器220的选择信号SS将载波信号CW提供到发射器250，且发射器250可以基于载波信号CW生成传输信号TS以执行用于检测NFC标签的检测操作。
发射器250耦合在传输电源电压TVDD和地电压GND之间。发射器250可以在NFC装置10a以待机模式操作时从解复用器245接收载波信号CW，并生成与载波信号CW对应的传输信号TS。另外，发射器250可以在NFC装置10a以活动模式操作时从混频器244接收传输调制信号TMS，且谐振器100可以生成与通过第一和第二传输端子TX1和TX2从发射器250提供的传输信号TS对应的电磁波EMW。例如，发射器250可以允许在NFC装置10a以活动模式操作时第一和第二传输端子TX1和TX2基于传输调制信号TMS通过上拉负载耦合到传输电源电压TVDD或者通过下拉负载耦合到地电压GND，以使得可以通过第一和第二传输端子TX1和TX2将传输信号TS提供给谐振器102a。
处理器220可以基于NFC装置10a的模式和操作向发射器250提供具有多个位的控制信号CTL2，该多个位指示NFC装置10a的模式和操作。另外，处理器220可以通过提供控制信号CTL4到解调器241而控制解调器241的操作。
调节器260耦合到第一电源电压VDD1且可以提供传输电源电压TVDD到发射器250。调节器260以低泄露(LDO)调节器实现，且可以响应于来自处理器220的控制信号CTL1调整传输电源电压TVDD的电平。另外，处理器220可以通过电源开关PSW接收内部电压。如果第一电源电压VDD1具有预定电平或更大电平和/或当第一电源电压VDD1具有预定电平或更大电平时，处理器220可以通过使用第一电源电压VDD1操作并禁止功率控制信号DCS断开电源开关PSW。如果第一电源电压VDD1具有小于预定电平的电平和/或当第一电源电压VDD1具有小于预定电平的电平时，处理器220使得功率控制信号DCS能够导通电源开关PSW，以使得处理器220可以通过使用从调节器273供应的内部电压而操作。
自适应标签检测器300a耦合到调节器260，如果分别在预设阶段和检测阶段中通过谐振器100发出电磁波EMW和/或当分别在预设阶段和检测阶段中通过谐振器100发出电磁波EMW时，可以监视流入调节器260中的电流(调节器电流)，且可以基于预设阶段中第一感应电流和检测阶段中第二感应电流的比较来确定NFC标签是否在NFC装置10a的通信范围(例如，通信覆盖范围)内。
自适应标签检测器300a可以确定NFC标签是否在NFC装置10a的通信范围内，且可以输出检测信号DS到处理器220，该检测信号DS指示NFC标签是否在NFC装置10a的通信范围内。处理器220可以接收检测信号DS，且可以基于检测信号DS的逻辑电平确定NFC装置10a的操作模式。
当NFC标签在NFC装置10a的通信范围之外且检测信号DS具有第一逻辑电平(逻辑低电平)时，处理器220可以将NFC装置10a的操作模式保持为待机模式。如果NFC标签在NFC装置10a的通信范围内且检测信号DS具有第二逻辑电平(逻辑高电平)和/或当NFC标签在NFC装置10a的通信范围内且检测信号DS具有第二逻辑电平(逻辑高电平)时，处理器220可以将NFC装置10a的操作模式从待机模式改变到活动模式(例如，将NFC装置10a从以待机模式操作转换为以活动模式操作)。
如果NFC装置10a以活动模式操作和/或当NFC装置10a以活动模式操作时，处理器220提供控制信号CTL2以使能调制器242，并通过发射器250发送请求命令。处理器220提供控制信号CTL4以使能解调器241，且解调器241可以在预定时间间隔期间等待响应于来自NFC标签的请求命令的响应。如果在预定时间间隔期间响应于请求命令接收到响应和/或当在预定时间间隔期间响应于请求命令接收到响应时，NFC装置10a启动与NFC标签的数据发射/接收。如果在预定时间间隔期间没有响应于请求命令接收到响应和/或当在预定时间间隔期间没有响应于请求命令接收到响应时，处理器220提供控制信号CTL2和CTL4以分别禁止调制器242和解调器241，并分别提供控制信号CTL1和CTL3到调节器260和自适应标签检测器300a，以执行上述检测操作。
如果以卡模式执行信号接收操作和/或当以卡模式执行信号接收操作时，第二解调器281通过解调通过第一和第二功率终端端子L1和L2从谐振器100供应的信号而生成第二接收数据RD2，以将第二接收数据RD2提供到处理器220。处理器220可以解码第二接收数据RD2且可以在存储器230中存储某些或者全部第二接收数据RD2。
当以卡模式执行信号发射操作时，处理器220可以从存储器230读出输出数据并编码输出数据以将第二发射数据TD2提供到第二调制器283，且第二调制器283调制第二发射数据TD2以将调制信号提供到第一和第二功率终端端子L1和L2。
图6是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的发射器的框图。
参考图6，发射器250包括第一驱动器253、第二驱动器255和控制器251。第一驱动器253包括第一上拉晶体管MP0和第一下拉晶体管MN0，且第二驱动器255包括第二上拉晶体管MP1和第二下拉晶体管MN1。
第一上拉晶体管MP0和第二上拉晶体管MP1可以是P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，且第一下拉晶体管MN0和第二下拉晶体管MN1可以是N-沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。第一上拉晶体管MP0耦合在发射源电压TVDD和第一传输端子TX1之间，且第一下拉晶体管MN0耦合在第一传输端子TX1和地电压GND之间。第二上拉晶体管MP1耦合在发射源电压TVDD和第二传输端子TX2之间，且第二下拉晶体管MN1耦合在第二传输端子TX2和地电压GND之间。
控制器251可以通过第一上拉驱动信号UDS0驱动第一上拉晶体管MP0，可以通过第一下拉驱动信号DDS0驱动第一下拉晶体管MN0，可以通过第二上拉驱动信号UDS1驱动第二上拉晶体管MP1，且可以通过第二下拉驱动信号DDS1驱动第二下拉晶体管MN1。控制器251可以基于从处理器220供应的控制信号CTL2而确定NFC芯片200a处于待机模式或者活动模式。在待机模式中，控制器251可以基于控制信号CTL2上拉第一驱动器253并下拉第二驱动器255，以使得来自传输电源电压TVDD的电流通过第一上拉晶体管MP0、第一传输端子TX1、谐振器100、第二传输端子TX2和第二下拉晶体管MN1流到地电压GND，且标签检测器300可以监控第一感应电流和第二感应电流。
控制器251可以在活动模式中基于传输调制信号TMS选择性地导通第一上拉晶体管MP0和第一下拉晶体管MN0中的一个以及第二上拉晶体管MP1和第二下拉晶体管MN1中的一个。发射器250在活动模式中基于传输调制信号TMS驱动第一上拉晶体管MP0、第二上拉晶体管MP1、第一下拉晶体管MN0和第二下拉晶体管MN1，以执行发射操作以提供传输调制信号TMS到谐振器100。
图7是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的调节器的框图。
参考图7，调节器260包括运算放大器261、电流发生器262和反馈电路265。
运算放大器261包括接收基准电压VREF的第一(负)输入端子，接收反馈电压VFB的第二(正)输入端子和输出端子。运算放大器261比较基准电压VREF和反馈电压VFB，以通过输出端子向电流发生器262提供指示基准电压VREF和反馈电压VFB的比较结果的输出。电流发生器262包括串联耦接在第一电源电压VDD1和输出节点N11之间的第一PMOS晶体管263和第二PMOS晶体管264。第一PMOS晶体管263包括耦合到第一电源电压VDD1的源极，和耦合到运算放大器261的输出端子的栅极。第二PMOS晶体管264包括耦合到第一PMOS晶体管263的漏极的源极，接收调节器控制信号RCS的栅极和耦合到输出节点N11的漏极。在输出节点N11输出施加到发射器250的传输电源电压TVDD。
调节器电流IREG通过第一和第二PMOS晶体管263和264从第一电源电压VDD1流到输出节点N11，且可以根据包括在控制信号CTL1中的调节器控制信号RCS调整调节器电流IREG的幅值。
反馈电路265包括串联耦接在输出节点N11和地电压GND之间的第一电阻器R1和第二电阻器R2。第一和第二电阻器R1和R2在反馈节点FN处彼此耦合，且将反馈电压VFB提供到运算放大器261的第二输入端子。传输电源电压TVDD由第一和第二电阻器R1和R2分压为反馈电压VFB。
图8是图示根据某些示例实施例的包括在图5的NFC装置中的自适应标签检测器的框图。
参考图8，自适应标签检测器300a包括电流监视器310、电流电压(I/V)转换器350、模拟数字转换器(ADC)360和判定电路370。
电流监视器310耦合到运算放大器261的输出端子，并在预设阶段和在检测阶段中分别通过监控流入调节器260的调节器电流IREG而生成第一感应电流ISEN1和第二感应电流ISEN2。I/V转换器350在预设阶段和在检测阶段中分别将第一感应电流ISEN1和第二感应电流ISEN2转换为第一感应电压VSEN1和第二感应电压VSEN2。ADC 360在预设阶段和检测阶段中分别将第一感应电压VSEN1和第二感应电压VSEN2转换为第一数字码DCD1和第二数字码DCD2。判定电路370基于第一数字码DCD1、第二数字码DCD2和指示标签检测灵敏度TDS的基准值，输出检测信号DS到处理器220，该检测信号DS指示NFC标签在NFC装置10a的通信范围内。
图9是图示根据某些示例实施例的包括在图8的自适应标签检测器中的电流监视器的电路图。
参考图9，电流监视器310包括第一电流发生器311、参考电流发生器315、第二电流发生器320、第三电流发生器330和第四电流发生器340。第一电流发生器311耦合在第一电源电压VDD1和第一节点N21之间，耦合到调节器260的输出端子，并生成实质上与调节器电流IREG相同(例如，在制造容差和/或材料容差)的第一电流ICP。参考电流发生器315耦合在第二电源电压VDD2和第二节点N22之间，并生成参考电流IREF。第二电流发生器320耦合在第一节点N21、第二节点N22和地电压GND之间，并生成大于参考电流IREF的N倍的第二电流IMR(＝N*IREF)。N可以是正实数。第三电流发生器330耦合在第一节点N21、第三节点N23和地电压GND之间，并生成与第一电流ICP和第二电流IMR之间的差值对应的第三电流ISUB。因此，第三电流ISUB、第一电流ICP和第二电流IMR之间的关系可以是ISUB＝ICP-N*IREF。第四电流发生器340耦合在第二电源电压VDD2、第三节点N23和输出节点N24之间，并生成大于第三电流ISUB两倍的感应电流ISEN。因此，感应电流ISEN和第三电流ISUB之间的关系是ISEN＝2*ISUB。第一电源电压VDD1的电平可以大于第二电源电压VDD2的电平。
第一电流发生器311包括第一PMOS晶体管312和第二PMOS晶体管313。第一PMOS晶体管312包括耦合到第一电源电压VDD1的源极，和耦合到调节器260的运算放大器261的输出端子的栅极。第二PMOS晶体管313包括耦合到第一PMOS晶体管312的漏极的源极，接收调节器控制信号RCS的栅极和耦合到第一节点N21的漏极。第一电流ICP从第一电源电压VDD1流到第一节点N21。
参考电流发生器315包括第一PMOS晶体管316和第二PMOS晶体管317。第一PMOS晶体管316包括耦合到第二电源电压VDD2的源极，和接收第一偏置信号BS1的栅极。第二PMOS晶体管317包括耦合到第一PMOS晶体管316的漏极的源极，接收第二偏置信号BS2的栅极，和耦合到第二节点N22的漏极。参考电流IREF从第二电源电压VDD2流到第二节点N22。
第二电流发生器320包括第一到第四NMOS晶体管321-324。第一NMOS晶体管321包括耦合到第一节点N21的漏极。第二NMOS晶体管322包括耦合到第一NMOS晶体管321的源极的漏极，和耦合到地电压GND的源极。第三NMOS晶体管323包括耦合到第二节点N22的漏极，和耦合到第一NMOS晶体管321的栅极的栅极。第四NMOS晶体管324包括耦合到第三NMOS晶体管323的源极的漏极，耦合到地电压GND的源极，和耦合到第二NMOS晶体管322的栅极的栅极。第四NMOS晶体管324的栅极耦合到第二节点N22，且第二电流N*IREF通过第一和第二NMOS晶体管321和322从第一节点N21流到地电压GND。
第三电流发生器330包括第一到第四NMOS晶体管331-334。第一NMOS晶体管331包括耦合到第一节点N21的漏极。第二NMOS晶体管332包括耦合到第一NMOS晶体管331的源极的漏极，和耦合到地电压GND的源极。第三NMOS晶体管333包括耦合到第三节点N23的漏极，和耦合到第一NMOS晶体管331的栅极的栅极。第四NMOS晶体管334包括耦合到第三NMOS晶体管333的源极的漏极，耦合到地电压GND的源极，和耦合到第二NMOS晶体管332的栅极的栅极。第四NMOS晶体管334的栅极耦合到第一节点N21，且第三电流ISUB通过第一和第二NMOS晶体管331和332从第一节点N21流到地电压GND。
第四电流发生器340包括第一到第四PMOS晶体管341-344。第一PMOS晶体管341包括耦合到第二电源电压VDD2的源极。第二PMOS晶体管342包括耦合到第一PMOS晶体管341的漏极的源极，和耦合到第三节点N23的漏极。第三PMOS晶体管343包括耦合到第二电源电压VDD2的源极，和耦合到第一PMOS晶体管341的栅极的栅极。第四PMOS晶体管344包括耦合到第三PMOS晶体管343的漏极的源极、耦合到输出节点N24的漏极和耦合到第二PMOS晶体管342的栅极的栅极。第三PMOS晶体管343的栅极耦合到第三节点，且在输出节点N24输出经过第三和第四PMOS晶体管343和344的来自第二电源电压VDD2的感应电流ISEN。
第二电流ISUB可以对应于ICP(＝IREG)N*IREF，且感应电流ISEN可以对应于2*(IREG-N*IREF)。因为N*IREF的值已知，可以使用感应电流ISEN监控调节器电流IREG。另外，因为感应电流ISEN可以对应于2*(IREG-N*IREF)，感应电流ISEN随着调节器电流IREG增大而增大。
因此，电流监视器310可以在待机模式的预设阶段中输出第一感应电流ISEN1，且可以在待机模式的检测阶段中输出第二感应电流ISEN2。
图10是图示根据某些示例实施例的包括在图8的自适应标签检测器中的判定电路的电路图。
参考图10，判定电路370包括寄存器371和数字比较器372。
寄存器371可以在待机模式的预设阶段中存储从ADC 360提供的第一数字码DCD1。数字比较器372可以在待机模式的检测阶段中比较寄存器371中存储的第一数字码DCD1和从ADC 360提供的第二数字码DCD2，以输出检测信号DS到处理器220，该检测信号DS指示NFC标签是否在NFC装置10a的通信范围内。如果NFC标签在NFC装置10a的通信范围内和/或当NFC标签在NFC装置10a的通信范围内时，第二数字码DCD2大于第一数字码DCD1。
在示例实施例中，判定电路370可以代替自适应标签检测器300a包括在处理器220中。在该情况下，自适应标签检测器300a在待机模式的预设阶段中输出第一数字码DCD1到处理器220，并在待机模式的检测阶段中输出第二数字码DCD2到处理器220。
图11和图12是用于描述根据某些示例实施例的图5的NFC装置的待机模式期间的标签检测的图。
图11图示NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外的实例，且图12图示NFC标签20在NFC装置10a的通信范围内的实例。
参考图5到图11，当NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外时，第一驱动器电流IAD1通过第一传输端子TX1、谐振器100和第二传输端子TX2，从发射器250的第一驱动器253流到发射器250的第二驱动器255。在该情况下，谐振器100的阻抗对应于Z_NOTAG。
参考图5到图10和图12，当NFC标签20在NFC装置10a的通信范围内时，第二驱动器电流IAD2通过第一传输端子TX1、谐振器100和第二传输端子TX2，从发射器250的第一驱动器253流到发射器250的第二驱动器255。在该情况下，谐振器100与NFC标签20的谐振器交互，即，在NFC装置10a的谐振器100和NFC标签20的谐振器之间发生互感，且与Z_TAG对应的谐振器100的阻抗与Z_NOTAG的阻抗相比减小。因此，第二驱动器电流IAD2大于第一驱动器电流IAD1。如果第二驱动器电流IAD2增大和/或当第二驱动器电流IAD2增大时，调节器电流IREG也增大，且感应电流ISEN也增大。因此，通过监控调节器电流IREG的改变而确定NFC标签20是否在NFC装置10a的通信范围内。
图13是图示根据某些示例实施例的随着NFC标签接近NFC读取器驱动电流的改变的曲线图。
参考图13，如在图11中的当NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外时的时间点T11和T12之间的第一间隔INT11中的第一驱动器电流IAD1小于如在图12中的当NFC标签20在NFC装置10a的通信范围内时的时间点T12和T13之间的第二间隔INT12中的第二驱动器电流IAD2。因此，自适应标签检测器300a可以通过检测第二驱动器电流IAD2和第一驱动器电流IAD1之间的差值ΔI而确定NFC标签20是否在NFC装置10a的通信范围内。在图13中，第一基准值RV1对应于相对高的标签检测灵敏度TDS的第一灵敏度级别LV1，且第二基准值RV2对应于相对低的标签检测灵敏度TDS的第二灵敏度级别LV2。换句话说，基准值RV可以随着标签检测灵敏度TDS减小而增大。
第二驱动器电流IAD2和第一驱动器电流IAD1之间的差值ΔI大于第一基准值RV1并小于第二基准值RV2。因此，当标签检测灵敏度TDS设置为相对高的第一灵敏度级别LV1时确定NFC标签20在NFC装置10a的通信范围内，而当标签检测灵敏度TDS设置为相对低的第二灵敏度级别LV2时确定NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外。因而，可以通过控制标签检测灵敏度TDS而优化功耗和标签检测范围。
图14是图示根据某些示例实施例的基于驱动电流和标签检测灵敏度的标签检测的图。
参考图14，时间点T22～T23之间的第二间隔INT22和时间点T24～T25之间的第四间隔INT24期间的驱动电流IAD与时间点T21～T22之间的第一间隔INT21、时间点T23～T24之间的第三间隔INT23和时间点T25～T26之间的第五间隔INT25期间的驱动电流IAD相比增大。第四间隔INT24期间的驱动电流IAD比第二间隔INT22期间的驱动电流IAD进一步增大。因此，确定NFC标签20在第二间隔INT22期间接近NFC装置10a且在第四间隔INT24期间进一步接近NFC装置10a附近。
第一检测信号DS1对应于当标签检测灵敏度TDS设置得较高时的第一情况，即对应于第一基准值RV1的第一灵敏度级别LV1，且第二检测信号DS2对应于当标签检测灵敏度TDS设置得较低时的第二情况，即对应于第二基准值RV2的第二灵敏度级别LV2。结果，第一检测信号SD1对应于较宽标签检测范围的第一情况，且第二检测信号SD2对应于较窄标签检测范围的第二情况。
如第一检测信号DS1所示的，确定即使NFC标签20相对远离NFC装置10a，NFC标签20也在NFC装置10a的通信范围内。但是，如第二检测信号DS2所示的，确定当NFC标签20相对远离NFC装置10a时NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外。
图15是图示根据某些示例实施例的NFC装置的框图。
参考图15，NFC装置10b包括谐振单元或者谐振器100和NFC芯片200b。NFC芯片200b包括处理器220、存储器230、第一解调器241、第一调制器242、振荡器243、混频器244、解复用器245、发射器250、调节器260、自适应标签检测器300b、整流器271、调节器273、电源开关PSW、第二解调器281和第二调制器283。
图15的NFC装置10b与图5的NFC装置10a实质上相同(例如，在制造容差和/或材料容差内相同)，除了自适应标签检测器300b之外，且因此省略重复的描述。
电压自适应标签检测器300b耦合到第一功率端子L1和第二功率端子L2，可以监控当在预设阶段和检测阶段中分别通过谐振器100发出电磁波EMW时第一和第二功率终端端子L1和L2之间的天线电压，且可以基于预设阶段中第一天线电压和检测阶段中第二天线电压的比较确定NFC标签是否在NFC装置10b的通信范围或者覆盖范围内。
图16是图示根据某些示例实施例的包括在图15的NFC装置中的自适应标签检测器的框图。
参考图16，自适应标签检测器300b包括传感器380、模拟数字转换单元ADC 382和判定电路384。
传感器380通过监控分别在预设阶段和检测阶段中通过第一功率电极L1和第二功率电极L2从谐振单元100接收到的天线电压而生成第一感应电压VSEN1和第二感应电压VSEN2。例如，传感器380可以生成与天线电压VAN的幅值和由处理器220提供的增益信号GNS成正比的感应电压VSEN1和VSEN2。ADC 382在预设阶段和检测阶段中分别将第一感应电压VSEN1和第二感应电压VSEN2转换为第一数字码DCD1和第二数字码DCD2。判定电路384基于第一数字码DCD1、第二数字码DCD2和指示标签检测灵敏度TDS的基准值，输出检测信号DS到处理器220，该检测信号DS指示NFC标签在NFC装置10b的通信范围内。
ADC 382和判定电路384与上述ADC 360和判定电路370实质上相同(例如，在制造容差和/或材料容差内相同)，且因此省略重复的描述。
图17是图示根据某些示例实施例的包括在图16的自适应标签检测器中的传感器的图。
参考图17，传感器380a可以包括具有第一二极管D1和第二二极管D2、第一电阻器R1和第一可变电阻器RV1的整流电路。
第一二极管D1可以耦合在第一功率电极L1和第一节点N1之间，且第二二极管D2可以耦合在第二功率电极L2和第一节点N1之间。结果，整流电路可以整流通过第一功率电极L1和第二功率电极L2接收的天线电压VAN以生成已整流电压。第一电阻器R1可以耦合在第一节点N1和第二节点N2之间，且第一可变电阻器RV1可以耦合在第二节点N2和地电压GND之间。第一可变电阻器RV1可以具有与增益信号GNS对应的电阻。因为第一电阻器R1和第一可变电阻器RV1操作为将已整流电压分压的分压器，所以传感器271a可以基于增益信号GNS将天线电压VAN转换为感应电压VSEN，并通过第二节点N2输出感应电压VSEN。
图18是图示根据某些示例实施例的包括在图16的自适应标签检测器中的传感器的图。
参考图18，传感器380b可以包括具有第一二极管D1和第二二极管D2，和可变电流源IV的整流电路。
第一二极管D1可以耦合在第一功率电极L1和第一节点N1之间，且第二二极管D2可以耦合在第二功率电极L2和第一节点N1之间。结果，整流电路可以整流通过第一功率电极L1和第二功率电极L2接收的天线电压VAN以生成已整流电压。可变电流源IV可以耦合在第一节点N1和地电压GND之间。可变电流源IV可以生成具有与增益信号GNS对应的幅值的电流。因为已整流电压的幅值根据从可变电流源IV生成的电流的幅值而改变，所以传感器271b可以基于增益信号GNS将天线电压VAN转换为感应电压VSEN，并通过第一节点N1输出感应电压VSEN。
图19和图20是用于描述根据某些示例实施例的图15的NFC装置的待机模式期间的标签检测的图。
参考图15到图19，当NFC标签20在NFC装置10b的通信范围之外(例如，在阈值邻近范围外部)时，在第一和第二功率终端端子L1和L2之间施加第一天线电压VAN1。在该情况下，谐振器100的阻抗对应于Z_NOTAG。
参考图15到图18和图20，当NFC标签20在NFC装置10b的通信范围内时，在第一和第二功率终端端子L1和L2之间施加第二天线电压VAN2。在该情况下，谐振器100与NFC标签20的谐振器交互，即，在NFC装置10b的谐振器100和NFC标签20的谐振器之间发生互感，且与Z_TAG对应的谐振器100的阻抗与Z_NOTAG的阻抗相比减小。因此，第二天线电压VAN2低于第一天线电压VAN1。如果第二天线电压VSEN2减小和/或当第二天线电压VSEN2减小时，感应电流VSEN2与第一感应电压VSEN1相比也减小。因此，通过监控天线电压VAN的改变而确定NFC标签20是否在NFC装置10b的通信范围内。
图21是图示根据某些示例实施例的随着NFC标签接近NFC读取器天线电压的改变的曲线图。
参考图21，当如在图19中NFC标签20在NFC装置10b的通信范围之外时的时间点T31和T32之间的第一间隔INT31中的第一天线电压VAN1大于当如在图20中NFC标签20在NFC装置10b的通信范围内时的时间点T32和T33之间的第二间隔INT32中的第二天线电压VAN2。因此，自适应标签检测器300b可以通过检测第一天线电压VAN1和第二天线电压VAN2之间的差值ΔV来确定NFC标签20是否在NFC装置10b的通信范围内。在图21中，第一基准值RV1对应于相对高的标签检测灵敏度TDS的第一灵敏度级别LV1，且第二基准值RV2对应于相对低的标签检测灵敏度TDS的第二灵敏度级别LV2。换句话说，基准值RV可以随着标签检测灵敏度TDS减小而增大。
第一天线电压VAN1和第二天线电压VAN2之间的差值ΔV大于第一基准值RV1且小于第二基准值RV2。因此，当标签检测灵敏度TDS设置为相对高的第一灵敏度级别LV1时确定NFC标签20在NFC装置10a的通信范围内，而当标签检测灵敏度TDS设置为相对低的第二灵敏度级别LV2时确定NFC标签20在NFC装置10a的通信范围之外。因而，可以通过控制标签检测灵敏度TDS而优化功耗和标签检测范围。
图22是图示根据某些示例实施例的基于与NFC装置相关联的天线电压和标签检测灵敏度的标签检测的图。
参考图22，时间点T42～T43之间的第二间隔INT42和时间点T44～T45之间的第四间隔INT44期间的天线电压VAN与时间点T41～T42之间的第一间隔INT41、时间点T43～T44之间的第三间隔INT43和时间点T45～T46之间的第五间隔INT45期间的天线电压VAN相比减小。第四间隔INT44期间的天线电压VAN与第二间隔INT42期间的天线电压VAN相比进一步减小。因此，确定NFC标签20在第二间隔INT42期间接近NFC装置10b且在第四间隔INT44期间进一步接近NFC装置10b附近。
第一检测信号DS1对应于当标签检测灵敏度TDS设置得较高时的第一情况，即对应于第一基准值RV1的第一灵敏度级别LV1，且第二检测信号DS2对应于当标签检测灵敏度TDS设置得较低时的第二情况，即对应于第二基准值RV2的第二灵敏度级别LV2。结果，第一检测信号SD1对应于较宽标签检测范围的第一情况，且第二检测信号SD2对应于较窄标签检测范围的第二情况。
如第一检测信号DS1所示的，确定即使NFC标签20相对远离NFC装置10b，NFC标签20也在NFC装置10b的通信范围内。但是，如第二检测信号DS2所示的，确定当NFC标签20相对远离NFC装置10b时NFC标签20在NFC装置10b的通信范围之外。
图23是图示根据某些示例实施例的标签检测灵敏度的控制的概念图。
参考图23，标签检测灵敏度TDS可以在用于减小功耗的待机模式期间，基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数在第一到第n电平LV1到LVn之间变换。如果与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数改变以使得要由NFC装置执行的通信的概率减小，则可以基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数，执行级别降低操作LVSF1和LVSF2以将标签检测灵敏度TDS从最大灵敏度级别(例如，LV1)逐渐地减小到多个较低灵敏度级别LV2～LVn中的一个或多个灵敏度级别和/或顺序地通过多个较低灵敏度级别LV2～LVn中的一个或多个灵敏度级别。相反地，如果与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数改变以使得要由NFC装置执行的通信的概率增大，例如，当与检测到的NFC标签的通信成功时，可以执行级别升高操作LVSF3、LVSF4和LVSF5以将标签检测灵敏度TDS从较低灵敏度级别LV2～LVn中的每一个直接增大到最大灵敏度级别(例如，LV1)。
因而，可以基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数在多个级别LV1～LVn之间自适应地控制(“调整”)标签检测灵敏度，以进一步优化功耗和标签检测范围。
图24A和图24B是图示根据某些示例实施例的操作NFC装置的方法的流程图的分开的部分。即使一个或多个示例实施例可以包括在第一、第二和第三灵敏度级别LV1、LV2和LV3之间渐进地、顺序地改变的标签检测灵敏度TDS，将理解本发明概念可以具体表现为在四个或更多灵敏度级别之间改变标签检测灵敏度TDS。
参考图2、图23、图24A和图24B，如果用户使能NFC装置的NFC功能(NFC ON)和/或当用户使能NFC装置的NFC功能时(S10)，NFC芯片200中的控制器CON可以将标签检测灵敏度TDS初始化为第一灵敏度级别LV1，即，最高灵敏度级别，且将通信失败计数CFC初始化为零(S11)。在初始化之后，NFC芯片200可以执行以活动模式的操作(S12)。
如上所述，当通信成功时(S13：“是”)，控制器CON初始化标签检测灵敏度TDS和通信失败计数CFC(S11)，并执行以活动模式的操作(S12)。如果通信失败和/或当通信失败时(S13：“否”)，控制器CON检查当前标签检测灵敏度TDS是否是第一灵敏度级别LV1(S14)。
当标签检测灵敏度TDS是第一灵敏度级别LV1(S14：“是”)时，控制器CON将通信失败计数CFC增加一(S15)，并检查当前通信失败计数CFC是否超过第一基准计数(“阈值数量值”)RFC1(S16)。如果标签检测灵敏度TDS不是第一灵敏度级别LV1和/或当标签检测灵敏度TDS不是第一灵敏度级别LV1时(S14：“否”)，控制器CON检查当前通信失败计数CFC是否超过第二基准计数RFC2(S34)。
当通信失败计数CFC不超过第一基准计数RFC1时(S16：“否”)，控制器CON从活动模式转换为待机模式，且自适应标签检测器ATD执行以待机模式的操作(S17)，即，基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。
当基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签时(S18：“否”)，自适应标签检测器ATD执行如上所述的以待机模式的操作(S17)，直到待机模式的持续时间SBT超过第一基准时间(“阈值持续时间值”)RFT1为止(S19：“否”)。如果基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS检测到标签和/或当基于第一灵敏度级别LV1的标签检测灵敏度TDS检测到标签时(S18：“是”)，控制器CON从待机模式转换为活动模式并执行如上所述的以活动模式的操作(S12)。
当通信失败计数CFC超过第一基准计数RFC1时(S16：“是”)或者当待机模式的持续时间SBT超过第一基准时间RFT1时(S19：“是”)，控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1改变为第二灵敏度级别LV2(S20)，且自适应标签检测器ATD在以待机模式的操作中执行操作(S37)，即，基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。在某些示例实施例中，当控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第一灵敏度级别LV1改变到第二灵敏度级别LV2时，控制器CON可以将通信失败计数CFC初始化为零。
当标签检测灵敏度TDS是第二灵敏度级别LV2时(S34：“是”)，控制器CON将通信失败计数CFC增加一(S35)，并检查当前通信失败计数CFC是否超过第二基准计数RFC2(S36)。如果标签检测灵敏度TDS不是第二灵敏度级别LV2和/或当标签检测灵敏度TDS不是第二灵敏度级别LV2时(S34：“否”)，控制器CON检查当前通信失败计数CFC是否超过第三基准计数RFC3(S36)。如果通信失败计数CFC不超过第二基准计数RFC2和/或当通信失败计数CFC不超过第二基准计数RFC2时(S36：“否”)，控制器CON从活动模式转换为待机模式，且自适应标签检测器ATD执行以待机模式的操作(S37)，即，基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。
当基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签时(S38：“否”)，自适应标签检测器ATD执行如上所述的以待机模式的操作(S37)，直到待机模式的持续时间SBT超过第二基准时间为止(S39：“否”)。如果基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签和/或当基于第二灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS检测到标签时(S38：“是”)，控制器CON从待机模式转换为活动模式并执行如上所述的以活动模式的操作(S12)。
当通信失败计数CFC超过第二基准计数RFC2时(S36：“是”)或者当待机模式的持续时间SBT超过第二基准时间RFT2时(S39：“是”)，控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第二灵敏度级别LV2改变为第三灵敏度级别LV3(S40)，且自适应标签检测器ATD在以待机模式的操作中执行操作(S41)，即，基于第三灵敏度级别LV3的标签检测灵敏度TDS的标签检测的操作。在某些示例实施例中，当控制器CON将标签检测灵敏度TDS从第二灵敏度级别LV2改变到第三灵敏度级别LV3时，控制器CON可以将通信失败计数CFC初始化为零。
当基于第三灵敏度级别LV2的标签检测灵敏度TDS没有检测到标签时(S42：“否”)，自适应标签检测器ATD执行如上所述的以待机模式的操作(S41)直到检测到标签为止(S40：“是”)。如果基于第三灵敏度级别LV3的标签检测灵敏度TDS检测到标签和/或当基于第三灵敏度级别LV3的标签检测灵敏度TDS检测到标签时(S42：“是”)，控制器CON从待机模式转换为活动模式并执行如上所述的以活动模式的操作(S12)。如上所述，当通信成功时(S13：“是”)，控制器CON初始化标签检测灵敏度TDS和通信失败计数CFC(S11)，并执行以活动模式的操作(S12)。结果，如果在基于第三灵敏度级别LV3的标签检测灵敏度TDS检测到标签之后通信成功，则控制器CON可以将标签检测灵敏度TDS从第三灵敏度级别LV3直接增加到第一灵敏度级别LV1。
因而，根据某些示例实施例的NFC装置和操作NFC装置的方法可以通过基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度，来优化功耗和标签检测范围。可以通过增加标签检测灵敏度来保证标签检测范围，以当要由NFC装置执行的通信的概率相对高时增加通信成功率和增强用户体验。相反地，当要由NFC装置执行的通信的概率相对低时可以通过减小标签检测灵敏度减小功耗。
图25是图示根据某些示例实施例的电子装置的框图。
参考图25，电子装置1000包括应用处理器(AP)1110、NFC装置1200、存储器装置1120、用户界面1130和电源1140。
应用处理器1110可以控制电子装置1000的总体操作。存储器装置1120可以存储用于电子装置1000的操作的数据。NFC装置1200可以通过NFC将存储器装置1120中存储的输出数据提供到外部装置，并将通过NFC从外部装置接收到的输入数据存储到存储器装置1120中。NFC装置1200包括谐振器1210和NFC芯片1220。如上所述，NFC装置1200可以通过基于与NFC装置相关联的一个或多个用户环境参数而自适应地控制标签检测灵敏度，来优化功耗和标签检测范围。用户界面1130可以包括至少一个输入装置，比如小键盘或者触摸屏，和至少一个输出装置，比如扬声器或者显示装置。电源1140可以向电子装置1000供应电源电压。
本发明概念可以应用于包括NFC装置的任何装置和系统。
前述是示例实施例的说明且不被看做是其限制。虽然已经描述了几个示例实施例，本领域技术人员将容易地理解示例实施例的许多修改是可能的而不实质上脱离本发明概念。

Claims (20)

1.一种操作近场通信NFC装置的方法，所述方法包括：
基于在NFC装置以活动模式操作时NFC装置未参与与NFC标签的通信的确定将NFC装置转换为以待机模式操作，所述待机模式与第一NFC功耗级别相关联，所述活动模式与第二NFC功耗级别相关联，所述第一NFC功耗级别低于所述第二NFC功耗级别；
基于在NFC装置以待机模式操作时的标签检测灵敏度检测至少一个NFC标签；
基于在NFC装置以待机模式操作时检测到至少一个NFC标签而将NFC装置转换为以活动模式操作；和
基于与NFC装置相关联的用户环境参数至少满足特定条件的确定自适应地控制与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述用户环境参数包括在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间和指示NFC装置和一个或多个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败数量的通信失败计数中的至少一个。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间超过特定阈值持续时间值的确定而减小标签检测灵敏度。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于指示NFC装置和一个或多个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败尝试的数量的通信失败计数超过阈值数量值的确定而减小标签检测灵敏度。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而增大标签检测灵敏度。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度进一步包括，
基于NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而初始化指示NFC装置和至少一个检测到的NFC标签之间的通信的失败尝试的数量的通信失败计数。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于与NFC装置相关联的NFC功能的用户启动的激活将标签检测灵敏度设置为最高灵敏度级别。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于用户环境参数将标签检测灵敏度从最高灵敏度级别渐进地减小顺序地通过多个较低灵敏度级别。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度进一步包括，
基于NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定将标签检测灵敏度通过较低灵敏度级别的每个灵敏度级别渐进地增大到最大灵敏度级别。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间超过第一阈值持续时间值的确定将标签检测灵敏度从第一灵敏度级别减小到低于第一灵敏度级别的第二灵敏度级别；和
基于在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间超过比第一阈值持续时间值长的第二阈值持续时间值的确定而将标签检测灵敏度从第二灵敏度级别减小到低于第二灵敏度级别的第三灵敏度级别。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度进一步包括，
基于在标签检测灵敏度处于第二灵敏度级别时NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而将标签检测灵敏度从第二灵敏度级别增大到第一灵敏度级别；和
基于在标签检测灵敏度处于第三灵敏度级别时NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而将标签检测灵敏度从第三灵敏度级别直接增大到第一灵敏度级别。
12.如权利要求1所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括，
基于指示NFC装置和至少一个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败尝试的数量的通信失败计数超过第一阈值数量值的确定而将标签检测灵敏度从第一灵敏度级别减小到低于第一灵敏度级别的第二灵敏度级别；和
基于通信失败计数超过大于第一阈值数量值的第二阈值数量值的确定而将标签检测灵敏度从第二灵敏度级别减小到低于第二灵敏度级别的第三灵敏度级别。
13.如权利要求1所述的方法，其中，检测所述至少一个NFC标签包括，
监控调节器的调节器电流，所述调节器将电源电压提供到NFC装置的发射器；和
基于调节器电流的改变和标签检测灵敏度确定至少一个NFC标签是否在NFC装置的阈值邻近范围内，所述阈值邻近范围与NFC装置的通信覆盖范围相关联。
14.如权利要求1所述的方法，其中，检测所述至少一个NFC标签包括，
在谐振单元发出电磁波时监控在NFC装置的谐振单元生成的天线电压；以及
基于天线电压的改变和标签检测灵敏度确定至少一个NFC标签是否在NFC装置的阈值邻近范围内，所述阈值邻近范围与NFC装置的通信覆盖范围相关联。
15.一种操作近场通信NFC装置的方法，所述方法包括：
基于在NFC装置以活动模式操作时NFC装置未参与与NFC标签的通信的确定将NFC装置转换为以待机模式操作；
基于在NFC装置以待机模式操作时的标签检测灵敏度检测至少一个NFC标签；和
基于在NFC装置以待机模式操作时检测到至少一个NFC标签而将NFC装置转换为以活动模式操作。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
基于以下之一从第一灵敏度级别减小标签检测灵敏度，
在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间超过阈值持续时间值的确定，和
指示NFC装置和一个或多个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败数量的通信失败计数超过阈值数量值的确定。
17.如权利要求15所述的方法，进一步包括：
基于NFC装置参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而增大标签检测灵敏度。
18.一种方法，包括：
基于NFC装置未参与与NFC标签的通信的确定将近场通信(NFC)装置配置为以待机模式操作，所述待机模式与第一NFC功耗级别相关联；和
基于在NFC装置检测到至少一个NFC标签将NFC装置配置为以活动模式操作，所述活动模式与第二NFC功耗级别相关联，所述第二NFC功耗级别大于所述第一NFC功耗级别。
19.如权利要求18所述的方法，进一步包括：
基于关于与NFC装置相关联的用户环境参数是否至少满足特定条件的确定自适应地调整与NFC装置相关联的标签检测灵敏度。
20.如权利要求19所述的方法，其中，所述自适应地控制标签检测灵敏度包括执行以下的至少一个，
基于关于在NFC装置以待机模式操作时经过的持续时间是否超过特定阈值持续时间值的确定而调整标签检测灵敏度，
基于关于指示NFC装置和一个或多个先前检测到的NFC标签之间的通信的失败数量的通信失败计数是否超过阈值数量的确定而调整标签检测灵敏度，
基于关于NFC装置是否参与与至少一个检测到的NFC标签的通信的确定而调整标签检测灵敏度，和
基于与NFC装置相关联的NFC功能的用户启动的激活将标签检测灵敏度设置为特定灵敏度级别。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112395894A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 华为技术有限公司 基于nfc的通信方法及装置
WO2021169774A1 (zh) * 2020-02-29 2021-09-02 华为技术有限公司 基于nfc的通信方法、装置及系统

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110135206B (zh) * 2018-02-09 2022-05-31 博通集成电路（上海）股份有限公司 卡探测器和卡检测方法
KR20200121598A (ko) * 2019-04-16 2020-10-26 삼성전자주식회사 근접 필드 통신 카드의 복제를 위한 방법 및 그 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130281139A1 (en) * 2012-04-19 2013-10-24 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Energy-Efficient Detection of Network Connection Requests
CN104038254A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 三星电子株式会社 控制nfc设备中谐振频率的方法、nfc设备和电子系统
US20140304094A1 (en) * 2012-03-15 2014-10-09 Apple Inc. Methods for Adjusting Near Field Communications Circuitry during Mobile Payment Transactions

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005125046A1 (ja) 2004-06-15 2005-12-29 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha 無線受信装置、無線通信装置、及び質問器
KR100777369B1 (ko) 2006-10-31 2007-11-19 에스케이 텔레콤주식회사 Ｎｆｃ 단말기의 전자태그 검출장치 및 운용방법
US8437696B2 (en) * 2008-04-15 2013-05-07 Nxp B.V. Low power near-field communication devices
JP2010049292A (ja) 2008-08-19 2010-03-04 Mitsubishi Electric Corp カードリーダ装置
EP2418770A1 (en) 2010-07-29 2012-02-15 Nxp B.V. Automatic gain control
US8942628B2 (en) 2011-11-28 2015-01-27 Qualcomm Incorporated Reducing power consumption for connection establishment in near field communication systems
US8929812B2 (en) 2012-09-11 2015-01-06 Nxp B.V. Hybrid RF polling loop for NFC device and retry mechanism
KR102089652B1 (ko) 2013-09-16 2020-03-16 삼성전자주식회사 근거리 무선 통신 장치, 이를 포함하는 전자 시스템 및 근거리 무선 통신 장치의 전력 제어 방법
KR102048016B1 (ko) 2013-12-30 2019-11-22 삼성전자주식회사 Nfc 단말기 및 이를 포함하는 통신장치
WO2015172049A1 (en) * 2014-05-09 2015-11-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Short range wireless communication
JP6425083B2 (ja) 2015-01-21 2018-11-21 株式会社タニタ 通信システム、及びリーダライタ側情報通信装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140304094A1 (en) * 2012-03-15 2014-10-09 Apple Inc. Methods for Adjusting Near Field Communications Circuitry during Mobile Payment Transactions
US20130281139A1 (en) * 2012-04-19 2013-10-24 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Energy-Efficient Detection of Network Connection Requests
CN104038254A (zh) * 2013-03-07 2014-09-10 三星电子株式会社 控制nfc设备中谐振频率的方法、nfc设备和电子系统

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112395894A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 华为技术有限公司 基于nfc的通信方法及装置
CN112395894B (zh) * 2019-08-16 2022-09-09 华为技术有限公司 基于nfc的通信方法及装置
WO2021169774A1 (zh) * 2020-02-29 2021-09-02 华为技术有限公司 基于nfc的通信方法、装置及系统

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