CN107959118B

CN107959118B - 基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线的实现方法

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Publication number: CN107959118B
Application number: CN201711154249.8A
Authority: CN
Inventors: 吴林晟; 毛军发
Original assignee: Shanghai Jiaotong University
Current assignee: Shanghai Jiaotong University
Priority date: 2017-11-20
Filing date: 2017-11-20
Publication date: 2020-09-25
Anticipated expiration: 2037-11-20
Also published as: CN107959118A

Abstract

一种基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线的实现方法，在具有两个以上通道的天线阵列中，就存在于相邻或空间上相近的若干个通道之间由近场耦合或表面波产生的固有互耦，通过在天线阵列设计中进行跨通道交叉耦合实现去耦。本发明在不增加额外去耦网络情况下实现滤波天线通道之间的前向或(和)后向互耦的抑制，具有无须额外面积、不引入额外损耗、设计与实现灵活、参数自由度大等优点，可用于微波毫米波滤波天线阵列系统中。

Description

基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线的实现方法

技术领域

本发明涉及的是一种微波与无线通信领域的技术，具体是一种基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线的实现方法。

背景技术

微波与无线收发前端系统通常会协同使用滤波器与天线，提供滤除干扰信号和辐射或接收电磁波的功能。将滤波器与天线协同或融合设计为滤波天线，可以进一步提高天线系统的小型化程度，减少阻抗匹配与转接引入的额外损耗，改善工作带宽等性能。但是，在滤波天线阵中可能受到近场耦合或表面波的影响，在不同滤波天线单元通道之间存在互耦，后向互耦将导致天线端口的反射特性恶化，前向互耦将导致阵列和阵中单元的方向图出现畸变。为抑制通道间互耦及其带来的不利影响，可以采用隔墙、人工电磁材料、哑元、插入耦合谐振器网络等技术。但这些方法一般都需要额外的电路或寄生结构，增加尺寸或加工成本，且不能保证同时改善端口反射和方向图特性。

发明内容

本发明针对现有技术在滤波天线阵通道间互耦抑制方面效果有限、需要额外增加电路或结构单元、不能同时改善前向和后向互耦等问题，提出一种基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线的实现方法，该天线在每个通道具有滤波特性的同时可以有效控制通道间的寄生耦合效应。

本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明在具有两个以上通道的天线阵列中，就存在于相邻或空间上相近的若干个通道之间由近场耦合或表面波产生的固有互耦，通过在天线阵列设计中进行跨通道交叉耦合实现去耦。

所述的通道，包括：天线端口、耦合谐振器网络、辐射体等基本单元。

所述的跨通道交叉耦合包括：不同通道的天线端口之间的耦合、不同通道的谐振器之间的耦合、不同通道的辐射体之间的耦合、不同通道的天线端口与谐振器之间的耦合、不同通道的谐振器与辐射体之间的耦合、不同通道的天线端口与辐射体之间的耦合或其组合。

所述的跨通道交叉耦合采用以下任一方式实现：空间上相互靠近的物理结构之间电磁场交叠引起的电耦合、磁耦合或混合耦合、由容性缝隙、感性窗、耦合槽和耦合孔径引入的耦合、由传输线、分支线、集总元件构成的阻抗或导纳倒置变换器引入的耦合、由非谐振节点引入的耦合或其组合。

所述的耦合谐振器网络包括：若干个实现单通道频率选择性要求的谐振器、谐振器之间的直接耦合或交叉耦合，其中：谐振器的个数少于或等于滤波特性的阶数，取决于是否使用了双/多模谐振器；当通道中辐射体本身也是谐振器，则滤波特性的阶数在耦合谐振器网络阶数的基础上再增加1阶。

所述的谐振器为根据不同滤波特性设计指标、集成度要求和加工工艺确定的特定集总或分布式微波谐振结构，其采用但不限于：由电容、电感的串联、并联谐振回路构成或由平板、交指、低阻抗传输线等准集总电容结构与蜿蜒线、螺旋线、高阻抗传输线等准集总电感结构结合构成的集总谐振器；或采用波导谐振腔、同轴谐振腔、传输线谐振器、贴片谐振器、槽缝和缺陷地谐振器、基片集成波导谐振器、介质谐振器、超导谐振器、微声电子器件谐振器、微纳机电器件谐振器等分布式微波谐振器，其工作模式包括单谐振模式、双谐振模式、多谐振模式、谐振/反谐振双行为模式等。

所述的直接耦合，采用在排列顺序相邻的谐振器或端口之间引入电磁耦合的方式实现。

所述的交叉耦合，采用在排列顺序上不相邻的谐振器或端口之间引入电磁耦合的方式实现。

所述的辐射体为根据不同天线工作特性设计指标、集成度要求和加工工艺确定的特定平面或立体辐射结构，形式上包括但不限于：振子天线、行波天线、漏波天线、缝隙天线、微带天线、口径天线、反射面天线、透镜天线、介质谐振天线、基片集成天线、封装天线、片上天线以及由上述天线辐射结构组成的复合天线、子阵列等，结构上与耦合谐振器网络相连或与耦合谐振器网络中的任一或多个谐振器组成一体化结构。

技术效果

与现有技术相比，本发明不但能够提供具有高频率选择性的滤波天线通道，同时能够根据设计需要有效地抑制通道间有害的前向和后向互耦；本发明无须增加额外的互耦抑制电路和结构，仅通过引入跨通道交叉耦合就能在滤波天线工作频带内实现较高的互耦抑制效果。

附图说明

图1为本发明整体结构示意图；

图2为对比例1的结构图和初始特性图；

其中：图2a为对比例1的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～304、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～404；图2b为对比例1的初始特性图；

图3为对应图2中对比例1的实施例1结构图和实施效果图；

其中：图3a为实施例1的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、跨通道交叉耦合8、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～304、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～404；图3b为实施例1的实施效果图；

图4为对应图2中对比例1的实施例2结构图和实施效果图；

其中：图4a为实施例2的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、第一跨通道交叉耦合8、第二跨通道交叉耦合9、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～304、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～404；图4b为实施例2的实施效果图；

图5为对应图2中对比例1的实施例3结构图和实施效果图；

其中：图5a为实施例3的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、第一跨通道交叉耦合8、第二跨通道交叉耦合9、第三跨通道交叉耦合10、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～304、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～404；图5b为实施例3的实施效果图；

图6为对比例2的结构图和初始特性图；

图中：图6a为对比例2的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～303、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～403；图6b为对比例2的初始特性图；

图7为对应图6中对比例2的实施例4结构图和实施效果图；

图中：图7a为实施例4的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第一耦合谐振器网络3、第二耦合谐振器网络4、第一辐射体5、第二辐射体6、固有互耦7、第一跨通道交叉耦合8、第二跨通道交叉耦合9、第三跨通道交叉耦合10、第四跨通道交叉耦合11、第一耦合谐振器网络中的谐振器301～303、第二耦合谐振器网络中的谐振器401～403；图7b为实施例4的实施效果图；

图8为对比例3的结构图和初始特性图；

图中：图8a为对比例3的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第三天线端口3、第一耦合谐振器网络4、第二耦合谐振器网络5、第三耦合谐振器网络6、第一辐射体7、第二辐射体8、第三辐射体9、第一固有互耦10、第二固有互耦11、第一耦合谐振器网络中的谐振器401～402、第二耦合谐振器网络中的谐振器501～502、第三耦合谐振器网络中的谐振器601～602；图8b为对比例3的初始特性图；

图9为对应图8中对比例3的实施例5结构图和实施效果图；

图中：图9a为实施例5的结构图，第一天线端口1、第二天线端口2、第三天线端口3、第一耦合谐振器网络4、第二耦合谐振器网络5、第三耦合谐振器网络6、第一辐射体7、第二辐射体8、第三辐射体9、第一固有互耦10、第二固有互耦11、第一跨通道交叉耦合12、第二跨通道交叉耦合13、第三跨通道交叉耦合14、第四跨通道交叉耦合15、第五跨通道交叉耦合16、第六跨通道交叉耦合17、第一耦合谐振器网络中的谐振器401～402、第二耦合谐振器网络中的谐振器501～502、第三耦合谐振器网络中的谐振器601～602、第一跨通道交叉耦合12；图9b为实施例5的实施效果图。

具体实施方式

实施例1

如图2a所示，为未经去耦处理的滤波天线，其包括：第一天线端口1和第二天线端口2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，每个耦合谐振器网络均由4个顺序直接耦合的谐振器301～304或401～404组成，谐振器304、404分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体。第一辐射体5和第二辐射体6之间存在固有互耦7，这使得两个滤波天线通道之间存在前向和后向的耦合，分别会天线方向图发生畸变，使两个通道之间的隔离度特性发生恶化。

如图2b所示，该滤波天线对比例1工作于28GHz附近，工作带宽2GHz。单个通道滤波天线中的归一化外部耦合系数为1.0352，各谐振器之间的归一化内部耦合系数分别为0.9106、0.6999和0.9106。端口反射在通带内有4个零点，带内回波大于20dB。通带内天线效率接近0dB即100％，在低于25GHz和高于31GHz的阻带内抑制度大于30dB。由于固有互耦7的存在，通带内有显著的前向互耦和后向互耦特性，当归一化固有互耦等于0.3956时，带内的前向和后向耦合均在15dB左右，这会对滤波天线及由其组成的阵列的正常工作造成负面影响。

如图3a所示，对应图2中对比例1采用的实施例1包括：第一和第二天线端口1、2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，组成每个耦合谐振器网络的4个顺序直接耦合谐振器301～304和401～404，谐振器304、404分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体，存在于第一和第二辐射体之间的固有互耦7，以及在两个耦合谐振器网络的第一个谐振器301和401之间引入的跨通道交叉耦合8。除了跨通道交叉耦合8以外，其它部分均与图2a所示的对比例1相同。

如图3b所示，当跨通道交叉耦合8的性质与固有耦合7相反时，前向耦合会得到抑制，而后向耦合会有所恶化。当谐振器301和401之间的跨通道交叉耦合7的归一化系数等于-0.3340时，前向互耦在整个通带内抑制度大于30dB，后向互耦在中心频率28GHz附近恶化到10dB。

实施例2

如图4a所示，对应图2a中对比例1采用的实施例2包括：第一和第二天线端口1、2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，组成每个耦合谐振器网络的4个顺序直接耦合谐振器301～304和401～404，谐振器304、404分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体，存在于第一和第二辐射体之间的固有互耦7，以及在两个耦合谐振器网络的第三个谐振器303和403之间引入的第一跨通道交叉耦合8、在两个耦合谐振器网络的第二个谐振器302和402之间引入的第二跨通道交叉耦合9。除了第一和第二跨通道交叉耦合8、9以外，其它部分均与图2a所示的对比例1相同。

如图4b所示，适当选取第一和第二跨通道交叉耦合8、9的性质和数值，通带中部的后向耦合会得到抑制，而靠近边带的后向耦合会有所恶化，整个频带内的前向耦合基本不变。当谐振器303和403之间的第一跨通道交叉耦合8的归一化系数等于0.1045，而谐振器302和402之间的第二跨通道交叉耦合9的归一化系数等于-0.1045时，后向互耦在27.5至28.5GHz频段内优于15dB，后向互耦在左右边带附近恶化到10dB，前向互耦在整个通带内仍然是15dB基本不变。

实施例3

如图5a所示，对应图2a中对比例1采用的实施例3包括：第一和第二天线端口1、2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，组成每个耦合谐振器网络的4个顺序直接耦合谐振器301～304和401～404，谐振器304、404分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体，存在于第一和第二辐射体之间的固有互耦7，以及在第一辐射体5和第二耦合谐振器网络的第二个谐振器402之间引入的第一跨通道交叉耦合8、在第一耦合谐振器网络的第二个谐振器302和第二辐射体6之间引入的第二跨通道交叉耦合9、在第一和第二耦合谐振器网络的第二个谐振器302和402之间引入的第三跨通道交叉耦合10。除了第一、第二和第三跨通道交叉耦合8、9、10以外，其它部分均与图2a所示的对比例1相同。

如图5b所示，适当选取第一、第二和第三跨通道交叉耦合8、9、10的性质和数值，通带中部的前向和后向耦合都会得到抑制。当辐射体5和谐振器402之间的第一跨通道交叉耦合8、谐振器302和辐射体6之间的第二跨通道交叉耦合9的归一化系数都等于0.2782、谐振器302和402之间的第三跨通道交叉耦合10的归一化系数等于0.1956，而谐振器302和303之间、谐振器402和403之间的直接耦合归一化系数都由0.6999调整为0.7084时，前向和后向互耦在27.5至28.5GHz频段内都优于20dB，其它特性基本保持不变。

实施例4

如图6a所示，为未经去耦处理的滤波天线，其包括：第一天线端口1和第二天线端口2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，每个耦合谐振器网络均由3个相互耦合的谐振器301～303或401～403组成，谐振器301与302之间、302与303之间、401与402之间、402与403之间为直接耦合，谐振器301与303之间、401与403之间为内部交叉耦合，谐振器303、403分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体。第一辐射体5和第二辐射体6之间存在固有互耦7，这使得两个滤波天线通道之间存在前向和后向的耦合，分别会天线方向图发生畸变，使两个通道之间的隔离度特性发生恶化。

如图6b所示，该滤波天线对比例2工作于3.45GHz附近，工作带宽0.3GHz。单个通道滤波天线中的外部品质因素为9.7902，谐振器302、402的谐振频率为3.367GHz，谐振器301、303、401、403的谐振频率为3.467GHz，各谐振器之间的反归一化内部直接耦合系数均为0.0792，谐振器之间的反归一化内部交叉耦合系数均为-0.0494。端口反射在通带内有3个零点，带内回波大于20dB。通带内天线效率接近0dB即100％，在3.163GHz处有一个零点，低于3.198GHz和高于4.168GHz的阻带内抑制度大于20dB。由于固有互耦7的存在，通带内有显著的前向互耦和后向互耦特性，当反归一化固有互耦等于0.0376时，带内的前向和后向耦合均在15dB左右，这会对滤波天线及由其组成的阵列的正常工作造成负面影响。

如图7a所示，对应图6a中对比例2采用的实施例4包括：第一和第二天线端口1、2、与之相连的第一和第二耦合谐振器网络3、4、分别连接在第一和第二耦合谐振器网络末端的第一和第二辐射体5、6，组成每个耦合谐振器网络的3个相互耦合的谐振器301～303和401～403，谐振器303、403分别与第一辐射体5、第二辐射体6合为一体，存在于第一和第二辐射体之间的固有互耦7，以及在第一辐射体5和第二耦合谐振器网络的第一个谐振器401之间引入的第一跨通道交叉耦合8、在第一耦合谐振器网络的第一个谐振器301和第二辐射体6之间引入的第二跨通道交叉耦合9、在第一和第二耦合谐振器网络的第二个谐振器302和402之间引入的第三跨通道交叉耦合10、在第一和第二耦合谐振器网络的第一个谐振器301和401之间引入的第四跨通道交叉耦合11。除了第一、第二、第三和第四跨通道交叉耦合8、9、10、11以外，其它部分均与图6a所示的对比例2相同。

如图7b所示，适当选取第一、第二、第三和第四跨通道交叉耦合8、9、10、11的性质和数值，通带下半部分的前向和后向耦合都会得到抑制。当辐射体303和谐振器401之间的第一跨通道交叉耦合8、谐振器301和辐射体403之间的第二跨通道交叉耦合9、谐振器301和401之间的第四跨通道交叉耦合11的反归一化耦合系数都等于0.0376，谐振器302和402之间的第三跨通道交叉耦合10的归一化系数等于-0.0038，而谐振器302和402的谐振频率由3.367GHz调整为3.370GHz时，前向和后向互耦幅度完全相同且在3.322至3.4435GHz频段内都优于30dB，滤波天线的上边带性能略有恶化，其它特性基本保持不变。

实施例5

如图8a所示，为未经去耦处理的滤波天线，其包括：第一、第二和第三天线端口1、2、3、与之相连的第一、第二和第三耦合谐振器网络4、5、6、分别连接在第一、第二和第三耦合谐振器网络末端的第一、第二和第三辐射体7、8、9，每个耦合谐振器网络均由2个直接耦合的谐振器401～402、501～502或601～602组成。第一和第二辐射体7、8之间存在第一固有互耦10，第二和第三二辐射体8、9之间存在第二固有互耦11，这使得三个滤波天线通道之间存在前向和后向的耦合，分别会天线方向图发生畸变，使三个通道之间的隔离度特性发生恶化。

如图8b所示，该滤波天线对比例3工作于10GHz附近，相对工作带宽10％。单个通道滤波天线中的外部品质因素为9.3，所有谐振器同步调谐，两个谐振器之间的反归一化内部直接耦合系数为0.1247。端口反射在通带内优于15dB，通带内天线效率接近0dB即100％，低于7.8GHz和高于12.8GHz的阻带内抑制度大于20dB。由于第一和第二固有互耦10、11的存在，通带内有显著的前向互耦和后向互耦特性，当反归一化固有互耦等于0.0325时，带内的前向和后向耦合均在15dB左右，这会对滤波天线及由其组成的阵列的正常工作造成负面影响。

如图9a所示，对应图8a中对比例3采用的实施例5包括：第一、第二和第三天线端口1、2、3、与之相连的第一、第二和第三耦合谐振器网络4、5、6、分别连接在第一、第二和第三耦合谐振器网络末端的第一、第二和第三辐射体7、8、9，每个耦合谐振器网络均由2个直接耦合的谐振器401～402、501～502或601～602组成。第一和第二辐射体7、8之间存在第一固有互耦10，第二和第三二辐射体8、9之间存在第二固有互耦11。以及在第一耦合谐振器网络的第二个谐振器402和第二耦合谐振器网络的第二个谐振器502之间引入的第一跨通道交叉耦合12、在第一耦合谐振器网络的第一个谐振器401和第二耦合谐振器网络的第一个谐振器501之间引入的第二跨通道交叉耦合13、在第一和第二天线端口1、2之间引入的第三跨通道交叉耦合14、在第二耦合谐振器网络的第二个谐振器502和第三耦合谐振器网络的第二个谐振器602之间引入的第四跨通道交叉耦合15、在第二耦合谐振器网络的第一个谐振器501和第三耦合谐振器网络的第一个谐振器601之间引入的第五跨通道交叉耦合16、在第二和第三天线端口2、3之间引入的第六跨通道交叉耦合17。除了第一、第二、第三、第四、第五和第六跨通道交叉耦合12、13、14、15、16、17以外，其它部分均与图8a所示的对比例3相同。

如图9b所示，适当选取第一、第二、第三、第四、第五和第六跨通道交叉耦合12、13、14、15、16、17的性质和数值，整个通带内的前向耦合和通带中部的后向耦合都会得到抑制。当谐振器402和502之间的第一跨通道交叉耦合12、谐振器502和602之间的第四跨通道交叉耦合15的反归一化耦合系数都等于0.0247，谐振器401和501之间的第二跨通道交叉耦合13、谐振器501和601之间的第五跨通道交叉耦合16的归一化系数等于-0.0390，而天线端口1和2之间的第三跨通道交叉耦合14、天线端口2和3之间的第六跨通道交叉耦合17的归一化系数等于-0.0168时，前向互耦在整个通带内都优于27dB，后向互耦在9.6至10.4GHz频段内优于20dB，滤波天线的其它特性基本保持不变。

上述实施例的工作原理简述如下：通过引入一个或一组跨通道交叉耦合，并控制它们的耦合性质和归一化系数值，在某些情况下同时调整原有耦合谐振器网络内部耦合所对应的归一化系数值和谐振器的谐振频率，可以在前向和后向上实现多条耦合途径并使它们在滤波天线通带内的耦合幅度相近且相位相反。当仅需要抑制前向互耦即缓解阵中天线单元方向图畸变时，类似于鼠径耦合器的形式在相对位置引入与固有通道间互耦等幅反相的跨通道交叉耦合；当仅需要抑制后向互耦即提高天线端口间隔离度时，类似于1/4混合耦合网络的形式在相对位置引入幅度相近的一组跨通道交叉耦合；当需要同时改善前向和后向互耦时，类似于0dB过桥的形式在交错位置引入一组与固有通道间互耦性质相同且幅度相近的跨通道交叉耦合。在具体设计时，可以根据工作场景、滤波天线阵列的排布方式和规模采用不同的设计方法，包括但不限于双通道对称问题的奇偶模分析、多通道的本征模分析、周期或准周期排布通道的周期解分析、全局优化方法等。因此，本发明能在不增加额外的去耦网络结构的情况下，利用跨通道交叉耦合实现滤波天线通道之间的前向或(和)后向互耦的抑制，具有无须占用额外的面积、不引入额外损耗、设计与实现灵活、参数自由度大等优点。

上述具体实施可由本领域技术人员在不背离本发明原理和宗旨的前提下以不同的方式对其进行局部调整，本发明的保护范围以权利要求书为准且不由上述具体实施所限，在其范围内的各个实现方案均受本发明之约束。

Claims

1.一种基于交叉耦合抑制通道间互耦的滤波天线，其特征在于，在具有两个以上通道的天线阵列中，就存在于相邻或空间上相近的若干个通道之间由近场耦合或表面波产生的固有互耦，通过在天线阵列设计中进行跨通道交叉耦合实现去耦；

所述的跨通道交叉耦合包括：不同通道的天线端口与谐振器之间的耦合、不同通道的谐振器与辐射体之间的耦合、不同通道的天线端口与辐射体之间的耦合或其组合；

所述的跨通道交叉耦合采用以下任一方式实现：空间上相互靠近的物理结构之间电磁场交叠引起的电耦合、磁耦合或混合耦合、由容性缝隙、感性窗、耦合槽和耦合孔径引入的耦合、由传输线、分支线、集总元件构成的阻抗或导纳倒置变换器引入的耦合、由非谐振节点引入的耦合或其组合；

所述的通道，包括：天线端口、耦合谐振器网络、辐射体；其中的耦合谐振器网络包括：若干个实现单通道频率选择性要求的谐振器、谐振器之间的直接耦合或交叉耦合，辐射体与耦合谐振器网络相连或与耦合谐振器网络中的任一或多个谐振器组成一体化结构；

所述的直接耦合，采用在排列顺序相邻的谐振器或端口之间引入电磁耦合的方式实现；

2.根据权利要求1所述的滤波天线，其特征是，所述的谐振器的个数少于或等于滤波特性的阶数，取决于是否使用了双/多模谐振器；当通道中辐射体本身也是谐振器，则滤波特性的阶数在耦合谐振器网络阶数的基础上再增加1阶。

3.根据权利要求1所述的滤波天线，其特征是，所述的谐振器采用：由电容、电感的串联、并联谐振回路构成或由平板、交指、低阻抗传输线等准集总电容结构与蜿蜒线、螺旋线、高阻抗传输线等准集总电感结构结合构成的集总谐振器；或采用波导谐振腔、同轴谐振腔、传输线谐振器、贴片谐振器、槽缝和缺陷地谐振器、基片集成波导谐振器、介质谐振器、超导谐振器、微声电子器件谐振器、微纳机电器件谐振器等分布式微波谐振器，其工作模式包括单谐振模式、双谐振模式、多谐振模式、谐振/反谐振双行为模式。

4.根据权利要求1所述的滤波天线，其特征是，所述的辐射体包括：振子天线、行波天线、漏波天线、缝隙天线、微带天线、口径天线、反射面天线、透镜天线、介质谐振天线、基片集成天线、封装天线、片上天线以及由上述天线辐射结构组成的复合天线、子阵列。