CN107942174B - 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统 - Google Patents

大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN107942174B
CN107942174B CN201711365090.4A CN201711365090A CN107942174B CN 107942174 B CN107942174 B CN 107942174B CN 201711365090 A CN201711365090 A CN 201711365090A CN 107942174 B CN107942174 B CN 107942174B
Authority
CN
China
Prior art keywords
fpga
single event
failure rate
atmospheric neutron
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711365090.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107942174A (zh
Inventor
张战刚
雷志锋
何玉娟
彭超
师谦
黄云
恩云飞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Original Assignee
China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute filed Critical China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Priority to CN201711365090.4A priority Critical patent/CN107942174B/zh
Publication of CN107942174A publication Critical patent/CN107942174A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107942174B publication Critical patent/CN107942174B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/001Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及电子器件辐射效应领域,特别是涉及一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法和系统,通过对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率。在此方案中,所述测量数据为对FPGA进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据,所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的FPGA器件失效率的准确度,从而实现FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价,解决我国目前FPGA器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。

Description

大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法和系统
技术领域
本发明涉及电子器件辐射效应领域,特别是涉及一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法和系统。
背景技术
银河宇宙射线、太阳宇宙射线等各种宇宙射线进入到地球的中性大气,并与大气中的氮和氧发生相互作用,形成了各种辐射粒子,使得大气空间辐射环境非常复杂。在各种辐射粒子之中,由于中子不带电、穿透力极强而且在大气中的含量高,因此大气中子入射电子系统所引起的单粒子效应,成为了威胁电子设备安全工作的关键因素。
FPGA(Field-Programmable Gate Array),即现场可编程门阵列,是作为专用集成电路领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。随着科技的发展,各种电子设备对FPGA器件的依赖性越来越强,而FPGA器件自身的集成度提高,复杂性增加,造成FPGA器件对单粒子效应更加敏感。
为了评估大气中子诱发的单粒子效应对FPGA器件产生的影响,需要对大气中子单粒子效应下的FPGA器件的敏感特性进行分析。目前为了对FPGA器件进行单粒子效应敏感特性进行分析,一般采用地面加速辐照试验的方式,即使用具有高通量的地面辐射源辐照FPGA器件,模拟FPGA器件在真实大气环境下的辐射粒子,根据辐照试验结果分析FPGA器件的大气中子单粒子效应敏感特性。然而这种方式引发的FPGA器件的失效率,是一种模拟结果,用于对大气中子单粒子效应下的FPGA器件的敏感特性进行分析时,其准确度较低。
发明内容
基于此,有必要针对目前对大气中子单粒子效应下的FPGA器件的敏感特性进行分析时,其准确度较低的问题,提供一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法和系统。
一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,包括以下步骤:
对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;
获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率。
在其中一个实施例中,所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;
所述根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率。
在其中一个实施例中,所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据以下函数关系式获取FPGA器件失效率:
λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)
式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量。
在其中一个实施例中,在海拔高度大于预设值的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
在其中一个实施例中,在所述FPGA器件实际应用的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
在其中一个实施例中,所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据的步骤还包括以下步骤:
当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时,结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤,执行所述获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量的步骤。
在其中一个实施例中,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源。
在其中一个实施例中,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生单粒子锁定时,切断所述FPGA阵列的电源。
在其中一个实施例中,所述切断所述FPGA阵列的电源的步骤之后还包括以下步骤:
再次执行所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤,继续获取所述FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据。
一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统,包括以下模块:
单粒子效应检测模块,用于对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;
数量获取模块,用于获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
失效率获取模块,用于根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率。
根据上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法和系统,通过对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量,可以获得FPGA器件失效率。在此方案中,所述测量数据为对FPGA进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据,所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的FPGA器件失效率的准确度,从而实现FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价,解决我国目前FPGA器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。
一种可读存储介质,其上存储有可执行程序,该程序被处理器执行时实现上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法的步骤。
一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的可执行程序,处理器执行程序时实现上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法的步骤。
附图说明
图1为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图;
图2为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统一个实施例的结构示意图;
图3为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明,并不限定本发明的保护范围。
参见图1所示,为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图,该实施例中的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法包括以下步骤:
步骤S110:对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;
在本步骤中,所述FPGA阵列包括多个FPGA器件,通过对多个FPGA器件同时测量,可以等效为对一个FPGA器件进行长时间的测量,缩短了所述测量数据的获取时间,提高了FPGA器件大气中子单粒子效应检测的效率。
进一步地,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤中检测所述FPGA阵列中的FPGA器件是否发生单粒子翻转,检测范围覆盖所述FPGA器件的所有敏感存储模块,包括但不限于块存储器、配置存储器和可编程逻辑资源:
FPGA器件中的块存储器主要用于拓展FPGA的应用范围和灵活性,块存储器中出现单粒子翻转时,若其中存储的数据被用于逻辑控制,则会影响FPGA器件的正常功能;
FPGA器件中配置存储器分布在FPGA器件的整个芯片上,用于存储FPGA器件的配置码,实现对FPGA器件逻辑功能的控制,因此配置存储器发生的单粒子翻转对FPGA器件的影响较大;
FPGA器件中的可编程逻辑资源包括查找表存储单元和寄存器单元,其中,查找表存储单元因单粒子效应发生翻转时,会导致FPGA器件配置的逻辑电路和描述语言对应的逻辑电路不同,导致FPGA器件逻辑功能配置错误;所述寄存器单元则存储有FPGA器件的现场配置信息或系统运算的数据信息,当所述寄存器单元发生单粒子翻转时,则会导致寄存器单元后级电路的正常输出,使得FPGA器件配置出错;
当大气中子穿过上述任一敏感存储模块时,均有可能导致FPGA器件发生单粒子效应从而失效,因此通过对所述FPGA器件的所有敏感存储模块进行单粒子翻转测试,可以使获得的测量数据更加准确、全面。
在另一个实施例中,在海拔高度大于预设值的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
在本实施例中,空间环境中的大气中子通量随海拔高度变化而变化,当在海拔高度高的位置进行大气中子单粒子效应检测时,由于所述位置具有较高的中子通量,因此更易触发FPGA器件发生单粒子效应,缩短获取所述测量数据的时间,提高了大气中子单粒子效应检测的效率。可选地,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤,可以在高海拔地区进行,也可以通过飞机搭载的方式进行。根据实际检测过程中对获取所述测量数据耗时的要求确定所述预设值。
例如,由于海拔高度越高,对应的环境中的大气中子通量也越高,越容易导致FPGA器件发生单粒子效应。众多的试验数据表明,海拔高度在0km~18km之内时,大气中子通量与海拔高度之间关系为正相关,并在海拔高度约18km处的大气中子通量达到最大值。民航飞机之中,短航线飞机飞行高度一般为6km~9.6km;长航线飞机的则为8km~12.6km;而某些公务机的飞行高度甚至可达15km,该环境下的大气中子通量已经非常接近最大值。为了提高FPGA器件的大气中子单粒子效应检测的效率,可以在考虑飞行成本的前提下,选择在上述特定的飞行高度进行FPGA器件的大气中子单粒子效应检测。
在另一个实施例中,所述FPGA器件实际应用的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
在本实施例中,由于大气中子是由宇宙射线和大气作用共同产生的,宇宙射线中的各种粒子在地球环境中会受到地磁场的影响,而地球不同的地理位置具有不同的地磁场。通过在FPAG器件实际应用位置进行所述大气中子单粒子效应检测的步骤,可以获取到真实应用条件下的测量数据,从而真实地评价FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性。
例如,由于地球的不同地理纬度对应的地磁纬度不同,导致不同地理纬度对应的电磁场是不同的,因此对应位置的大气中子通量也不同。当FPGA器件在不同纬度的地理位置工作时,可能会呈现出不同的敏感特性。因此通过在不同纬度的位置对所述FPGA阵列进行所述大气中子单粒子效应检测,可以获取实际应用地点大气中子环境下的FPGA器件的失效率,从而真实评价大气中子单粒子效应下FPGA器件的敏感性。
在另一个实施例中,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源。
在本实施例中,单粒子功能中断是数字逻辑器件在高能粒子轰击下丧失原有功能的一种单粒子效应;由于大气中子单粒子效应检测是通过检测FPGA器件回读数据进行的,当FPGA器件发生单粒子功能中断时,进入异常中断响应状态,使得FPGA器件回读的数据产生的错误多于实际产生的错误,无法输出程序结果,严重时导致FPGA器件损坏。因此当检测到发生单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源,可以避免FPGA器件损坏。
进一步地,所述大气中子单粒子效应检测覆盖所述FPGA器件的所有功能中断类型,包括但不限于可选处理器访问端口(SelectMAP)锁存器、JTAG测试访问端口(TAP)锁存器和其他内置非可编程单元的锁存器,如位流加载机及上电复位(POR)电路。当检测到发生单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源,可以避免FPGA器件因进入异常中断响应状态而出现损坏现象。
在某些实施例中,可以通过以下方式检测FPGA器件是否发生单粒子功能中断:对于可选处理器访问端口锁存器,可通过对比回读CRC(Cyclic Redundancy Check,循环冗余校验)值与已知CRC值进行检测;对于JTAG测试访问端口锁存器,可以通过进行FAR读写测试,检测端口是否被锁定;对于上电复位电路,可通过检测DONE管脚的电平进行进一步判断。
在另一个实施例中,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生单粒子锁定时,切断所述FPGA阵列的电源。
在本实施例中,单粒子锁定是危害性较大的一种单粒子效应。发生单粒子锁定时,FPGA器件内部产生的电流陡增,容易造成FPGA器件的烧毁。因此当检测到发生单粒子锁定时,切断所述FPGA阵列的电源,可以避免FPGA器件损坏。
具体地,由于FPGA器件发生单粒子锁定时会出现电流陡增的现象,因此在某些实施例中,可以设置电流阈值,当检测FPGA器件I/O端口的电流超出所述电流阈值时,判断所述FPGA器件发送单粒子锁定。
在另一个实施例中,所述切断所述FPGA阵列的电源的步骤之后还包括以下步骤:
再次执行所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤,继续获取所述大气中子单粒子效应检测的测量数据。
在本实施例中,由于切断电源之后,已获得的测量数据样本数量有限,为了降低偶然性因素对检测结果带来的影响,需要再次执行所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤,增加所述测量数据的样本数量。
步骤S120:获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
在另一个实施例中,所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA器件大气中子单粒子效应检测的测量数据的步骤还包括以下步骤:
当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时,结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤,执行所述获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量的步骤。
在本实施例中,由于测量数据的统计稳定性与检测过程中单粒子翻转数成正相关,因此要求检测到单粒子翻转的数量尽可能多,但检测到单粒子翻转的数量越多,所需的检测时间也越长,因此根据实际检测过程中对检测耗时的要求,设置预设阈值,当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时,结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤,并进入下一步,此时获得的测量数据既可以满足统计性要求,降低偶然性因素对检测结果带来的影响,同时可以提高FPGA器件大气中子单粒子效应检测效率。
进一步地,对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测时,在满足所述统计性要求的前提下,还需要降低检测成本;所述检测成本包括硬件成本和时间成本,所述硬件成本包括所述FPGA阵列中的FPGA器件数量,所述时间成本包括大气中子单粒子效应检测时间。可选地,为了降低所述检测成本,可以减少FPGA阵列中FPGA器件的数量,并且延长所述检测时间;也可以增加FPGA阵列中FPGA器件的数量,并且缩短所述检测时间。
步骤S130:根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率。
在另一个实施例中,所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;所述根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率。
在本实施例中,由于引起FPGA器件失效的多种单粒子效应之中,单粒子翻转所引发的FPGA失效率较高,因此根据所述测量数据中的单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取到的FPGA器件的失效率,可用于对FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性进行更有针对性的定量评价。
在另一个实施例中,所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据以下函数关系式获取FPGA器件失效率:
λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)
式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量。
在本实施例中,式中的FPGA器件失效率λ单位为FIT,测量时间T测量单位为小时,1FIT表示一个FPGA器件在109小时内1个比特位发生了1次翻转,所述函数关系式可用于根据单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件总数量快速获得FPGA器件失效率。
根据上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,通过对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量,可以获得FPGA器件失效率。在此方案中,所述测量数据为对FPGA进行大气中子单粒子效应检测后获得的数据,所述测量数据能够提高大气中子单粒子效应下的获取的FPGA器件失效率的准确度,从而实现FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性的准确定量评价,解决我国目前FPGA器件大气中子单粒子效应评价方法缺失的难题。
参见图2所示,为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统一个实施例的结构示意图,该实施例中的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统包括以下模块:
单粒子效应检测模块210,用于对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210用于在海拔高度大于预设值的位置所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测。
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210用于在FPGA器件实际应用的位置对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测。
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210对FPGA阵列进行的大气中子单粒子效应检测,当检测到发生单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源。
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210对FPGA阵列进行的大气中子单粒子效应检测,当检测到发生单粒子锁定时,切断所述FPGA阵列的电源。
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210切断FPGA阵列的电源之后,再次对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,继续获取所述大气中子单粒子效应检测的测量数据。
数量获取模块220,用于获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
在另一个实施例中,当单粒子效应检测模块210在检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时,结束所述大气中子单粒子效应检测,由数量获取模块220获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量。
失效率检测模块230,用于根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率。
在另一个实施例中,单粒子效应检测模块210获取的测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;失效率检测模块230根据单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率。
在另一个实施例中,失效率检测模块230根据以下函数关系式获取FPGA器件失效率:
λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)
式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量。
本发明的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统与本发明的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法一一对应,在上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法的实施例阐述的技术特征及其有益效果均适用于大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统的实施例中。
参见图3所示,为本发明大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法一个实施例的流程示意图。该实施例中的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法包括以下步骤:
步骤S310:搭建FPGA阵列,根据实际检测过程中对测量时间的要求,确定FPGA阵列中FPGA器件的数量;
步骤S320:在飞行试验中对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测并获取测量数据;其中,所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;
步骤S330:判断是否发生单粒子功能中断或单粒子锁定;若是,对FPGA阵列进行断电操作,删除已获取的测量数据,返回步骤S320;否则执行下一步;
步骤S340:判断测量数据中的单粒子翻转数是否达到100个;若否,返回步骤S330;若是,执行下一步;
步骤S350:根据函数关系式λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)获取FPGA器件失效率;式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量。
上述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,可以直接获得FPGA器件的大气中子单粒子效应失效率,所述获得的失效率可用于FPGA器件大气中子单粒子效应敏感性评价,为系统级的评价提供基础数据,解决我国目前FPGA器件大气中子单粒子效应评价手段和方法缺失的难题。
根据上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,本发明实施例还提供一种可读存储介质和一种计算机设备。可读存储介质上存储有可执行程序,该程序被处理器执行时实现上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法的步骤;计算机设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的可执行程序,处理器执行程序时实现上述大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法的步骤。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据;
获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率,
其中,所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;
所述根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率;
所述根据所述单粒子翻转数、测量时间和FPGA器件数量获取FPGA器件失效率的步骤包括以下步骤:
根据以下函数关系式获取FPGA器件失效率:
λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)
式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量;
所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测中,检测的所述单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定,其中,在检测所述FPGA器件的所述单粒子翻转时,检测范围覆盖所述FPGA器件的所有敏感存储模块,所述敏感存储模块包括块存储器、配置存储器和可编程逻辑资源,在检测所述FPGA器件的所述单粒子功能中断时,检测范围覆盖所述FPGA器件的所有功能中断类型,所述功能中断类型包括可选处理器访问端口SelectMAP锁存器、JTAG测试访问端口TAP锁存器、位流加载机及上电复位POR电路。
2.根据权利要求1所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,在海拔高度大于预设值的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
3.根据权利要求1所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,在所述FPGA器件实际应用的位置执行所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤。
4.根据权利要求1所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据的步骤还包括以下步骤:
当检测过程中单粒子翻转数达到预设阈值时,结束所述大气中子单粒子效应检测的步骤,执行所述获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量的步骤。
5.根据权利要求1所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生所述单粒子功能中断时,切断所述FPGA阵列的电源。
6.根据权利要求1所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤包括以下步骤:
当检测到所述FPGA阵列发生所述单粒子锁定时,切断所述FPGA阵列的电源。
7.根据权利要求5或6所述的大气中子诱发的FPGA器件失效率检测方法,其特征在于,所述切断所述FPGA阵列的电源的步骤之后还包括以下步骤:
再次执行所述对所述FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测的步骤,继续获取所述FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据。
8.一种大气中子诱发的FPGA器件失效率检测系统,其特征在于,包括以下模块:
单粒子效应检测模块,用于对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测,获取FPGA阵列的大气中子单粒子效应检测的测量数据,其中,所述测量数据包括单粒子翻转数和测量时间;
数量获取模块,用于获取所述FPGA阵列中FPGA器件的数量;
失效率获取模块,用于根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率,其中,根据所述测量数据以及所述FPGA器件的数量获取FPGA器件失效率包括,根据所述单粒子翻转数、所述测量时间和所述FPGA器件数量获取所述FPGA器件失效率;所述根据所述单粒子翻转数、所述测量时间和所述FPGA器件数量获取所述FPGA器件失效率的步骤包括,根据以下函数关系式获取FPGA器件失效率:
λ=(NSEU×109)÷(T测量×NFPGA)
式中,λ为FPGA器件失效率,NSEU为单粒子翻转数,T测量为测量时间,NFPGA为FPGA器件总数量;
所述对FPGA阵列进行大气中子单粒子效应检测中,检测的所述单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子功能中断和单粒子锁定,其中,在检测所述FPGA器件的所述单粒子翻转时,检测范围覆盖所述FPGA器件的所有敏感存储模块,所述敏感存储模块包括块存储器、配置存储器和可编程逻辑资源,在检测所述FPGA器件的所述单粒子功能中断时,检测范围覆盖所述FPGA器件的所有功能中断类型,所述功能中断类型包括可选处理器访问端口SelectMAP锁存器、JTAG测试访问端口TAP锁存器、位流加载机及上电复位POR电路。
CN201711365090.4A 2017-12-18 2017-12-18 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统 Active CN107942174B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711365090.4A CN107942174B (zh) 2017-12-18 2017-12-18 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711365090.4A CN107942174B (zh) 2017-12-18 2017-12-18 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107942174A CN107942174A (zh) 2018-04-20
CN107942174B true CN107942174B (zh) 2021-05-11

Family

ID=61943711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711365090.4A Active CN107942174B (zh) 2017-12-18 2017-12-18 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107942174B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109991531B (zh) * 2019-03-28 2021-12-24 西北核技术研究所 低概率条件下大气中子单粒子效应截面测量方法
CN110058104A (zh) * 2019-05-31 2019-07-26 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 异地智能单粒子效应测试系统、方法以及装置
CN110988969B (zh) * 2019-11-07 2022-04-19 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 大气中子辐射效应测试方法和装置
CN111929559B (zh) * 2020-07-02 2023-05-23 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 大气中子导致的功率器件的失效率评估方法及装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7036059B1 (en) * 2001-02-14 2006-04-25 Xilinx, Inc. Techniques for mitigating, detecting and correcting single event upset effects in systems using SRAM-based field programmable gate arrays
CN100489795C (zh) * 2007-10-30 2009-05-20 北京时代民芯科技有限公司 Sparc处理器单粒子效应检测装置与检测方法
WO2009140707A1 (en) * 2008-05-21 2009-11-26 Technische Universität Wien Cross-domain soc architecture for dependable embedded applications
CN102521467B (zh) * 2011-12-29 2013-04-24 北京航空航天大学 一种针对sram型fpga的逐位翻转故障注入方法
CN105609139B (zh) * 2014-11-21 2018-10-23 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 Sram型fpga中子单粒子效应试验控制方法与装置
CN105740596B (zh) * 2015-08-31 2018-06-12 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 航空电子系统大气中子单粒子效应的分析方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN107942174A (zh) 2018-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107942174B (zh) 大气中子诱发的fpga器件失效率检测方法和系统
Fuller et al. Radiation testing update, SEU mitigation, and availability analysis of the Virtex FPGA for space reconfigurable computing.
CN108169660B (zh) 大气中子下fpga单粒子效应检测数据区分方法和系统
CN110988969B (zh) 大气中子辐射效应测试方法和装置
Ciani et al. A fault tolerant architecture to avoid the effects of Single Event Upset (SEU) in avionics applications
CN108122597B (zh) 大气中子下sram单粒子效应检测数据区分方法和系统
Fuller et al. Radiation characterization, and SEU mitigation, of the Virtex FPGA for space-based reconfigurable computing
US20140203836A1 (en) Method of characterizing the sensitivity of an electronic component subjected to irradiation conditions
Keren et al. Characterization and mitigation of single-event transients in Xilinx 45-nm SRAM-based FPGA
CN108133731A (zh) 大气中子诱发的sram器件失效率检测方法和系统
Dsilva et al. Neutron SEE testing of the 65nm SmartFusion2 flash-based FPGA
CN105718714B (zh) 微电路大气中子单粒子翻转率的确定方法及系统
CN108132400A (zh) 大气中子诱发的电子器件失效率预计方法和系统
Furano et al. A novel method for SEE validation of complex SoCs using Low-Energy Proton beams
CN109470947A (zh) 一种利用试验数据确定大气中子单粒子效应截面的方法
Du et al. Online monitoring soft errors in reconfigurable FPGA during radiation test
Villalta et al. Dependability in FPGAs, a review
Leong et al. Fast radiation monitoring in FPGA-based designs
Xue et al. Random fault assessment system for SEU hardened SRAM chip in the aviation level
Guibbaud et al. New combined approach for the evaluation of the soft-errors of complex ICs
Prado et al. Effects of cosmic radiation on devices and embedded systems in aircrafts
Ferraro et al. Estimation of system survival reliability in a radiation environment based on the available radiation data at component level
Nunes et al. Evaluating xilinx SEU controller macro for fault injection
Dong et al. Software simulation error injection in RAM on RISC-v of PolarFire FPGA
CN105676017A (zh) 利用试验数据获取单粒子效应器件敏感截面的方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 511300 No.78, west of Zhucun Avenue, Zhucun street, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong Province

Applicant after: CHINA ELECTRONIC PRODUCT RELIABILITY AND ENVIRONMENTAL TESTING Research Institute

Address before: 510610 No. 110 Zhuang Road, Tianhe District, Guangdong, Guangzhou, Dongguan

Applicant before: CHINA ELECTRONIC PRODUCT RELIABILITY AND ENVIRONMENTAL TESTING Research Institute

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant