CN107834724B - 一种多磁场回路磁体组件结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种多磁场回路磁体组件结构，包括磁轭、磁瓦、极靴及小磁瓦，所述磁轭呈圆环形，所述磁轭的内壳体均匀周向布设有所述磁瓦，相邻两块所述磁瓦留有第一空隙，所述磁瓦的内表面铺设有与所述磁瓦的形状相配合的所述极靴，相邻所述极靴之间留有第二空隙，相邻所述极靴的两侧的所述第二空隙之间安装有所述小磁瓦，相邻所述小磁瓦的两侧与所述极靴的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧所述磁瓦在所述磁轭的内壳体上，相邻的所述磁瓦的内表面的磁极为相反的磁极。本发明公开的多磁场回路磁体组件结构，该磁瓦结构紧凑，磁瓦、极靴及小磁瓦组成多路磁路，换向性能大大提高，磁瓦的利用率高。

Description

一种多磁场回路磁体组件结构
技术领域
本发明涉及磁体组件领域，特别涉及一种多磁场回路磁体组件结构。
背景技术
电动机是把电能转换成机械能的一种设备。它是利用通电线圈产生旋转磁场并作用于转子形成磁电动力旋转扭矩。电动机按使用电源不同分为直流电动机和交流电动机，电力系统中的电动机大部分是交流电机，可以是同步电机或者是异步电机。传统的电机定子一般由磁瓦与磁轭组成，结构是用胶水涂在磁瓦上然后与磁轭的内壳体粘牢。另外一种是磁瓦之间加上卡板，挤压磁瓦，使其与磁轭紧配。以上两种结构的为单磁场回路，一个磁瓦组成一个磁极。由于磁瓦与磁瓦之间必须保持一定的距离(称为换向区)，换向区过小时，换向性能差，换向区过大时，磁瓦的利用率低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种多磁场回路磁体组件结构，该磁瓦结构紧凑，磁瓦、极靴及小磁瓦组成多路磁路，换向性能大大提高，磁瓦的利用率高。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
一种多磁场回路磁体组件结构，包括磁轭、磁瓦、极靴及小磁瓦，所述磁轭呈圆环形，所述磁轭的内壳体均匀周向布设有所述磁瓦，相邻两块所述磁瓦留有第一空隙，所述磁瓦的内表面铺设有与所述磁瓦的形状相配合的所述极靴，相邻所述极靴之间留有第二空隙，相邻所述极靴的两侧的所述第二空隙之间安装有所述小磁瓦，相邻所述小磁瓦的两侧与所述极靴的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧所述磁瓦在所述磁轭的内壳体上，相邻的所述磁瓦的内表面的磁极为相反的磁极，所述小磁瓦的左、右两侧端面的磁极为相反的磁极，所述小磁瓦的左、右两侧端面的磁极与相邻所述磁瓦的表面磁极相同。
进一步地，所述磁瓦的两侧端面中部为第一平面，所述磁瓦的内表面及外表面均为弧度相同的扇形，所述第一平面与所述磁瓦的外表面为圆弧面逐渐过度，所述第一平面向所述磁瓦的内表面方向设有向内走向逐渐倾斜的第一斜面，所述第一斜面向所述磁瓦的内表面方向设有第一小磁瓦接触面，所述第一小磁瓦接触面及所述第一平面不在同一平面上，所述极靴的左、右两侧设有凸台，所述小磁瓦的左、右两侧设有与所述凸台对应拼接的凹槽所述小磁瓦的两侧端面的后半段与所述第一小磁瓦接触面互相接触紧压。
进一步地，所述极靴由形状一致的硅钢片从下到上叠装而成。
进一步地，各个所述第一空隙及所述第二空隙的距离相等。
进一步地，所述磁轭的内壳体均匀周向布设的所述磁瓦的数量为14个。
进一步地，相邻的所述磁瓦还可以通过安装卡板，所述卡板的左、右两侧端面分别与相邻的两面所述第一小磁瓦接触面互相抵持，所述卡板的背面与所述磁轭内壳体的表面弧度一致，所述卡板的背面与所述磁轭内壳体的表面互相接触。
进一步地，所述极靴及所述小磁瓦的内表面的均为弧度相同的扇形。
采用上述技术方案，在现有的磁轭及磁瓦组合的结构基础上，磁瓦的内表面铺设有与磁瓦的形状相配合的极靴，相邻极靴之间留有第二空隙，相邻极靴的两侧的第二空隙之间安装有小磁瓦，由于相邻的磁瓦的内表面的磁极为相反的磁极，该两块磁瓦的内表面将形成一个主磁场回路，小磁瓦的左、右两侧端面的磁极为相反的磁极。另外由于小磁瓦的左、右两侧端面的磁极为相反的磁极，小磁瓦的左、右两侧端面的磁极与相邻磁瓦的表面磁极相同，小磁瓦的两侧端面组成与主磁场相同方向的旁磁场。这样气隙磁场将由主磁场和旁磁场共同组成，气隙磁通量将大大增强，换向性能大大提高，磁瓦的利用率高。相邻小磁瓦的两侧与极靴的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧磁瓦在磁轭的内壳体上，结构紧凑，无需另外使用胶水黏贴，避免产生刺激性胶水气味。
附图说明
图1为本发明的一种多磁场回路磁体组件结构的俯视图；
图2为本发明的小磁瓦结构示意图；
图3为本发明的一种多磁场回路磁体组件结构的结构示意图；
图4为本发明的磁瓦结构示意图；
图5为本发明的极靴结构示意图。
图中，1-磁轭，2-磁瓦，21-第一平面，22-第一斜面，23-第一小磁瓦接触面，3-极靴，31-凸台，4-小磁瓦，41-凹槽，5-第一空隙，6-第二空隙。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1-5所示，本发明公开的一种多磁场回路磁体组件结构，包括磁轭1、磁瓦2、极靴3及小磁瓦4，磁轭1呈圆环形，磁轭1的内壳体均匀周向布设有磁瓦2，相邻两块所述磁瓦2留有第一空隙5，磁瓦2的内表面铺设有与磁瓦2的形状相配合的极靴3，相邻极靴3之间留有第二空隙6，相邻极靴3的两侧的第二空隙6之间安装有小磁瓦4，相邻小磁瓦4的两侧与极靴3的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧磁瓦2在磁轭1的内壳体上，相邻的磁瓦2的内表面的磁极为相反的磁极，小磁瓦4的左、右两侧端面的磁极与相邻磁瓦2的表面磁极相同。在现有的磁轭1及磁瓦2组合的结构基础上，磁瓦2的内表面铺设有与磁瓦2的形状相配合的极靴3，相邻极靴3之间留有第二空隙6，相邻极靴3的两侧的第二空隙6之间安装有小磁瓦4，由于相邻的磁瓦2的内表面的磁极为相反的磁极，该两块磁瓦2的内表面将形成一个主磁场回路，小磁瓦4的左、右两侧端面的磁极为相反的磁极。另外由于小磁瓦4的左、右两侧端面的磁极为相反的磁极，小磁瓦4的左、右两侧端面的磁极与相邻磁瓦2的表面磁极相同，小磁瓦4的两侧端面组成与主磁场相同方向的旁磁场。这样气隙磁场将由主磁场和旁磁场共同组成，气隙磁通量将大大增强，换向性能大大提高，磁瓦2传导磁场的利用率高。相邻小磁瓦4的两侧与极靴3的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧磁瓦在磁轭1的内壳体上，结构紧凑，无需另外使用胶水黏贴，避免产生刺激性胶水气味。
例如相邻的两块磁瓦2，其中一块磁瓦2的内表面为N极、外表面为S极，另外一块磁瓦2的内表面为S极，外表面为N极，这两块磁瓦将形成一个主磁场回路；另外，上述的两块磁瓦2之间的小磁瓦4，两侧的端面一侧为N极、另一侧端面为S极，它形成了一个与上述两块磁瓦组成的主磁场相同方向的旁磁场。这样气隙磁场将由主磁场和旁磁场共同组成，气隙磁通量将大大增强。
本实施例的磁瓦2的两侧端面中部为第一平面21，磁瓦2的内表面及外表面均为弧度相同的扇形，第一平面21与磁瓦2的外表面为圆弧面逐渐过度，圆弧面防止装配人员安装磁瓦2时刮伤，第一平面21向磁瓦2的内表面方向设有向内走向逐渐倾斜的第一斜面22，第一斜面22向磁瓦2的内表面方向设有第一小磁瓦接触面23，第一小磁瓦接触面23及第一平面21不在同一平面上，极靴3的左、右两侧设有凸台31，小磁瓦4的左、右两侧设有与凸台31对应拼接的凹槽41，凸台31配合凹槽41的安装结构简单可靠，把极靴3及小磁瓦4前后稳固拼接，小磁瓦4的两侧端面的后半段与第一小磁瓦接触面23互相接触紧压，小磁瓦4安装更加稳固，不容易松脱。
极靴3由形状一致的硅钢片从下到上叠装而成，硅钢片价格低廉导磁率高，由极靴3形成的旁磁场导磁率高。
各个第一空隙5及第二空隙6的距离相等，等距离的空隙有利于整个磁路导磁均匀。
磁轭1的内壳体均匀周向布设的磁瓦2的数量为14个，该数量的磁瓦2及磁轭1组成的磁路运行最稳定。
相邻的磁瓦2还可以通过安装卡板，卡板的左、右两侧端面分别与相邻的两面第一小磁瓦接触面23互相抵持，卡板的背面与磁轭1内壳体的表面弧度一致，卡板的背面与磁轭1内壳体的表面互相接触，转速较大的电机可能产生较大的振动，定子可以加入卡板固定磁瓦2。
极靴3及小磁瓦4的内表面的均为弧度相同的扇形，使整个定子的磁路更加均匀稳定。
以上结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本发明原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种多磁场回路磁体组件结构，包括磁轭(1)、磁瓦(2)、极靴(3)及小磁瓦(4)，所述磁轭(1)呈圆环形，所述磁轭(1)的内壳体均匀周向布设有所述磁瓦(2)，相邻两块所述磁瓦(2)留有第一空隙(5)，其特征在于：所述磁瓦(2)的内表面铺设有与所述磁瓦(2)的形状相配合的所述极靴(3)，相邻所述极靴(3)之间留有第二空隙(6)，相邻所述极靴(3)的两侧的所述第二空隙(6)之间安装有所述小磁瓦(4)，相邻所述小磁瓦(4)的两侧与所述极靴(3)的两侧互相拼接紧固并形成外张力压紧所述磁瓦(2)在所述磁轭(1)的内壳体上，相邻的所述磁瓦(2)的内表面的磁极为相反的磁极，所述小磁瓦(4)的左、右两侧端面的磁极与相邻所述磁瓦(2)的表面磁极相同；所述磁瓦(2)的两侧端面中部为第一平面(21)，所述磁瓦(2)的内表面及外表面均为弧度相同的扇形，所述第一平面(21)与所述磁瓦(2)的外表面为圆弧面逐渐过度，所述第一平面(21)向所述磁瓦(2)的内表面方向设有向内走向逐渐倾斜的第一斜面(22)，所述第一斜面(22)向所述磁瓦(2)的内表面方向设有第一小磁瓦接触面(23)，所述第一小磁瓦接触面(23)及所述第一平面(21)不在同一平面上，所述极靴(3)的左、右两侧设有凸台(31)，所述小磁瓦(4)的左、右两侧设有与所述凸台(31)对应拼接的凹槽(41)，所述小磁瓦(4)的两侧端面的后半段与所述第一小磁瓦接触面(23)互相接触紧压。
2.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述极靴(3)由形状一致的硅钢片从下到上叠装而成。
3.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：各个所述第一空隙(5)及所述第二空隙(6)的距离相等。
4.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述磁轭(1)的内壳体均匀周向布设的所述磁瓦(2)的数量为14个。
5.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：相邻的所述磁瓦(2)安装卡板，所述卡板的左、右两侧端面分别与相邻的两面所述第一小磁瓦接触面(23)互相抵持，所述卡板的背面与所述磁轭(1)的内壳体的表面弧度一致，所述卡板的背面与所述磁轭(1)内壳体的表面互相接触。
6.根据权利要求1所述的多磁场回路磁体组件结构，其特征在于：所述极靴(3)及所述小磁瓦(4)的内表面均为弧度相同的扇形。
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