CN107833877A - Led封装结构 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 119
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 110
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 6
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 83
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 235000003283 Pachira macrocarpa Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000001085 Trapa natans Species 0.000 description 1
- 235000014364 Trapa natans Nutrition 0.000 description 1
- 239000003034 coal gas Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 235000009165 saligot Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种LED封装结构,该结构包括:LED底板(11);第一透镜层(12),设置于LED底板(11)上;第一硅胶层(13),设置于LED底板(11)和第一透镜层(12)上;第二透镜层(14),设置于第一硅胶层(13)上;第二硅胶层(15),设置于第一硅胶层(13)和第二透镜层(14)上。本发明提供的LED封装结构在光源上采用第一透镜层、第一硅胶层、第二透镜层及第二硅胶层的多层结构;利用多层结构中不同种类硅胶折射率不同的特点,在硅胶中形成透镜,改善LED芯片发光分散的问题,使光源发出的光能够更加集中;同时,可以有效抑制全反射并保证LED芯片的光线能够更多的透过封装材料照射出去。
Description
技术领域
本发明属LED封装技术领域,特别涉及一种LED封装结构。
背景技术
上世纪末,以GaN基材料为代表的III-V族化合物半导体在蓝光芯片领域的突破,带来了一场照明革命,这场革命的标志是以大功率发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)为光源的半导体照明技术(Solid State Lighting,SSL)。
LED具有寿命长、发光效率高、显色性好、安全可靠、色彩丰富和易于维护的特点。在当今环境污染日益严重,气候变暖和能源日益紧张的背景下,基于大功率LED发展起来的半导体照明技术已经被公认为是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。这是自煤气照明、白炽灯和荧光灯之后,人类照明史上的一次大飞跃,迅速提升了人类生活的照明质量。
现在,LED多采用GaN基蓝光灯芯加黄色荧光的方式产生白光,以实现照明,这种方式具有以下几个问题。
1、目前,芯片多数是封装在薄金属散热基板上,由于金属散热基板较薄、热容较小,而且容易变形,导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果。
2、由于LED光源发出的光一般呈发散式分布,即朗伯分布,这引起光源照明亮度不够集中,一般需要通过外部透镜进行二次整形,以适应具体场合的照明需求,这增加了生产成本。
发明内容
为了提高LED芯片的工作性能,本发明提供了一种LED封装结构;本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
本发明的实施例提供了一种LED封装结构,包括:
LED底板11;
第一透镜层12,设置于所述LED底板11上;
第一硅胶层13,设置于所述LED底板11和所述第一透镜层12上;
第二透镜层14,设置于所述第一硅胶层13上;
第二硅胶层15,设置于所述第一硅胶层13和所述第二透镜层14上。
在本发明的一个实施例中,所述LED底板11包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。
在本发明的一个实施例中,所述散热基板设置有若干圆孔;其中,所述圆孔沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
在本发明的一个实施例中,所述圆孔的直径为0.2—0.4毫米、圆孔之间的间距为0.5-10毫米。
在本发明的一个实施例中,所述第一硅胶层13的折射率小于所述第二硅胶层15和所述第一透镜层12的折射率,所述第二透镜层14的折射率大于所述第一硅胶层13和所述第二硅胶层15的折射率。
在本发明的一个实施例中,所述第一透镜层12和所述第二透镜层14均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
在本发明的一个实施例中,所述第二硅胶层15为覆盖所述第一硅胶层12和所述第二透镜层14的半球硅胶层。
在本发明的一个实施例中,所述LED封装结构还包括第三透镜层16和第三硅胶层17;其中,所述第三透镜层16和所述第三硅胶层17依次设置于所述第二硅胶层15之上。
在本发明的一个实施例中,所述LED封装结构还包括第四透镜层18和第四硅胶层19;其中,所述第四透镜层18和所述第四硅胶层19依次设置于所述第三硅胶层17之上。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
1、本发明提供的LED封装结构,其散热基板上采用中间通孔的方式,在强度几乎没有变化的同时,降低了散热基板成本,同时,增加空气流通的通道,利用空气的热对流,增加了散热效果。
2、本发明提供的LED封装结构,在光源上采用第一透镜层、第一硅胶层、第二透镜层及第二硅胶层的多层结构;利用多层结构中不同种类硅胶折射率不同的特点,在硅胶中形成透镜,改善LED芯片发光分散的问题,使光源发出的光能够更加集中。
3、本发明提供的硅胶半球可以呈矩形均匀排列,或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
通过以下参考附图的详细说明,本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道,该附图仅仅为解释的目的设计,而不是作为本发明的范围的限定,这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道,除非另外指出,不必要依比例绘制附图,它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
图1为本发明一实施例提供的LED封装结构示意图;
图2为本发明一实施例提供的LED封装的散热基板示意图;
图3为本发明另一实施例提供的LED封装方法流程图;
图4为本发明再一实施例提供的三层透镜LED封装结构示意图;
图5为本发明又一实施例提供的四层透镜LED封装结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图1,图1为本发明一实施例提供的LED封装结构示意图,包括:
LED底板11;
第一透镜层12,设置于所述LED底板11上;
第一硅胶层13,设置于所述LED底板11和所述第一透镜层12上;
第二透镜层14,设置于所述第一硅胶层13上;
第二硅胶层15,设置于所述第一硅胶层13和所述第二透镜层14上。
具体地,第一硅胶层13、第一透镜层12、第二硅胶层15以及第二透镜层14的折射率依次增加;可以有效抑制全反射并保证LED芯片的光线能够更多的透过封装材料照射出去。
进一步地,在该LED封装结构中第一透镜层12可以看作为“平凸镜”,其焦距优选为满足公式①:
R1/(n2-n1);------------①
其中,n1为第一硅胶层13中硅胶的折射率,n2为形成第一透镜层12的硅胶材料的折射率,R1为第一透镜层12中硅胶球的半径;
第二透镜层14焦距优选为满足公式②:
R2/(n4-n3);------------②
其中,n3为第二硅胶层15中硅胶的折射率,n4为形成第二透镜层14的硅胶材料的折射率,R2为第二透镜层14中硅胶球的半径。这样才能很好地保证LED的出光率最高。
另外,通过实验证明,出光率最优的LED的其他参数还包括:
第一硅胶层13的厚度H1应满足公式③:
R1/2+2×R1/(n2-n1)≥H1≥R1/2;----------------③
其中,H1为第一硅胶层13的厚度;
第二硅胶层15的厚度应满足公式④:
R2/2+2×R2/(n4-n3)≥H2≥R2/2;----------------④
其中,H2为第二硅胶层15的厚度。当然,第一硅胶层13和第二硅胶层15的厚度也不能太厚,太厚也会影响其出光率。
优选地,R1=R2=R,且R优选为5μm~100μm,且球间距A优选为5μm~100μm。LED基板11的宽度优选为:W=5mil(1mil=1/45mm),其厚度D优选为90μm~140μm。
具体地,所述LED底板11包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。
具体地,所述LED芯片包括红光LED芯片、绿光LED芯片和蓝光LED芯片。其中,采用三基色LED芯片其硅胶层均不掺杂荧光粉,可以避免荧光粉掺杂不均匀导致出光不均匀和出光率下降的问题。
进一步地,请参见图2,图2为本发明一实施例提供的LED封装的散热基板示意图,所述散热基板设置有若干圆孔;其中,所述圆孔沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
优选地,所述圆孔的直径为0.2—0.4毫米、圆孔之间的间距为0.5-10毫米。
优选地,所述第一透镜层12和所述第二透镜层14均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
具体地,所述第二硅胶层15为覆盖所述第一硅胶层12和所述第二透镜层14的半球硅胶层。
本实施例提供的LED封装结构,采用散热基板上采用中间通孔的方式,解决了由于金属散热基板较薄、热容较小,而且容易变形,导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果的问题;同时,在强度几乎没有变化的同时,降低了散热基板成本,增加空气流通的通道,利用空气的热对流,增加了散热效果。
实施例二
请参照图3,图3为本发明另一实施例提供的LED封装方法流程图,本实施例在上述实施例的基础上,对本发明的LED封装结构的封装方法进行详细描述如下。具体地,包括如下步骤:
S21、选取LED芯片;
S22、选取散热基板和支架;
S23、将所述LED芯片焊接于所述散热基板;
S24、在所述LED芯片上依次交叉制备多个透镜区和硅胶层;
S25、在100-150℃温度下,烘烤4-12小时以完成所述LED封装。
具体地,S22可以包括:
S221、选取支架和散热基板;
S222、清洗所述支架和所述散热基板;
S223、将所述支架和所述散热基板烘烤干。
优选地,所述散热基板采用带有圆孔的铁材料;
其中,采用中间斜圆槽的方式,在强度几乎没有变化的同时,降低了散热基板成本;同时增加空气流通的通道,利用烟囱效应提升空气的热对流速率,增加了散热效果。
具体地,S23可以包括:
S231、印刷焊料并检验所述焊料的固晶:
S232、采用回流焊接工艺,将所述LED芯片焊接于所述散热基板,并将所述散热基板安装于所述支架。
具体地,S24可以包括:
S241、在所述LED芯片上制备第一透镜层;
S242、在所述第一透镜层上涂敷第一硅胶形成第一硅胶层;
S243、在所述第一硅胶层上制备第二透镜层;
S244、在所述第二透镜层上涂敷第二硅胶形成第二硅胶层。
进一步地,在S244之后还可以包括:
S245、在所述第二硅胶层上制备第三透镜层;
S246、在所述第三透镜层上涂敷第三硅胶形成第三硅胶层。
优选地,在S246之后还可以包括:
S247、在所述第三硅胶层上制备第四透镜层;
S248、在所述第四透镜层上涂敷第四硅胶形成第四硅胶层。
优选地,S241可以包括:
S2411、在所述LED芯片上涂敷第五硅胶;
S2412、利用半球形模具在所述第五硅胶上制备若干第一半球形透镜;
S2413、带模具烘烤后去掉模具形成所述第一透镜层。
优选地,S242可以包括:
S2421、在所述第一透镜层上涂敷所述第一硅胶;
S2422、烘烤后形成所述第一硅胶层;
进一步地,S243可以包括:
S2431、在所述LED芯片上涂敷第六硅胶;
S2432、利用半球形模具在所述第六硅胶上制备若干第二半球形透镜;
S2433、带模具烘烤后去掉模具形成所述第二透镜层。
优选地,当所述第二硅胶层为LED封装结构的最外层时,S244可以包括:
S2441、在所述第二透镜层上涂敷所述第二硅胶;
S2442、采用半球形模具在所述第二硅胶上形成外层半球;
S2443、带模具烘烤后去掉模具形成所述第二硅胶层。
具体地,S25之后还包括:对所述LED封装结构进行检测包装。
实施例三
进一步地,请参照图4,图4为本发明再一实施例提供的三层透镜LED封装结构示意图,具体地,LED封装结构包括:由下往上依次包括LED底板31、第一透镜层32、第一硅胶层33、第二透镜层34、第二硅胶层35、第三透镜层36以及第三硅胶层37。
优选地,LED底板31包括散热基板和设置于散热基板上的LED芯片。
进一步地,第一透镜层32、第二透镜层34和第三透镜层36包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
实施例四
进一步地,请参照图5,图5为本发明又一实施例提供的四层透镜LED封装结构示意图,具体地,LED封装结构包括:由下往上依次包括LED底板41、第一透镜层42、第一硅胶层43、第二透镜层44、第二硅胶层45、第三透镜层46、第三硅胶层47、第四透镜层48以及第四硅胶层49。
优选地,LED底板41包括散热基板和设置于散热基板上的LED芯片。
其中,多层结构中硅胶层的折射率由下往上依次增加,每一个透镜层的折射率大于其相邻硅胶层的折射率;可以保证LED芯片光源能够更多的透过封装材料照射出去。
进一步地,第一透镜层42、第二透镜层44、第三透镜层46和第四透镜层48包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
本实施例提供的LED封装结构,采用多层透镜层和多层硅胶层交叉设置的多层结构;多层结构中硅胶层的折射率依次增加,每一个透镜层的折射率大于其相邻硅胶层的折射率,改善LED芯片发光分散的问题,使光源发出的光能够更加集中;也可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。
综上所述,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。
Claims (9)
1.一种LED封装结构,其特征在于,包括:
LED底板(11);
第一透镜层(12),设置于所述LED底板(11)上;
第一硅胶层(13),设置于所述LED底板(11)和所述第一透镜层(12)上;
第二透镜层(14),设置于所述第一硅胶层(13)上;
第二硅胶层(15),设置于所述第一硅胶层(13)和所述第二透镜层(14)上。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述LED底板(11)包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述散热基板设置有若干圆孔;其中,所述圆孔沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述圆孔的直径为0.2—0.4毫米、圆孔之间的间距为0.5-10毫米。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一硅胶层(13)的折射率小于所述第二硅胶层(15)和所述第一透镜层(12)的折射率,所述第二透镜层(14)的折射率大于所述第一硅胶层(13)和所述第二硅胶层(15)的折射率。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一透镜层(12)和所述第二透镜层(14)均包括若干个呈矩形或菱形均匀分布的硅胶半球。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第二硅胶层(15)为覆盖所述第一硅胶层(12)和所述第二透镜层(14)的半球硅胶层。
8.一种LED封装结构,其特征在于,所述LED封装结构由下往上依次包括LED底板(31)、第一透镜层(32)、第一硅胶层(33)、第二透镜层(34)、第二硅胶层(35)、第三透镜层(36)和第三硅胶层(37)。
9.一种LED封装结构,其特征在于,所述LED封装结构由下往上依次包括LED底板(41)、第一透镜层(42)、第一硅胶层(43)、第二透镜层(44)、第二硅胶层(45)、第三透镜层(46)、第三硅胶层(47)、第四透镜层(48)以及第四硅胶层(49)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711217472.2A CN107833877A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711217472.2A CN107833877A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107833877A true CN107833877A (zh) | 2018-03-23 |
Family
ID=61646111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711217472.2A Pending CN107833877A (zh) | 2017-11-28 | 2017-11-28 | Led封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107833877A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101979914A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-02-23 | 浙江池禾科技有限公司 | 一种光学扩散薄膜及使用该光学扩散薄膜的背光源模块 |
CN102042565A (zh) * | 2009-10-10 | 2011-05-04 | 颖台科技股份有限公司 | 增亮膜、具有增亮膜的背光模块、及增亮膜的制作方法 |
US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
CN103123951A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光元件 |
CN103681991A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 纳晶科技股份有限公司 | 用于led封装的硅胶透镜及其制造方法 |
WO2016150837A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronische leuchtvorrichtung |
-
2017
- 2017-11-28 CN CN201711217472.2A patent/CN107833877A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102042565A (zh) * | 2009-10-10 | 2011-05-04 | 颖台科技股份有限公司 | 增亮膜、具有增亮膜的背光模块、及增亮膜的制作方法 |
CN101979914A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-02-23 | 浙江池禾科技有限公司 | 一种光学扩散薄膜及使用该光学扩散薄膜的背光源模块 |
US20120217863A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device and method for manufacturing the same |
CN103123951A (zh) * | 2011-11-21 | 2013-05-29 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 发光元件 |
CN103681991A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-03-26 | 纳晶科技股份有限公司 | 用于led封装的硅胶透镜及其制造方法 |
WO2016150837A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren zur herstellung einer optoelektronische leuchtvorrichtung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
费恩曼 等: "《费恩曼物理学讲义(新千年珍藏版)第1卷》", 30 September 2015 * |
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