CN107832016A - 一种读干扰优化方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种读干扰优化方法及装置,该方法包括:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存,若未被缓存,则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,若大于,则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中;若被缓存,则拒绝将所述当前读干扰数加1。本发明通过判断当前请求对应的页是否缓存来决定是否将当前读干扰计数进行加1,当该NAND页未被缓存时才加1,因此读干扰计数达到阈值的概率将减少,相应的将NAND块中的数据迁移到另一个数据的概率也就降低了,进而对NAND块进行擦除的概率也降低,所以可以延长NAND的使用寿命。

Description

一种读干扰优化方法及装置
技术领域
本发明涉及存储技术领域,更具体地说,涉及一种读干扰优化方法,还涉及一种读干扰优化装置。
背景技术
闪存是一种在掉电后仍能保存其在掉电前保存的数据的存储器,也就是说即使掉电,闪存上的数据也不会丢失,因此闪存得到了广泛的应用。NAND是闪存的一种类型,其基本存储单元是页(Page),每一页大小为16K;而NAND的擦除操作是以块(Block)为单位进行的,每个块包含了32个页单元。由于NAND的写入操作必须在空白区域进行,也就是说如果目标区域已经有数据,必须先将该区域的数据擦除后才能写入新的数据,可见擦除操作是使用NAND时的一种基本操作。当用户读取NAND中的数据时,用户所需要的数据所在的页中的全部数据会被缓存起来,若下一次需要的数据仍然在已经缓存起来的这一页时,用户可以直接从缓存中获得需要的数据,不必再次访问这一页,相应地也不必再次访问这一页所在的块。
在对NAND进行读操作的时候,如果对NAND中某个块单元重复进行读操作,那么读取的数据的错误率会增加,这就是读干扰。现有技术降低读干扰的方法为:为NAND中的每个块设置一个读干扰计数,用户每一次读取该NAND中某个块中的4K大小的数据时,就将设置的读干扰计数加1,当读干扰计数大于设置的最大读干扰计数时,就将该块中的数据搬移到另一个未写入数据的块。而原来的块中的数据必须要擦除,才能写入新的数据。由于每次擦除都会对块造成损坏,当擦除次数达到某个值时,这一块单元将无法再写入数据。因此,现有技术中的降低读干扰的方法会减少NAND的使用寿命。
综上所述,如何提供一种能延长NAND使用寿命的降低读干扰的方法,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种读干扰优化方法,能够延长NAND的使用寿命。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种读干扰优化方法,包括:
判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存,若未被缓存,则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,若大于,则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中;
若被缓存,则拒绝将所述当前读干扰数加1。
优选的,判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,还包括:
发出超出阈值的提示。
优选的,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,还包括:
显示迁移的进度。
一种读干扰优化装置,包括:
判断单元,用于:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存;
计数单元,用于:当所述判断单元判断出所述NAND页未被缓存时,将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,当所述判断单元判断出所述NAND页被缓存时,拒绝将当前读干扰计数加1;
数据迁移单元,用于:在计数单元判断出所述当前读干扰计数的值大于所述阈值时,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。
优选的,还包括:
提示单元,用于:在所述计数单元判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,发出超出阈值的提示。
优选的,还包括:
显示单元,用于:在所述数据迁移单元将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,显示迁移的进度。
本发明提供了一种读干扰优化方法及装置,该方法包括:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存,若未被缓存,则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,若大于,则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中;若被缓存,则拒绝将所述当前读干扰数加1。本发明实施例通过判断当前请求对应的页是否缓存来决定是否将当前读干扰计数进行加1,当该NAND页未被缓存时才加1,因此读干扰计数达到阈值的概率将减少,相应的将NAND块中的数据迁移到另一个数据的概率也就降低了,进而对NAND块进行擦除的概率也降低,所以可以延长NAND的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种读干扰优化方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种读干扰优化装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1,其示出了本发明实施例提供的一种读干扰优化方法的流程图,可以包括:
步骤S11:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存,若未被缓存则执行步骤S12,若被缓存则直接执行步骤S15。
当用户需要对NAND进行读操作时,会向NAND发送一个读请求,该读请求中包含了读操作对应的数据所在的逻辑块地址,NAND获取了该逻辑块地址后便能确定用户需要的数据所在的NAND块,然后NAND可以根据该逻辑块地址分析得到物理页地址,通过该物理页地址NAND可以知道用户需要的数据在上述确定的块中的具体的某一NAND页中。当确定出数据所在的页后,判断该页中的数据是否已经被缓存。
步骤S12:将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1。
当前读干扰计数可以通过一个计数程序来实现。每当步骤S11中判断得到该页中的数据未被缓存,那么就将当前读干扰计数加1。
步骤S13:判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,若大于,则执行步骤S14。
阈值的设置可以根据实际情况来设置。例如,如果NAND的使用寿命很短,即NAND中的块所允许的擦除次数很小或者对降低读干扰发生的情况要求很严格,那么可以将该阈值设置得小一些,如果NAND的使用寿命很长,或者对降低读干扰发生的情况不是很严格,那么可以将该阈值设置的大一些。
步骤S14:将该NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。
当前读干扰计数的值大于预设的阈值时,则将该NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。
步骤S15:拒绝将所述当前读干扰数加1。
当步骤S11中判断得到该页中的数据已经被缓存时,那么说明此时用户可以直接从缓存的数据中去获取到需要的数据,不必对该页所在的NAND块进行读操作,也就不用将当前读干扰数据加1。
本发明实施例通过判断当前请求对应的页是否缓存来决定是否将当前读干扰计数进行加1,当该NAND页未被缓存时才加1,因此读干扰计数达到阈值的概率将减少,相应的将NAND块中的数据迁移到另一个数据的概率也就降低了,进而对NAND块进行擦除的概率也降低,所以可以延长NAND的使用寿命。
本发明实施例提供的一种读干扰优化方法,判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,还包括:
发出超出阈值的提示。
通过发出超出阈值的提示,可以使用户知道自己发出的请求所对应的NAND块的读干扰计数已经大于预设的阈值,该NAND块中的数据需要迁移到新的NAND块中,而迁移是需要占用网络带宽以及花费一定时间的,所以获知该情况后用户可以在该请求无法及时得到应答的时间内,发起另一个请求,可以提高用户获取数据的效率。
本发明实施例提供的一种读干扰优化方法,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,还包括:
显示迁移的进度。
该方法可以让用户知道该NAND块中数据迁移的进度,那么用户可以根据实际情况及时作出相应的决定。例如:由于迁移的时候用户无法获取正在迁移的数据,如果此时用户急需要快速获取正在迁移的数据,那么在当显示的进度很慢的情况下可以通过暂停或停止其他操作,挪出一定的网络资源用于该NAND块中的数据进行迁移,可以加快迁移速度。
本发明实施例还提供了一种读干扰优化装置,请参阅图2,其示出了本发明实施例提供的一种读干扰优化装置的结构示意图,可以包括:
判断单元11,用于:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存;
计数单元12,用于:当所述判断单元判断出所述NAND页未被缓存时,将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,当所述判断单元判断出所述NAND页被缓存时,拒绝将当前读干扰计数加1;
数据迁移单元13,用于:在计数单元判断出所述当前读干扰计数的值大于所述阈值时,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。
一种读干扰优化装置,还可以包括:
提示单元,用于:在所述计数单元判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,发出超出阈值的提示。
一种读干扰优化装置,还可以包括:
显示单元,用于:在所述数据迁移单元将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,显示迁移的进度。
本发明实施例提供的一种读干扰优化装置中相关部分的说明请参见本发明实施例提供的一种读干扰优化方法中对应的详细说明,在此不再赘述。另外,本发明实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明,以免过多赘述。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种读干扰优化方法,其特征在于,包括:
判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存,若未被缓存,则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,若大于,则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中;
若被缓存,则拒绝将所述当前读干扰数加1。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,还包括:
发出超出阈值的提示。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,还包括:
显示迁移的进度。
4.一种读干扰优化装置,其特征在于,包括:
判断单元,用于:判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存;
计数单元,用于:当所述判断单元判断出所述NAND页未被缓存时,将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1,并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值,当所述判断单元判断出所述NAND页被缓存时,拒绝将当前读干扰计数加1;
数据迁移单元,用于:在计数单元判断出所述当前读干扰计数的值大于所述阈值时,将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,还包括:
提示单元,用于:在所述计数单元判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后,发出超出阈值的提示。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,还包括:
显示单元,用于:在所述数据迁移单元将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中,显示迁移的进度。
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