CN107800424A - 用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡 - Google Patents

用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡 Download PDF

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CN107800424A CN201711003904.XA CN201711003904A CN107800424A CN 107800424 A CN107800424 A CN 107800424A CN 201711003904 A CN201711003904 A CN 201711003904A CN 107800424 A CN107800424 A CN 107800424A
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张鹏飞
罗磊
孔永超
朱长军
杨斌
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Abstract

本发明公开了一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，包括传感器接口J1、供电接口J2、信号采集接口J3，以及信号本安电路、供电本安电路和光耦隔离电路，传感器接口J1的对外输入端与位置传感器连接，传感器接口J1的对内输入端与供电本安电路连接，传感器接口J1的输出端与信号本安电路连接，信号本安电路通过光耦隔离电路接入信号采集接口J3，信号采集接口J3对外与信号采集卡连接；供电接口J2的对外输入端与直流电源连接，供电接口J2的两个输出端分别与供电本安电路、光耦隔离电路连接。本发明的结构，减小了处理电路的安装空间和复杂的接线，减少了故障点，提高了控制系统的可靠性。

Description

用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡
技术领域
本发明属于数据安全监测技术领域，涉及一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡。
背景技术
在石油、天然气、煤等能源开采行业，用于勘探、开采的各类配套设备上均配套有液压缸或者齿轮传动等执行机构，用以实现举升和旋转，满足各种作业工况，为了实现这些执行机构的精确定位，需要对液压缸的伸出长度，齿轮传动的旋转角度等实现准确监测，为此需要配套满足危险区域的防爆型位置传感器实现对液压缸或者齿轮传动机构的位置监测。
但是传统的控制系统对此类信号采取直接采集的方式，没有设计本安电路和隔离电路，不符合危险区域的使用要求。因此，急需设计了一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，满足危险区域的该类信号的采集要求，同时设计成板卡，减小了安装空间和复杂的接线，优化控制系统。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，解决了现有技术位置传感器的监测没有单独配套的供电回路和信号回路的本安电路模块、以及信号回路的光耦隔离模块，不符合危险区域的使用要求；另外由于结构设计不合理，导致安装空间大和接线复杂的问题。
本发明采用的技术方案是，一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，包括传感器接口J1、供电接口J2、信号采集接口J3，以及信号本安电路、供电本安电路和光耦隔离电路，
传感器接口J1的对外输入端与位置传感器连接，传感器接口J1的对内输入端与供电本安电路连接，传感器接口J1的输出端与信号本安电路连接，信号本安电路通过光耦隔离电路接入信号采集接口J3，信号采集接口J3对外与信号采集卡连接；供电接口J2的对外输入端与直流电源连接，供电接口J2的两个输出端分别与供电本安电路、光耦隔离电路连接。
本发明的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征还在于：
所述的供电本安电路的电路结构是，包括电阻R1、半导体二极管D1、熔断器F1、熔断器F2、电压调整二极管ZD1、电压调整二极管ZD2，其中，熔断器F1一端与供电接口J2的J2-1端口相连，同时还与PNP型半导体管V1-V4的发射极同时相连；
熔断器F1另一端与电压调整二极管ZD1的输出端相连，熔断器F1另一端还与电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端与传感器接口J1的J1-1端口相连；
熔断器F2一端与供电接口J2的J2-2端口相连，同时与发光二极管LED1-LED4的输出端相连，同时还与光耦合器DV1-DV4的发射极相连，同时通过电阻R6-R9分别与各自对应的PNP型半导体管V1-V4的集电极相连，同时与PNP型半导体管V1-V4的基极相连；
熔断器F2另一端与电压调整二极管ZD2的输出端相连，同时还与半导体二极管D1的输出端相连，半导体二极管D1的输入端与传感器接口J1的J1-2端口相连；
电压调整二极管ZD1、ZD2、ZD3、…、ZD6的输入端同时与供电接口J2的J2-3端口相连。
所述的信号本安电路的电路结构是，包括电阻R2-R5、熔断器F3-F6、电压调整二极管ZD3-ZD6，其中，电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3构成位置传感器的第一路输入信号的本安电路；电阻R3、熔断器F4、电压调整二极管ZD4构成位置传感器的第二路输入信号的本安电路；电阻R4、熔断器F5、电压调整二极管ZD5构成位置传感器的第三路输入信号的本安电路；电阻R5、熔断器F6、电压调整二极管ZD6构成位置传感器的第四路输入信号的本安电路；
上述的四路本安电路的结构原理一致，以下按照电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3所属的第一路输入信号的本安电路为例加以说明：
熔断器F3一端与光耦隔离电路的半导体二极管D2相连，熔断器F3另一端与电压调整二极管ZD3的输出端相连，熔断器F3另一端同时还与电阻R2的一端相连；电压调整二极管ZD3和ZD4的输入端相连，同时还与供电接口J2的J2-3端口相连；电阻R2的另一端与传感器接口J1的J1-3端口相连。
所述的光耦隔离电路的电路结构是，包括半导体二极管D2-D5、发光二极管LED1-LED4、光耦合器DV1-DV4、PNP型半导体管V1-V4、电阻R6-R9，其中，半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6构成位置传感器的第一路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D3、发光二极管LED2、光耦合器DV2、PNP型半导体管V2、电阻R7构成位置传感器的第二路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D4、发光二极管LED3、光耦合器DV3、PNP型半导体管V3、电阻R8构成位置传感器的第三路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D5、发光二极管LED4、光耦合器DV4、PNP型半导体管V4、电阻R9构成位置传感器的第四路输入信号经过本安电路后的隔离电路；
因各路隔离电路的结构原理一致，以下以半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6为例加以说明：
半导体二极管D2的输入端与熔断器F3相连，半导体二极管D2的输出端与光耦合器DV1发光二极管的输入端相连；光耦合器DV1发光二极管的输出端与发光二极管LED1输入端相连，发光二极管LED1输出端与电阻R6的一端相连，发光二极管LED1输出端同时与PNP型半导体管V1的基极相连，发光二极管LED1输出端同时还与光耦合器DV1的发射极相连，发光二极管LED1输出端同时还与供电接口J2的J2-2端口相连；光耦合器DV1的集电极与PNP型半导体管V1的发射极相连，光耦合器DV1的集电极同时还与供电接口J2的J2-1端口相连；PNP型半导体管V1的集电极与电阻R6的另一端相连，PNP型半导体管V1的集电极同时还与供电接口J3的J3-1端口相连。
所述的传感器接口J1的电路结构是，共设置有6个接口端，传感器接口J1的一端与位置传感器配套的六芯电缆连接，按照1-6端对应六芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、白、黑、棕；
传感器接口J1的另一端包括1-6号线，1号线即J1-1端口与电阻R1的一端连接、2号线即J1-2端口与半导体二极管D1输入端连接、3号线即J1-3端口与电阻R2的一端连接、4号线即J1-4端口与电阻R3的一端连接、5号线即J1-5端口与电阻R4的一端连接、6号线即J1-6端口与电阻R5的一端连接。
所述的供电接口J2的电路结构是，共设置有3个接口端，供电接口J2的一端接直流电源的三芯电缆，按照1-3端对应三芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄绿；
供电接口J2另一端的1号线即J2-1端口分别与熔断器F1的一端、PNP型半导体管V1-V4的发射极相连；2号线即J2-2端口分别与熔断器F2的一端、电阻R6-R9的一端、发光二极管LED1-LED4的输出端、光耦合器DV1-DV4光敏晶体管的发射极、PNP型半导体管V1-V4的基极相连；3号线即J2-3端口分别与电压调整二极管ZD1-ZD6的输入端相连。
所述的信号采集接口J3的电路结构是，共设置有4个接口端，信号采集接口J3的一端连接信号采集卡的四芯电缆，按照1-4端对应四芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、绿；
信号采集接口J3的另一端的1号线即J3-1端口分别与电阻R6的一端、PNP型半导体管V1的集电极相连；2号线即J3-2端口分别与电阻R7的一端、PNP型半导体管V2的集电极相连；3号线即J3-3端口分别与电阻R8的一端、PNP型半导体管V3的集电极相连；4号线即J3-4端口分别与电阻R9的一端、PNP型半导体管V4的集电极相连。
本发明的有益效果是，通过重新设置本安电路模块和光耦隔离模块，使得此类位置传感器能够满足各种危险区域的使用要求，同时还能够对传感器和采集卡实现有效的保护；通过把处理电路设计成板卡，减小了处理电路的安装空间和复杂的接线，减少了故障点，提高了控制系统的可靠性。
附图说明
图1是本发明处理板卡的原理框图；
图2为本发明处理板卡的部分电路框图；
图3为本发明中的传感器接口J1端口结构示意图；
图4为本发明中的供电接口J2端口结构示意图；
图5为本发明中的信号采集接口J3端口结构示意图。
图中，1.位置传感器，2.信号本安电路，3.供电本安电路，4.光耦隔离电路，5.直流电源，6.信号采集卡，
另外，J1表示传感器接口，J2表示供电接口，J3表示信号采集接口；
R1、R2……R9分别表示电阻；
F1、F2……F6分别表示熔断器；
ZD1、ZD2……ZD6分别表示电压调整二极管；
D1、D2……D5分别表示半导体二极管；
LED1、LED2、LED3、LED4分别表示发光二极管；
DV1、DV2、DV3、DV4分别表示光耦合器；
V1、V2、V、V4分别表示PNP型半导体管。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
参照图1，本发明处理板卡的整体结构是，采用标准的PCB板卡进行设计，如图1中的虚线框所示，包括传感器接口J1、供电接口J2、信号采集接口J3，以及信号本安电路2、供电本安电路3和光耦隔离电路4，
传感器接口J1的对外输入端与位置传感器1连接，传感器接口J1的对内输入端与供电本安电路3连接，传感器接口J1的输出端与信号本安电路2连接，信号本安电路2通过光耦隔离电路4接入信号采集接口J3，信号采集接口J3对外与信号采集卡6连接；
供电接口J2的对外输入端与直流电源5连接，从直流电源5获取24DVC电源，供电接口J2的两个输出端分别与供电本安电路3、光耦隔离电路4连接，同时给供电本安电路3、光耦隔离电路4进行供电。
参照图2，是本发明处理板卡的整体电路连接框图，其中包含信号本安电路2、供电本安电路3、光耦隔离电路4，
1)供电本安电路3的电路结构是，包括电阻R1、半导体二极管D1、熔断器F1、熔断器F2、电压调整二极管ZD1、电压调整二极管ZD2，其中，熔断器F1一端与供电接口J2的1号端(J2-1端口)相连，同时还与PNP型半导体管V1-V4的发射极同时相连；
熔断器F1另一端与电压调整二极管ZD1的输出端相连，熔断器F1另一端还与电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端与传感器接口J1的1号端(J1-1端口)相连；
熔断器F2一端与供电接口J2的2号端(J2-2端口)相连，同时与发光二极管LED1-LED4的输出端相连，同时还与光耦合器DV1-DV4(光敏晶体管)的发射极相连，同时通过电阻R6-R9分别与各自对应的PNP型半导体管V1-V4的集电极相连，同时与PNP型半导体管V1-V4的基极相连；
熔断器F2另一端与电压调整二极管ZD2的输出端相连，同时还与半导体二极管D1的输出端相连，半导体二极管D1的输入端与传感器接口J1的2号端(J1-2端口)相连；
电压调整二极管ZD1、ZD2、ZD3、…、ZD6的输入端同时与供电接口J2的3号端(J2-3端口)相连。
2)信号本安电路2的电路结构是，包括电阻R2-R5、熔断器F3-F6、电压调整二极管ZD3-ZD6，其中，电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3构成位置传感器1的第一路输入信号的本安电路；电阻R3、熔断器F4、电压调整二极管ZD4构成位置传感器1的第二路输入信号的本安电路；电阻R4、熔断器F5、电压调整二极管ZD5构成位置传感器1的第三路输入信号的本安电路；电阻R5、熔断器F6、电压调整二极管ZD6构成位置传感器1的第四路输入信号的本安电路；
上述的四路本安电路的结构原理一致，以下按照电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3所属的第一路输入信号的本安电路为例加以说明：
熔断器F3一端与光耦隔离电路4的半导体二极管D2相连，熔断器F3另一端与电压调整二极管ZD3的输出端相连，熔断器F3另一端同时还与电阻R2的一端相连；电压调整二极管ZD3和ZD4的输入端相连，同时还与供电接口J2的3号端(J2-3端口)相连；电阻R2的另一端与传感器接口J1的3号端(J1-3端口)相连。
3)光耦隔离电路4的电路结构是，包括半导体二极管D2-D5、发光二极管LED1-LED4、光耦合器DV1-DV4、PNP型半导体管V1-V4、电阻R6-R9，其中，半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6构成位置传感器1的第一路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D3、发光二极管LED2、光耦合器DV2、PNP型半导体管V2、电阻R7构成位置传感器1的第二路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D4、发光二极管LED3、光耦合器DV3、PNP型半导体管V3、电阻R8构成位置传感器1的第三路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D5、发光二极管LED4、光耦合器DV4、PNP型半导体管V4、电阻R9构成位置传感器1的第四路输入信号经过本安电路后的隔离电路；
因各路隔离电路的结构原理一致，以下以半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6为例加以说明：
半导体二极管D2的输入端与熔断器F3相连，半导体二极管D2的输出端与光耦合器DV1发光二极管的输入端相连；光耦合器DV1发光二极管的输出端与发光二极管LED1输入端相连，发光二极管LED1输出端与电阻R6的一端相连，发光二极管LED1输出端同时与PNP型半导体管V1的基极相连，发光二极管LED1输出端同时还与光耦合器DV1的发射极相连，发光二极管LED1输出端同时还与供电接口J2的2号端(J2-2端口)相连；光耦合器DV1的集电极与PNP型半导体管V1的发射极相连，光耦合器DV1的集电极同时还与供电接口J2的1号端(J2-1端口)相连；PNP型半导体管V1的集电极与电阻R6的另一端相连，PNP型半导体管V1的集电极同时还与供电接口J3的1号端(J3-1端口)相连。
参照图3，传感器接口J1的电路结构是，共设置有6个接口端，传感器接口J1的一端与位置传感器1配套的六芯电缆连接，按照1-6端对应六芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、白、黑、棕；
传感器接口J1的另一端包括1-6号线，1号线(即J1-1端口)与电阻R1的一端连接；2号线(即J1-2端口)与半导体二极管D1输入端连接；3号线(即J1-3端口)与电阻R2的一端连接；4号线(即J1-4端口)与电阻R3的一端连接；5号线(即J1-5端口)与电阻R4的一端连接；6号线(即J1-6端口)与电阻R5的一端连接。
参照图4，供电接口J2的电路结构是，共设置有3个接口端，供电接口J2的一端接直流电源5的三芯电缆，按照1-3端对应三芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄绿；
供电接口J2另一端的1号线(即J2-1端口)分别与熔断器F1的一端、PNP型半导体管V1-V4的发射极相连；2号线(即J2-2端口)分别与熔断器F2的一端、电阻R6-R9的一端、发光二极管LED1-LED4的输出端、光耦合器DV1-DV4光敏晶体管的发射极、PNP型半导体管V1-V4的基极相连；3号线(即J2-3端口)分别与电压调整二极管ZD1-ZD6的输入端相连。
参照图5，信号采集接口J3的电路结构是，共设置有4个接口端，信号采集接口J3的一端连接信号采集卡6的四芯电缆，按照1-4端对应四芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、绿；
信号采集接口J3的另一端的1号线(即J3-1端口)分别与电阻R6的一端、PNP型半导体管V1的集电极相连；2号线(即J3-2端口)分别与电阻R7的一端、PNP型半导体管V2的集电极相连；3号线(即J3-3端口)分别与电阻R8的一端、PNP型半导体管V3的集电极相连；4号线(即J3-4端口)分别与电阻R9的一端、PNP型半导体管V4的集电极相连。

Claims (7)

1.一种用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：包括传感器接口J1、供电接口J2、信号采集接口J3、信号本安电路(2)、供电本安电路(3)和光耦隔离电路(4)，
传感器接口J1的对外输入端与位置传感器(1)连接，传感器接口J1的对内输入端与供电本安电路(3)连接，传感器接口J1的输出端与信号本安电路(2)连接，信号本安电路(2)通过光耦隔离电路(4)接入信号采集接口J3，信号采集接口J3对外与信号采集卡(6)连接；
供电接口J2的对外输入端与直流电源(5)连接，供电接口J2的两个输出端分别与供电本安电路(3)、光耦隔离电路(4)连接。
2.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的供电本安电路(3)的电路结构是，包括电阻R1、半导体二极管D1、熔断器F1、熔断器F2、电压调整二极管ZD1、电压调整二极管ZD2，其中，熔断器F1一端与供电接口J2的J2-1端口相连，同时还与PNP型半导体管V1-V4的发射极同时相连；熔断器F1另一端与电压调整二极管ZD1的输出端相连，熔断器F1另一端还与电阻R1的一端相连；电阻R1的另一端与传感器接口J1的J1-1端口相连；
熔断器F2一端与供电接口J2的J2-2端口相连，同时与发光二极管LED1-LED4的输出端相连，同时还与光耦合器DV1-DV4的发射极相连，同时通过电阻R6-R9分别与各自对应的PNP型半导体管V1-V4的集电极相连，同时与PNP型半导体管V1-V4的基极相连；
熔断器F2另一端与电压调整二极管ZD2的输出端相连，同时还与半导体二极管D1的输出端相连，半导体二极管D1的输入端与传感器接口J1的J1-2端口相连；电压调整二极管ZD1、ZD2、ZD3、…、ZD6的输入端同时与供电接口J2的J2-3端口相连。
3.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的信号本安电路(2)的电路结构是，包括电阻R2-R5、熔断器F3-F6、电压调整二极管ZD3-ZD6，其中，电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3构成位置传感器(1)的第一路输入信号的本安电路；电阻R3、熔断器F4、电压调整二极管ZD4构成位置传感器(1)的第二路输入信号的本安电路；电阻R4、熔断器F5、电压调整二极管ZD5构成位置传感器(1)的第三路输入信号的本安电路；电阻R5、熔断器F6、电压调整二极管ZD6构成位置传感器(1)的第四路输入信号的本安电路；
上述的四路本安电路的结构原理一致，以下按照电阻R2、熔断器F3、电压调整二极管ZD3所属的第一路输入信号的本安电路为例加以说明：
熔断器F3一端与光耦隔离电路(4)的半导体二极管D2相连，熔断器F3另一端与电压调整二极管ZD3的输出端相连，熔断器F3另一端同时还与电阻R2的一端相连；电压调整二极管ZD3和ZD4的输入端相连，同时还与供电接口J2的J2-3端口相连；电阻R2的另一端与传感器接口J1的J1-3端口相连。
4.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的光耦隔离电路(4)的电路结构是，包括半导体二极管D2-D5、发光二极管LED1-LED4、光耦合器DV1-DV4、PNP型半导体管V1-V4、电阻R6-R9，其中，半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6构成位置传感器(1)的第一路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D3、发光二极管LED2、光耦合器DV2、PNP型半导体管V2、电阻R7构成位置传感器(1)的第二路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D4、发光二极管LED3、光耦合器DV3、PNP型半导体管V3、电阻R8构成位置传感器(1)的第三路输入信号经过本安电路后的隔离电路；半导体二极管D5、发光二极管LED4、光耦合器DV4、PNP型半导体管V4、电阻R9构成位置传感器(1)的第四路输入信号经过本安电路后的隔离电路；
因各路隔离电路的结构原理一致，以下以半导体二极管D2、发光二极管LED1、光耦合器DV1、PNP型半导体管V1、电阻R6为例加以说明：
半导体二极管D2的输入端与熔断器F3相连，半导体二极管D2的输出端与光耦合器DV1发光二极管的输入端相连；光耦合器DV1发光二极管的输出端与发光二极管LED1输入端相连，发光二极管LED1输出端与电阻R6的一端相连，发光二极管LED1输出端同时与PNP型半导体管V1的基极相连，发光二极管LED1输出端同时还与光耦合器DV1的发射极相连，发光二极管LED1输出端同时还与供电接口J2的J2-2端口相连；光耦合器DV1的集电极与PNP型半导体管V1的发射极相连，光耦合器DV1的集电极同时还与供电接口J2的J2-1端口相连；PNP型半导体管V1的集电极与电阻R6的另一端相连，PNP型半导体管V1的集电极同时还与供电接口J3的J3-1端口相连。
5.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的传感器接口J1的电路结构是，共设置有6个接口端，传感器接口J1的一端与位置传感器(1)配套的六芯电缆连接，按照1-6端对应六芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、白、黑、棕；
传感器接口J1的另一端包括1-6号线，1号线即J1-1端口与电阻R1的一端连接、2号线即J1-2端口与半导体二极管D1输入端连接、3号线即J1-3端口与电阻R2的一端连接、4号线即J1-4端口与电阻R3的一端连接、5号线即J1-5端口与电阻R4的一端连接、6号线即J1-6端口与电阻R5的一端连接。
6.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的供电接口J2的电路结构是，共设置有3个接口端，供电接口J2的一端接直流电源(5)的三芯电缆，按照1-3端对应三芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄绿；
供电接口J2另一端的1号线即J2-1端口分别与熔断器F1的一端、PNP型半导体管V1-V4的发射极相连；2号线即J2-2端口分别与熔断器F2的一端、电阻R6-R9的一端、发光二极管LED1-LED4的输出端、光耦合器DV1-DV4光敏晶体管的发射极、PNP型半导体管V1-V4的基极相连；3号线即J2-3端口分别与电压调整二极管ZD1-ZD6的输入端相连。
7.根据权利要求1所述的用于危险区域的增量型位置传感器数据采集处理板卡，其特征在于：所述的信号采集接口J3的电路结构是，共设置有4个接口端，信号采集接口J3的一端连接信号采集卡(6)的四芯电缆，按照1-4端对应四芯电缆的颜色分别为红、蓝、黄、绿；
信号采集接口J3的另一端的1号线即J3-1端口分别与电阻R6的一端、PNP型半导体管V1的集电极相连；2号线即J3-2端口分别与电阻R7的一端、PNP型半导体管V2的集电极相连；3号线即J3-3端口分别与电阻R8的一端、PNP型半导体管V3的集电极相连；4号线即J3-4端口分别与电阻R9的一端、PNP型半导体管V4的集电极相连。
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