CN107658689A - 水冷型双晶体普克尔盒 - Google Patents
水冷型双晶体普克尔盒 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107658689A CN107658689A CN201710867907.1A CN201710867907A CN107658689A CN 107658689 A CN107658689 A CN 107658689A CN 201710867907 A CN201710867907 A CN 201710867907A CN 107658689 A CN107658689 A CN 107658689A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- pockers cell
- pieces
- bicrystal
- rubber pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0407—Liquid cooling, e.g. by water
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
本申请公开了一种水冷型双晶体普克尔盒,包括普克尔盒壳体、水冷端盖、两块BBO晶体、电极垫片、放电针、导电橡胶垫、密封O型圈组成;所述普克尔盒壳体包括上下两部分主体和两个圆形转接片组成;所述两个圆形转接片用于固定上下两部分主体;所述主体通过圆形转接片与两个水冷端盖相连接;所述两块BBO晶体被夹持在普克尔盒主体;所述两块BBO晶体的上下表面通过镀金属膜与所述电极垫片以及导电橡胶垫完好接触;所述电极垫片为正极或负极,所述导电橡胶垫为负极或正极;所述电极垫片和导电橡胶垫与放电针相连接;所述密封O型圈用于密封主体和水冷端盖之间的缝隙。本发明的优点在于:使用水冷型双晶体结构,使得普克尔盒更紧凑,易于调节和使用,能够降低1/4λ电压,同时还能将晶体内的废热带走,避免晶体产生热至退偏振。
Description
技术领域
本发明涉及光电开光装配封装领域,尤其涉及一种应用于高功率超快固体激光器或再生放大器的水冷型光电开关。
背景技术
激光作为重要的加工工具,在工业加工领域体现出了其特有的优势。作为激光加工领域的一个重要分支,激光精细加工广泛应用于柔性电路板制造,晶圆切割,心血管支架及太阳能电池制造等,这些领域对加工精度有极高的要求,最大限度的减少加工过程中的热扩散是提高加工精度的关键方法。大量的研究结果表明,皮秒超快激光脉冲可以有效地降低热扩散,降低加工所需的脉冲能量和平均功率,实现良好的加工效果。为提高加工效率并保证加工质量,对皮秒激光器的要求是输出高重频,高功率,高光束质量的激光脉冲。
皮秒激光器由一下几个部分组成:种子光振荡器,脉宽展宽器,再生放大器,后级通放大器,脉冲压缩器。其中再生放大器对整个系统的重复频率和单脉冲能量,输出光束质量以及整个系统的稳定性起着控制性和关键作用。其中Q开关是再生放大器的核心元件之一,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲导入再生放大器进行放大,锁模光在再生放大器内经过多次往返之后,再利用它将放大光导出谐振腔外。目前作为Q开关的晶体很多,经过研究人员实验证明,BBO晶体普克尔盒更适合作为高重频,高功率再生放大系统的电光开关。
BBO晶体普克尔盒的1/4λ高压一般为4kV左右,这取决于所采用的晶体的长短和横截面积。晶体的横截面积越大晶体越短,所用需1/4λ高压越高。在高重复频率高高功率输出情况下,为了避免激光损伤问题发生,则振荡光斑较大,则BBO晶体的横截面积较大,所需加载的高压就更高,此时高压电源成了限制高功率激光发展的因素之一。因此人们在设计高功率高重复频率超短脉冲激光器时,一般采用截面大,长晶体或者采用两个相同普克尔盒来降低高压电源的负担。采用双普克尔盒即双晶体的办法,即将BBO晶体的长度增加为原来的二倍,所需的驱动电压值降为原来的二分之一。但到目前位置,人们所用的双晶体Q开关都是以两个普克尔盒的形式存在,缺点是体积大,占空间,同时不易调节。
同时在高功率高重频再生放大器中,由于腔内振荡峰值功率很高,在BBO晶体内会产生热效应,从而使BBO晶体发生形变,严重影响Q开关的关断效果和输出光的光束质量,同时激光系统的稳定性也会受到严重影响。因此,普克尔盒晶体中的热效应问题也是影响再生放大器提高输出功率的重要限制因素之一。所以,一款具有冷却功能的普克尔盒在高功率高重频再生放大器中是具有极大优势的。
综上所术,所谓再生放大器的重要元件之一的普克尔盒Q开关,BBO晶体普克尔盒最适合用于高功率,高重频超短脉冲激光器中。但由于该晶体的所需高的驱动电压和晶体热效应的限制,再生放大器的输出能量不能得到进一步提高。因此在本发明中,发明了一种水冷型双晶体普克尔盒。该普克尔盒采用双晶体结构,使所需驱动电压降为原来的一半,从而降低对高压驱动电源的要求;该普克尔盒采用水冷设计,能够有效带走废热,使其能够在在高功率高重频工作条件下正常运行;同时该普克尔盒采用一体式设计,与以往的双普克尔盒相比,体积大大减小,更易调节和安装,有利于整体系统的紧凑性和稳定性。
因此本发明中水冷型双晶体普克尔盒更适合用于高功率高重频再生放大器中。
发明内容
本发明要解决的技术问题,在于提供一种水冷型双晶体普克尔盒,通过串接使用两块BBO晶体提高实际有效通光长度,进而降低大孔径BBO晶体所需的1/4λ电压。同时双晶体结构可以提高普克尔盒的紧凑性,使得普克尔盒更易于调节和安装。水冷结构可以带走BBO进体内由高功率激光产生的热量,今儿避免了热至退偏振问题,提高普克尔盒的对比度和寿命。
本发明是这样实现的:一种水冷型双晶体普克尔盒,包括普克尔盒壳体、水冷端盖、两块BBO晶体、电极垫片、放电针、导电橡胶垫、密封O型圈组成;所述普克尔盒壳体包括上下两部分主体和两个圆形转接片组成;所述两个圆形转接片用于固定上下两部分主体;所述主体通过圆形转接片与两个水冷端盖相连接;所述两块BBO晶体被夹持在普克尔盒主体;所述两块BBO晶体的上下表面通过镀金属膜与所述电极垫片以及导电橡胶垫完好接触;所述电极垫片为正极或负极,所述导电橡胶垫为负极或正极;所述电极垫片和导电橡胶垫与放电针相连接;所述密封O型圈用于密封主体和水冷端盖之间的缝隙。
优选的,所述普克尔盒壳体、圆形转接片和水冷端盖由绝缘陶瓷或者绝缘塑料制成。
优选的,所述普克尔盒壳体的上下两部分主体内各有一个或者多个导水管。
优选的,所述两块BBO晶体被放置在同一个电极垫片上,并保持两块晶体的两个端面相互平行。
优选的,所述两块BBO晶体的两个侧表面分别镀有金属导电层,并且前后端面分别镀有相应激光波长的增透膜。
优选的,所述两块BBO晶体由一块导电橡胶垫压住,固定晶体的同时,避免压裂晶体,同时能够有效减少压电振铃效应。
优选的,所述水冷端盖只有1个进水口或出水口,并且出水口或进水口在端盖上可以分成2个水路。
优选的,所述水冷端盖同时可以充当普克尔盒的孔径光阑,挡住光路中的杂散光,并且将杂散光造成的热量通过冷却水带走,避免了BBO晶体受热引起的退偏振。
本发明的优点在于:
使用水冷型双晶体结构,使得普克尔盒更紧凑,易于调节和使用,能够降低1/4λ电压,同时还能将晶体内的废热带走,避免晶体产生热至退偏振。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1所示为本发明具体实施例中一种水冷型双晶体普克尔盒的结构示意图;
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
结合图1所示,参阅图1所示的水冷型双晶体普克尔盒,包括普克尔盒上主体1和下主体2、两块BBO晶体3、电极垫片4、导电橡胶垫5、水冷端盖6、密封O型圈8、放电针10等组成;普克尔盒壳体包括主体1、2和两个圆形转接片7组成;两个圆形转接片7用于固定上下两部分主体;主体通过圆形转接片7与两个水冷端盖6相连接;两块BBO晶体3被夹持在普克尔盒主体1、2;两块BBO晶体3的上下表面通过镀金属膜与电极垫片4以及导电橡胶垫5完好接触;电极垫片4为正极或负极,导电橡胶垫5为负极或正极;电极垫片4和导电橡胶垫5与放电针相连接;密封O型圈用于密封主体和水冷端盖之间的缝隙。普克尔盒壳体1、2、圆形转接片7和水冷端盖6由绝缘陶瓷或者绝缘塑料制成。
普克尔盒壳体的上下两部分主体1、2内各有一个或者多个导水管。
两块BBO晶体3被放置在同一个电极垫片4上,并保持两块晶体的两个端面相互平行。两块BBO晶体3的两个侧表面分别镀有金属导电层,并且前后端面分别镀有相应激光波长的增透膜。两块BBO晶体由一块导电橡胶垫5压住,固定晶体的同时,避免压裂晶体,同时能够有效减少压电振铃效应。
水冷端盖6只有1个进水口或出水口,并且出水口或进水口在端盖上可以分成2个水路。水冷端盖6同时可以充当普克尔盒的孔径光阑,挡住光路中的杂散光,并且将杂散光造成的热量通过冷却水带走,避免了BBO晶体受热引起的退偏振。
综上所述,本发明的优点在于:使用水冷型双晶体结构,使得普克尔盒更紧凑,易于调节和使用,能够降低1/4λ电压,同时还能将晶体内的废热带走,避免晶体产生热至退偏振。
以上尽为本发明水冷型双晶体普克尔盒的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,方式利用本发明说明书及附图内容所做的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (8)
1.一种水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:包括普克尔盒壳体、水冷端盖、两块BBO晶体、电极垫片、放电针、导电橡胶垫、密封O型圈组成;所述普克尔盒壳体包括上下两部分主体和两个圆形转接片组成;所述两个圆形转接片用于固定上下两部分主体;所述主体通过圆形转接片与两个水冷端盖相连接;所述两块BBO晶体被夹持在普克尔盒主体;所述两块BBO晶体的上下表面通过镀金属膜与所述电极垫片以及导电橡胶垫完好接触;所述电极垫片为正极或负极,所述导电橡胶垫为负极或正极;所述电极垫片和导电橡胶垫与放电针相连接;所述密封O型圈用于密封主体和水冷端盖之间的缝隙。
2.根据权利要求1所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述普克尔盒壳体、圆形转接片和水冷端盖由绝缘陶瓷或者绝缘塑料制成。
3.根据权利要求2所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述普克尔盒壳体的上下两部分主体内各有一个或者多个导水管。
4.根据权利要求1所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述两块BBO晶体被放置在同一个电极垫片上,并保持两块晶体的两个端面相互平行。
5.根据权利要求1所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述两块BBO晶体的两个侧表面分别镀有金属导电层,并且前后端面分别镀有相应激光波长的增透膜。
6.根据权利要求5所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述两块BBO晶体由一块导电橡胶垫压住,固定晶体的同时,避免压裂晶体,同时能够有效减少压电振铃效应。
7.根据权利要求1所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述水冷端盖只有1个进水口或出水口,并且出水口或进水口在端盖上可以分成2个水路。
8.根据权利要求1所述的水冷型双晶体普克尔盒,其特征在于:所述水冷端盖同时可以充当普克尔盒的孔径光阑,挡住光路中的杂散光,并且将杂散光造成的热量通过冷却水带走,避免了BBO晶体受热引起的退偏振。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710867907.1A CN107658689A (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 水冷型双晶体普克尔盒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710867907.1A CN107658689A (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 水冷型双晶体普克尔盒 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107658689A true CN107658689A (zh) | 2018-02-02 |
Family
ID=61131169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710867907.1A Pending CN107658689A (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 水冷型双晶体普克尔盒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107658689A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109193321A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-11 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种激光晶体防溅射污染装置 |
EP3783422A1 (en) * | 2019-08-16 | 2021-02-24 | Bme Messgeräte Entwicklung Kg | An optical system comprising a symmetric cooling arrangement for cooling an optical device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1184442A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Nec Corp | 光パラメトリック発振器 |
US20060187521A1 (en) * | 2002-12-19 | 2006-08-24 | Stefan Balle | Pockels cell |
US20110013262A1 (en) * | 2006-03-29 | 2011-01-20 | Amo Development, Llc | Method and System for Laser Amplification Using a Dual Crystal Pockels Cell |
CN204315905U (zh) * | 2014-12-30 | 2015-05-06 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种端面水冷激光头装置 |
-
2017
- 2017-09-22 CN CN201710867907.1A patent/CN107658689A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1184442A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Nec Corp | 光パラメトリック発振器 |
US20060187521A1 (en) * | 2002-12-19 | 2006-08-24 | Stefan Balle | Pockels cell |
US20110013262A1 (en) * | 2006-03-29 | 2011-01-20 | Amo Development, Llc | Method and System for Laser Amplification Using a Dual Crystal Pockels Cell |
EP2002517B1 (en) * | 2006-03-29 | 2017-02-22 | AMO Development, LLC | Method and system for laser amplification using a dual crystal pockels cell |
CN204315905U (zh) * | 2014-12-30 | 2015-05-06 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种端面水冷激光头装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109193321A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-01-11 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种激光晶体防溅射污染装置 |
EP3783422A1 (en) * | 2019-08-16 | 2021-02-24 | Bme Messgeräte Entwicklung Kg | An optical system comprising a symmetric cooling arrangement for cooling an optical device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN204103242U (zh) | 一种高功率单纵模紫外全固态激光器 | |
CN201853942U (zh) | 一种脉宽可变的电光调q固体激光器 | |
CN103199430A (zh) | 双掺铬钕钇铝石榴石复合磷酸氧钛钾腔内倍频自调q绿光激光器 | |
CN102904155A (zh) | 一种全固态皮秒激光再生放大器 | |
CN107658689A (zh) | 水冷型双晶体普克尔盒 | |
CN103811989B (zh) | 用于大功率脉冲光纤激光器的光纤耦合声光q开关 | |
CN104253375B (zh) | 一种高重复频率窄脉宽单模绿光激光器 | |
CN103762495B (zh) | 提高激光热响应速度的方法及多端泵浦固体激光器 | |
CN101000997A (zh) | 波长为916nm的Nd:LuVO4激光器 | |
CN110277726A (zh) | 一种声光调q紫外激光器 | |
Bai et al. | Double Q-switched 946 nm laser with MgO: LN electro-optic crystal and MoSe 2 saturable absorber | |
CN109361147A (zh) | 一种基于三方晶系的横向电光调q开关及其降低驱动电压的方法和应用 | |
CN2765348Y (zh) | 腔倒空全固态皮秒激光器 | |
CN209200369U (zh) | 一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器 | |
CN105932535A (zh) | 一种具有首脉冲自抑制功能的再生放大器 | |
CN102299469A (zh) | 一种通过控制泵浦光特性实现亚纳秒调q输出的激光器 | |
CN101819336B (zh) | 反射式等离子体电光开关 | |
CN102946043B (zh) | 电光及旋光热效应补偿复合功能硅酸镓镧晶体调q激光器 | |
CN208782235U (zh) | 双晶体紫外激光器 | |
CN208782230U (zh) | 双晶体绿光激光器 | |
CN105006737B (zh) | 基于磷酸钛氧铷晶体的电光、倍频功能复合的绿光激光器及其工作方法 | |
CN108963741B (zh) | 双晶体绿光激光器 | |
CN208835441U (zh) | 一种多振荡器结构的光纤激光器 | |
CN108933378B (zh) | 双晶体紫外激光器 | |
CN2833967Y (zh) | 半导体泵浦的单模绿光激光器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180202 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |