CN107541187A - 纳米陶瓷红外阻隔材料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种纳米陶瓷红外阻隔材料,属于红外阻隔材料领域。它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且0<x≤2.5,0<y≤2.5,0<z≤3.5,0<s<3.5,通过控制掺杂比例,可以调整目标产物的红外阻隔性能和可见光透过率。采用含铯化合物掺杂含钨化合物,制成红外阻隔材料,它的晶体强度得到了提高,红外阻隔波段得到拓宽,阻隔率显著提升,而且对可见光的衰减率变小。
Description
技术领域
本发明涉及一种纳米陶瓷红外阻隔材料,属于红外阻隔材料领域。
背景技术
红外阻隔材料是一种能够将太阳光中的红外部分阻隔在外,同时能够透过可见光部分。太阳光中的红外部分含有大量热量,被照射的物体将会升温。例如,在汽车玻璃领域,使用这种红外阻隔涂层的玻璃,能够过滤掉红外部分的光,透过可见光,保持车内温度不过高。目前,红外阻隔材料的红外光阻隔波段较窄,阻隔率有待进一步提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种纳米陶瓷红外阻隔材料,它解决了目前的红外阻隔材料的红外光阻隔波段较窄的问题。
本发明所要解决的技术问题采取以下技术方案来实现:
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且0<x≤2.5,0<y≤2.5,0<z≤3.5,0<s<3.5,通过控制掺杂比例,可以调整目标产物的红外阻隔性能和可见光透过率。
作为优选实例,所述含铯化合物为碳酸铯。
作为优选实例,所述纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为10-500纳米。
本发明的有益效果是:采用含铯化合物掺杂含钨化合物,制成红外阻隔材料,它的晶体强度得到了提高,红外阻隔波段得到拓宽,阻隔率显著提升,而且对可见光的衰减率变小。
具体实施方式
为了对本发明的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面进一步阐述本发明。
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且0<x≤2.5,0<y≤2.5,0<z≤3.5,0<s<3.5,通过控制掺杂比例,可以调整目标产物的红外阻隔性能和可见光透过率。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为10-500纳米。
制作工艺:
(1)按照表达式MxWCyHzNs,且0<x≤2.5,0<y≤2.5,0<z≤3.5,0<s<3.5,各组分的摩尔比称取含铯化合物和含钨化合物粉末;
(2)充分混合含铯化合物和含钨化合物粉末,形成混合粉末;
(3)混合粉末在纳米级研磨机中充分研磨,研磨至颗粒大小为10-500纳米;
(4)在保护气体气氛下,对混合粉末进行100~1200℃热处理6-24小时,得到掺杂的红外阻隔材料。
使用方法:
(1)使用分散剂对掺杂的红外阻隔材料进行分散;
(2)再向其中添加溶剂,形成分散液;
(3)将分散液涂在透明基材上,干化后形成薄膜。薄膜能够阻隔更宽频段的红外光,而对可见光的衰减率很低。
实施例1
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且x=2.5,y=2.5,z=3.5,s=2.5。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为50纳米。
实施例2
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且x=2.5,y=1.5,z=1.5,s=2.5。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为100纳米。
实施例3
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且x=1,y=2.5,z=0.5,s=3。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为200纳米.
实施例4
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且x=0.5,y=0.5,z=0.5,s=2.5。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为10纳米。
实施例5
纳米陶瓷红外阻隔材料,它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且x=2.5,y=2.5,z=1.5,s=0.5。
含铯化合物为碳酸铯。
纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为250纳米。
采用含铯化合物掺杂含钨化合物,制成红外阻隔材料,它的晶体强度得到了提高,红外阻隔波段得到拓宽,阻隔率显著提升,而且对可见光的衰减率变小。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入本发明要求保护的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.纳米陶瓷红外阻隔材料,其特征在于:它的表达式为MxWCyHzNs,其中M为掺杂物,该掺杂物为含铯化合物,且0<x≤2.5,0<y≤2.5,0<z≤3.5,0<s<3.5,通过控制掺杂比例,可以调整目标产物的红外阻隔性能和可见光透过率。
2.根据权利要求1所述纳米陶瓷红外阻隔材料,其特征在于:所述含铯化合物为碳酸铯。
3.根据权利要求1所述纳米陶瓷红外阻隔材料,其特征在于:所述纳米陶瓷红外阻隔材料的颗粒大小为10-500纳米。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101616800A (zh) * | 2007-02-20 | 2009-12-30 | 琳得科株式会社 | 近红外线遮蔽薄膜 |
JP2010002825A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 近赤外線吸収能を有する反射防止材 |
US20120068292A1 (en) * | 2010-09-22 | 2012-03-22 | Fujifilm Corporation | Polymerizable composition, and photosensitive layer, permanent pattern, wafer-level lens, solid-state imaging device and pattern forming method each using the composition |
CN103229100A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-07-31 | 富士胶片株式会社 | 可聚合组成物以及各自使用所述组成物的感光层、永久图案、晶圆级透镜、固态摄影组件及图案形成方法 |
CN105817639A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-08-03 | 沪本新材料科技(上海)有限公司 | 作为红外线遮蔽体的铯掺杂钨青铜纳米粉体及其制备方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101616800A (zh) * | 2007-02-20 | 2009-12-30 | 琳得科株式会社 | 近红外线遮蔽薄膜 |
JP2010002825A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 近赤外線吸収能を有する反射防止材 |
US20120068292A1 (en) * | 2010-09-22 | 2012-03-22 | Fujifilm Corporation | Polymerizable composition, and photosensitive layer, permanent pattern, wafer-level lens, solid-state imaging device and pattern forming method each using the composition |
CN103229100A (zh) * | 2010-11-30 | 2013-07-31 | 富士胶片株式会社 | 可聚合组成物以及各自使用所述组成物的感光层、永久图案、晶圆级透镜、固态摄影组件及图案形成方法 |
CN105817639A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-08-03 | 沪本新材料科技(上海)有限公司 | 作为红外线遮蔽体的铯掺杂钨青铜纳米粉体及其制备方法 |
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