CN107516685A - 堆叠型太阳能电池模块 - Google Patents

堆叠型太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN107516685A
CN107516685A CN201610587012.8A CN201610587012A CN107516685A CN 107516685 A CN107516685 A CN 107516685A CN 201610587012 A CN201610587012 A CN 201610587012A CN 107516685 A CN107516685 A CN 107516685A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
solar module
circuit
solar
battery cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610587012.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107516685B (zh
Inventor
张佳文
刘永宗
林伟圣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of CN107516685A publication Critical patent/CN107516685A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107516685B publication Critical patent/CN107516685B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/043—Mechanically stacked PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种堆叠型太阳能电池模块，包括透明基板、第一太阳能电池单元，以及第二太阳能电池单元位于该透明基板与该第一太阳能电池单元之间。第一太阳能电池单元，包括第一电极、第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间的第一吸收层，第二太阳能电池单元，包括第三电极、第四电极与位于该第三电极与该第四电极之间的第二吸收层，其中该第二电极邻近于该第三电极，且该第二电极、该第三电极及该第四电极的设置位置相对应。

Description

堆叠型太阳能电池模块
技术领域
本发明关于一种太阳能电池技术领域，且有关于一种堆叠型太阳能电池模块。
背景技术
传统堆叠型太阳电池是将两个或两个以上相同能隙或不同能隙的太阳电池组件堆叠起来，制作成堆叠型太阳能电池模块。设计上，一般将能够吸收高能量光谱的太阳电池组件放在上层，吸收低能量光谱的太阳电池组件放在下层，通过不同光吸收层的材料将太阳光的光谱能量层层吸收，以提升电池模块效率。
以目前市场占有率最大的硅晶太阳能电池为例，为有效利用硅晶电池未吸收的短波长入射光，于是在硅晶太阳能电池的上方，迭以能隙比硅晶高的宽能隙电池，以提升电池模块效率。然而，一般上层电池的电极设计以整面透明导电氧化物(TCO)为主，目的为了让上电池成为穿透型的电池组件，得以让长波长光谱通过上电池并到达下电池(硅晶电池)做吸收。但是，上电池的吸收层除了可吸收短波长入射光，同时上电池的整面透明导电氧化物电极也会将部分的光遮蔽或吸收，造成进入硅晶电池的入射光量或强度减少，不利于下层的光吸收层的材料的吸收。
发明内容
本发明提供一种堆叠型太阳能电池模块，能解决上电池透明导电氧化物电极的遮蔽及吸收入射光的问题，并增加当两个或两个以上太阳电池堆叠时，下层电池的光谱能量吸收。
本发明提供的一种堆叠型太阳能电池模块，包括透明基板、第一太阳能电池单元，以及第二太阳能电池单元位于该透明基板与该第一太阳能电池单元之间。第一太阳能电池单元，包括第一电极、第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间的第一吸收层。第二太阳能电池单元，包括第三电极、第四电极与位于该第三电极与该第四电极之间的第二吸收层，其中该第二电极邻近于该第三电极，且该第二电极、该第三电极及该第四电极的设置位置相对应。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的第一实施例的一种太阳能电池模块上视图；
图1B是依照图1A的B-B’线段的剖面示意图；
图2是依照本发明的第二实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图；
图3是依照本发明的第三实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图；
图4是依照本发明的第四实施例的堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图；
图5是依照本发明的第五实施例的一种太阳能电池模块的剖面示意图；
图6是依照本发明的第六实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的上视图；
图7A-7C是依照本发明的第六实施例的图6的VII-VII’线段的不同实施态样的剖面示意图。
【符号说明】
1、2、3、4、5、6：堆叠型太阳能电池模块
100：透明基板
100a：透明基板受光照射的相对表面
102：第一太阳能电池单元
104：第二太阳能电池单元
106：第一电极
108：第二电极
110：第一吸收层
116：第三电极
118：第四电极
120：第二吸收层
122：导电材料
124：间隔物
208：第一汇流线路
216：第二汇流线路
218：第三汇流线路
具体实施方式
现将参照附图来更加详尽地描述发明概念的实施例，但仍可使用许多不同的形式来实施本发明。在附图中，为了清楚起见，各个结构及区域的相对尺寸及位置可能缩小或放大。另应理解的是，虽然本文使用“第一”、“第二”…等来描述不同的结构或区域，但是这些结构或区域不应当受限于这些用词；也就是说，以下所讨论的第一表面、区域或结构可以被称为第二表面、区域或结构，而不违背实施例的启示。
图1A是依照本发明的第一实施例的一种太阳能电池模块上视图。图1B是依照图1A的B-B’线段的剖面示意图。请参照图1A及IB，第一实施例的堆叠型太阳能电池模块1，包括透明基板100、第一太阳能电池单元102与第二太阳能电池单元104，其中透明基板100例如玻璃或塑料；第一太阳能电池单元102是位于透明基板100受光照射的相对表面100a，也就是说，若是光线从透明基板100的正面入射，则第一太阳能电池单元102的位置会在透明基板100的背面。第一太阳能电池单元102包括第一电极106、第二电极108与位于第一与第二电极106和108之间的第一吸收层110。其中第一与第二电极106和108分别位于第一吸收层110的厚度方向的两面上，且第二电极108靠近透明基板100。第一光吸收层110的材料包括IV族半导体材料、III-V族半导体材料、I-III-VI族半导体材料或I-II-IV-VI族半导体材料。上述IV族半导体材料，例如：硅、锗(Ge)、硅锗合金。上述III-V半导体材料，例如：二元或三元化合物半导体材料(如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)、锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)、磷化铝(AlP)、砷化铝镓(AlGaAs)、砷化铟镓(InGaAs)、砷化铟铝(InAlAs)、磷化铟镓(GaInP)、磷化铟镓(InGaP)、氮化铟镓(GaInN)等)。上述I-III-VI族半导体材料，例如：三元或四元或五元化合物半导体材料(如硒化铜铟(CuInSe2)、硫化铜镓(CuGaS2)、硒化铜铟镓(Cu(In，Ga)Se2)、硒硫化铜铟镓(Cu(In，Ga)(S，Se)2))。上述I-II-IV-VI族半导体材料，例如：三元或四元或五元化合物半导体材料(如硒化铜锡(Cu2SnSe3)、硒化铜锌锡(Cu2ZnSnSe4)、硒硫化铜锌锡(Cu2znSn(S，Se)4)等)。而在透明基板100与第一太阳能电池单元102之间设有第二太阳能电池单元104，其中第二太阳能电池单元104包括第三电极116、第四电极118与位于第三与第四电极116和118之间的第二吸收层120。第三与第四电极116和118分别位于第二吸收层120的厚度方向的两面上，且第一太阳电池单元102的第二电极108邻近于第二太阳电池单元104的第三电极116，该第二电极108、该第三电极116及该第四电极118的设置位置相对应。举例来说，当太阳光从透明基板100照射进入堆叠型太阳电池模块1时，先经过透明基板100、第二太阳电池单元104，再进入第一太阳电池单102元。因为第二太阳电池单元104的电极位置(116，118)与第一太阳电池单元102的电极位置(，108)在垂直方向相对应，因此第二太阳电池单元104的电极设计并不会额外遮蔽进入第一太阳电池单元102的光路径，因此较一般全面透明导电氧化物电极的设计方式于阻挡或吸收部分太阳的入射光量或强度较少，本实施例可以增加第一太阳电池单元的光谱能量吸收。
在另一实施例中，第二电极108、第三电极116及第四电极118也可以形状相对应或是第二电极108、第三电极116及第四电极118的尺寸相对应。如此一来，上述第二电极108、第三电极116及第四电极118不管是设置位置相对应、形状相对应或是尺寸相对应，其目的都是为了减少太阳光进入太阳电池单元的遮蔽面积，也就是当多个太阳电池单元垂直堆叠在一起时，各独立太阳电池单元的上下电极(例如，第二电极108、第三电极116及第四电极118)的设置位置，设置形状或设置大小在堆叠太阳电池模块的垂直方向相对应时，则其遮蔽太阳光的面积最小，因此上层电极的遮蔽面积对于下层太阳电池单元的光吸收层的材料的光吸收影响最少。
请参照图1B，第一实施例的堆叠型太阳能电池模块1的制作方法，举例来说，可先将第一太阳电池单元102做好，第二太阳电池单元104做好，再将该第一太阳电池单元102的第二电极108与第二太阳电池单元104的第三电极116，在垂直方向相对应的堆叠在一起，以使第一太阳电池单元102的第二电极108邻近于第二太阳电池单元104的第三电极116，而且该第二电极108、该第三电极116及该第四电极118的设置位置相对应。
举例来说，透明基板100可做为第二太阳电池单元104的基板，因此第二太阳电池单元104的第二吸收层120系全面覆盖住第四电极118及透明基板100。
在一实施例中，第二太阳能电池单元104的该第二吸收层120的材料包括III-V族半导体材料、II-VI族半导体材料、I-II-IV-VI族半导体材料、I-III-VI族半导体材料、有机高分子材料、有机无机混合材料等。上述第二吸收层120的材料的能隙在1.1eV至1.9eV之间，利于吸收高能量光谱。在另一实施例中，上述第二吸收层120的材料的能隙在1.5eV至1.8eV之间，因此当太阳光进入透明基板100后，堆叠型太阳能电池模块1，可利用第二太阳能电池单元104吸收短波长入射光，并让光进入第一太阳能电池单元102吸收长波长入射光，以达到较为充分利用太阳能谱的堆叠型太阳能电池模块。
在一实施例中，该第二电极108、该第三电极116及该第四电极118的材料各自独立包括金属、导电高分子、有机-无机混合导电材料或极性导电材料。其中金属材料包括钼(Mo)、金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)或其组合。
图2是依照本发明的第二实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图，其中使用与图1B相同的组件符号来代表相同或类似的构件。图3是依照本发明的第三实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图，其中使用与图1B相同的组件符号来代表相同或类似的构件。
请参照图2，第二实施例的堆叠型太阳能电池模块2，与图1B的差异在于第一太阳电池单元102与第二太阳电池单元104的电性连接关系。在第二实施例中该第二太阳电池单元104的第三电极116与第一太阳电池单元102的第二电极108系为电性相连接，因此，该第二电极108与该第三电极116可以直接接触。
或者，请参照图3，第三实施例3与图1B的差异在于第三实施例的堆叠型太阳能电池模块3中还包括一导电材料122设置在该第二电极108与该第三电极116之间，使该第二电极108与该第三电极116电性相连接，并使该第二太阳电池单元104与该第一太阳电池单元102形成电路串联。上述导电材料122，例如导电胶。
图4是依照本发明的第四实施例的堆叠型太阳能电池模块的剖面示意图，其中使用与图1B相同的组件符号来代表相同或类似的构件。图5是依照本发明的第五实施例的一种太阳能电池模块的剖面示意图，其中使用与图1B相同的组件符号来代表相同或类似的构件。
请参照图4，第四实施例的堆叠型太阳能电池模块4，与图1B的差异在于，在本实施例中该第二太阳电池单元104的第三电极116与第一太阳电池单元102的第二电极108电性不相连接，因此，在第四实施例中，还包括一间隔物124设置在该第二电极108与该第三电极116之间，使该第二电极108与该第三电极116电性不相连接。或者请参照图5，第五实施例的堆叠型太阳能电池模块5与图1B的差异在于，在本实施例中该间隔物124还包括设置在第一吸收层110、第二电极108、第二吸收层120与第三电极116之间，并使其第二电极108与第三电极116电性不相连接，同时该间隔物124也可保护第一吸收层110与第二电极108及第二吸收层120与第三电极116并与空气隔绝。在上述实施中，该间隔物124，包括绝缘材料，例如绝缘胶。
图6是依照本发明的第六实施例的一种堆叠型太阳能电池模块的上视图，使用与图1A-图1B相同的组件符号来代表相同或类似的构件，且仅显示第一太阳能电池单元102。图7A-7C是依照第六实施例的图6的VII-VII’线段的不同实施态样的剖面示意图，使用与图6相同的组件符号来代表相同或类似的构件。
请参照图6及图7A，堆叠型太阳能电池模块6，太阳光从透明基板100进入，与图1A的差异在于，在一实施例中，请参照图7A，第一太阳能电池单元102还包括第一汇流线路208设置在该第一吸收层110上并与该第二电极108同一侧，且该第一汇流线路208与该第二电极108的电性相连接。在一实施例中，请参照图7B，该第二太阳能电池单元102还包括第二汇流线路216设置在该第二吸收层120上并与该第三电极116同一侧，且该第二汇流线路216与该第三电极116的电性相连接。在一实施例中，请参照图7C，该第二太阳能电池单元102还包括第三汇流线路218设置在该第二吸收层120上并与该第四电极118同一侧，且该第三汇流线路218与该第四电极118的电性相连接。举例而言，上述第一汇流线路208、第二汇流线路216与第三汇流线路218可以提供第二电极108、第三电极116及第四电极118更有效地收集载子，而且在实际设计上，上述第一汇流线路208、第二汇流线路216与第三汇流线路218需尽量减少遮蔽入射光的比例，因此，上述第一汇流线路208、第二汇流线路216与第三汇流线路218可以同时都设置在堆叠型太阳电池模块之中，也可以依实际需求，独立设置或组合设置在堆叠型太阳电池模块之中。
为了尽量减少遮蔽入射光的比例，在本实施例中，该第一汇流线路208与该第二汇流线路216的设置位置相对应，而在另一实施例中，该第一汇流线路208、该第二汇流线路216与该第三汇流线路218的设置位置相对应，其目的在于尽量减少遮蔽入射光的比例。
在上述实施例中，第一汇流线路208、第二汇流线路216与第三汇流线路218包括线型结构、网状结构或图形化结构，其中，线型结构的线宽系为10nm至100μm。上述汇流线路，线型结构、网状结构或图形化结构可以依实际使用情况做出不同的设计图样，目的为更有效地收集载子并且传递到电极上。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定者为准。

Claims (20)

1.一种堆叠型太阳能电池模块，其特征在于，包括：
透明基板；
第一太阳能电池单元，包括，第一电极、第二电极与位于该第一电极与该第二电极之间的第一吸收层；以及
第二太阳能电池单元，位于该透明基板与该第一太阳能电池单元之间，且该第二太阳能电池单元包括第三电极、第四电极与位于该第三电极与该第四电极之间的第二吸收层，其中该第二电极邻近于该第三电极，且该第二电极、该第三电极及该第四电极的设置位置相对应。
2.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二电极、该第三电极及该第四电极的形状相对应。
3.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二电极、该第三电极及该第四电极的尺寸相对应。
4.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第一太阳能电池单元还包括第一汇流线路设置在该第一吸收层上并与该第二电极同一侧，且该第一汇流线路与该第二电极的电性相连接。
5.如权利要求4所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二太阳能电池单元还包括第二汇流线路设置在该第二吸收层上并与该第三电极同一侧，且该第二汇流线路与该第三电极的电性相连接。
6.如权利要求5所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二太阳能电池单元还包括第三汇流线路设置在该第二吸收层上并与该第四电极同一侧，且该第三汇流线路与该第四电极的电性相连接。
7.如权利要求5所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第一汇流线路与该第二汇流线路的设置位置相对应。
8.如权利要求6所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第一汇流线路、该第二汇流线路与该第三汇流线路的设置位置相对应。
9.如权利要求8所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第一汇流线路、该第二汇流线路与该第三汇流线路包括线型结构或网状结构。
10.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该线型结构或该网状结构的线宽为10nm至100μm。
11.如权利要求9所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该网状结构包括图形化结构。
12.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二电极与该第三电极电性相连接或电性不相连接。
13.如权利要求12所述的太阳能电池模块，其特征在于，还包括一导电材料设置在该第二电极与该第三电极之间，使该第二电极与该第三电极电性相连接。
14.如权利要求12所述的太阳能电池模块，其特征在于，还包括一间隔物设置在该第二电极与该第三电极之间，使该第二电极与该第三电极电性不相连接。
15.如权利要求14所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该间隔物还包括设置在该第一吸收层与该第二吸收层之间，并使其该第二电极与该第三电极电性不相连接。
16.如权利要求14所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该间隔物包括绝缘材料。
17.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第一吸收层的材料包括IV族半导体材料、III-V族半导体材料、I-III-VI族半导体材料或I-II-IV-VI族半导体材料。
18.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二吸收层的材料包括III-V族半导体材料、II-VI族半导体材料、I-II-IV-VI族半导体材料、I-III-VI族半导体材料、有机高分子材料或有机无机混合材料。
19.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该第二电极、该第三电极及该第四电极的材料各自独立包括金属、导电高分子、有机-无机混合导电材料或极性导电材料。
20.如权利要求19所述的太阳能电池模块，其特征在于，其中该金属包括钼、金、银、铝、铜、镍或其组合。
CN201610587012.8A 2016-06-17 2016-07-25 堆叠型太阳能电池模块 Active CN107516685B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW105119061 2016-06-17
TW105119061A TWI590475B (zh) 2016-06-17 2016-06-17 堆疊型太陽能電池模組

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107516685A true CN107516685A (zh) 2017-12-26
CN107516685B CN107516685B (zh) 2020-06-02

Family

ID=60048333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610587012.8A Active CN107516685B (zh) 2016-06-17 2016-07-25 堆叠型太阳能电池模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10355149B2 (zh)
CN (1) CN107516685B (zh)
TW (1) TWI590475B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5021099A (en) * 1988-08-09 1991-06-04 The Boeing Company Solar cell interconnection and packaging using tape carrier
EP0848433A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS High efficiency multi-junction solar cells
FR2837625A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-26 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaique multi-jonctions a cellules independantes sans effet d'ombrage et procede de realisation d'un tel dispositif
CN1883055A (zh) * 2004-03-12 2006-12-20 京半导体股份有限公司 叠层型太阳能电池
CN101185170A (zh) * 2005-06-01 2008-05-21 信越半导体股份有限公司 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
CN201699022U (zh) * 2010-04-01 2011-01-05 新日光能源科技股份有限公司 太阳能电池的电极结构
CN102484150A (zh) * 2009-08-27 2012-05-30 独立行政法人产业技术综合研究所 多接合光电转换装置、集成型多接合光电转换装置及其制造方法
TW201228063A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Au Optronics Corp Stacked photovoltaic cell module
CN103733347A (zh) * 2011-06-14 2014-04-16 荷兰能源研究中心基金会 光伏电池
CN104218103A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 新日光能源科技股份有限公司 太阳能电池
CN104282784A (zh) * 2013-07-08 2015-01-14 波音公司 粘合剂接合的太阳能电池装配件

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005046589A2 (en) * 2003-11-07 2005-05-26 Chiron Corporation Pharmaceutically acceptable salts of quinolinone compounds having improved pharmaceutical properties
EP2168184B1 (en) 2007-07-11 2012-10-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Organic functional device and manufacturing method therefore
KR101065752B1 (ko) 2008-08-19 2011-09-19 주식회사 티지솔라 태양전지모듈 및 그 제조방법
AU2010221446B2 (en) * 2009-03-04 2012-01-19 Moasis Global Corporation Cell-allocation in location-selective information provision systems
EP2259329A1 (en) 2009-05-26 2010-12-08 Institut de Ciències Fotòniques, Fundació Privada Metal transparent conductors with low sheet resistance
US20110259395A1 (en) 2010-04-21 2011-10-27 Stion Corporation Single Junction CIGS/CIS Solar Module
DE102010031619A1 (de) * 2010-07-21 2012-01-26 Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg In-Ohr-Hörer
US20120204939A1 (en) 2010-08-23 2012-08-16 Stion Corporation Structure and Method for High Efficiency CIS/CIGS-based Tandem Photovoltaic Module
JP5484279B2 (ja) * 2010-09-17 2014-05-07 富士フイルム株式会社 太陽電池
CN102568867A (zh) 2012-01-17 2012-07-11 上海联孚新能源科技有限公司 一种叠层薄膜太阳能电池
GB2508792A (en) 2012-09-11 2014-06-18 Rec Modules Pte Ltd Back contact solar cell cell interconnection arrangements
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
CN103066151B (zh) 2012-11-30 2015-11-25 宫昌萌 一种背接触太阳能电池串的制作方法
CN104269451A (zh) 2014-10-09 2015-01-07 云南师范大学 一种硅基钙钛矿叠层太阳电池及其制造方法
EP3016148A1 (en) * 2014-10-28 2016-05-04 Sol Voltaics AB Dual layer photovoltaic device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5021099A (en) * 1988-08-09 1991-06-04 The Boeing Company Solar cell interconnection and packaging using tape carrier
EP0848433A2 (en) * 1996-12-12 1998-06-17 HE HOLDINGS, INC. dba HUGHES ELECTRONICS High efficiency multi-junction solar cells
FR2837625A1 (fr) * 2002-03-19 2003-09-26 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaique multi-jonctions a cellules independantes sans effet d'ombrage et procede de realisation d'un tel dispositif
CN1883055A (zh) * 2004-03-12 2006-12-20 京半导体股份有限公司 叠层型太阳能电池
CN101185170A (zh) * 2005-06-01 2008-05-21 信越半导体股份有限公司 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
CN102484150A (zh) * 2009-08-27 2012-05-30 独立行政法人产业技术综合研究所 多接合光电转换装置、集成型多接合光电转换装置及其制造方法
CN201699022U (zh) * 2010-04-01 2011-01-05 新日光能源科技股份有限公司 太阳能电池的电极结构
TW201228063A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Au Optronics Corp Stacked photovoltaic cell module
CN103733347A (zh) * 2011-06-14 2014-04-16 荷兰能源研究中心基金会 光伏电池
CN104218103A (zh) * 2013-05-31 2014-12-17 新日光能源科技股份有限公司 太阳能电池
CN104282784A (zh) * 2013-07-08 2015-01-14 波音公司 粘合剂接合的太阳能电池装配件

Also Published As

Publication number Publication date
US20170365728A1 (en) 2017-12-21
TWI590475B (zh) 2017-07-01
CN107516685B (zh) 2020-06-02
US10355149B2 (en) 2019-07-16
TW201801333A (zh) 2018-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Yamaguchi et al. Multi-junction solar cells paving the way for super high-efficiency
US8314327B2 (en) Photovoltaic cells based on nano or micro-scale structures
US7960201B2 (en) String interconnection and fabrication of inverted metamorphic multijunction solar cells
EP2264787A2 (en) High efficiency multi-junction solar cells
US20130206219A1 (en) Cooperative photovoltaic networks and photovoltaic cell adaptations for use therein
US20120132250A1 (en) Contact layout and string interconnection of inverted metamorphic multijunction solar cells
KR101561453B1 (ko) 다중, 스택형, 이종, 반도체 접합을 갖는 하이브리드 광기전 소자를 위한 장치 및 방법
US20150340528A1 (en) Monolithic tandem voltage-matched multijuntion solar cells
CN107112376A (zh) 双层光伏设备
Cao et al. Type-II core/shell nanowire heterostructures and their photovoltaic applications
US20220059294A1 (en) Photovoltaic structure and method of fabrication
CN103038885A (zh) 在会聚的太阳辐射通量下使用的光伏组件
JP2013541222A (ja) 太陽光発電装置及びその製造方法
JP2013532911A (ja) 太陽光発電装置及びその製造方法
US8624108B1 (en) Photovoltaic cells based on nano or micro-scale structures
KR101412150B1 (ko) 탠덤 구조 ｃｉｇｓ 태양전지 및 그 제조방법
CN107516685A (zh) 堆叠型太阳能电池模块
KR20140080897A (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
CN114762130B (zh) 直接半导体太阳能装置的改进
KR101929442B1 (ko) 화합물 태양전지 모듈
KR101262562B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
KR101262575B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
TW201347206A (zh) 層疊型太陽能電池結構
KR20190085789A (ko) 화합물 태양전지와 화합물 태양전지 모듈
Lotsch et al. Other Materials, New Concepts, and Future Developments

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant