CN107342780A - 一种新型的全固态太赫兹接收机前端 - Google Patents
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Abstract
一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器、本振H面波导功分器、中频耦合环、直流偏置、中频信号和两个太赫兹基波混频器,其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;射频信号和本振驱动信号分别经射频波导‑微带过渡、本振波导‑微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环,经180°相位变换后,输出中频信号。本发明太赫兹接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种固态太赫兹应用系统,具体涉及一种新型的全固态太赫兹接收机前端。
背景技术
太赫兹(THz)波是指频率在0.1THz~10THz(波长为0.03mm~3mm)范围内的电磁波。它是电磁频谱家族中的重要成员,介于红外光波和微波之间,长波段与毫米波亚毫米波相重合,短波段与红外光相重合,其基础理论、研究方法和技术也与微波、光波两个学科领域相互衔接和兼容,是上世纪末和本世纪初迅速发展起来而形成的一门综合性学科分支。太赫兹技术具有很高的知识密集性和技术密集性,是现代高科技促进了它的发展,它的研究成果和技术又为现代物理学、信息科学、微电子学、材料科学、天文学、医学等学科提供了重要研究手段,反过来又促进了这些学科的发展。
近年来,美、英、日等发达国家投入大量的人力和物力进行太赫兹技术的研究,随着研究的深入,太赫兹波在传播、穿透、吸收等方面的特殊性质被不断地揭示出来。太赫兹技术的应用主要有:(1)宇宙背景辐射在太赫兹频段存在丰富信息,使得太赫兹频谱技术成为天文学研究的重要手段之一。如通过研究冷分子云的太赫兹频段频谱特性,可探究宇宙的起源;分析宇宙背景的频谱信息,可研究距离我们非常遥远的新生星系的物质结构组成,及其空间分布信息。(2)太赫兹脉冲的典型脉宽在皮秒量级,典型应用为采样技术及精确时间分辩技术;此外,因太赫兹脉冲信噪比较远红外频率脉冲信噪比高几个数量级,因此易于区分,可有效抑制远红外背景噪声干扰。(3)生物大分子的振动和转动能级辐射,以及多数半导体、超导材料及特殊薄膜材料其声子振动能级辐射频率处于太赫兹波段,因此基于时域光谱技术,可在太赫兹频段定性鉴别材料。(4)太赫兹光子能量低,不容易对检测物造成辐射效应(为几毫电子伏特数量级),因此太赫兹检测对比传统X光等检测方式可实现人体无伤检测;此外,太赫兹技术可以作为传统X光检查的补充,用于机场、车站等场所的安全监测。与传统毫米波成像技术相比,太赫兹成像的分辨率显著增强。(5)太赫兹波穿透部分非金属或非极性材料时衰减较小,结合相关技术,可实现材料内部太赫兹成像探测。
固态太赫兹应用系统的实现首先需要研究高性能太赫兹接收前端系统,而在接收机系统前端中,由于太赫兹低噪声放大器的缺乏,混频器通常作为接收机的第一级,它的性能会影响到整机噪声性能。系统灵敏度取决于接收机噪声系数的好坏,而本振信号经过放大倍频所引入的噪声对混频器整体噪声影响较大。在实际工作中,本振信号中的幅度调制,甚至本振链路中放大器的热噪声,都会被引入到接收机系统中,恶化噪声系数,导致系统灵敏度降低;同时,目前大多数超外差接收机多采用谐波混频器,谐波混频器需要较高的本振驱动功率,本振功率引入的噪声功率也随之升高,而且,功率需求的升高还会造成电路功耗升高,导致器件发热严重,减小器件的寿命。然而,现有的太赫兹全固态接收机中并没有抑制本振噪声的设计方案。另一方面,现有的接收机电路由于受制于加工条件的限制,在有多个端口输入输出的情况下多采用多级电路排布,整体电路中需要多个基片和腔体,且需要连接波导或探针,加工复杂,成本高,传输损耗大。
发明内容
本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种新型的全固态太赫兹接收机前端。本发明接收机前端可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。
本发明的技术方案如下:
一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器1、本振H面波导功分器6、中频耦合环9、直流偏置10、中频信号11和两个太赫兹基波混频器,所述太赫兹基波混频器包括射频波导-微带过渡、肖特基二极管、本振波导-微带过渡、中频滤波器;其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;
射频信号和本振驱动信号分别经射频波导-微带过渡、本振波导-微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环9,经180°相位变换后,输出中频信号11。
一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器1、本振H面波导功分器6、中频耦合环9、直流偏置10、中频信号11、第一太赫兹基波混频器2-1和第二太赫兹基波混频器2-2,所述第一太赫兹基波混频器2-1包括第一射频波导-微带过渡3-1、第一肖特基二极管4-1、第一本振波导-微带过渡7-1、第一中频滤波器8-1,所述第二太赫兹基波混频器2-2包括第二射频波导-微带过渡3-2、第二肖特基二极管4-2、第二本振波导-微带过渡7-2、第二中频滤波器8-2;其中,所述第一肖特基二极管4-1和第二肖特基二极管4-2均由两个同向串联的二极管组成,且第一肖特基二极管4-1和第二肖特基二极管4-2中二极管的排布方向相反,如图3所示;
射频信号经射频E面波导功分器1平分为等幅同向的两路信号后,分别进入第一太赫兹基波混频器2-1和第二太赫兹基波混频器2-2,进入第一太赫兹基波混频器2-1的信号经第一射频波导-微带过渡3-1进入第一肖特基二极管4-1,进入第二太赫兹基波混频器2-2的信号经第二射频波导-微带过渡3-2进入第二肖特基二极管4-2;
本振驱动信号经本振H面波导功分器6平分为等幅同向的两路信号后,分别进入第一太赫兹基波混频器2-1和第二太赫兹基波混频器2-2,进入第一太赫兹基波混频器2-1的信号经第一本振波导-微带过渡7-1进入第一肖特基二极管4-1,进入第二太赫兹基波混频器2-2的信号经第二本振波导-微带过渡7-2进入第二肖特基二极管4-2;
第一肖特基二极管4-1将射频信号和本振驱动信号进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被第一中频滤波器8-1滤掉,得到的中频信号经第一中频滤波器8-1的输出端口输出;第二肖特基二极管4-2将射频信号和本振驱动信号进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被第二中频滤波器8-2滤掉,得到的中频信号经第二中频滤波器8-2的输出端口输出;第一中频滤波器8-1和第二中频滤波器8-2输出的中频信号进入中频耦合环9,经180°相位变换后,输出中频信号11。
进一步地,所述第一中频滤波器8-1和第二中频滤波器8-2为CMRC低通滤波器,其输出端采用50欧姆微带阻抗线实现,具有宽频带抑制寄生通带的特性,可以有效阻止谐波信号、本振信号、射频信号由中频段输出并将其反射回去,提高了倍频和混频效率。
进一步地,所述本振H面波导功分器6采用3D打印技术得到,将信号由纵向加载到微带基片上。
进一步地,所述全固态太赫兹接收机前端采用标准波导WR-4.3,其具有抑制低频信号的作用,从而使得中频信号、本振信号、基波信号均不会从射频端输出。
进一步地,所述直流偏置10通过探针加载于中频耦合环9的其中一条分支线上,为两个太赫兹基波混频器提供直流偏置。
本发明的工作原理如下:
本发明提供的全固态太赫兹接收机前端中两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反,使得输出的两路中频信号相位相反,由于噪声是随机分布的,对噪声进行相位变换没有实际意义,而经过混频器混频,中频滤波器滤波后,因为本振引入的噪声被功率放大器放大,此时在新的噪声基底下可认为本振引入的噪声为一个小信号,通过180度相位变换后,本振噪声反向被抑制,使得两路中频信号同向叠加,最终输出经过噪声抑制的中频信号11,实现了抑制本振噪声的目的。
本发明的有益效果为:
1、本发明提供的全固态太赫兹接收机前端中两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反,使得输出的两路中频信号相位相反,通过180度相位变换后,本振噪声反向被抑制,而两路中频信号同向叠加,最终输出经过噪声抑制的中频信号;本发明可有效抑制全固态太赫兹接收机中本振信号引入的噪声,提高系统的噪声系数和灵敏度,进而提升系统的整体性能。
2、本发明全固态太赫兹接收机前端中的本振H面波导功分器采用3D打印技术得到,不仅可以极大地减小传统微机械加工切断壁电流导致的传输损耗,还可以使电路从传统平面电路转变为立体电路结构,这种立体电路结构使得中频耦合环和混频器的微带线结构可构建在同一个平面上直接连接,避免了多级电路排布的繁琐,合理利用了模块内部的空间,减少了电路内部的损耗。
3、本发明提供的全固态太赫兹接收机前端中采用两个太赫兹基波混频器,构成了平衡式混频电路,不仅有效抑制了本振噪声,提升了接收机灵敏度,同时,基波混频器与谐波混频器相比,还具有杂散信号少、变频损耗小、压缩点高等优点,且其对本振功率需求较低,也降低了系统的功耗。
4、本发明提供的全固态太赫兹接收机前端中直流偏置加载于中频耦合环的其中一条分支线上,无需额外引入电路,简化了结构。
附图说明
图1为本发明提供的一种新型的全固态太赫兹接收机前端的整体结构示意图;
图2为本发明肖特基二极管的三维模型;
图3为本发明全固态太赫兹接收机前端中的太赫兹基波混频器的结构示意图;
图4为本发明太赫兹基波混频器中的中频滤波器的结构示意图;
图5为本发明射频E面波导功分器的结构示意图(a)及仿真结果图(b);
图6为本发明本振H面波导功分器的结构示意图(a)及仿真结果图(b);
图7本发明中频耦合环的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,详述本发明的技术方案。
如图1所示,为本发明提供的一种新型的全固态太赫兹接收机前端的整体结构示意图;包括射频E面波导功分器1、本振H面波导功分器6、中频耦合环9、直流偏置10、中频信号11和两个太赫兹基波混频器,所述太赫兹基波混频器包括射频波导-微带过渡、肖特基二极管、本振波导-微带过渡、中频滤波器;其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;
该结构腔体采用标准波导WR-4.3,射频信号从射频E面波导功分器1进入,本振驱动信号从本振H面波导功分器6进入;射频信号经射频E面波导功分器1平分成两路等幅同向的信号后,经波导减高耦合到微带线进入两个二极管排布方向相反的太赫兹基波混频器中;本振驱动信号经本振H面波导功分器6平分成两路等幅同向信号后,经波导减高耦合到微带线进入两个二极管排布方向相反的太赫兹基波混频器中;
射频信号和本振驱动信号经太赫兹基波混频器的本振和射频端口馈入同向串联的肖特基二极管中进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被中频滤波器滤掉,仅有中频分量输出,得到的中频信号分别经由各自的中频滤波器输出,进入中频耦合环9,经180°相位变换后,输出中频信号。
其中,中频耦合环9实现了180°相位变换和施加直流偏置的作用,所述直流偏置通过探针加载于中频耦合环9的其中一条分支线上,为两个太赫兹基波混频器提供直流偏置。
其中,射频波导-微带过渡和本振波导-微带过渡采用波导减高的形式,可以使匹配更加良好;射频和本振输入信号在对应的波导中以TE10模式馈入到对应的肖特基二极管中,而由二极管产生的谐波分量会沿着微带线以TEM模式传播,由于这两种模式的正交性,信号不会相互泄露,从而实现了本振端口和射频端口间的隔离。
其中,中频滤波器为CMRC低通滤波器,其输出端采用50欧姆微带阻抗线实现,具有宽频带抑制寄生通带的特性,可以有效阻止谐波信号、本振信号、射频信号由中频段输出并将其反射回去,提高了倍频和混频效率。
如图2所示,为本发明肖特基二极管的三维模型;二极管是混频器的核心器件,它的性能直接关系到变频损耗的高低和混频器的工作带宽。在太赫兹频段波长很小,二极管的封装尺寸会对其性能造成很大的影响,应尽量选取级联电阻、结电容都比较小的二极管,但随着频率的升高,需要同时降低级联电阻、结电容,这在半导体工艺上实现具有较大的难度。本发明混频器中的肖特基二极管为同向串联的二极管,根据常用的太赫兹二极管技术建立的三维二极管封装模型如图2所示。
如图3所示,为本发明全固态太赫兹接收机前端中的太赫兹基波混频器的结构示意图;所述太赫兹基波混频器包括射频波导-微带过渡、肖特基二极管、本振波导-微带过渡、中频滤波器;其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管4-1和4-2的排布方向相反。
其中,在射频输入端,微带线与上腔体接触,实现了射频信号和直流偏置的接地。
其中,射频和本振输入信号在对应的波导中以TE10模式馈入到对应的肖特基二极管中,而由二极管产生的谐波分量会沿着微带线以TEM模式传播,由于这两种模式的正交性,使得该结构中本振端口和射频端口具有非常高的隔离度,有效阻止了信号的相互泄露。
如图4所示,为本发明太赫兹基波混频器中的中频滤波器的结构示意图;本发明中频滤波器采用CMRC(Compact Microstrip Resonant Cell,紧凑微带谐振单元)低通滤波器,在单元CMRC的基础上增加CMRC单元个数并级联,通过不同单元对不同频段的阻带作用级联后消除高频段的寄生通带,达到阻止基波信号、本振信号、射频信号的目的。该结构中去掉CMRC中的带内小微带线耦合结构,使滤波器结构更加简单,且可通过调节不同单元的长度来控制每个单元的抑制频段,实现寄生通带的消除。
如图5所示,为本发明射频E面波导功分器的结构示意图(a)及仿真结果图(b);该波导功分器基于标准波导WR-4.3构成,其结构简单,易于加工,承载功率高,其频率范围由该波导TE10模式截止频率确定。其中,矩形波导输入部分采用了部分减高渐变的结构,这种结构可避免不连续性所导致的电路性能的恶化;在矩形波导分支结构处增加了一个三角楔形结构,控制该楔形结构的长和高可实现功分器在宽频带内良好的匹配特性,提升整体电路性能。由仿真结果可以看出,本发明射频E面波导功分器的回波损耗在标准波导WR-4.3的全频带内(170GHz~260GHz)优于20dB,插入损耗小于0.1dB,其良好的传输性能使得在较宽的频带范围内射频信号都能以较小的损耗加载到两个混频器上,为实现宽频带低损耗混频电路奠定了良好基础。
如图6所示,为本发明本振H面波导功分器的结构示意图(a)及仿真结果图(b);该波导功分器基于标准波导WR-4.3构成,采用3D打印技术加工,不仅可以极大地减小传统微机械加工切断壁电流导致的传输损耗,还可以使电路从传统平面电路转变为立体电路结构。另外,为了实现功分器在宽频带内良好的匹配特性,提升整体电路性能,仍在矩形波导分支结构处使用三角楔形结构。与传统的波导-微带激励方式不同,本发明为了简化结构,避免多级电路加工的复杂性,使用3D打印技术将本振端口于纵向加载,采用了波导从基片正面激励的新型方式,仿真结果显示这种加载方法并不会影响信号的传输特性。由仿真结果可以看出,本振H面波导功分器的回波损耗在标准波导WR-4.3的全频带内(170GHz~260GHz)实现了良好的传输性能,为实现宽频带低损耗混频电路奠定了良好基础。
如图7所示,为本发明中频耦合环的结构示意图;本发明采用经典混合环模型,2端口接匹配负载,中频信号分别由端口1和端口3进入耦合环电路,4端口输出为两个信号的差,即信号反向叠加,而由于耦合环电路与混频器基片相连接,在2端口接外部直流偏置,即可为基波混频器提供所需的偏置电流。
本发明新型的全固态太赫兹接收机前端中,射频功分器、基波混频器、本振功分器均集成在标准波导WR-4.3腔体内,其中,射频功分器、基波混频器的腔体部分在水平方向上加工,而本振功分器则利用3D打印技术在垂直方向上加工,同时,在垂直方向上远离本振功分器的一端打孔,通过探针将直流偏置加载到中频耦合环的环臂上。本发明采用3D打印技术加工本振波导功分器,不仅可以极大地减小传统微机械加工切断壁电流导致的传输损耗,还可以使电路从传统平面电路转变为立体电路结构。
Claims (5)
1.一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器(1)、本振H面波导功分器(6)、中频耦合环(9)、直流偏置(10)、中频信号(11)和两个太赫兹基波混频器,所述太赫兹基波混频器包括射频波导-微带过渡、肖特基二极管、本振波导-微带过渡、中频滤波器;其中,两个太赫兹基波混频器中的肖特基二极管的排布方向相反;
射频信号和本振驱动信号分别经射频波导-微带过渡、本振波导-微带过渡进入肖特基二极管进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被相应的中频滤波器滤掉后,得到的中频信号分别经由相应的中频滤波器输出,进入中频耦合环,经180°相位变换后,输出中频信号。
2.一种新型的全固态太赫兹接收机前端,包括射频E面波导功分器(1)、本振H面波导功分器(6)、中频耦合环(9)、直流偏置(10)、中频信号(11)、第一太赫兹基波混频器(2-1)和第二太赫兹基波混频器(2-2),所述第一太赫兹基波混频器(2-1)包括第一射频波导-微带过渡(3-1)、第一肖特基二极管(4-1)、第一本振波导-微带过渡(7-1)、第一中频滤波器(8-1),所述第二太赫兹基波混频器(2-2)包括第二射频波导-微带过渡(3-2)、第二肖特基二极管(4-2)、第二本振波导-微带过渡(7-2)、第二中频滤波器(8-2);其中,所述第一肖特基二极管(4-1)和第二肖特基二极管(4-2)均由两个同向串联的二极管组成,且第一肖特基二极管(4-1)和第二肖特基二极管(4-2)中二极管的排布方向相反;
射频信号经射频E面波导功分器(1)平分为等幅同向的两路信号后,分别进入第一太赫兹基波混频器(2-1)和第二太赫兹基波混频器(2-2),进入第一太赫兹基波混频器(2-1)的信号经第一射频波导-微带过渡(3-1)进入第一肖特基二极管(4-1),进入第二太赫兹基波混频器(2-2)的信号经第二射频波导-微带过渡(3-2)进入第二肖特基二极管(4-2);
本振驱动信号经本振H面波导功分器(6)平分为等幅同向的两路信号后,分别进入第一太赫兹基波混频器(2-1)和第二太赫兹基波混频器(2-2),进入第一太赫兹基波混频器(2-1)的信号经第一本振波导-微带过渡(7-1)进入第一肖特基二极管(4-1),进入第二太赫兹基波混频器(2-2)的信号经第二本振波导-微带过渡(7-2)进入第二肖特基二极管(4-2);
第一肖特基二极管(4-1)将射频信号和本振驱动信号进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被第一中频滤波器(8-1)滤掉,得到的中频信号经第一中频滤波器(8-1)的输出端口输出;第二肖特基二极管(4-2)将射频信号和本振驱动信号进行混频处理,混频产生的各次谐波分量被第二中频滤波器(8-2)滤掉,得到的中频信号经第二中频滤波器(8-2)的输出端口输出;第一中频滤波器(8-1)和第二中频滤波器(8-2)输出的中频信号进入中频耦合环(9),经180°相位变换后,输出中频信号(11)。
3.根据权利要求1或2所述的新型的全固态太赫兹接收机前端,其特征在于,所述本振H面波导功分器采用3D打印技术得到,将信号由纵向加载到微带基片上。
4.根据权利要求1或2所述的新型的全固态太赫兹接收机前端,其特征在于,所述直流偏置通过探针加载于中频耦合环的一条分支线上,为两个太赫兹基波混频器提供直流偏置。
5.根据权利要求2所述的新型的全固态太赫兹接收机前端,其特征在于,所述第一中频滤波器和第二中频滤波器为CMRC低通滤波器。
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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CN107342780B CN107342780B (zh) | 2022-12-09 |
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ID=60217196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710630619.4A Active CN107342780B (zh) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 一种新型的全固态太赫兹接收机前端 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107911177A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-13 | 四川众为创通科技有限公司 | 太赫兹小型化多功能集成接收机前端 |
CN109217894A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-15 | 四川大学 | 一种金属三维打印的用于卫星通信的无源射频前端 |
CN113572431A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-29 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种太赫兹固态基波混频器电路 |
CN114567529A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-31 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 单边带调制系统、方法、装置及终端设备 |
CN115225109A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-10-21 | 电子科技大学(深圳)高等研究院 | 一种太赫兹频分双工i/q调制解调收发前端 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104362421A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-02-18 | 电子科技大学 | 一种单基片集成的太赫兹前端 |
CN105048967A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-11-11 | 电子科技大学 | 一种340GHz八次谐波混频器 |
-
2017
- 2017-07-28 CN CN201710630619.4A patent/CN107342780B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104362421A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-02-18 | 电子科技大学 | 一种单基片集成的太赫兹前端 |
CN105048967A (zh) * | 2015-08-20 | 2015-11-11 | 电子科技大学 | 一种340GHz八次谐波混频器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
艾才杰: "太赫兹固态接收前端研究", 《中国知网》 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107911177A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-13 | 四川众为创通科技有限公司 | 太赫兹小型化多功能集成接收机前端 |
CN107911177B (zh) * | 2017-12-21 | 2024-05-10 | 四川众为创通科技有限公司 | 太赫兹小型化多功能集成接收机前端 |
CN109217894A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-15 | 四川大学 | 一种金属三维打印的用于卫星通信的无源射频前端 |
CN113572431A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-10-29 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种太赫兹固态基波混频器电路 |
CN114567529A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-05-31 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 单边带调制系统、方法、装置及终端设备 |
CN114567529B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-08-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 单边带调制系统、方法、装置及终端设备 |
CN115225109A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-10-21 | 电子科技大学(深圳)高等研究院 | 一种太赫兹频分双工i/q调制解调收发前端 |
CN115225109B (zh) * | 2022-09-20 | 2022-11-29 | 电子科技大学(深圳)高等研究院 | 一种太赫兹频分双工i/q调制解调收发前端 |
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