CN107332440B - 一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，包括第一充电单元、控制监测单元、n/2个第一储能单元，第一组晶闸管开关、第二组晶闸管开关、第一熔断器、第二熔断器、n/2个第二储能单元，第二充电单元，耦合电抗器Lm、汇流母排、m路调波电感；耦合电抗器Lm包括第一绕组、第二绕组，第一绕组的同名端和第二绕组的异名端均与汇流母排连接，第一绕组的异名端通过第一组晶闸管开关连接至第一熔断器的一端，第二绕组的同名端通过第二组晶闸管开关连接至第二熔断器的一端。本发明利用耦合电抗器在两组晶闸管开关导通动作出现时延差时，耦合电抗器能够使未导通的晶闸管开关两端的电压差钳制保持高压，有助于晶闸管开关快速导通。

Description

一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路

技术领域

本发明属于脉冲功率技术、高电压技术、强激光技术和电力电子技术的交叉复合领域，涉及一种可以采用大功率可控硅晶闸管开关、用于氙灯激励型高能激光器的泵浦电源装置。

背景技术

激光技术在工业生产和科学探测中有着广泛的应用，泵浦源是激光器的重要组成部分。作为固体激光器的泵浦源，氙灯具有发光量大、闪光时间短、光谱性能良好等特点。因此，氙灯常被作为激光设备的光源。如美国国家点火装置就用了数千支脉冲氙灯。

用于大型高功率激光器的强激光技术需要使用大尺寸高压氙灯，其长度往往在1000mm以上，内部气压也很高。脉冲氙灯发光虽然是以脉冲形式进行放电并发光，但其根本上还是遵循的放电气体理论。因此，在其发光过程中需要一个能提供强大功率的脉冲泵浦电源。以电容器为储能单元的大功率脉冲泵浦电源是强激光装置初级能源激励系统的重要组成部分，通过充电电容器在极短时间内放电，脉冲氙灯可以获得连续光源无法得到的极强的瞬时功率，从而给出极强的瞬时光输出。

开关在脉冲泵浦电源中起着特殊重要的作用，它起着连接储能器件与负载的作用。开关技术往往成为决定脉冲泵浦电源输出脉冲波形的最为关键的技术之一，开关的性能也决定了脉冲电源的性能。

对于高功率激光器的泵浦电源系统来说，其工作电流达到了数百kA，转移电荷接近100C，负载功率达到吉瓦以上，要求开关具有很高的可靠性，较长的寿命，以及合理的价格，目前主流的脉冲功率开关器件是气体间隙类开关(包括低气压的真空开关)和固体半导体开关两大类。

气体间隙类开关单体耐高压能力、通流能力、抗负载故障能力都很强，造价也很低廉，但缺点是触发电路复杂、寿命有限、维护工作量较大、长期使用的经济性较差。

固体半导体开关的特性有：高重复频率、脉冲宽度可调、可快速导通关断、长寿命、可靠性高、维护方便。因此，固体半导体开关应用于脉冲功率源的开关器件己经成为一种趋势。但由于目前固体半导体开关器件单体的工作电压、工作电流都很有限，因此必须通过半导体开关器件的串、并联来实现开关的耐高压和大通流能力。大功率可控硅晶闸管就是这类开关的典型代表。但是，采用这种方法的同时必须解决好开关器件的同步控制、电压电流均衡等问题。

以通流能力为例，当脉冲泵浦电源需要输出总峰值电流500kA以上的能量时，当前世界上最大尺寸的6英寸可控硅晶闸管，通流峰值能力也不超过330kA，所以必须由2组或2组以上的可控硅晶闸管开关组件，并联形成能满足500kA通流峰值能力的开关整体。任何实际的开关从断态转为通态总是需要一定时延的，这样，就可能出现这2组开关导通时延不一致引起的先后导通甚至一路导通，另一路导通失败的情况，先导通的开关必然承担更高的电流和更大的通态电流上升率(di/dt)，此时开关很容易损坏，各种保护措施也十分复杂。

根据电路理论原理，可以采取一种模块化的电流叠加方法，实现更大的输出电流，简单举例，即利用2组参数相同、相对独立、输出250kA的脉冲泵浦电源，同时放电，就可以在负载上两两相加实现500kA的峰值电流。但这种情况下，导通时延不一致时，先导通的开关会提升负载上的电位，引起后启动导通的开关阴极阳极两端电位差降低，导通更慢这一新的问题。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明提供了一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，其目的在于采用耦合电抗器在两组晶闸管开关导通动作出现时延差时，耦合电抗器能够使未导通的晶闸管开关两端的电压差钳制保持高压，有助于晶闸管开关快速导通，旨在解决现有技术中当脉冲强激光电源输出电流大于晶闸管开关耐受电流值时，必须采用两组晶闸管开关分流，从而导致结构复杂，导通速度慢的技术问题。

本发明提供了一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，包括：第一充电单元、控制监测单元、n/2个相互并联连接的第一储能单元，第一组晶闸管开关K1、第二组晶闸管开关K2、第一熔断器F1、第二熔断器F2、n/2个相互并联连接的第二储能单元，第二充电单元，耦合电抗器Lm、汇流母排、m路并联连接的调波电感L_2-m；耦合电抗器Lm包括第一绕组、第二绕组，所述第一绕组的同名端和第二绕组的异名端均与所述汇流母排连接，所述第一绕组的异名端通过所述第一组晶闸管开关K1连接至所述第一熔断器F1的一端，所述第一熔断器F1的另一端连接至所述第一储能单元的高压端，所述第二绕组的同名端通过所述第二组晶闸管开关K2连接至所述第二熔断器F2的一端，所述第二熔断器F2的另一端连接至所述第二储能单元的高压端，所述第一储能单元的低压端和所述第二储能单元的低压端均接地；所述第一绕组的励磁电感和所述第二绕组的励磁电感相等；所述第一充电单元用于根据第一充电控制信号对所述第一储能单元进行充电；所述第二充电单元用于根据第二充电控制信号对所述第二储能单元进行充电；所述控制监测单元用于为所述第一充电单元提供所述第一充电控制信号，为所述第二充电单元提供所述第二充电控制信号，并为所述第一组晶闸管开关K1和所述第二组晶闸管开关K2提供同步触发信号；所述汇流母排的输出端并联连接m路调波电感L_2-m的一端，每路调波电感另一端作为脉冲强激光泵浦电源电路的电流输出端用于为氙灯提供激励电流；m、n均为正整数。

更进一步地，所述第一储能单元和所述第二储能单元的结构相同，均包括：依次串联连接的电容和保护阻抗器，所述电容用于储存能量，所述保护阻抗器用于当电容器在充电过程中发生内部短路击穿后，吸收其余并联的正常电容器会对该台电容器灌注的能量。

更进一步地，保护阻抗器包括：依次串联连接的电感和电阻；所述电感的非串联连接端与所述电容连接，所述电阻的非串联连接端作为储能单元的高压端。

更进一步地，调波电感的输出端通过电缆与氙灯连接。

更进一步地，m个调波电感成环形等间距布置。

更进一步地，第一组晶闸管开关K1与所述第二组晶闸管开关K2沿着所述耦合电抗器的中心轴对称布置；n/2个第一储能单元布置在所述第一组晶闸管开关K1侧，另n/2个第二储能单元布置在所述第二组晶闸管开关K2侧，使得所述第一储能单元和所述第二储能单元沿所述耦合电抗器的中心轴对称。

更进一步地，耦合电抗器的耦合系数为0.6～1.0。

更进一步地，耦合电抗器的第一绕组和第二绕组通过相同电流时的等值电感应为脉冲强激光泵浦电源电路的等效总电感值的2％～6％。

总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：

(1)利用耦合电抗器，在两组晶闸管开关导通动作出现时延差时，耦合电抗器能够使未导通的晶闸管开关两端的电压差钳制保持高压，有助于晶闸管开关快速导通。

(2)通过将第一储能单元与第二储能单元高压端之间相互分开，使第一储能单元与第二储能单元在放电过程中一直保持相互电气独立。单体开关器件所需的通流峰值显著下降，因此可以用性能较低、价格较便宜的小尺寸晶闸管串联替代大尺寸高性能晶闸管串联来制造开关，也可以让使用固体半导体晶闸管开关的泵浦电源最大输出电流能力翻倍，技术经济性明显提高。

(3)该装置布局合理、紧凑，主要柜体内储能电容器、保护阻抗器对称排列，能够平衡大电流通过造成的电动力冲击，提高设备使用的安全性和经济性。

附图说明

图1为本发明实施例中基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路示意图；

图2为本发明实施例中耦合电抗器对未导通的晶闸管开关两端的电压钳制作用效果的对比图；

图3为本发明实施例中耦合电抗器两个绕组与两组晶闸管和汇流母排之间的一种连接实现方式示意图；

图4为本发明实施例中脉冲泵浦电源装置的布局图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明针对6英寸或6英寸以上可控硅晶闸管开关组件，提出一种模块化的、带耦合电抗器、可以提高开关同步导通性的脉冲泵浦电源电路，特别适合实现在数百千安峰值大电流、数百微秒长脉宽的脉冲电源中经济有效、安全可靠地使用半导体可控硅晶闸管开关。

针对脉冲强激光泵浦电源中使用半导体可控硅晶闸管开关的需求，本发明提供了一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，旨在解决当脉冲强激光电源输出电流大于晶闸管开关耐受电流值而必须采用两组晶闸管开关分流时，省去晶闸管的均流措施降低固体半导体开关的复杂性，保证两组开关的同步性，使得脉冲电源输出更大电流同时保证电源的安全可靠性。

本发明提供了一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，其采用半导体可控硅晶闸管开关作为主放电电路的开关，其包括充电单元、控制监测单元、储能单元、熔断器、晶闸管开关、耦合电抗器、汇流母排、调波电感、氙灯，其中，

晶闸管开关包括两组晶闸管开关组件，储能单元也分为两组，两组晶闸管开关的一端分别连接一个熔断器后再连接一组储能单元，另一端连接耦合电抗器。

耦合电抗器包括2个具备相互磁耦合的绕组，第一绕组、第二绕组各有一端绞合在一起与汇流母排连接，第一绕组的另外一端通过第一组晶闸管开关连接至第一熔断器后再连接第一储能单元的高压端，第二绕组的另外一端通过第二组晶闸管开关连接至第二熔断器后再连接第二储能单元的高压端。

第一储能单元和第二储能单元的低压端都接地，高压端通过各自独立的熔断器和晶闸管开关连接到汇流母排，当晶闸管开关呈开断状态时，两组储能电容器组的高压端是相互绝缘的；

第一充电单元用于根据第一充电控制信号对所述第一储能单元进行充电；第二充电单元用于根据第二充电控制信号对所述第二储能单元进行充电。控制监测单元用于为第一充电单元和第二充电单元提供所述第一充电控制信号和第二充电控制信号，并为第一组晶闸管开关K1和第二组晶闸管开关K2提供同步触发信号。汇流母排的输出端并联连接m路调波电感L_2-m，每路调波电感另一端作为脉冲强激光泵浦电源电路的电流输出端用于为氙灯提供激励电流。

其中，耦合电抗器的两个绕组存在电磁耦合，每个绕组2个端子，共有4个端子，按照电流流入和流出方向分别定义为第一绕组的电流流入端、第一绕组的电流流出端、第二绕组的电流流入端、第二绕组的电流流出端。

根据电磁耦合原理的规定，第一、第二绕组的电流流入端互为同名端，第一、第二绕组的电流流出端也互为同名端；第一绕组的电流流入端与第二绕组的电流流出端互为异名端，第一绕组的电流流出端与第二绕组的电流流入端也互为异名端。

就电磁耦合关系看，耦合电抗器的第一绕组和第二绕组，必须满足两者励磁电感值相等，电磁耦合关系为异名端相连到汇流母排上，使得第一绕组的电流流入-流出方向和第二绕组中的电流流入-流出方向正好相反，通过电流时形成的感应电动势方向也相反。

使用耦合电抗器的目的在于，两组晶闸管开关的导通动作总会存在时延差，当一组晶闸管开关首先导通时，导通支路的电流会在还未导通支路的耦合电抗器绕组上产生反向感应电动势，这时还未导通支路的晶闸管开关两端的电压差能被钳制保持高电压，对于半导体开关器件，阴极、阳极之间的电压差较高有利于快速导通形成电流，从而缩短后导通晶闸管开关的时延，客观上促进两组晶闸管开关导通动作的同步一致性。

在本发明实施例提供的一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路中，耦合电抗器的耦合系数在0.6～1.0之间，耦合电抗器的两个绕组通过相同电流时的等值电感应为脉冲强激光泵浦电源电路的等效总电感值的2％～6％。

在本发明实施例提供的一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路中，储能单元分成两组，高压端之间相互分开。电源工作时，两台充电机分别给两组储能单元充电，整个充放电过程，两组储能单元之间一直保持相互电气独立，由触发信号同时同步触发所有的晶闸管开关组件导通，电流汇流到母排处形成电流叠加，形成高峰值大功率电流波形。

在本发明实施例提供的一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路中，每组晶闸管开关和储能单元的高压端之间连接着一个熔断器，其目的是当汇流母排发生接地故障时，短路电流上升到某一值时，熔断器的熔丝会熔断，起截断电流的作用，避免短路电流过大对母排及其它设备造成巨大的冲击。

在本发明实施例提供的一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路中，一组储能单元由n/2个储能单元构成，每个储能单元包括一台金属化膜电容器和一台保护阻抗器，其中，每台金属化膜电容器连接一台保护电抗器构成一组储能单元的一条并联支路。两组储能单元的高压端分别连接一个熔断器后再连接到前述独立的2组晶闸管开关上，再由耦合电抗器连接在一个汇流母排的输入端，汇流母排的输出端并联连接若干条负载支路，其中，每条负载支路由一个调波电感通过电缆连接一台大功率氙灯构成。

作为本发明的一个实施例，每组晶闸管开关由若干单个晶闸管开关组成，其中单个晶闸管开关主要由晶闸管、晶闸管保护电路、触发电路以及控制电路等四个部分组成。触发电路给晶闸管的门控极施加一个触发信号用以控制它的通断，对单个晶闸管作开关而言，保护电路主要用来限制晶闸管阳极和阴极之间的电压上升率，防止出现误导通，同时也可以抑制晶闸管上出现的过电压。控制电路对晶闸管的触发电路进行控制，控制其是否给出触发信号对晶闸管进行触发。

在本发明实施例中，基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路还包括充放电模块机柜、充电控制机柜以及电流调制机柜，其中，所述储能电容器、保护阻抗器、熔断器、晶闸管开关、耦合电抗器和汇流母排都设置在充放电模块机柜中，所述调波电感设置在所述电流调制机柜中，所述充放电模块机柜一端连接所述电流调制机柜，且另一端连接所述充电控制机柜，所述充放电模块机柜、充电控制机柜以及电流调制机柜采用等电位共地接地的接地方式。

在本发明实施例中，充电控制柜内包括控制监测单元和充电单元，所述控制监测单元和充电单元呈现上、下排列，上部设置控制监测单元，下部设置充电单元，所述控制监测单元用于接收外部指令，对充电单元进行控制，还用于接收外部指令，对充放电模块机柜中的晶闸管开关组件给出同步触发信号，还用于监测、记录脉冲泵浦电源的工作信息，所述充电单元用于给充放电模块机柜中的储能电容器充电。

在本发明实施例中，充放电模块机柜中的储能电容器、保护阻抗器沿所述耦合电抗器的中心轴对称排列，所述汇流母排设置在所述充放电模块机柜中部。两组储能单元的储能电容器、保护阻抗器对称排列，能够有效利用脉冲电源的空间体积，且中心轴对称的储能单元输出电流放电方向相对，大小基本相等，有助于平衡大电流通过器件时造成的电动力冲击，提高设备使用的安全性和经济性。

在本发明实施例中，电流调制机柜位于所述充放电模块机柜的顶部上方，所述电流调制机柜内设置有若干调波电感，若干调波调波电感成环形等间距布置。这是因为，根据电磁耦合原理，调波电感之间存在耦合作用，环形等间距布置的调波电感能够平衡调波电感之间相互的耦合作用，使流过调波电感支路的电流更加均衡。每个调波电感通过电缆连接一路氙灯。

在本发明实施例中，工作时，充电控制机柜输入380V交流市电，充电控制机柜的充电单元输出放电子模块中储能电容器所需的工作储能直流电压，并对充电电压进行监测。

本发明实施例中，强激光具体是指激光功率超过10的6次方瓦特的激光。

下面结合具体的实施例进一步详细说明本发明的脉冲强激光泵浦电源电路。

图1为本发明实施例中基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源整体电路示意图。如图1所示，假设电源装置包括20台储能电容器，标记为C1-1至C1-20，每个电容器连接有一个保护阻抗器，保护阻抗器的电阻分别标记为R1-1至R1-20，电感分别标记为L1-1至L1-20。由图1电路可知，当电容器在充电过程中发生内部短路击穿，其余并联的正常电容器会对该台电容器发生能量“灌注”，导致故障电容器短时间电流过大而爆裂。保护阻抗器由具有一定吸能特性的金属材料制成，在电流过大时阻抗会显著增大，相当于吸收其余电容器的能量，防止故障电容器爆裂。

在图1中，二十台电容器及其保护阻抗器被分成两组，C1-1至C1-10连接熔断器F1后再连接到半导体可控硅晶闸管开关K1，C1-11至C1-20连接熔断器F2后再连接到半导体可控硅晶闸管开关K2，两组储能单元的高压端保持电气独立。电源工作时，两台充电机分别给两组储能单元充电，整个充放电过程，两组储能单元之间一直保持相互电气独立。K1和K2在控制监测单元的指令下同时触发闭合，通过K1和K2的电流在汇流母排处叠加形成高峰值大功率电流波形。

图1中每组晶闸管开关和每组储能单元的高压端之间连接着一个熔断器，分别标记为F1和F2。由图1电路可知，是当汇流母排发生接地故障时，巨大的短路电流对母排及其它设备造成巨大的冲击。熔断器的熔丝会在短路电流上升到某一值时，发生熔断，起截断电流的作用。避免短路电流过大对母排及其它设备造成巨大的冲击。

在图1中，2组半导体可控硅晶闸管开关K1和K2组成结构相同，都是由5个单体晶闸管开关串联组成，分别为K1-1至K1-5和K2-1至K2-5。其中单个晶闸管开关主要由晶闸管、晶闸管保护电路、触发电路以及控制电路等四个部分组成。触发电路给晶闸管的门控极施加一个触发信号用以控制它的通断，对单个晶闸管作开关而言，保护电路主要用来限制晶闸管阳极和阴极之间的电压上升率，防止出现误导通，同时也可以抑制晶闸管上出现的过电压。控制电路由光纤发射器、光纤和光纤接收器组成，前端控制信号与后端高压之间采用光纤进行隔离以避免控制电路与触发电路易被高压击坏。控制电路对晶闸管的触发电路进行控制，控制其是否给出触发信号对晶闸管进行触发。两组晶闸管开关中的单体晶闸管的触发信号都由控制监测单元中同一个初始控制信号进行控制。

2组半导体可控硅晶闸管开关K1和K2通过耦合电抗器Lm构成并联连接关系。具体做法是：

(1)开关K1和K2分别有2个接头，一个接头连接熔断器后连接储能单元，另一个接头连接耦合电抗器Lm的一个绕组。

(2)耦合电抗器Lm包括2个耦合绕组，这两个耦合绕组的励磁电感相等，可以通过使用相同参数结构来实现，例如使用相同材料、相同机械尺寸、相同绕组匝数等；每个绕组包括2个接头，一个接头与开关K1或K2相连，另一个接头连接到汇流母排上；连接到汇流母排的两个绕组接头可以绞合在一起形成一个接头，也就是如图1所示的样式。

(3)耦合电抗器Lm的2个耦合绕组要注意根据电流在绕组中的流动方向，区分电流流入端和电流流出端，图2中，第一绕组的接头1是电流流入端，接头3是电流流出端，第二绕组的接头4是电流流入端，接头2是电流流出端。则接头1和接头4互为同名端，接头2和接头3互为同名端；相应的，接头1和接头2互为异名端，接头3和接头4互为异名端。图1和图2中，同名端接头用星号“*”来标示。

(4)图2中，要满足电磁耦合关系为异名端相连到汇流母排上，则接头1与第一组晶闸管开关K1相连，接头4与第二组晶闸管开关K2相连，互为异名端的接头2和接头3通过适当的布线方式共同连接到汇流母排上。如此，正好使得第一绕组的电流流入-流出方向(即从接头1到接头3)和第二绕组中的电流流入-流出(即从接头4到接头2)方向正好相反，根据电磁感应定律，两个绕组通过电流时形成的感应电动势方向也正好相反。

图1中从汇流母排输出20路氙灯支路，每个支路上包括一个调波电感(调波电感分别以L2-1至L2-20表示)、一段电缆(电缆以TL1-1至TL1-20表示)以及两只氙灯(氙灯分别以LT1-1、LT1-2至LT20-1、LT20-2表示，其中，LT1-1和LT1-2表示同一组氙灯，其对应连接TL1-1电缆和L2-1调波电感，同理，LT20-1、LT20-2也为同一组氙灯，其对应连接TL1-20电缆和L2-20调波电感，其他依次类推)。这些为本技术领域常规设计，亦可以是其他数目的支路和氙灯数目，在此不做赘述。

在本发明申请的技术领域，目前已知6英寸半导体可控硅晶闸管单体阀片，耐压6.5kV，通流峰值能力330kA，5英寸半导体可控硅晶闸管单体阀片，耐压6.5kV，通流峰值能力280kA，4英寸半导体可控硅晶闸管单体阀片，耐压6.0kV，通流峰值能力200kA。随着半导体晶元的直径减小，单体阀片价格也会指数下降，工艺可靠性则会指数上升。

假设图1中，充放电电压31kV，所有20路氙灯支路总的电流峰值之和(即通过汇流母排电流)要达到500kA，只能使用气体间隙类开关；但利用本电路，可以用两组通流能力280kA的5英寸半导体可控硅晶闸管，每组五个单体晶闸管串联，分别构成K1和K2。耦合电抗器的等效电感值需要满足当一组晶闸管开关首先导通时，另一组未导通的晶闸管开关两端的电压差能被钳制保持高压。这时耦合电抗器的耦合系数可以取0.9左右，耦合电抗器的等值电感根据本电源电路的等效总电感值的设定有一个最优取值范围，为本电源电路的等效总电感值的2％～6％。

假设图1中，储能电容器的充电电压为31kV，回路中的总电容为3040μF，回路中的总电感值为7μH，电阻为5.2M。当本电流中无耦合电抗器时，电容器组的充电电压达到31kV时，给其中一组晶闸管开关施加触发信号，另外一组晶闸管开关不施加触发信号，未导通的晶闸管开关两端的电压如图3(a)所示。由图可知，在其中一组晶闸管开关导通时刻(左边第一根虚线)之后0.3μs时刻，未导通的晶闸管开关两端电压会下降至20kV，减少1/3左右。1.0μs后，未导通的晶闸管开关两端电压会下降至15kV，减少1/2左右。

当本电路中加入耦合电抗器时，耦合电抗器的等值电感取0.25μH(占回路总电感3.6％)，耦合电抗器的耦合系数取0.9。同样，电容器组的充电电压达到31kV时，给其中一组晶闸管开关施加触发信号，另外一组晶闸管开关不施加触发信号，未导通的晶闸管开关两端的电压如图3(b)所示。由图可知，在其中一组晶闸管开关导通时刻(左边第一根虚线)之后0.3μs时刻，未导通的晶闸管上电压基本保持在31kV电容充电电压值，即便考虑其他控制时延，1.0μs后，未导通的晶闸管上电压仍然在31kV左右。由于晶闸管两端电压越高，其导通速度越快。对比图3(a)与3(b)可知本电路中加入耦合电抗器对于保持晶闸管阴极、阳极两端电压差，促进触发极信号到达时，后导通的晶闸管快速导通是有利的。当耦合电抗器的等效电感取值太小，一组晶闸管开关首先导通时，导通支路的电流在还未导通支路的绕组上产生反向感应电动势过低，将无法使还未导通支路的晶闸管开关两端的电压差能被钳制保持高压，未导通支路的晶闸管开关两端的电压将迅速降落，不利于晶闸管开关的快速导通。

当本电路中加入耦合电抗器时，耦合电抗器的等值电感取0.5μH(占回路总电感7.1％)，耦合电抗器的耦合系数取0.9。同样，电容器组的充电电压达到31kV时，给其中一组晶闸管开关施加触发信号，另外一组晶闸管开关不施加触发信号，未导通的晶闸管开关两端的电压如图3(c)所示。由图可知，在其中一组晶闸管开关导通时刻(左边第一根虚线)之后0.3μs时刻，未导通的晶闸管上电压会上升到35kV左右，考虑其他控制时延，1.0μs后，未导通的晶闸管上电压会上升到40kV左右。虽然未导通支路的晶闸管开关两端的电压差较大时有利于晶闸管开关的快速导通，但是较高的电压会提高装置的绝缘设计裕度，进而增加了装置的复杂性和成本。

因此所述耦合电抗器的等效电感值应该根据本电源电路的等效总电感值的设定选取在本电源电路的等效总电感值的2％-6％，使回路可以满足，一组晶闸管开关先导通时，导通支路的电流在还未导通支路的绕组上产生的反向感应电动势可以将还未导通支路的晶闸管开关两端的电压差钳制保持高压，并且使晶闸管开关两端的电压差不能有太大的提高。

图4为本发明实施例中脉冲强激光泵浦电源装置的布局图，图4中，从粗实线可以看出，该装置包括充电控制机柜、充放电模块机柜、电流调制机柜三个主要功能机柜。充电控制机柜包括控制监测单元和充电单元两个功能单元，呈现上、下排列，上部为控制监测单元，下部为充电单元。充放电模块机柜中，储能单元的电容器和保护阻抗器以及熔断器和半导体可控硅晶闸管开关，都是沿所述耦合电抗器的中心轴对称分布。第一组晶闸管开关K1和第二组晶闸管开关K2在充放电模块机柜中部的母排上形成汇流。电流调制机柜位于放电模块机柜的顶部上方，其内有与母排连接的若干调波电感，每个调波电感通过电缆连接一路氙灯。

本发明装置在具体实现时，可以有各种变形，例如两台储能电容器共用一个保护阻抗器(只要保护阻抗器设计合理，满足功能要求)，或者电流调制机柜从放电模块机柜侧面连接，以降低总体高度，这些都可视作本发明的等效技术修改。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种基于耦合电抗器的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，包括：第一充电单元、控制监测单元、n/2个相互并联连接的第一储能单元，第一组晶闸管开关K1、第二组晶闸管开关K2、第一熔断器F1、第二熔断器F2、n/2个相互并联连接的第二储能单元，第二充电单元，耦合电抗器Lm、汇流母排、m路并联连接的调波电感L_2-m；

所述耦合电抗器Lm包括第一绕组、第二绕组，所述第一绕组的同名端和第二绕组的异名端均与所述汇流母排连接，所述第一绕组的异名端通过所述第一组晶闸管开关K1连接至所述第一熔断器F1的一端，所述第一熔断器F1的另一端连接至所述第一储能单元的高压端，所述第二绕组的同名端通过所述第二组晶闸管开关K2连接至所述第二熔断器F2的一端，所述第二熔断器F2的另一端连接至所述第二储能单元的高压端，所述第一储能单元的低压端和所述第二储能单元的低压端均接地；

所述第一绕组的励磁电感和所述第二绕组的励磁电感相等；

所述第一充电单元用于根据第一充电控制信号对所述第一储能单元进行充电；

所述第二充电单元用于根据第二充电控制信号对所述第二储能单元进行充电；

所述控制监测单元用于为所述第一充电单元提供所述第一充电控制信号，为所述第二充电单元提供所述第二充电控制信号，并为所述第一组晶闸管开关K1和所述第二组晶闸管开关K2提供同步触发信号；

所述汇流母排的输出端并联连接m路调波电感L_2-m的一端，每路调波电感另一端作为脉冲强激光泵浦电源电路的电流输出端用于为氙灯提供激励电流；m、n均为正整数。

2.如权利要求1所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，所述第一储能单元和所述第二储能单元的结构相同，均包括：依次串联连接的电容和保护阻抗器，所述电容用于储存能量，所述保护阻抗器用于当电容在充电过程中发生内部短路击穿后，吸收其余并联的正常电容会对该电容灌注的能量。

3.如权利要求2所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，所述保护阻抗器包括：依次串联连接的电感和电阻；所述电感的非串联连接端与所述电容连接，所述电阻的非串联连接端作为储能单元的高压端。

4.如权利要求1-3任一项所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，调波电感的输出端通过电缆与氙灯连接。

5.如权利要求1-3任一项所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，m个调波电感成环形等间距布置。

6.如权利要求1-3任一项所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，所述第一组晶闸管开关K1与所述第二组晶闸管开关K2沿着所述耦合电抗器的中心轴对称布置；n/2个第一储能单元布置在所述第一组晶闸管开关K1侧，n/2个第二储能单元布置在所述第二组晶闸管开关K2侧，使得所述第一储能单元和所述第二储能单元沿所述耦合电抗器的中心轴对称。

7.如权利要求1-3任一项所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，所述耦合电抗器的耦合系数为0.6～1.0。

8.如权利要求1-3任一项所述的脉冲强激光泵浦电源电路，其特征在于，所述耦合电抗器的第一绕组和第二绕组通过相同电流时的等值电感应为脉冲强激光泵浦电源电路的等效总电感值的2％～6％。