CN107238992B - 一种半导体光放大器装置和操作方法 - Google Patents
一种半导体光放大器装置和操作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107238992B CN107238992B CN201610183621.7A CN201610183621A CN107238992B CN 107238992 B CN107238992 B CN 107238992B CN 201610183621 A CN201610183621 A CN 201610183621A CN 107238992 B CN107238992 B CN 107238992B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- soa
- optical
- semiconductor
- optical amplifier
- drive electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/39—Non-linear optics for parametric generation or amplification of light, infrared or ultraviolet waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5027—Concatenated amplifiers, i.e. amplifiers in series or cascaded
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/29—Repeaters
- H04B10/291—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
- H04B10/2912—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form characterised by the medium used for amplification or processing
- H04B10/2914—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form characterised by the medium used for amplification or processing using lumped semiconductor optical amplifiers [SOA]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/29—Repeaters
- H04B10/291—Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
- H04B10/293—Signal power control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Abstract
本发明的目的是提供一种半导体光放大器(SOA)装置和操作SOA装置的方法。根据本发明的半导体光放大器(SOA)装置，包括：光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。本发明具有以下优点：与一般的具有一个电极的SOA装置相比，根据本发明的方案能够提高SOA的线性增益且增加SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。
Description
技术领域
本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种半导体光放大器(SOA)装置和操作方法。
背景技术
在当今的无源光网络(Passive Optical Network，PON)及光纤入户网络(fiber-to-the-home，FTTH)中，光放大器将被广泛地应用以延长传输距离并扩大功率分光比。由于可调谐激光源的输出功率低和外部调制带来的插入损耗，需要在下行方向传输信号之前将进行信号放大。另一方面，由于长距离无源传输和高分光比，导致上行的接收信号功率可能非常低。在这样的情况下，需要进行信号预放大来实现在中心站(central office，CO)的无误码接收。此外一些研究组织和网络运营商正在讨论并提议进一步延长光接入网的传输距离和扩展分光比，其传输距离将延至100公里，分光比高达1:256甚至1:1024。为了实现长距离光网络传输，系统损耗预算将大幅增加。
在所有光放大器中，半导体光放大器(semiconductor opticalamplifier，SOA)将成为最有潜力的候选，从而增加同一CO业务的客户数量及传输距离，这是由于其偏振不敏感的增益特性，较低的成本，较低的噪声系数和较高的增益。此外SOA超宽的增益谱区间(1280nm到1650nm)使得其相对于传统的光纤放大器(erbium doped fiberamplifiers，EDFAs)更具有吸引力。然而，对于SOA的性能要求是具有挑战性的，尤其是在上行传输方向。各个用户的地理位置的差异和多级非对称分光器的网络架构导致了各个用户产生不同的路径损耗，使得输入至SOA的信号功率变化较大。这就需要SOA具有很高的输入功率动态范围(input power dynamics range，IPDR)或很宽的线性区间来实现无失真放大。IPDR的定义为在确保SOA放大过程中无信号失真的情况下允许输入的最大信号功率范围。图1示出了基于现有技术的一种SOA的结构示意图，而基于现有技术的SOA的线性区间有限，导致其IPDR一般较小。
一种现有的提高SOA的线性区间的方式是采用线性光放大器(linearopticalamplifier，LOA)。LOA和SOA都是半导体器件，因此，具有体积小，利于集成和超宽增益谱等优点。由于LOA具有诸如超线性放大增益，高饱和输出、低串扰、低噪声和宽带增益箝制等巨大优势，其可应用于波分复用(wavelength division multiplexing，WDM)网络，尤其是对于多通道信号同时放大。
LOA相对于SOA一个明显区别在于LOA内部需要集成一个垂直腔激光器(vertical-cavity surface-emitting laser，VCSEL)以提供恒定的放大增益，并抑制激光器腔内的增益竞争。由于VCSEL的光输出方向和SOA内光传播路径垂直，VCSEL和SOA的光场相互正交并相互解耦。因此无须从SOA输出端过滤来自VCSEL的光源。
然而，LOA采用增益箝制机制，导致LOA的线性增益比SOA明显降低。若想要进一步地增加LOA的线性区间就必须以降低线性增益作为代价。此外在C+L波段制造高性能的VCSEL的难度尚大，从而导致提高LOA的功率稳定性成为目前的一个技术瓶颈。与SOA相比，制造LOA的成本更高且制造过程更为复杂。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体光放大器(SOA)装置和操作SOA装置的方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种半导体光放大器(SOA)装置，包括：
光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；
控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；
半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。
根据本发明的一个方面，还提供了一种操作SOA装置的方法，其中，所述方法包括以下步骤：
a检测输入到SOA装置的光信号的功率，所述SOA装置具有多个半导体光放大区域和多个驱动电极，每个半导体光放大区域与多个驱动电极中的相应的一个驱动电极相连接，以接收来自该驱动电极的驱动电流。
b基于所检测的输入光信号的功率，调节分别通过所述多个驱动电极注入到所述多个半导体光放大区域的多个电流大小。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：通过调节注入至半导体的光放大器的各个驱动电极的电流大小，与一般的具有一个驱动电极的SOA装置相比，根据本发明的方案能够增加SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了基于现有技术的一种SOA的结构示意图；
图2示出了根据本发明的一种半导体光放大器(SOA)装置的结构示意图；
图3示出了根据本发明的一个实施例的半导体光放大器的结构示意图；
图4示出了根据本发明的一个实施例的SOA装置的结构示意图；
图5示出了根据本发明的一种操作SOA装置的方法示意图；
图6示出了根据本发明的一个示例性的无源光网络示意图。
附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
图2示出了根据本发明的一种半导体光放大器(SOA)装置的结构示意图。根据本发明的SOA装置包括光检测装置1、控制装置2和半导体光放大器3。
其中，所述光检测装置1用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；
优选地，所述光检测装置1包括光电二极管或光电晶体管，用于接收所述光信号的一部分。
其中，所述控制装置2用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极。
具体地，所述控制装置2可将来自光检测装置1的电流分为多路电流将该多路电流分别注入到各个驱动电极。并且，所述控制装置2可调节每个注入到驱动电极的注入电流的大小。
其中，本领域技术人员应可根据实际情况和需要，来确定实现所述控制装置所需要采用的一项或多项元器件，此处不再赘述。
其中，所述半导体光放大器3具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。
优选地，所述半导体光放大器3还包括绝缘区域，所述绝缘区域位于所述上层半导体衬底的表面上，并且，所述绝缘区域的一部分位于所述多个驱动电极的相邻边缘之间。
其中，所述绝缘区域可采用各种电工绝缘材料而形成。
优选地，在所述多个驱动电极的下面和各个驱动电极之间，所述光放大器波导层不具有横向于所述光传播方向的光接口。
例如，参照图3所示的根据本发明的一个实施例的半导体光放大器，该半导体光放大器的衬底包括上层覆盖层和下层覆盖层，光放大器波导层位于在上层覆盖层和下层覆盖层之间，并且，在该半导体光放大器的上层覆盖层的表面有两个电极,在该两个电极之间有二氧化硅材料的隔离层，以形成绝缘区域。
需要说明的是，根据本发明的半导体光放大器3可具有两个以上的驱动电极，而不仅限于图3所示的两个驱动电极。
优选地，根据本发明的SOA装置还包括光分离装置和延时装置。
其中，所述光分离装置用于将所述光信号的一部分传输至所述光检测器并将所述光信号的一部分传输至所述半导体放大器。
其中，所述光分离装置可采用诸如光耦合器或光分离器等可用于对输入光信号进行分离的器件来实现。
其中，所述延时装置被放置于所述光分离器与所述半导体光放大器的输入端之间。
优选地，所述延时装置包括各种可用于将所述校正信号延迟一段时间的装置，例如，一段合适长度的光纤延迟线，或者可使得信号延迟的光器件。
例如，参照4图所示的根据本发明的一个实施例的SOA装置，该SOA装置包括半导体光放大器amp_1，耦合器coupler_1，光电二极管PD_1和控制器con_1，并且，在耦合器coupler_1和半导体光放大器amp_1之间有一段延迟线。其中，半导体光放大器amp_1的半导体衬底的表面上有两个驱动电极electrode_1和electrode_2，该两个驱动电极沿光传播方向的长度相等。
其中，输入光信号经由耦合器coupler_1和延迟线传输至光放大器amp_1，并通过光放大器amp_1进行放大后输出。
其中，光耦合器coupler_1将输入光信号中的一部分传输至光电二极管PD_1。光耦合器coupler_1将输入光信号的其余部分传输至半导体放大器amp_1。
其中，光电二极管PD_1接收来自分离器coupler_1的一部分光信号并进行测量。
其中，所述控制器controller_1接收来自光电二极管PD_1的信号，并根据接收的信号功率强度分为两路分别注入到驱动电极electrode_1和electrode_2，并且，控制器controller_1可基于光电二极管PD_1所测量的功率来分别调节注入到该驱动电极electrode_1和electrode_2的电流大小。
根据本发明的方案，通过调节注入至半导体的光放大器的各个驱动电极的电流大小，与一般的具有一个驱动电极的SOA装置相比，根据本发明的方案能够增SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。
图5示意出了根据本发明的一种操作SOA装置的方法示意图。根据本发明的方法包括步骤S1和步骤S2。
在步骤S1中，光检测装置1检测输入到SOA装置的光信号的功率。
所述SOA装置具有多个半导体光放大区域和多个驱动电极，每个半导体光放大区域与多个驱动电极中的相应的一个驱动电极相连接，以接收来自该驱动电极的驱动电流。
其中，每个放大区域分别接收来自各自对应的驱动电极的驱动电流以实现不同的放大增益，并且，每个放大区域被连接，以确保光信号传输顺畅。
在步骤S2中，控制装置2基于所检测的输入光信号的功率，调节通过所述多个驱动电极注入到所述多个半导体光放大区域的电流大小。
具体地，控制装置2可基于所检测的输入光信号的功率，并基于预定的光信号的功率和各个驱动电极的注入电流大小的对应关系，来调节通过所述多个驱动电极注入到所述多个半导体光放大区域的电流大小。
优选地，响应于所检测的功率小于预定阈值，控制装置3调节一个或多个注入电流大小，使得各个驱动电极的注入电流的比值为第一比值；响应于所检测的功率大于或等于预定阈值，控制装置3调节一个或多个注入电流大小，使得各个驱动电极的注入电流的比值为第二比值。
例如，参照图4所示的SOA装置，用于操作该SOA装置的规则指示：如果输入光信号的功率值小于阈值Pth，则调节注入到electrode_1和electrode_2的电流大小，使得electrode_1和electrode_2对应的电流密度之比为1:1；否则调节注入到electrode_1和electrode_2的电流大小，使得electrode_1和electrode_2对应的注入电流密度之比为0.67:1。
由于两个驱动电极electrode_1和electrode_2的体积相等，则分别注入到electrode_1和electrode_2的电流I1和I2的比值等于electrode_1和electrode_2的注入电流密度的比值。
基于该规则，如果PD_1所检测的输入光信号的功率值小于阈值Pth，则控制器controller_1调节注入电流I1和I2的大小，使得I1:I2等于1:1。如果PD_1所检测的输入光信号的功率值大于或等于阈值Pth，则控制器controller_1调节注入电流I1和I2的大小，使得I1:I2等于0.67:1。
根据本发明的方法，通过调节注入至半导体的光放大器的各个驱动电极的电流大小，与一般的具有一个驱动电极的SOA装置相比，根据本发明的方法能够增加SOA的线性放大区间，从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大，进一步避免信号传输的失真。
图6示出了根据本发明的一个示例性的无源光网络示意图。
参照图6，该无源光网络包括中继节点，N个光网络单元(ONU_1至ONU_N)，两个分离器spliter_1和spliter_2，其中spliter_1是一进四出，spliter_2是一进十六出。其中，该中继节点中包含如图4所示的SOA装置。
其中，ONU_1与分离器spliter_1相连接，ONU_2至ONU_N与spliter_2相连接，并经由分离器spliter_2与spliter_1相连接，其中，ONU_1与spliter_1相距20千米，ONU_2与spliter_1相距20千米，spliter_2与spliter_1之间的距离小于100米。
其中，ONU_1和ONU_2向中继节点传输数据时，假设所有光网络单元的激光发射器的输出功率均为0dBm，ONU_1和ONU_2各自的总功率损失和到达SOA装置输入端的接收功率如下表1所示：
表1
基于上表1，ONU_1和ONU_2的总的IPDR为12dB。对来自ONU_1的信号进行放大时，SOA装置中的控制器调节注入电流I1和I2的大小，使得I1:I2等于0.67:1。对来自ONU_2的信号进行放大时，控制器调节注入电流I1和I2的大小，使得I1:I2等于1:1，从而保证来自ONU_1和ONU_2的信号都在线性区间中被放大。而如果使用一般的具有一个驱动电极的SOA装置对来自ONU_1的信号进行放大时则可能发生信号失真，因为对于该一个驱动电极的SOA，可允许的最大输入光功率是-11dB。
根据本发明的SOA装置可置于多个网络节点，例如，在CO中作为下行信号功率增强装置或上行信号预放大装置，或者在中继节点(Remote Node，RN)中作为传输距离扩展装置等等。本领域技术人可根据实际需求，将根据本发明的SOA装置部署到合适的网络节点中。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
Claims (6)
1.一种半导体光放大器(SOA)装置，包括：
光检测装置，用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率；
控制装置，用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极；
半导体光放大器，具有上层半导体衬底和下层半导体衬底，所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层，并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上，所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸；
其中，所述控制装置能够将注入到驱动电极中的第一驱动电极的电流调整为多个不同的非零值，使得响应于所检测的功率小于预定阈值，第一驱动电极和第二驱动电极的注入电流的比值为第一比值，响应于所检测的功率大于预定阈值，第一驱动电极和第二驱动电极的注入电流的比值为第二比值。
2.根据权利要求1所述的SOA装置，其中，所述半导体光放大器包括绝缘区域，所述绝缘区域位于所述上层半导体衬底的表面上，并且，所述绝缘区域的一部分位于所述多个驱动电极的相邻边缘之间。
3.根据权利要求1或2所述的SOA装置，其中，在所述多个驱动电极的下面和各个驱动电极之间，所述光放大器波导层不具有横向于所述光传播方向的光接口。
4.根据权利要求1或2所述的SOA装置，其中，所述光检测器包括光电二极管或光电晶体管，用于接收所述光信号的一部分。
5.根据权利要求1或2所述的SOA装置，其中，所述SOA装置还包括：
光分离装置，用于将所述光信号的一部分传输至所述光检测器并将所述光信号的一部分传输至所述半导体放大器；
延时装置，所述延时装置被放置于所述光分离器与所述半导体光放大器的输入端之间。
6.一种操作SOA装置的方法，其中，所述方法包括以下步骤：
检测输入到SOA装置的光信号的功率，所述SOA装置具有多个半导体光放大区域和多个驱动电极，每个半导体光放大区域与多个驱动电极中的相应的一个驱动电极相连接，以接收来自该驱动电极的驱动电流；
基于所检测的输入光信号的功率，调节分别通过所述多个驱动电极注入到所述多个半导体光放大区域的多个电流大小，使得驱动电极中的第一驱动电极的电流具有多个不同的非零值，使得响应于所检测的功率小于预定阈值，第一驱动电极和第二驱动电极的注入电流的比值为第一比值，响应于所检测的功率大于预定阈值，第一驱动电极和第二驱动电极的注入电流的比值为第二比值。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610183621.7A CN107238992B (zh) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 一种半导体光放大器装置和操作方法 |
| PCT/IB2017/000603 WO2017168259A1 (en) | 2016-03-28 | 2017-03-21 | Semiconductor optical amplifier device and method of operating it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610183621.7A CN107238992B (zh) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 一种半导体光放大器装置和操作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107238992A CN107238992A (zh) | 2017-10-10 |
| CN107238992B true CN107238992B (zh) | 2021-05-25 |
Family
ID=58745281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610183621.7A Active CN107238992B (zh) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | 一种半导体光放大器装置和操作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107238992B (zh) |
| WO (1) | WO2017168259A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117411554B (zh) * | 2023-12-15 | 2024-03-29 | 深圳市欧深特信息技术有限公司 | 一种光模块内soa的控制方法以及光模块 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746067A1 (en) * | 1995-06-03 | 1996-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Variable coherence light source |
| EP0841733A1 (en) * | 1996-11-06 | 1998-05-13 | Nec Corporation | Semiconductor optical functional device and method of driving the same |
| CN1286413A (zh) * | 1999-08-25 | 2001-03-07 | 朗迅科技公司 | 光放大器的快速增益控制 |
| CN1388614A (zh) * | 2002-06-14 | 2003-01-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 半导体激光器光频光强调制器 |
| CN1734341A (zh) * | 2005-08-09 | 2006-02-15 | 华中科技大学 | 一种半导体光放大器 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731427B1 (en) * | 2001-09-06 | 2004-05-04 | Onetta, Inc. | Semiconductor optical amplifier systems |
| KR100617693B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-08-28 | 삼성전자주식회사 | 광검출기를 구비하는 반도체 광증폭 장치 및 그 제조방법 |
| JP4632833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-03-28 CN CN201610183621.7A patent/CN107238992B/zh active Active
-
2017
- 2017-03-21 WO PCT/IB2017/000603 patent/WO2017168259A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746067A1 (en) * | 1995-06-03 | 1996-12-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Variable coherence light source |
| EP0841733A1 (en) * | 1996-11-06 | 1998-05-13 | Nec Corporation | Semiconductor optical functional device and method of driving the same |
| CN1286413A (zh) * | 1999-08-25 | 2001-03-07 | 朗迅科技公司 | 光放大器的快速增益控制 |
| CN1388614A (zh) * | 2002-06-14 | 2003-01-01 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 半导体激光器光频光强调制器 |
| CN1734341A (zh) * | 2005-08-09 | 2006-02-15 | 华中科技大学 | 一种半导体光放大器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017168259A1 (en) | 2017-10-05 |
| CN107238992A (zh) | 2017-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10666360B2 (en) | Transmitter optical signal to noise ratio improvement through receiver amplification in single laser coherent systems | |
| US9634767B2 (en) | Power control in bidirectional WDM optical link | |
| Inoue et al. | Multichannel amplification utilizing an Er/sup 3+/-doped fiber amplifier | |
| US20190109649A1 (en) | Split optical front end receivers | |
| CN107238992B (zh) | 一种半导体光放大器装置和操作方法 | |
| JP2001094181A (ja) | 光増幅器 | |
| US6738179B2 (en) | Method and device for shaping the waveform of an optical signal | |
| Chrysostomidis et al. | 8× 40 Gbps WDM Amplification in a Monolithically Integrated Al 2 O 3: Er 3+-Si 3 N 4 Waveguide Amplifier | |
| Montoya et al. | Improved double-fiber-bus with distributed optical amplification for wavelength-division multiplexing of photonic sensors | |
| Ismail et al. | Flat gain, wide bandwidth of in-line semiconductor optical amplifier in CWDM systems | |
| Su et al. | Wide dynamic range 10-Gb/s DPSK packet receiver using optical-limiting amplifiers | |
| Olonkins et al. | Comparison of EDFA and LRA preamplifier performance in WDM transmission systems | |
| Dalla Santa et al. | Burst‐mode analysis of XGPON Raman reach extender employing quantum‐dot lasers | |
| CN113394659A (zh) | 一种采用阵列半导体光放大器实现的光源及光耦合方法 | |
| Anderson et al. | Robust, low cost, in-band optical signal to noise monitoring using polarization diversity | |
| US20110311236A1 (en) | Optical amplifier, control method therefor, and optical transmission system | |
| Zhan et al. | Uncooled (25–50 C) operation of self-seeded RSOA for low-cost colorless WDM-PON transmitter | |
| Velha et al. | Preamplified demodulation of 56-gb/s WDM-DPSK signals by an AWG-based InP PIC | |
| Antony et al. | Upstream burst-mode operation of a 100km reach, 16× 512 split hybrid DWDM-TDM PON using tuneable external cavity lasers at the ONU-side | |
| Lee et al. | Optically amplified high capacity transmission at 20 Gbit/s by TDM | |
| van Deventer et al. | Unimpaired transmission through a bidirectional erbium-doped fiber amplifier near lasing threshold | |
| Jose et al. | Effect of gain contouring in erbium-doped fiber amplifiers on bit error rate performance of wavelength-division multiplexing-based radio over fiber links | |
| US20030179441A1 (en) | Polarisation insensitive optical amplifiers | |
| Smotlacha et al. | Time and frequency transfer using amplified optical links | |
| Dahan et al. | In-band optical signal-to-noise ratio monitoring technique based on Brillouin fiber ring laser |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 388, ningqiao Road, Pudong New Area free trade test area, Shanghai City, Shanghai Applicant after: Shanghai NOKIA Baer Limited by Share Ltd Address before: 201206 Pudong New Area Jinqiao Ning Road, Shanghai, No. 388 Applicant before: Shanghai Alcatel-Lucent Co., Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |