CN107194159B - 外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 - Google Patents
外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107194159B CN107194159B CN201710308719.5A CN201710308719A CN107194159B CN 107194159 B CN107194159 B CN 107194159B CN 201710308719 A CN201710308719 A CN 201710308719A CN 107194159 B CN107194159 B CN 107194159B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- resonance
- hole array
- electric field
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000010606 normalization Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 abstract description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005290 field theory Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000010200 validation analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
- G16Z—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G16Z99/00—Subject matter not provided for in other main groups of this subclass
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明公开了一种外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法。其包括将入射平面波的传播矢量分解为三个坐标轴方向的分量，将正入射平面波的电场分解为两个坐标轴方向的分量，计算带孔阵腔体外总场，选择一个小孔计算等效磁流元，计算磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场，确定与磁流元的辐射电场系数有关联的磁场强度分量和谐振模式的指数，得到带孔阵腔体的谐振模式和谐振频率完成电磁谐振解析。本发明通过将任意入射和任意极化平面波分解为正入射平面波，并采用磁流元辐射代替小孔透射，实现对任意入射和任意极化平面波激励下带多个孔阵腔体的谐振模式和谐振频率进行预测，具有算法简洁、结果准确、效率高等优点。
Description
技术领域
本发明属于电磁谐振解析技术领域，尤其涉及一种外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法。
背景技术
带孔阵腔体常作为电子设备的机箱，其作用是使电子设备在复杂机械环境、热环境以及电磁环境下满足电气性能要求，并具有高的可靠性。然而，随着电磁环境的日益复杂，外界电磁波可透过孔阵对电子设备形成电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。衡量带孔阵腔体电磁屏蔽性能的物理量是屏蔽效能(Shielding Effectiveness,SE)，其定义为在无屏蔽体存在和有屏蔽体存在两种情况下，在外部干扰源激励下，屏蔽体内部监测点处的场强之比的分贝值。若作比较的物理量是电场强度幅值，则获得电场屏蔽效能(Electric Shielding Effectiveness,Electric SE)，若作比较的物理量是磁场强度幅值，则获得电场屏蔽效能(Magnetic Shielding Effectiveness,Magnetic SE)。
根据谐振腔理论，外部电磁波通过孔阵耦合进入腔体后，会受到腔体壁的反射，当电磁波的频率和腔体的谐振频率相同时，入射波与反射波相互叠加，极大地增强电磁场幅值。谐振的发生极大地降低腔体的屏蔽效能，极易导致敏感元件损坏。因此，带孔阵腔体电磁屏蔽设计时需要重点考虑腔体在外部电磁波干扰下的谐振情况，避免电子元器件的工作频率与腔体的谐振频率接近。电磁谐振的预测方法能够为带孔阵腔体的电磁屏蔽设计提供理论指导。
计算电磁学(Computational Electromagnetics,CEM)方法能够准确预测复杂腔体的谐振情况和屏蔽性能，但必须借助强大的计算机并消耗较长的计算时间。开发简便易用、快速、准确的解析方法对带孔阵腔体的电磁谐振进行预测，能够有效缩短腔体屏蔽设计周期，具有重要的理论价值和实际意义。
Jongjoo Shim和Dong Gun Kam等提出了一种解析方法用于计算带孔阵腔体的屏蔽效能，并能够预测腔体的一部分谐振模式和谐振频率。该方法存在以下问题：
①该方法只能正确预测研究频率范围内腔体的一部分谐振模式和谐振频率，而忽略了另外一些实际存在的谐振模式和谐振频率；
②该方法的重点是基于等效电路法对腔体的屏蔽效能进行计算，没有对谐振的产生原因进行细致的理论分析；
③该方法属于近似方法，屏蔽效能结果不够精确，导致某些谐振模式的疏漏。
Min Li和Joe Nuebel等提出了一种基于时域有限差分法(Finite-DifferenceTime-Domain，FDTD)的细缝结构模型用于预测带缝隙腔体在内部同轴线激励下谐振模式和谐振频率的预测。此方法在电磁谐振预测领域中具有重要意义，但是还是存在一些不足。
①该方法属于数值方法，需要耗费大量的时间和计算资源；
②该方法主要是用于内部源激励下带缝隙腔体电磁谐振的预测，而不能用于外部平面波激励下带孔阵腔体电磁谐振的预测；
③该方法需要进行建模、网格剖分、施加边界等一系列的前处理工作，实施起来相对比较麻烦。
发明内容
本发明的发明目的是：为了解决现有技术中存在的以上问题，本发明提出了一种能够根据入射电磁波的性质和腔体结构参数解析地对腔体内能够被激励起来的谐振模式和相应的谐振频率进行预测的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法。
本发明的技术方案是：一种外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，包括以下步骤：
A、在带孔阵腔体内构建三维坐标系，将入射平面波的传播矢量分解为三个坐标轴方向的分量，得到三组正入射平面波；
B、将步骤A中得到的各组正入射平面波的电场分解为两个坐标轴方向的分量，得到六组平面波；
C、根据步骤B中每组平面波的磁场分布，计算带孔阵腔体外总场；
D、选择带孔阵腔体的孔阵中一个小孔，根据小孔处电场计算该小孔的等效磁流元；
E、根据镜像原理计算步骤D中磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场；
F、根据谐振模式系数和等效磁流元方向确定与磁流元的辐射电场系数有关联的磁场强度分量，确定该谐振模式的指数；
G、针对步骤B中得到的六组平面波重复步骤A至步骤F，确定三个坐标轴方向谐振模式的指数，得到带孔阵腔体的谐振模式和谐振频率，完成电磁谐振解析。
进一步地，所述步骤C中带孔阵腔体外总场的计算公式具体为：
其中，
为电场强度，
为磁场强度，η0为真空的固有阻抗，E0为电场幅值，j为虚数单位，x,y,z表示直角坐标系中的坐标，
为三个坐标轴方向的单位矢量，β为相位常数。
进一步地，所述步骤D中小孔的等效磁流元的计算公式具体为：
其中，
为小孔的等效磁流元，ω为角频率，μ0为真空的磁导率，αm为小孔的磁极化率，δ(x),δ(y),δ(z)为狄拉克函数。
进一步地，所述步骤E中磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场的计算公式具体为：
其中，
为磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场，An,p为谐振模式的系数，
为沿-x方向传播的(n,p)模式的电场强度，n和p表示y和z方向的模式指数。
进一步地，所述步骤F中谐振模式的系数具体表示为：
其中，Fn,p为正比于该模式功率密度的归一化常数，
为沿x方向传播的(n,p)模式的磁场强度，V为包含磁流元的小孔占的体积。
进一步地，所述步骤F中磁场强度分量具体表示为：
其中，
为
在z方向的分量，B为常数，b,d为带孔阵腔体尺寸。
本发明的有益效果是：本发明通过将任意入射和任意极化平面波分解为正入射平面波，并采用磁流元辐射代替小孔透射，从而在平面波正入射条件下对带孔阵腔体电磁谐振进行解析，实现对任意入射和任意极化平面波激励下带多个孔阵腔体的谐振模式和谐振频率进行预测，具有算法简洁、结果准确、效率高等优点。
附图说明
图1是本发明的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法的流程示意图。
图2是本发明实施例中带孔阵腔体结构示意图。
图3是本发明实施例中入射平面波在直角坐标系的分解示意图。
图4是本发明实施例中对x-z面板正入射平面波预测得到的谐振模式与谐振频率和仿真结果的比较示意图。
图5是本发明实施例中对多孔阵和斜入射平面波预测得到的谐振模式与谐振频率和仿真结果的比较示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，为本发明的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法的流程示意图。一种外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，包括以下步骤：
A、在带孔阵腔体内构建三维坐标系，将入射平面波的传播矢量分解为三个坐标轴方向的分量，得到三组正入射平面波；
B、将步骤A中得到的各组正入射平面波的电场分解为两个坐标轴方向的分量，得到六组平面波；
C、根据步骤B中每组平面波的磁场分布，计算带孔阵腔体外总场；
D、选择带孔阵腔体的孔阵中一个小孔，根据小孔处电场计算该小孔的等效磁流元；
E、根据镜像原理计算步骤D中磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场；
F、根据谐振模式系数和等效磁流元方向确定与磁流元的辐射电场系数有关联的磁场强度分量，确定该谐振模式的指数；
G、针对步骤B中得到的六组平面波重复步骤A至步骤F，确定三个坐标轴方向谐振模式的指数，得到带孔阵腔体的谐振模式和谐振频率，完成电磁谐振解析。
如图2所示，为本发明实施例中带孔阵腔体结构示意图。本发明带孔阵腔体内部尺寸为a×b×d，厚度为t，材料为铝；孔阵中小孔的半径均为r，孔间距为h毫米，y-z面板上包含21个小孔，x-z面板上包含27个小孔。坐标原点位于y-z面板的中心点处，屏蔽效能的监测位置为带孔阵腔体正中心，所研究的频率范围为0-2GHz。
如图3所示，为本发明实施例中入射平面波在直角坐标系的分解示意图。外界干扰源发射的电磁波的传播矢量为
入射角为φ和θ，电场矢量
与θ方向单位矢量
的夹角为
根据矢量分解技术，平面波的传播矢量
和电场矢量
都可以分解为沿着三个坐标轴方向的分矢量。
带孔阵腔体中可能存在的谐振频率可按照下式计算：
其中，c为光速，m、n、p为三个坐标轴方向的模式指数。
根据电磁场理论，通过小孔的电磁场可以等效为不存在小孔的条件下小孔中心位置电流元和磁流元的辐射场，其中，电流元和磁流元可分布表示为：
其中，f为入射波频率，ε0和μ0为真空的介电常数和磁导率，αe和αm为小孔的电极化率和磁极化率，En和
为不存在孔时孔中心位置的法向电场强度和切向磁场强度，
为孔所在平面外法线方向单位矢量，(x0,y0,z0)为孔中心的坐标。
首先，对于斜入射平面波，可根据几何关系将其分解为多个正入射平面波，而在正入射时传播矢量
垂直于小孔所在面板，有En＝0，因此可只考虑和切向磁场
相关联的磁流元
的辐射场；其次，可将分解得到的正入射平面波的磁场矢量沿着坐标轴方向进行分解，保证磁场方向沿着坐标轴方向。
为简化推导过程，首先考虑坐标原点处小孔的透射情况。此时入射平面波的电磁场可表示为：
其中，
为真空的固有阻抗，E0为电场幅值。上式表示沿-x方向传播的平面波，其电场沿y方向。在没有孔存在的条件下，入射场几乎被面板全反射，故带孔阵腔体外总场的计算公式具体为：
其中，
为电场强度，
为磁场强度，η0为真空的固有阻抗，E0为电场幅值，j为虚数单位，x,y,z表示直角坐标系中的坐标，
为三个坐标轴方向的单位矢量，β为相位常数。
y-z面板上21个孔可分别使用相应的磁流元进行等效，因为所有电流元的方向都一样，因此本发明仅选处于y-z面板正中心处的单孔进行分析，其等效磁流元为：
其中，
为小孔的等效磁流元，ω为角频率，μ0为真空中的介电常数，αm为小孔的磁极化率，δ(x),δ(y),δ(z)为狄拉克函数。
根据镜像原理，面板的作用使得磁流元强度增大一倍，因此磁流元在腔体内的辐射电场可表示为：
其中，
为磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场，An,p为谐振模式的系数，
为沿-x方向传播的(n,p)模式的电场强度，n和p表示y和z方向的模式指数，An,p可表示为：
其中，Fn,p为正比于该模式功率密度的归一化常数，
为沿x方向传播的(n,p)模式的磁场强度，V为包含磁流元的小孔占的体积。
只有
的z分量与系数An,p相关联。而
的z分量的表达式为：
其中，
为
在z方向的分量，B为常数，b,d为带孔阵腔体尺寸。为了保证式中y和z为零时(n,p)模式的系数An,p不为零，上式中n必须为偶数，而p必须为奇数。因此，不满足该条件的其他模式不会被激励，也就不存在相应的谐振频率。
对于孔阵结构，用于代替每个孔的磁流元方向都一致，因此其所能够激励的谐振模式完全相同，上述推导和分析思路仍然适用。因此，上述推导过程也给出了带孔阵腔体在正入射条件下谐振模式和谐振频率的预测方法。对于斜入射和任意极化平面波，可根据图3中的几何关系将其分解为多个正入射平面波，因此上述方法仍然有效。
下面以具体实施例对本发明的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法作进一步说明。对于x-z面板正入射的平面波，本发明移除y-z面板上的21个小孔，设置如表1所示相应参数。
表1、带孔阵腔体几何参数和入射平面波参数
此时，电磁波沿-y方向传播，对带孔阵面板形成正入射，其电场沿z方向。由于此时入射平面波的磁场沿着x方向，x-z面板上小孔的等效磁流元也沿着x方向，因此只有
的x分量与系数Am,p相关联。而
的x分量的表达式为：
其中，C为常数。为了保证上式中x和z为零时(m,p)模式的系数Am,p不为零，上式中m必须为奇数，而p必须为偶数。不满足该条件的其他模式不会被激励，也就不存在相应的谐振频率。可以根据谐振频率计算公式进行验算，当p≥2时腔体的谐振频率大于2GHz，因此在所研究频率范围内腔体谐振模式的指数p＝0。因此，所得谐振模式必然为TEy类型，且n必然为非零整数，其实际存在的谐振模式和谐振频率如表2中行1和行3单元所示。
表2、x-z面板正入射条件下预测得到的谐振模式和谐振频率
如图4所示，为本发明实施例中对x-z面板正入射平面波预测得到的谐振模式与谐振频率和仿真结果的比较示意图，即CST微波工作室计算得到的腔体屏蔽效能，可见预测结果与仿真结果吻合良好。
对于多孔阵和斜入射的平面波，本发明同时保留x-z和y-z面板上所有小孔，设置如表3所示相应参数。
表3、带孔阵腔体几何参数和入射平面波参数
首先将平面波分解为沿-x和-y方向传播的两组正入射平面波，其电场方向均沿z方向。对于沿-y方向传播的平面波，其分析过程与上述分析过程相同，因此只有
的x分量对系数Am,p有贡献。而
的x分量的表达式为：
其中，C'为常数。因此，上式中m必须为奇数，而p必须为偶数。不满足该条件的其他模式不会被激励，也就不存在相应的谐振频率。
对于沿-x方向传播的平面波，其磁场方向y方向，y-z面板上小孔的等效磁流元也沿着y方向，因此只有
的y分量对系数An,p有贡献。而
的y分量的表达式为：
其中，D为常数。为了保证上式中y和z为零时(n,p)模式的系数An,p不为零，上式中n必须为奇数，而p必须为偶数。不满足该条件的其他模式不会被激励，也就不存在相应的谐振频率。
综合以上分析，三个坐标轴方向模式指数的取值需满足以下条件：m和n不能同时为奇数，而p必须为偶数。同样，根据谐振频率计算公式进行验算，当p≥2时腔体的谐振频率大于2GHz，因此在所研究频率范围内腔体谐振模式的指数p＝0。因此，所得谐振模式必然为TEx或TEy类型，且m和n必然为非零整数。其实际存在的谐振模式和谐振频率如表5中列1和列3的行1-3，表6中行1和行3单元所示。
表4、多孔阵和斜入射条件下预测得到的TEx类型谐振模式和谐振频率
表5、多孔阵和斜入射条件下预测得到的TEy类型谐振模式和谐振频率
如图5所示，为本发明实施例中对多孔阵和斜入射平面波预测得到的谐振模式与谐振频率和仿真结果的比较示意图，即CST微波工作室计算得到的腔体屏蔽效能，可见预测结果与仿真结果吻合良好。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本发明的原理，应被理解为本发明的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本发明公开的这些技术启示做出各种不脱离本发明实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.一种外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、在带孔阵腔体内构建三维坐标系，将入射平面波的传播矢量分解为三个坐标轴方向的分量，得到三组正入射平面波；
B、将步骤A中得到的各组正入射平面波的电场分解为两个坐标轴方向的分量，得到六组平面波；
C、根据步骤B中每组平面波的磁场分布，计算带孔阵腔体外总场；所述总场包括电场与磁场；
D、选择带孔阵腔体的孔阵中一个小孔，根据小孔处磁场计算该小孔的等效磁流元；
E、根据镜像原理以及小孔处电场计算步骤D中磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场；
F、根据谐振模式系数和等效磁流元方向确定与磁流元的辐射电场系数有关联的磁场强度分量，确定该谐振模式的指数；
G、针对步骤B中得到的六组平面波重复步骤A至步骤F，确定三个坐标轴方向谐振模式的指数，得到带孔阵腔体的谐振模式和谐振频率，完成电磁谐振解析。
2.如权利要求1所述的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，所述步骤C中带孔阵腔体外总场的计算公式具体为：
其中，
为电场强度，
为磁场强度，η0为真空的固有阻抗，E0为电场幅值，j为虚数单位，x,y,z表示直角坐标系中的坐标，
为三个坐标轴方向的单位矢量，β为相位常数。
3.如权利要求1所述的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，所述步骤D中小孔的等效磁流元的计算公式具体为：
其中，
为小孔的等效磁流元，ω为角频率，μ0为真空的磁导率，αm为小孔的磁极化率，δ(x),δ(y),δ(z)为狄拉克函数。
4.如权利要求1所述的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，所述步骤E中磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场的计算公式具体为：
其中，
为磁流元在带孔阵腔体内的辐射电场，An,p为谐振模式的系数，
为沿-x方向传播的(n,p)模式的电场强度，n和p表示y和z方向的模式指数。
5.如权利要求1所述的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，所述步骤F中谐振模式的系数具体表示为：
其中，Fn,p为正比于该模式功率密度的归一化常数，
为沿x方向传播的(n,p)模式的磁场强度，V为包含磁流元的小孔占的体积。
6.如权利要求5所述的外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法，其特征在于，所述步骤F中磁场强度分量具体表示为：
其中，
为
在z方向的分量，B为常数，b,d为带孔阵腔体尺寸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710308719.5A CN107194159B (zh) | 2017-05-04 | 2017-05-04 | 外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710308719.5A CN107194159B (zh) | 2017-05-04 | 2017-05-04 | 外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107194159A CN107194159A (zh) | 2017-09-22 |
| CN107194159B true CN107194159B (zh) | 2020-09-15 |
Family
ID=59873044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710308719.5A Expired - Fee Related CN107194159B (zh) | 2017-05-04 | 2017-05-04 | 外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107194159B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108663589B (zh) * | 2018-05-11 | 2019-07-16 | 电子科技大学 | 点源辐射场对带孔无限大屏蔽层内线缆干扰的计算方法 |
| CN115099130A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-09-23 | 西安电子科技大学 | 一种可快速计算开孔三棱柱腔体屏蔽效能的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0121294B1 (en) * | 1983-01-26 | 1991-11-13 | Fujitsu Limited | A cavity resonator coupling type power distributor/power combiner |
| CN104915499A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-16 | 电子科技大学 | 一种预测开孔腔体谐振点频率的快速算法 |
| CN105183939A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-23 | 电子科技大学 | 基于等效电路的带孔阵腔体屏蔽效能计算方法 |
-
2017
- 2017-05-04 CN CN201710308719.5A patent/CN107194159B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0121294B1 (en) * | 1983-01-26 | 1991-11-13 | Fujitsu Limited | A cavity resonator coupling type power distributor/power combiner |
| CN104915499A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-16 | 电子科技大学 | 一种预测开孔腔体谐振点频率的快速算法 |
| CN105183939A (zh) * | 2015-07-21 | 2015-12-23 | 电子科技大学 | 基于等效电路的带孔阵腔体屏蔽效能计算方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Shielding Effectiveness of Enclosures with Aperture Arrays Excited by Obliquely Incident Plane Wave;Bao-Lin Nie 等;《7th Asia Pacific International Symposium on Electromagnetic Compatibility》;20161231;第852-854页 * |
| 双面含孔金属腔体屏蔽效能的快速计算;李新峰 等;《微波学报》;20141031;第30卷(第05期);第6-10、26页 * |
| 带孔阵屏蔽腔电磁屏蔽特性的时域有限元分析;聂宝林 等;《电子科技大学学报》;20140730;第43卷(第4期);第636-640页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107194159A (zh) | 2017-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nie et al. | Study of the shielding properties of enclosures with apertures at higher frequencies using the transmission-line modeling method | |
| Chen et al. | A three-dimensional semi-implicit FDTD scheme for calculation of shielding effectiveness of enclosure with thin slots | |
| Taflove et al. | Detailed FD-TD analysis of electromagnetic fields penetrating narrow slots and lapped joints in thick conducting screens | |
| CN107194159B (zh) | 外部激励下带孔阵腔体电磁谐振的解析方法 | |
| Ren et al. | A hybrid FEM/MoM method for 3-D electromagnetic scattering in layered medium | |
| Xiong et al. | A numerically efficient method for the FDTD analysis of the shielding effectiveness of large shielding enclosures with thin-slots | |
| CN105844019B (zh) | 一种基于车辆表面电流分布规律的接地点选择方法 | |
| Edelvik et al. | A comparison of time‐domain hybrid solvers for complex scattering problems | |
| Tsyanenka et al. | Worst-case model for considering gaskets in calculation of shielding effectiveness of metallic enclosures | |
| Wu et al. | Analysis on shielding performance of metallic rectangular cascaded enclosure with apertures | |
| Mohammadi et al. | Shielding effectiveness of a metallic perforated enclosure by mesh-free method | |
| Wang et al. | Calculation and analysis of shielding effectiveness of the rectangular enclosure with apertures | |
| Chen et al. | Theoretical study of the folded waveguide | |
| Varela et al. | Analysis of laterally open periodic waveguides by means of a generalized transverse resonance approach | |
| Lin et al. | A hybrid SIM-SEM method for 3-D electromagnetic scattering problems | |
| Wang et al. | Preconditioning iterative algorithm for the electromagnetic scattering from a large cavity | |
| Yla-Oijala et al. | Efficient surface integral equation methods for the analysis of complex metamaterial structures | |
| Jin et al. | An analytical hybrid model for the shielding effectiveness evaluation of a dual-cavity structure with an aperture array | |
| Shen et al. | Analysis of large array antenna based on parallel finite element domain decomposition method | |
| Peiyu et al. | Hybrid domain multipactor prediction algorithm and its CUDA parallel implementation | |
| Mohammadi et al. | Shielding effectiveness analysis of large enclosures by domain decomposition mesh-free method | |
| Mallik et al. | The modelling of EM leakage into advanced composite enclosures using the TLM technique | |
| Wu et al. | Computationally efficient locally one-dimensional algorithm for open region ground penetrating radar problem with improved absorption | |
| Nie et al. | Electromagnetic resonance analysis of a shielding enclosure with apertures excited by a plane wave | |
| Zhu et al. | Efficient Evaluation of PGF Based on High Order Taylor Expansions |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200915 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |