CN107063488A - 一种电子产品电容检测装置及检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子技术领域，提供了一种电子产品电容检测装置及检测方法，所述电子产品电容检测装置包括温度传感器单元、数据转换单元、分析控制单元、输出单元、缓存单元和定位单元，所述温度传感器单元分别设置在电容的正面和背面；所述数据转换单元与所述温度传感单元电连接；所述输出单元与分析控制单元电连接；所述缓存单元与所述分析控制单元电连接；所述分析控制单元分别与所述数据转换单元、缓存单元和输出单元电连接；所述定位单元与所述分析控制单元电连接。本发明提供的检测方法能够准确判断电容是否异常。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，具体地，涉及一种电子产品电容检测装置及检测方法。
背景技术
随着科技的不断发展，电子产品已经成为人们日常生活和工作中不可或缺的一类重要产品，其性能的安全可靠性是产品最主要的性能指标之一。因此如何有效精确快速的测试出气各项性能指标就显得尤为重要。 测试的电子产品在极限工作环境下的安全可靠性水平，将不合格的产品及时筛选出来，降低可能出现的安全隐患是十分必要的。
目前不少电子产品的电容是不能拆卸的，如手机、定位跟踪器、平板电脑、电子书、无线固话和游戏机等。由于各种原因可能存在电池鼓胀老化等隐患，不易被发现。现有的关于安全保护的方法主要是检测电池是否过温、过压、过流、欠压和短路等方面，很少有对电容外形出现异常形变做判断的装置。有时，电容刚开始出现鼓胀时仍可以正常使用，但通过温度、电压、电流等参数却无法检测出电池的异常，这样容易埋下电池异常使用的隐患。因此，需要提供一种能够准确判断电容是否异常，使用简便的电子产品电容异常检测装置及其检测方法。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种电子产品电容检测装置及检测方法，旨在准确判断电容是否异常。
为解决上述技术问题，本发明一方面提供一种电子产品电容检测装置，所述电子产品电容检测装置包括温度传感器单元、数据转换单元、分析控制单元、输出单元、缓存单元和定位单元，
所述温度传感器单元分别设置在电容的正面和背面，用于负责采集电容温度值；
所述数据转换单元与所述温度传感单元电连接，用于将温度传感单元采集到的温度模拟信号转换成数字信号传送至分析控制单元；
所述输出单元与分析控制单元电连接，用于接收所述分析控制单元的中断处理命令，并执行报警或关机动作；
所述缓存单元与所述分析控制单元电连接，用于将实时采集到的温度值做缓冲存储，并等待所述分析控制单元的调用；
所述分析控制单元分别与所述数据转换单元、缓存单元和输出单元电连接，所述分析控制单元内部设有阀值，所述分析控制单元用于负责处理所述数转换单元输出的数字信号，判断电容的温度变化值是否超出所述阀值，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元发送中断处理命令至所述输出单元；
所述定位单元与所述分析控制单元电连接，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元发送中断处理命令至所述输出单元时，所述定位单元即定位所述电容温度超出所述阀值位置。
优选地，所述分析控制单元内部设置一开关模块；所述开关模块用于选择打开或关闭电容异常检测功能。
优选地，所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，用户可根据使用的电子产品或电容的不同选择具有差异性的阀值。美国信息交换标准代码ASCII为“美国信息交换标准代码”十个字对应英文的缩写ASCII文件是简单的无格式文本文件可以由任何计算机所识别Windows中的记事本及任何文字处理程序都可以阅读及创建ASCII文件。
优选地，所述缓存单元为多体并行交叉存储器。多体并行交叉存储器是由多个独立的、容量相同的存储模块构成的多体模块存储器。每个存储模块都有相同的容量和存储速度，各模块都有各自独立地址寄存器(MAR)、数据寄存器(MDR)、地址译码、驱动电路和读/写电路。每个模块各自以等同的方式与CPU传递信息，既能并行工作，又能交叉工作。交叉访问的存储器通常有两种工作方式：地址码高位交叉，地址码低位交叉。
优选地，所述温度传感器为热电偶温度传感器。温度传感器热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一，其优点是：测量精度高，因热电偶温度传感器直接与被测对象接触，不受中间介质的影响；温度测量范围广，常用的热电偶温度传感器从-50-+160℃均可连续测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金-铁镍铬热电偶）。最高可达+2800℃（如钨-铼热电偶）；性能可靠，机械强度高；使用寿命长，安装方便。
本发明的另一个方面提供一种电子产品电容检测方法，所述电子产品电容检测方法包括如下步骤：
（a）温度传感器单元采集电容对电子产品本体的温度值，并获得第一温度值；（b）数据转换单元将所述第一温度值转化为第一温度数字信号并传送至分析控制单元；（c）所述分析控制单元将所述第一温度数字信号临时存储在缓存单元中；（d）所述温度传感器单元经过一预定时间再次采集电容对电子产品机体的温度值，获得第二温度值；（e）所述数据转换单元将所述第二温度值转化为第二温度数字信号，传送至分析控制单元；（f）所述分析控制单元调用已存储的所述第一温度数字信号，分析并判断所述第二温度数字信号和所述第一温度数字信号之间的变化值是否超过所述分析控制单元内部设置的阀值，若所述变化值超过阀值，且所述定位单元即定位所述电容温度超出所述阀值位置，则执行步骤（g）；若所述变化值未超过阀值，则执行步骤（h）；（g）所述分析控制单元发送中断处理命令至输出单元；（h）所述温度传感器单元等待下一次采集电容对电子产品本体的温度值。
优选地，所述输出单元接收所述分析控制单元的中断处理命令，并执行报警或关闭所述电子产品操作。
优选地，所述分析控制单元内部设置一开关模块，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：开启开关模块。
优选地，所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：根据电容的不同，对所述分析控制单元内部的阀值进行预先设置。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
（1）本发明提供一种电子产品电容检测装置及检测方法，能够准确判断电容是否异常；
（2）本发明所述ASCII编码包括一个或多个阀值，用户可根据使用的电子产品或电容的不同选择具有差异性的阀值。美国信息交换标准代码ASCII为“美国信息交换标准代码”十个字对应英文的缩写ASCII文件是简单的无格式文本文件可以由任何计算机所识别Windows中的记事本及任何文字处理程序都可以阅读及创建ASCII文件；
（3）本发明所述缓存单元为多体并行交叉存储器。多体并行交叉存储器是由多个独立的、容量相同的存储模块构成的多体模块存储器。每个存储模块都有相同的容量和存储速度，各模块都有各自独立地址寄存器(MAR)、数据寄存器(MDR)、地址译码、驱动电路和读/写电路。每个模块各自以等同的方式与CPU传递信息，既能并行工作，又能交叉工作。交叉访问的存储器通常有两种工作方式：地址码高位交叉，地址码低位交叉；
（4）本发明温度传感器热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一，其优点是：测量精度高，因热电偶温度传感器直接与被测对象接触，不受中间介质的影响；温度测量范围广，常用的热电偶温度传感器从-50-+160℃均可连续测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金-铁镍铬热电偶）。最高可达+2800℃（如钨-铼热电偶）；性能可靠，机械强度高；使用寿命长，安装方便。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为实施例提供的一种电子产品电容检测装置结构示意图；
图2为实施例提供的一种电子产品电容检测方法流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
结合图1、2，本实施例提供的电子产品电容检测装置，所述电子产品电容检测装置包括温度传感器单元1、数据转换单元2、分析控制单元3、输出单元4、缓存单元5和定位单元6，所述温度传感器单元1分别设置在电容的正面和背面，用于负责采集电容温度值；
所述数据转换单元2与所述温度传感单元1电连接，用于将温度传感单元1采集到的温度模拟信号转换成数字信号传送至分析控制单元3；
所述输出单元4与分析控制单元3电连接，用于接收所述分析控制单元3的中断处理命令，并执行报警或关机动作；
所述缓存单元5与所述分析控制单元3电连接，用于将实时采集到的温度值做缓冲存储，并等待所述分析控制单元3的调用；
所述分析控制单元3分别与所述数据转换单元2、缓存单元5和输出单元6电连接，所述分析控制单元3内部设有阀值，所述分析控制单元3用于负责处理所述数转换单元输出的数字信号，判断电容的温度变化值是否超出所述阀值，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元3发送中断处理命令至所述输出单元；
所述定位单元6与所述分析控制单元3电连接，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元3发送中断处理命令至所述输出单元4时，所述定位单元6即定位所述电容温度超出所述阀值位置。
所述分析控制单元3内部设置一开关模块；所述开关模块用于选择打开或关闭电容异常检测功能。
所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，用户可根据使用的电子产品或电容的不同选择具有差异性的阀值。美国信息交换标准代码ASCII为“美国信息交换标准代码”十个字对应英文的缩写ASCII文件是简单的无格式文本文件可以由任何计算机所识别Windows中的记事本及任何文字处理程序都可以阅读及创建ASCII文件。
所述缓存单元5为多体并行交叉存储器。多体并行交叉存储器是由多个独立的、容量相同的存储模块构成的多体模块存储器。每个存储模块都有相同的容量和存储速度，各模块都有各自独立地址寄存器(MAR)、数据寄存器(MDR)、地址译码、驱动电路和读/写电路。每个模块各自以等同的方式与CPU传递信息，既能并行工作，又能交叉工作。交叉访问的存储器通常有两种工作方式：地址码高位交叉，地址码低位交叉。
所述温度传感器为热电偶温度传感器。温度传感器热电偶是工业上最常用的温度检测元件之一，其优点是：测量精度高，因热电偶温度传感器直接与被测对象接触，不受中间介质的影响；温度测量范围广，常用的热电偶温度传感器从-50-+160℃均可连续测量，某些特殊热电偶最低可测到-269℃（如金-铁镍铬热电偶）。最高可达+2800℃（如钨-铼热电偶）；性能可靠，机械强度高；使用寿命长，安装方便。
本实施例所述电子产品电容检测方法包括如下步骤：
（a）温度传感器单1元采集电容对电子产品本体的温度值，并获得第一温度值；
（b）数据转换单元2将所述第一温度值转化为第一温度数字信号并传送至分析控制单元；
（c）所述分析控制单元3将所述第一温度数字信号临时存储在缓存单元中；
（d）所述温度传感器单元1经过一预定时间再次采集电容对电子产品机体的温度值，获得第二温度值；
（e）所述数据转换单元2将所述第二温度值转化为第二温度数字信号，传送至分析控制单元3；
（f）所述分析控制单元3调用已存储的所述第一温度数字信号，分析并判断所述第二温度数字信号和所述第一温度数字信号之间的变化值是否超过所述分析控制单元3内部设置的阀值，若所述变化值超过阀值，且所述定位单元6即定位所述电容温度超出所述阀值位置，则执行步骤（g）；若所述变化值未超过阀值，则执行步骤（h）；
（g）所述分析控制单元3发送中断处理命令至输出单元；
（h）所述温度传感器单元1等待下一次采集电容对电子产品本体的温度值。
所述输出单元4接收所述分析控制单元3的中断处理命令，并执行报警或关闭所述电子产品操作。
所述分析控制单元3内部设置一开关模块，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：开启开关模块。
所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：根据电容的不同，对所述分析控制单元3内部的阀值进行预先设置。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
Claims (9)
1.一种电子产品电容检测装置，其特征在于：所述电子产品电容检测装置及检测方法包括温度传感器单元、数据转换单元、分析控制单元、输出单元、缓存单元和定位单元，
所述温度传感器单元分别设置在电容的正面和背面，用于负责采集电容温度值；
所述数据转换单元与所述温度传感单元电连接，用于将温度传感单元采集到的温度模拟信号转换成数字信号传送至分析控制单元；
所述输出单元与分析控制单元电连接，用于接收所述分析控制单元的中断处理命令，并执行报警或关机动作；
所述缓存单元与所述分析控制单元电连接，用于将实时采集到的温度值做缓冲存储，并等待所述分析控制单元的调用；
所述分析控制单元分别与所述数据转换单元、缓存单元和输出单元电连接，所述分析控制单元内部设有阀值，所述分析控制单元用于负责处理所述数转换单元输出的数字信号，判断电容的温度变化值是否超出所述阀值，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元发送中断处理命令至所述输出单元；
所述定位单元与所述分析控制单元电连接，当所述变化值超出所述阀值时，所述分析控制单元发送中断处理命令至所述输出单元时，所述定位单元即定位所述电容温度超出所述阀值位置。
2.根据权利要求1所述的电子产品电容检测装置，其特征在于：所述分析控制单元内部设置一开关模块；所述开关模块用于选择打开或关闭电容异常检测功能。
3.根据权利要求1所述的电子产品电容检测装置，其特征在于：所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，用户可根据使用的电子产品或电容的不同选择具有差异性的阀值。
4.根据权利要求1所述的电子产品电容检测装置，其特征在于：所述缓存单元为多体并行交叉存储器。
5.根据权利要求1所述的电子产品电容检测装置，其特征在于：所述温度传感器为热电偶温度传感器。
6.一种电子产品电容检测方法，其特征在于：所述电子产品电容检测方法包括如下步骤：
（a）温度传感器单元采集电容对电子产品本体的温度值，并获得第一温度值；（b）数据转换单元将所述第一温度值转化为第一温度数字信号并传送至分析控制单元；（c）所述分析控制单元将所述第一温度数字信号临时存储在缓存单元中；（d）所述温度传感器单元经过一预定时间再次采集电容对电子产品机体的温度值，获得第二温度值；（e）所述数据转换单元将所述第二温度值转化为第二温度数字信号，传送至分析控制单元；（f）所述分析控制单元调用已存储的所述第一温度数字信号，分析并判断所述第二温度数字信号和所述第一温度数字信号之间的变化值是否超过所述分析控制单元内部设置的阀值，若所述变化值超过阀值，且所述定位单元即定位所述电容温度超出所述阀值位置，则执行步骤（g）；若所述变化值未超过阀值，则执行步骤（h）；（g）所述分析控制单元发送中断处理命令至输出单元；（h）所述温度传感器单元等待下一次采集电容对电子产品本体的温度值。
7.根据权利要求6所述的电子产品电容检测装置及检测方法，其特征在于：所述输出单元接收所述分析控制单元的中断处理命令，并执行报警或关闭所述电子产品操作。
8.根据权利要求6所述的电子产品电容检测装置及检测方法，其特征在于：所述分析控制单元内部设置一开关模块，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：开启开关模块。
9.根据权利要求6所述的电子产品电容检测装置及检测方法，其特征在于：所述阀值为ASCII编码，所述ASCII编码包括一个或多个阀值，所述的电子产品电容异常检测方法在步骤（a）之前，进一步包括以下步骤：根据电容的不同，对所述分析控制单元内部的阀值进行预先设置。
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