CN107040130B - 一种多晶硅还原炉电源 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种多晶硅还原炉电源,包括:还原变压器的一次侧连接供电线路,还原变压器的二次侧包括相互独立的启动电源和工作电源,启动电源、整流电路、启动开关和n个串联的硅芯串联,工作电源、工作开关和n个串联的硅芯串联,工作开关与整流电路和启动开关并联,每个击穿开关与相应的硅芯并联,n为正整数。可见,本发明利用启动开关和工作开关完成对启动模式和工作模式的切换,增加启动电源,为启动时增加电压,同时利用整流电路将工作电源的电压也用在启动上,再利用击穿开关,依次启动硅芯,完成了对硅芯启动顺序的控制,利用还原变压器的二次绕组作为启动电源和工作电源,减少了器件的使用,节约了成本,减少了占地面积,提高了实用性。

Description

一种多晶硅还原炉电源
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域,特别涉及一种多晶硅还原炉电源。
背景技术
目前,国内外多晶硅还原炉硅芯击穿启动,主要有两种方式,一是依靠电辐射加热器加热来降低硅芯电阻率后,低电压启动;二是采用高电压使硅芯击穿。第一种方式由于启动时间较长,很大程度上影响了生产效率逐步淘汰了;现绝大多数厂采用第二种高压启动方式,以加快启动时间成为新工艺的重点所向,用高电压产生强电场在很短时间就能改变硅芯导电特性,使其内阻降低、导通电流迅速上升,从而使硅料内部的温度很快上长升,大大缩短了启动时间,提高了加工效率、从而降低了能耗和提高产品质量。
目前,国内多晶硅生产厂为了降低能耗,其多晶硅还原炉设计选型越来越大型化(36对棒、48对棒、72对棒等);相应的对其供电系统提出了新的需求。
目前各电源设备制造厂商,提供的多晶硅电源技术方案,系统配置过于复杂,所需设备较多(一套还原炉功率柜需要6台,PLC柜1台,大电流断路器隔离柜6台,切换柜2台共需15台柜,并且,12套还原炉还共用1套高压启动系统,高启电源柜6台,高启控制柜1台,即公用高启柜共7台),占厂房安装空间较大,配套安装的大截面铜母排和安装支架钢材用量大,由于所使用设备数量较多,系统接线及控制复杂、故障率增高、设备投资相对较高;亟需对多晶硅还原炉电源系统进行优化设计,减小占地面积,节约材料和设备投资,减少设备安装时间和安装费用,提高设备的运行可靠性。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种多晶硅还原炉电源,以节约材料和设备投资。其具体方案如下:
一种多晶硅还原炉电源,包括:还原变压器、整流电路、启动开关、工作开关、n个串联的击穿开关和n个串联的硅芯;其中,所述还原变压器的一次侧连接供电线路,所述还原变压器的二次侧包括相互独立的所述启动电源和所述工作电源,所述启动电源、所述整流电路、所述启动开关和n个串联的硅芯依次串联,所述工作电源、所述工作开关和n个串联的硅芯依次串联,所述工作开关与所述整流电路和所述启动开关并联,每个击穿开关与相应的硅芯并联,n为正整数。
优选的,所述工作开关包括:第一工作开关和第二工作开关,所述第一工作开关的第一端与所述工作电源的第一端相连,所述第一工作开关的第二端与n个串联的硅芯的第一端相连,所述第二工作开关的第一端与所述工作电源的第二端相连,所述第二工作开关的第二端与n个串联的硅芯的第二端相连;其中,所述第一工作开关和所述第二工作开关同时闭合或关断。
优选的,所述启动开关包括:第一启动开关和第二启动开关,所述第一启动开关的第一端与所述整流电路的第一输出端相连,所述第一启动开关的第二端与n个串联的硅芯的第一端相连,所述第二启动开关的第一端与所述整流电路的第二输出端相连,所述第二启动开关的第二端与n个串联的硅芯的第二端相连;其中,所述第一启动开关和所述第二启动开关同时闭合或关断。
优选的,所述n个串联的击穿开关设置强制闭锁,以防止所有击穿开关同时闭合。
优选的,所述击穿开关为直流真空接触器。
优选的,所述启动开关为接触器。
优选的,所述工作开关为断路器。
优选的,所述整流电路包括:依次串联的第一整流单元、第二整流单元和第三整流单元;其中,每个整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极相连,所述第一二极管的正极与所述第三二极管的负极相连,所述第三二极管的正极与所述第四二极管的正极相连,所述第四二极管的负极与所述第二二极管的正极相连。
优选的,所述启动电源包括:第一启动单元和第二启动单元;其中,每个启动电源包括第一启动绕组、第一电流变压器和第一三端双向可控硅开关,所述第一启动绕组作为所述还原变压器的二次侧绕组,所述第一启动绕组的第一端与所述第一电流变压器的第一端连接,所述第一电流变压器的第二端与三端双向可控硅开关的第一端连接,所述三端双向可控硅开关的第二端与相应的整流电路的第一二极管的正极相连,所述第一启动绕组的第二端与相应的整流电路的第二二极管的正极相连。
优选的,所述工作电源包括:6抽头的工作绕组、第一变压单元、第二变压单元、第三变压单元、第四变压单元和第五变压单元;其中,每个变压单元中包括串联的电流变压器和三端双向可控硅开关,电流变压器的一端作为变压单元的第一端,三端双向可控硅开关的一端作为变压单元的第二端,所述第一变压单元、所述第二变压单元、所述第三变压单元、所述第四变压单元和所述第五变压单元的第一端分别与所述工作绕组的第一抽头、第二抽头、第三抽头、第四抽头和第五抽头一对一相连,所述第一变压单元的第二端、所述第二变压单元的第二端、所述第三变压单元的第二端、所述第四变压单元的第二端、所述第五变压单元的第二端、所述第三整流单元的第一二极管的正极和所述工作开关的第一端相连,所述工作绕组的第六抽头、所述第三整流单元的第二二极管的正极和所述工作开关的第三端相连。
本发明中,多晶硅还原炉电源,包括:还原变压器、整流电路、启动开关、工作开关、n个串联的击穿开关和n个串联的硅芯;其中,还原变压器的一次侧连接供电线路,还原变压器的二次侧包括相互独立的启动电源和工作电源,启动电源、整流电路、启动开关和n个串联的硅芯串联,工作电源、工作开关和n个串联的硅芯串联,工作开关与整流电路和启动开关并联,每个击穿开关与相应的硅芯并联,n为正整数。可见,本发明通过闭合启动开关,断开工作开关,再断开要被击穿的目标硅芯对应的击穿开关,闭合其他击穿开关,启动电源和工作电源的电压经过整流电路,电压相互叠加,使电压加载在串联在电路中的目标硅芯上,利用高压将其击穿,再利用其它击穿开关将剩余的硅芯全部击穿,击穿后所有击穿开关全部断开,使硅芯串联在电路中,当硅芯总阻值达到预定值后,再断开启动开关,闭合工作开关,完成多晶硅还原录得启动,利用启动开关和工作开关完成对启动模式和工作模式的切换,增加启动电源,为启动时增加电压,同时利用整流电路将工作电源的电压也用在启动上,再利用击穿开关,依次启动硅芯,完成了对硅芯启动顺序的控制,利用还原变压器的二次绕组作为启动电源和工作电源,大幅减少了器件的使用,节省了材料,节约了成本,减少了占地面积,提高了实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术的一种多晶硅还原炉电源电路的结构示意图;
图2为现有技术的一种多晶硅还原炉电源电路的布置图;
图3为本发明实施例公开的一种多晶硅还原炉电源电路的结构示意图;
图4为本发明实施例公开的另一种多晶硅还原炉电源电路的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种多晶硅还原炉电源,参见图3所示,该电源包括:还原变压器11、整流电路12、启动开关13、工作开关14、nn个串联的击穿开关15和nn个串联的硅芯16;其中,还原变压器11的一次侧连接供电线路,还原变压器11的二次侧包括相互独立的启动电源111和工作电源112,启动电源111、整流电路12、启动开关13和nn个串联的硅芯16串联,工作电源112、工作开关14和nn个串联的硅芯16串联,工作开关14与整流电路12和启动开关13并联,每个击穿开关与相应的硅芯并联,n为正整数。
具体的,启动电源111的第一端与整流电路12的第一输入端相连,启动电源111的第二端与整流电路12的第二输入端相连,整流电路12的第一输出端与启动开关13的第一端相连,启动开关13的第二端与nn个串联的硅芯16的第一端相连,即,与第一个硅芯的一端相连,启动开关13与nn个串联的硅芯16串联,每个硅芯都与一个击穿开关相并联,形成一对一的并联关系,nn个串联的硅芯16的第二端、启动开关13的第四端和工作开关14的第四端相互连接,启动开关13的第三端与整流电路12的第二输出端相连,工作开关14的第三端、工作电源112的第二输出端和整流电路12的第四输入端相互连接,工作电源112的第一输出端、整流电路12的第三输入端和工作开关14的第一端相互连接,工作开关14的第二端与nn个串联的硅芯16的第一端相连。
进一步的,在需要将硅芯击穿时,闭合启动开关13,断开工作开关14,启动电源111和工作电源112的电压利用整流电路12进行叠加,得到较高的直流电压,电压通过启动开关13,此时若要击穿目标硅芯,则将除目标硅芯相对应的击穿开关全部闭合,使目标硅芯独自串联在电路中,高压直流电便可将目标硅芯击穿,例如,共有3个硅芯,第一硅芯、第二硅芯和第三硅芯,相应的有与硅芯相对应的第一击穿开关、第二击穿开关和第三击穿开关,当要击穿第二硅芯时,第一击穿开关和第三击穿开关闭合,第二击穿开关断开,第二硅芯独自串联在电路中,高压直流电全部加载在第二硅芯上,第二硅芯被击穿,以此类推,当将全部硅芯击穿后,所有击穿开关全部断开,所有硅芯串联运行,检测所有硅芯串联电路两端的电压和电流,计算出所有硅芯的总阻值,利用所有硅芯的总阻值,当确定驱动所有硅芯正常工作的电压低于工作电源能够提供的电压后,则将启动开关13断开,闭合工作开关14,由工作电源112继续供电,使硅芯进入还原生长模式,完成多晶硅还原炉的启动。
可见,本发明通过闭合启动开关13,断开工作开关14,再断开要被击穿的目标硅芯对应的击穿开关,闭合其他击穿开关,启动电源111和工作电源112的电压经过整流电路12,电压相互叠加,使电压加载在串联在电路中的目标硅芯上,利用高压将其击穿,再利用其它击穿开关将剩余的硅芯全部击穿,击穿后所有击穿开关全部断开,使硅芯串联在电路中,当硅芯总阻值达到预定值后,再断开启动开关13,闭合工作开关14,完成多晶硅还原录得启动,利用启动开关13和工作开关14完成对启动模式和工作模式的切换,增加启动电源111,为启动时增加电压,同时利用整流电路12将工作电源112的电压也用在启动上,再利用击穿开关,依次启动硅芯,完成了对硅芯启动顺序的控制,利用还原变压器11的二次绕组作为启动电源111和工作电源112,大幅减少了器件的使用,节省了材料,节约了成本,减少了占地面积,提高了实用性。
本发明实施例公开了一种具体的多晶硅还原炉电源,相对于上一实施例,本实施例对技术方案作了进一步的说明和优化。参见图4所示,具体的:
上一实施例中整流电路,可以具体包括:依次串联的第一整流单元121、第二整流单元122和第三整流单元123;其中,每个整流单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,第一二极管的负极与第二二极管的负极相连,第一二极管的正极与第三二极管的负极相连,第三二极管的正极与第四二极管的正极相连,第四二极管的负极与第二二极管的正极相连;实现了三档交流整流,将启动电源和工作电源变为直流电,使电压叠加,最终提高了直流电压。
上一实施例中工作开关,可以具体包括:第一工作开关QF1和第二工作开关QF2,第一工作开关QF1的第一端与工作电源的第一端相连,第一工作开关QF1的第二端与n个串联的硅芯16的第一端相连,第二工作开关QF2的第一端与工作电源的第二端相连,第二工作开关QF2的第二端与n个串联的硅芯16的第二端相连,第一工作开关QF1的第一端作为工作开关的第一端,第一工作开关QF1的第二端作为工作开关的第二端,第二工作开关QF2的第一端作为工作开关的第三端,第二工作开关QF2的第二端作为工作开关的第四端。
需要说明的是,第一工作开关QF1和第二工作开关QF2同时闭合或关断,第一工作开关QF1和第二工作开关QF2可以为一个断路器,连接在电路中。
上一实施例中启动开关,可以具体包括:第一启动开关CJ1和第二启动开关CJ2,第一启动开关CJ1的第一端与整流电路的第一输出端相连,第一启动开关CJ1的第二端与n个串联的硅芯16的第一端相连,第二启动开关CJ2的第一端与整流电路的第二输出端相连,第二启动开关CJ2的第二端与n个串联的硅芯16的第二端相连,第一启动开关CJ1的第一端作为启动开关的第一端,第一启动开关CJ1的第二端作为启动开关的第二端,第二启动开关CJ2的第一端作为启动开关的第三端,第二启动开关CJ2的第二端作为启动开关的第四端。
具体的,第一启动开关CJ1的第一端与第一整流单元121的第一二极管D11的负极相连,第二启动开关CJ2的第一端与第三整流单元123的第四二极管D34的正极相连。
需要说明的是,第一启动开关CJ1和第二启动开关CJ2同时闭合或关断,第一启动开关CJ1和第二启动开关CJ2可以为一个接触器,连接在电路中。
可以理解的是,利用工作开关和启动开关完成了多晶硅还原炉电源在启动模式和工作模式的切换。
上一实施例中启动电源,可以具体包括:第一启动单元1111和第二启动单元1112;其中,每个启动单元包括启动绕组、电流变压器和三端双向可控硅开关,启动绕组作为还原变压器的二次侧绕组,启动绕组的第一端与电流变压器的第一端连接,电流变压器的第二端与三端双向可控硅开关的第一端连接,三端双向可控硅开关的第二端与相应的整流电路的第一二极管的正极相连,启动绕组的第二端与相应的整流电路的第二二极管的正极相连。
具体的,第一启动单元1111的三端双向可控硅开关的第二端与第一整流单元121的第一二极管D11的正极相连,第一启动单元1111的启动绕组T2的第二端与第一整流单元121的第二二极管D12的正极相连,第二启动单元1112的三端双向可控硅开关的第二端与第二整流单元122的第一二极管D11的正极相连,第二启动单元1112的启动绕组T3的第二端与第二整流单元122的第二二极管D22的正极相连。
上一实施例中工作电源,可以具体包括:一个6抽头的工作绕组T4和第一变压单元1121至第五变压单元1125;其中,每个变压单元中包括串联的电流变压器和三端双向可控硅开关,电流变压器的一端作为变压单元的第一端,三端双向可控硅开关的一端作为变压单元的第二端,电流变压器的另一端和三端双向可控硅开关的另一端相连,第一变压单元1121至第五变压单元1125的第一端分别与工作绕组T4的第一抽头至第五抽头一对一相连,第一变压单元1121至第五变压单元1125的第二端、第三整流单元123的第一二极管D11的正极和第一工作开关QF1的第一端相连,工作绕组T4的第六抽头、第三整流单元123的第二二极管D32的正极和第二工作开关QF2的第一端相连。
本发明实施例中n个串联的击穿开关15和n个串联的硅芯16可以具体为6个个串联的击穿开关和6个串联的硅芯,分别为第一击穿开关K1至第六击穿开关K6,第一硅芯R1至第六硅芯R6,第一硅芯R1的一端作为n个串联的硅芯16的第一端,第6硅芯R6的一端作为n个串联的硅芯16的第二端,第一击穿开关K1至第六击穿开关K6分别与第一硅芯R1至第六硅芯R6一一并联,例如,第一击穿开关K1与第一硅芯R1并联,第三击穿开关K3与第三硅芯R3并联,第六击穿开关K6与第六硅芯R6并联。
其中,击穿开关可以为直流真空接触器,在实际应用中可以为击穿开关设置强制闭锁,以防止人为操作失误造成所有击穿开关同时闭合,形成短路,且可以通过逻辑编程对所有击穿开关的闭合顺序进行设置。
可以理解的是,本发明实施例中启动电源包括第一启动单元1111和第二启动单元1112,整流电路包括第一整流单元121、第二整流单元122和第三整流单元123,工作电源包括1个6抽头的工作绕组T4,在实际应用中用户可以根据实际电路需求进行相应的扩展,例如,启动电源可以仅包括1个启动单元,也可以包括4个启动单元,甚至更多,工作电源可以包括2个6抽头的工作绕组T4,或1个8抽头的工作绕组T4,整流电路也可以依据启动电源和工作电源的数量进行相应的增加或减少,例如,启动电源包括K个启动单元,工作电源包括M个工作绕组T4,整流电路包括K+M个整流单元,因此,在此不对启动电源、工作电源、整流电路和工作绕组T4抽头的数量进行限定。
进一步的,还原变压器的一次侧T1电压可以为10kV,启动电源中第一启动单元1111和第二启动单元1112的启动绕组电压均可以为2.8kV,工作电源中的工作绕组T4电压可以为2.6kV。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种多晶硅还原炉电源进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种多晶硅还原炉电源,其特征在于,包括:还原变压器、整流电路、启动开关、工作开关、n个串联的击穿开关和n个串联的硅芯;其中,所述还原变压器的一次侧连接供电线路,所述还原变压器的二次侧包括相互独立的所述启动电源和所述工作电源,所述启动电源、所述整流电路、所述启动开关和n个串联的硅芯依次连接,所述工作电源、所述工作开关和n个串联的硅芯依次连接,所述工作电源与所述整流电路连接,每个击穿开关与相应的硅芯并联,n为正整数;
其中,所述启动开关包括:第一启动开关和第二启动开关,所述第一启动开关的第一端与所述整流电路的第一输出端相连,所述第一启动开关的第二端与n个串联的硅芯的第一端相连,所述第二启动开关的第一端与所述整流电路的第二输出端相连,所述第二启动开关的第二端与n个串联的硅芯的第二端相连;其中,所述第一启动开关和所述第二启动开关同时闭合或关断;
其中,启动模式下,利用所述启动开关和所述工作开关,使所述启动电源和所述工作电源的输出电压相互叠加。
2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述工作开关包括:第一工作开关和第二工作开关,所述第一工作开关的第一端与所述工作电源的第一端相连,所述第一工作开关的第二端与n个串联的硅芯的第一端相连,所述第二工作开关的第一端与所述工作电源的第二端相连,所述第二工作开关的第二端与n个串联的硅芯的第二端相连;其中,所述第一工作开关和所述第二工作开关同时闭合或关断。
3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述n个串联的击穿开关设置强制闭锁,以防止所有击穿开关同时闭合。
4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述击穿开关为直流真空接触器。
5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述启动开关为接触器。
6.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述工作开关为断路器。
7.根据权利要求1至6任一项所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述整流电路包括:依次串联的第一整流单元、第二整流单元和第三整流单元;其中,每个整流电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管,所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极相连,所述第一二极管的正极与所述第三二极管的负极相连,所述第三二极管的正极与所述第四二极管的正极相连,所述第四二极管的负极与所述第二二极管的正极相连。
8.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述启动电源包括:第一启动单元和第二启动单元;其中,每个启动单元包括启动绕组、电流变压器和三端双向可控硅开关,所述启动绕组作为所述还原变压器的二次侧绕组,所述启动绕组的第一端与所述电流变压器的第一端连接,所述电流变压器的第二端与所述三端双向可控硅开关的第一端连接,所述三端双向可控硅开关的第二端与相应的整流单元的第一二极管的正极相连,所述启动绕组的第二端与相应的整流单元的第二二极管的正极相连。
9.根据权利要求7所述的多晶硅还原炉电源,其特征在于,所述工作电源包括:6抽头的工作绕组、第一变压单元、第二变压单元、第三变压单元、第四变压单元和第五变压单元;其中,每个变压单元中包括串联的电流变压器和三端双向可控硅开关,电流变压器的一端作为变压单元的第一端,三端双向可控硅开关的一端作为变压单元的第二端,电流变压器的另一端和三端双向可控硅开关的另一端相连,所述第一变压单元、所述第二变压单元、所述第三变压单元、所述第四变压单元和所述第五变压单元的第一端分别与所述工作绕组的第一抽头、第二抽头、第三抽头、第四抽头和第五抽头一对一相连,所述第一变压单元的第二端、所述第二变压单元的第二端、所述第三变压单元的第二端、所述第四变压单元的第二端、所述第五变压单元的第二端、所述第三整流单元的第一二极管的正极和所述工作开关的第一端相连,所述工作绕组的第六抽头、所述第三整流单元的第二二极管的正极和所述工作开关的第三端相连,所述工作开关包括第一工作开关和第二工作开关,所述第一工作开关的第一端作为所述工作开关的第一端,所述第一工作开关的第二端作为所述工作开关的第二端,所述第二工作开关的第一端作为所述工作开关的第三端,所述第二工作开关的第二端作为所述工作开关的第四端。
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