CN106954447A - 一种菊芋种子漂浮育苗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及菊芋种子育苗技术领域,具体是一种菊芋种子漂浮育苗方法,包括以下步骤:种子处理、播种、大棚育苗、炼苗移栽;与传统育苗方法相比,漂浮育苗有操作简单、管理方便,培育的秧苗整齐、健壮、不带病虫、商品性高,起苗时不伤根、便于运输、移栽,定植后缓苗快等优点,更能满足种苗产业工厂化的发展需求。
Description
技术领域
本发明涉及菊芋种子育苗技术领域,具体是一种菊芋种子漂浮育苗方法。
背景技术
菊芋是菊科(Compositae)向日葵中能形成地下块茎的栽培种,又称洋生姜、洋姜、鬼子姜等,学名Helianthus tuberosus L,菊芋喜温暖,但耐寒;喜湿润,但耐旱;喜肥沃,但耐贫瘠,耐盐碱。菊芋的地上茎叶和地下块茎都是优良的饲料,地下块茎含丰富菊糖,可作蔬菜,也是未来的能源植物之一。同时菊芋的块茎无化学有害成分,是极好的菜肴食品,还可以提取天然单糖基单糖醛的高聚物,食纤维生理性质甚为突出,有较高的开发利用价值;茎叶还可加工成饲料,大面积的种植菊芋,能改变荒漠地区的生态环境。
但目前传统的土壤普遍有虫害及受污染问题,因此采用传统的土壤来培养菊芋的种苗,培养的成活率不高,而且培养出的种苗质量不好。
发明内容
本发明的目的针对上述技术存在的问题,提供一种菊芋种子漂浮育苗方法。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种菊芋种子漂浮育苗方法,包括以下步骤:
(1)种子处理:每年日均气温到达12℃后,菊芋种子用温水浸种30min,然后捞出沥干,再用质量浓度1%的高锰酸液浸种消毒10min,清水漂洗3-4次后晾干;
(2)播种:育苗基质装入漂浮育苗盘孔格中,然后用指尖轻压孔格内的育苗基质,让孔格形成8-10mm深的播种穴,再将菊芋种子点播于孔格穴中,点播完后再覆盖育苗基质与盘面齐平;
(3)大棚育苗:播种后的育苗盘放入在水深为8-10cm的育苗池中,并在水中加入N、P、K肥和微肥,使培养液中N、P2O5、K2O和微肥的浓度为0.5‰、0.3‰、0.3‰和0.1‰;控制温度使其白天温度为20-25℃,夜间为15-20℃;当幼苗长至第三真叶时补肥,使培养液中N、P2O5、K2O、水溶性腐殖酸肥和微肥的浓度各为0.8‰、0.4‰、0.4‰、0.6‰和0.1‰,并加入20ppm的强力生根壮苗剂,
(4)炼苗移栽:当种苗长到第五真叶后开始断水断肥炼苗,种苗移栽的前一天停止炼苗,并把苗盘放入营养池内吸足水肥后移栽到大田。
进一步的,步骤(1)中,所述温水温度为55℃。
进一步的,步骤(2)中,所述育苗盘采用1%有效氯含量的次氯酸钠液进行消毒。
进一步的,所述漂浮育苗盘的规格为56.7cm×35.7cm×6cm,每盘160个孔格,孔格大小3.5cm×3.5cm。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:与传统育苗方法相比,漂浮育苗有操作简单、管理方便,培育的秧苗整齐、健壮、不带病虫、商品性高,起苗时不伤根、便于运输、移栽,定植后缓苗快等优点,更能满足种苗产业工厂化的发展需求。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
一种菊芋种子漂浮育苗方法,包括以下步骤:
(1)种子处理:每年日均气温到达12℃后,菊芋种子用55℃温水浸种30min,然后捞出沥干,再用质量浓度1%的高锰酸液浸种消毒10min,清水漂洗3次后晾干;
(2)播种:育苗基质装入漂浮育苗盘孔格中,然后用指尖轻压孔格内的育苗基质,让孔格形成8mm深的播种穴,再将菊芋种子点播于孔格穴中,点播完后再覆盖育苗基质与盘面齐平;
使用前,苗盘采用1%有效氯含量的次氯酸钠液进行消毒,漂浮育苗盘的规格为56.7cm×35.7cm×6cm,每盘160个孔格,孔格大小3.5cm×3.5cm
(3)大棚育苗:播种后的育苗盘放入在水深为8cm的育苗池中,并在水中加入N、P、K肥和微肥,使培养液中N、P2O5、K2O和微肥的浓度为0.5‰、0.3‰、0.3‰和0.1‰;控制温度使其白天温度为20℃,夜间为15℃;晴天中午时段棚内温度超过25℃后才可以通风排湿,当温度升到20℃以上后,每天中午通风排湿3小时左右,温度高于25℃,随时通风排湿
当幼苗长至第三真叶时补肥,使培养液中N、P2O5、K2O、水溶性腐殖酸肥和微肥的浓度各为0.8‰、0.4‰、0.4‰、0.6‰和0.1‰,并加入20ppm的强力生根壮苗剂;
(4)炼苗移栽:当种苗长到第五真叶后开始断水断肥炼苗,种苗移栽的前一天停止炼苗,并把苗盘放入营养池内吸足水肥后移栽到大田。
实施例2
(1)种子处理:每年日均气温到达12℃后,菊芋种子用55℃温水浸种30min,然后捞出沥干,再用质量浓度1%的高锰酸液浸种消毒10min,清水漂洗3次后晾干;
(2)播种:育苗基质装入漂浮育苗盘孔格中,然后用指尖轻压孔格内的育苗基质,让孔格形成9mm深的播种穴,再将菊芋种子点播于孔格穴中,点播完后再覆盖育苗基质与盘面齐平;
使用前,苗盘采用1%有效氯含量的次氯酸钠液进行消毒,漂浮育苗盘的规格为56.7cm×35.7cm×6cm,每盘160个孔格,孔格大小3.5cm×3.5cm
(3)大棚育苗:播种后的育苗盘放入在水深为9cm的育苗池中,并在水中加入N、P、K肥和微肥,使培养液中N、P2O5、K2O和微肥的浓度为0.5‰、0.3‰、0.3‰和0.1‰;控制温度使其白天温度为23℃,夜间为17℃;晴天中午时段棚内温度超过25℃后才可以通风排湿,当温度升到20℃以上后,每天中午通风排湿4小时,温度高于25℃,随时通风排湿
当幼苗长至第三真叶时补肥,使培养液中N、P2O5、K2O、水溶性腐殖酸肥和微肥的浓度各为0.8‰、0.4‰、0.4‰、0.6‰和0.1‰,并加入20ppm的强力生根壮苗剂;
(4)炼苗移栽:当种苗长到第五真叶后开始断水断肥炼苗,种苗移栽的前一天停止炼苗,并把苗盘放入营养池内吸足水肥后移栽到大田。
实施例3
(1)种子处理:每年日均气温到达12℃后,菊芋种子用55℃温水浸种30min,然后捞出沥干,再用质量浓度1%的高锰酸液浸种消毒10min,清水漂洗3次后晾干;
(2)播种:育苗基质装入漂浮育苗盘孔格中,然后用指尖轻压孔格内的育苗基质,让孔格形成10mm深的播种穴,再将菊芋种子点播于孔格穴中,点播完后再覆盖育苗基质与盘面齐平;
使用前,苗盘采用1%有效氯含量的次氯酸钠液进行消毒,漂浮育苗盘的规格为56.7cm×35.7cm×6cm,每盘160个孔格,孔格大小3.5cm×3.5cm
(3)大棚育苗:播种后的育苗盘放入在水深为10cm的育苗池中,并在水中加入N、P、K肥和微肥,使培养液中N、P2O5、K2O和微肥的浓度为0.5‰、0.3‰、0.3‰和0.1‰;控制温度使其白天温度为25℃,夜间为20℃;晴天中午时段棚内温度超过25℃后才可以通风排湿,当温度升到20℃以上后,每天中午通风排湿3小时,温度高于25℃,随时通风排湿
当幼苗长至第三真叶时补肥,使培养液中N、P2O5、K2O、水溶性腐殖酸肥和微肥的浓度各为0.8‰、0.4‰、0.4‰、0.6‰和0.1‰,并加入20ppm的强力生根壮苗剂;
(4)炼苗移栽:当种苗长到第五真叶后开始断水断肥炼苗,种苗移栽的前一天停止炼苗,并把苗盘放入营养池内吸足水肥后移栽到大田。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种菊芋种子漂浮育苗方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)种子处理:每年日均气温到达12℃后,菊芋种子用温水浸种30min,然后捞出沥干,再用质量浓度1%的高锰酸液浸种消毒10min,清水漂洗3-4次后晾干;
(2)播种:育苗基质装入漂浮育苗盘孔格中,然后用指尖轻压孔格内的育苗基质,让孔格形成8-10mm深的播种穴,再将菊芋种子点播于孔格穴中,点播完后再覆盖育苗基质与盘面齐平;
(3)大棚育苗:播种后的育苗盘放入在水深为8-10cm的育苗池中,并在水中加入N、P、K肥和微肥,使培养液中N、P2O5、K2O和微肥的浓度为0.5‰、0.3‰、0.3‰和0.1‰;控制温度使其白天温度为20-25℃,夜间为15-20℃;当幼苗长至第三真叶时补肥,使培养液中N、P2O5、K2O、水溶性腐殖酸肥和微肥的浓度各为0.8‰、0.4‰、0.4‰、0.6‰和0.1‰,并加入20ppm的强力生根壮苗剂;
(4)炼苗移栽:当种苗长到第五真叶后开始断水断肥炼苗,种苗移栽的前一天停止炼苗,并把苗盘放入营养池内吸足水肥后移栽到大田。
2.根据权利要求1所述菊芋种子漂浮育苗方法,其特征在于,步骤(1)中,所述温水温度为55℃。
3.根据权利要求1所述菊芋种子漂浮育苗方法,其特征在于,步骤(2)中,所述育苗盘采用1%有效氯含量的次氯酸钠液进行消毒。
4.根据权利要求3所述菊芋种子漂浮育苗方法,其特征在于,所述漂浮育苗盘的规格为56.7cm×35.7cm×6cm,每盘160个孔格,孔格大小3.5cm×3.5cm。
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