CN106926118A - 抛光机 - Google Patents

Abstract

一种抛光机，包含晶圆载体、抛光头、移动机构、及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。在晶圆载体上设置抛光头。抛光头具有抛光面。抛光头的抛光面小于晶圆载体的支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。

Description

抛光机

技术领域

本发明实施例是关于一种抛光机、抛光工具、及抛光方法。

背景技术

化学机械抛光法(Chemical-Mechanical Planarization,CPM)为一种结合化学与机械力使表面光滑的制程。可认为其为化学蚀刻与自由研磨剂抛光的混合。此制程使用研磨剂及腐蚀剂化学浆料(通常为胶体)连同抛光垫与固定环，此固定环通常具有与晶圆相比较大的直径。通过动态抛光头将衬垫与晶圆挤压在一起并通过塑胶固定环固持就位。通过不同旋转轴线(即，非同轴)旋转此动态抛光头。此移除材料并趋于使任何不规则形态平坦，使此晶圆平整或平坦。这对于准备好晶圆用于形成额外电路元件为必需。例如，CMP可使得整个表面在光微影系统范围深度内，或基于其位置选择性移除材料。

发明内容

根据本揭示案的多个实施例，一种抛光机包含晶圆载体、抛光头、移动机构以及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。抛光头位于晶圆载体上方。抛光头具有抛光面。抛光头的抛光面小于晶圆载体的支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。

附图说明

图1为依据本案的一些实施例绘示经配置以抛光晶圆的晶粒尺寸(die size)抛光机的侧视图；

图2为依据本案的一些实施例绘示图1中晶粒尺寸抛光机的一些组件的侧视图；

图3为依据本案的一些其他实施例绘示晶粒尺寸抛光机的一些组件的俯视图；

图4为依据本案的一些实施例绘示图1中晶粒尺寸抛光机的一些组件的侧视图；

图5为依据本案的一些实施例绘示图4中晶粒尺寸抛光机的一些组件的俯视图；

图6为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的一些组件的透视图；

图7为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的一些组件的透视图；

图8为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的俯视图；

图9为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的俯视图；

图10为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的俯视图；

图11为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的俯视图；

图12为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机的俯视图；

图13A为依据本案的一些实施例绘示抛光工具的示意图；

图13B为依据本案的一些其他实施例绘示具有不同排列的图13A的抛光工具的示意图；

图14A为依据本案的一些实施例绘示抛光工具的示意图；

图14B为依据本案的一些其他实施例绘示图14A的抛光工具的示意图；

图15为根据本案的一些实施例绘示的抛光方法的流程图。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述元件及排列的特定实例以简化本揭示案。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。举例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包含以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复为出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

参照图1及2。图1为根据本案的一些实施例绘示经配置以抛光晶圆的晶粒尺寸(die size)抛光机100的侧视图。图2为依据本案的一些实施例中图1中晶粒尺寸抛光机100的一些组件的侧视图。晶粒尺寸抛光机100包含晶圆载体110、抛光头120、移动机构140、及旋转机构150。晶圆载体110具有支撑面111。支撑面111经配置以在其上载运晶圆W。在晶圆载体110上设置抛光头120。抛光头120具有抛光面121a，其中抛光头120的抛光面121a小于晶圆载体110的支撑面111。移动机构140经配置以相对于晶圆载体110移动抛光头120。旋转机构150经配置以相对于晶圆载体110旋转抛光头120。如本文使用，术语“晶粒尺寸抛光机”指具有其面积大体上与晶圆上晶粒面积相同的抛光面的抛光机。例如，晶粒尺寸抛光机100的抛光头120的抛光面121a具有大体上与晶圆W上晶粒的面积相同的面积。下文讨论抛光头120的详细结构。

如在图1中显示，移动机构140包含旋转模块141及直线移动模块142。旋转模块141置于晶圆载体110下方并经配置以相对于抛光头120旋转晶圆载体110。直线移动模块142包含轨道142a及移动块142b。旋转机构150可转动地置于移动块142b上。直线移动模块142经配置以沿轨道142a直线移动移动块142b，以便相对于晶圆载体110直线移动抛光头120。在一些实施例中，移动机构140的直线移动模块142经配置以在晶圆W边缘与中心间直线移动抛光头120。在此结构配置下，移动机构140可通过使用旋转模块141及直线移动模块142移动抛光头120以通过抛光面121a来抛光晶圆W上任何部分。通过特定停留时间在晶圆W的边缘与中心间相对于晶圆W中心于特定半径位置移动抛光头120，可于晶圆W的圆形表面积(对应特定外径位置)执行特定量对称移除。

如在图2中显示，抛光头120包含抛光垫带121、带张力轮组件122、带导向轮组件123、及推头124。带张力轮组件122经配置以载运抛光垫带121。具体来说，带张力轮组件122包含两个带张力轮，且抛光垫带121的两个末端分别与带张力轮耦合，使得抛光垫带121从一带张力轮之一转移至另一带张力轮。带导向轮组件123经配置以将抛光垫带121引导至推头124。具体来说，带导向轮组件123包含两个带导向轮。带导向轮分别位于推头124的两相反侧，以便将抛光垫带121平滑地转移至推头124。推头124经配置以抵靠晶圆W推动至少部分抛光垫带121，其中抵靠晶圆W推动的部分抛光垫带121为抛光头120的抛光面121a。在一些实施例中，继抛光晶圆W之后，向前移动抛光垫带121以产生用于抛光另一晶圆W的新抛光面121a，以便保持稳定移除速度。

在一些实施例中，抛光垫带121可为其上具有或不具有至少一研磨剂的抛光带。此抛光带可由聚酰胺甲酸酯(Polyurethane,PU)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate,PET)制备。此研磨剂可由氧化硅、氧化铝、氧化铈、碳化硅、或金刚石制备。抛光垫带121具有在约1mm至约100mm范围内的宽度。

此外，晶粒尺寸抛光机100进一步包含抛光液体分配器130。将抛光液体分配器130连接至移动块142b并经配置以将抛光液体分配在晶圆W上。在一些实施例中，此抛光液体可为化学试剂、浆料、或去离子水，但本案并不以此为限。当抛光垫带121其上不具有研磨剂时，基于氧化硅、氧化铝、或氧化铈的浆料可用作抛光液体。

参照图3。图3为依据本案的一些其他实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的一些组件的俯视图。如在图3中显示，可将多个抛光液体分配器130连接至移动块142b并邻近抛光头120设置。出于简洁起见，仅标识一个抛光液体分配器130。具体来说，在一些实施例中，抛光液体分配器130等距围绕抛光头120，但本案并不以此为限。通过多个抛光液体分配器130来施加抛光液体，抛光头120可通过足够抛光液体抛光晶圆W。

参照图4及5。图4为依据本案的一些实施例绘示图1中晶粒尺寸抛光机100的一些组件的侧视图。图5为依据本案的一些实施例绘示图4中晶粒尺寸抛光机100的一些组件的俯视图。如在图4及5中显示，在抛光头120上设置抛光液体分配器130。在一些实施例中，将抛光液体分配器130嵌入抛光头120中并从移动块142b及旋转机构150流体连通至抛光头120底部。具体来说，在一些实施例中，抛光液体分配器130包含多个彼此连通的液体通道。通过包含多个液体通道的抛光液体分配器130来施加抛光液体，抛光头120可通过足够抛光液体抛光晶圆W。此外，通过抛光液体分配器130嵌入抛光头120中，抛光头120可经由抛光液体分配器130旋转，使得当抛光头120抛光晶圆W时抛光液体均匀扩散在晶圆W上。

参照图6。图6为根据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的一些组件的透视图。如在图6中显示，抛光头120包含两个抛光垫带121、两个带张力轮组件122、两个带导向轮组件123、及两个推头124。出于简洁起见，仅标识一个抛光垫带121、一个带张力轮组件122、一个带导向轮组件123、及一个推头124。抛光垫带121各者可具有或不具有研磨剂。带张力轮组件122各者经配置以载运对应的抛光垫带121。具体来说，带张力轮组件122各者包含两个带张力轮，且对应的抛光垫带121的两个末端分别与带张力轮耦合，使得对应抛光垫带121可从带张力轮之一转移至另一带张力轮。即，在抛光后循环已使用的抛光垫带121。带张力轮组件122各者经配置以将对应的抛光垫带121引导至对应推头124。具体来说，带导向轮组件123各者包含两个带导向轮。此带导向轮分别位于对应推头124的两相反侧，以便使对应抛光垫带121平滑地转移至对应推头124。推头124各者经配置以抵靠晶圆W推动至少部分对应抛光垫带121。通过在抛光头120中使用多个抛光垫带121、带张力轮组件122、带导向轮组件123、及推头124，抛光头120的移除速度可理论上增加两倍。然而，用于抛光头120的抛光垫带121、带张力轮组件122、带导向轮组件123、及推头124的数量并不以此为限。

参照图7。图7为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的一些组件的透视图。如在图7中显示，抛光头220包含晶粒尺寸抛光垫221及承载头222。将承载头222操作连接至旋转机构150及晶粒尺寸抛光垫221，使得旋转机构150可相对于晶圆载体110旋转晶粒尺寸抛光垫221及由此抛光晶圆W，其中晶粒尺寸抛光垫221的底面即为抛光头220的抛光面。此外，将抛光液体分配器130连接至移动块142b，并经配置以将抛光液体分配在晶圆W上。在一些实施例中，抛光液体可为化学试剂、浆料、或DIW(去离子水)，但本案并不以此为限。在一些实施例中，将多个抛光液体分配器130连接至移动块142b并邻近抛光头220设置(如图3显示)。通过多个抛光液体分配器130来施加抛光液体，抛光头220可通过足够抛光液体抛光晶圆W。在一些实施例中，将抛光液体分配器130嵌入抛光头220中并从移动块142b及旋转机构150流体连通至抛光头220的底部(如图5显示)。在一些实施例中，抛光液体分配器130包含多个彼此连通的液体通道(如图5显示)。通过包含此多个液体通道的抛光液体分配器130来施加抛光液体，抛光头220可使用足够抛光液体来抛光晶圆W。此外，通过嵌入抛光头220的抛光液体分配器130，抛光头220可经由抛光液体分配器130旋转，使得当抛光头220抛光晶圆W时抛光液体可在晶圆W上均匀扩散。

如本文使用，术语“晶粒尺寸抛光垫”指具有其面积与晶圆上晶粒面积大体上相同的抛光面的抛光垫。例如，晶粒尺寸抛光垫221的底面具有与晶圆W上晶粒的面积大体上相同的面积。

在一些实施例中，晶粒尺寸抛光垫221可为具有或不具有研磨剂的抛光垫。此研磨剂可由氧化硅、氧化铝、氧化铈、碳化硅、或金刚石制备。基于氧化硅、氧化铝、或氧化铈的浆料可用在不具有研磨剂的晶粒尺寸抛光垫221上。晶粒尺寸抛光垫221的直径在从约1mm至约10mm的范围内。

参照图8。图8为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的俯视图。如在图8中显示，移动机构240包含第一直线移动模块241及第二直线移动模块242。第一直线移动模块241包含两个第一轨道241a及两个第一移动块241b。出于简洁起见，仅标识一第一轨道241a及一第一移动块241b。第一轨道241a彼此平行。第一移动块241b各者经配置以沿对应的第一轨道241a移动。第二直线移动模块242包含第二轨道242a及第二移动块242b。将第二轨道242a的两个末端分别连接至第一移动块241b，且第二移动块242b经配置以沿第二轨道242a移动，使得第二直线移动模块242可通过第一移动块241b沿第一轨道241a移动。第二轨道242a与第一轨道241a并不平行。在一些实施例中，第二轨道242a垂直于第一轨道241a，但本案并不以此为限。抛光头120通过旋转机构150(指在图1中显示的移动块142b与旋转机构150间的结构连接)可转动地置于第二移动块242b下方。在此结构配置下，移动机构240可通过使用第一直线移动模块241及第二直线移动模块242移动抛光头120以使得抛光面121a对准晶圆W上的任何位置。即，图8中显示的移动机构240经配置以相对于晶圆载体110在两个维度移动抛光头120，及这些维度是大体上直线独立。通过穿过晶圆W沿特定扫描线用特定线扫描速度(即，停留时间)移动抛光头120，可于晶圆W的特定表面积(对应特定扫描线)进行特定量移除。

参照图9。图9为根据本案的一些实施例晶粒尺寸抛光机100的俯视图。如在图9中显示，移动机构340包含旋转模块341及直线移动模块342。具体来说，旋转模块341为呈圆形轨道的形式并大体上围绕晶圆W的边缘。直线移动模块342包含轨道342a及移动块342b。将轨道342a的两个末端连接至旋转模块341，使得直线移动模块342可相对于旋转模块341旋转。轨道342a的旋转轴线是大体上对准晶圆W的中心。移动块342b经配置以沿轨道342a移动，且抛光头120通过旋转机构150(指在图1中显示的移动块142b与旋转机构150间的结构连接)可转动地置于移动块342b下方。在此结构配置下，移动机构340可通过使用旋转模块341及直线移动模块342移动抛光头120以对准抛光面121a与晶圆W上的任何位置。具体来说，可通过不同半径距离d及角度θ定义晶圆W上的任何位置。例如，可由此式计算晶圆W上的座标(X,Y)：(d*cosθ,d*sinθ)。通过于晶圆W上特定位置移动抛光头120特定停留时间，可于晶圆W的特定表面积(对应特定位置)进行特定量移除。具体来说，可通过以下等式计算于特定位置的移除量：

移除量(A)＝停留时间(sec)*抛光速度(A/sec)(1)

参照图10。图10为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的俯视图。如在图10中显示，可使用包含旋转模块141(置于晶圆载体110下且未在图10中显示，但可参照图1)及不具有旋转模块341的图9中显示的直线移动模块342的移动机构。具体来说，在此实施例中，图10中的直线移动模块342包含固定轨道342a及经配置以沿轨道342a移动的两个移动块342b，且两个抛光头120各者通过旋转机构150(指在图1中显示的移动块142b与旋转机构150间的结构连接)可转动地置于对应的移动块342b下方。轨道342a是大体上穿过晶圆W的中心。在此结构配置下，图10中的移动机构340可通过使用旋转模块141及直线移动模块342移动抛光头120以对准抛光面121a与晶圆W上任何位置。

参照图11。图11为根据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的俯视图。如在图11中显示，可使用图9中显示的移动机构340。具体来说，在此实施例中，移动机构340的直线移动模块342包含两个经配置以沿轨道342a移动的移动块342b，且两个抛光头120各者通过旋转机构150(指在图1中显示的移动块142b与旋转机构150间的结构连接)可转动地置于对应的移动块342b下方。在此结构配置下，图11中的移动机构340可通过使用旋转模块341及直线移动模块342移动抛光头120以对准抛光面121a与晶圆W上的任何位置。

参照图12。图12为依据本案的一些实施例绘示晶粒尺寸抛光机100的俯视图。如在图12中显示，移动机构440包含旋转模块441及直线移动模块442。具体来说，旋转模块441是呈圆形轨道的形式并大体上围绕晶圆W的边缘。直线移动模块442包含第一轨道442a、第二轨道442b、第三轨道442c、及三个移动块442d。出于简洁起见，仅标识一移动块442d。将第一轨道442a的末端、第二轨道442b的末端、及第三轨道442c的末端彼此连接，并将第一轨道442a的另一末端、第二轨道442b的另一末端、及第三轨道442c的另一末端连接至旋转模块441，使得直线移动模块442可相对于旋转模块441旋转。第一轨道442a、第二轨道442b、及第三轨道442c的组合的旋转轴线大体上于彼此连接的第一轨道442a、第二轨道442b、及第三轨道442c的末端并对准晶圆W中心。移动块442d经配置以分别沿第一轨道442a、第二轨道442b、及第三轨道442c移动，且三个抛光头120各者通过对应的旋转机构150(指在图1中显示的移动块142b与旋转机构150间的结构连接)可转动地置于对应的移动块442d下方。在此结构配置下，移动机构440可通过使用旋转模块441及直线移动模块442移动抛光头120以对准抛光面121a与晶圆W上的任何位置。

参照图13A及13B。图13A为根据本案的一些实施例绘示抛光工具500的示意图。图13B为根据本案的一些其他实施例绘示具有不同排列的图13A的抛光工具500的示意图。如在图13A及13B中显示。抛光工具500包含多个装载/卸载模块510、第一机器人轨道520a、第二机器人轨道520b、第一晶圆机器人530a、第二晶圆机器人530b、多个主抛光机540、多个晶粒尺寸抛光机100(参照图1)、量测工具550、及后CMP清洗模块560。出于简洁起见，仅标识一个装载/卸载模块510、一个主抛光机540、及一个晶粒尺寸抛光机100。装载/卸载模块510经配置以装载/卸载晶匣(未显示)。第一机器人轨道520a邻近装载/卸载模块510设置。第一晶圆机器人530a可沿第一机器人轨道520a移动至任一装载/卸载模块510。第一晶圆机器人530a经配置以于装载/卸载模块510装载/卸载晶匣中的晶圆W。第二机器人轨道520b置于邻近第一机器人轨道520a、主抛光机540、晶粒尺寸抛光机100、量测工具550、及后CMP清洗模块560。第二晶圆机器人530b可沿第二机器人轨道520b移动至第一机器人轨道520a、主抛光机540、晶粒尺寸抛光机100、量测工具550、或后CMP清洗模块560。第二晶圆机器人530b经配置以将晶圆W从第一晶圆机器人530a转移至主抛光机540之一、晶粒尺寸抛光机100之一、量测工具550、或后CMP清洗模块560、或反之亦然。例如，在一处理情境中，第一晶圆机器人530a可于装载/卸载模块510的一拾起晶匣中的晶圆W，并随后出于粗略抛光的目的第二晶圆机器人530b将晶圆W从第一晶圆机器人530a转移至主抛光机540之一。主抛光机540各者是由旋转且极其平坦的平台组成，且此平台由衬垫覆盖。在衬底膜上载体/主轴中倒立固定待抛光的晶圆W。固定环保持晶圆W在正确水平位置。浆料引入机构将浆料沉积在衬垫上。随后旋转平台及载体二者且此载体保持摆动。施加向下压力/向下力至载体，推动其抵靠衬垫。一般而言，衬垫是由具有30至50μm间孔尺寸的多孔可聚合材料制备，且由于在此制程中消耗此衬垫，需要定期地将其修复。在一些实施例中，图13A及13B的主抛光机540包含两个主抛光平台及两个磨(buff)抛光平台，但本案不限于此方面。

继主抛光机540抛光此晶圆W之后，第二晶圆机器人530b将晶圆W转移至量测工具550以量测并决定晶圆W是否超出厚度规格。具体来说，量测工具550经配置以量测并决定晶圆W的晶圆内(Within wafer,WiW)厚度范围是否超出厚度规格。若晶圆W的WiW厚度范围超出厚度规格，第二晶圆机器人530b将晶圆W从量测工具550转移至用于精细抛光的晶粒尺寸抛光机100之一。若晶圆W的WiW厚度范围在厚度规格内，第二晶圆机器人530b将晶圆W从量测工具550转移至后CMP清洗模块560用于进一步清洗经抛光的晶圆W。应指出装载/卸载模块510、第一机器人轨道520a、第二机器人轨道520b、第一晶圆机器人530a、第二晶圆机器人530b、主抛光机540、晶粒尺寸抛光机100、量测工具550、及后CMP清洗模块560的数量不限于图13A及13B。

参照图14A。图14A为根据本案的一些实施例绘示抛光工具600的示意图。如在图14A中显示，抛光工具600包含多个装载/卸载模块510、第一机器人轨道520a、第二机器人轨道520b、第一晶圆机器人530a、第二晶圆机器人530b、多个晶粒尺寸抛光机100(参照图1)、量测工具550、及后CMP清洗模块560。出于简洁起见，仅标识一个装载/卸载模块510及一个晶粒尺寸抛光机100。与图13A的抛光工具500相比，图14A的抛光工具600不包含任何主抛光机540。例如，在一处理情境中，第一晶圆机器人530a可于装载/卸载模块510的一拾起晶匣中的晶圆W，且随后第二晶圆机器人530b将晶圆W从第一晶圆机器人530a转移至晶粒尺寸抛光机100之一用于抛光。继晶粒尺寸抛光机100抛光晶圆W之后，第二晶圆机器人530b将晶圆W转移至量测工具550以量测并决定晶圆W是否超出厚度规格。具体来说，量测工具550经配置以量测并决定晶圆W的WiW(晶圆内)厚度范围是否超出厚度规格。若晶圆W的WiW厚度范围超出厚度规格，则第二晶圆机器人530b将晶圆W从量测工具550转移至晶粒尺寸抛光机100之一用于再次精细抛光。若晶圆W的WiW厚度范围在厚度规格内，则第二晶圆机器人530b将晶圆W从量测工具550转移至后CMP清洗模块560用于进一步清洗经抛光的晶圆W。换言之，图14A中的晶粒尺寸抛光机100完全取代图13A及13B中的主抛光机540以完成全部抛光制程。应指出装载/卸载模块510、第一机器人轨道520a、第二机器人轨道520b、第一晶圆机器人530a、第二晶圆机器人530b、晶粒尺寸抛光机100、量测工具550、及后CMP清洗模块560的数量不限于图14A。

参照图14B。图14B为根据本案的一些实施例绘示图14A的抛光工具600的示意图。抛光工具600具有“多层机(multi-decker)”工具配置。即，如在图14B中显示，抛光工具600包含八个晶粒尺寸抛光机100、两个量测工具550、及两个后CMP清洗模块560。由此，具有“多层机”工具配置的抛光工具600可提供高产量。

参照图15。图15为根据本案的一些实施例绘示的抛光方法的流程图。此方法开始于操作S101，其中晶圆载体固定晶圆。此方法继续于操作S102，其是抛光晶圆。在一些实施例中，可通过使用图13A及13B中的主抛光机540或晶粒尺寸抛光机100执行操作S102。此方法继续于操作S103，其是决定晶圆是否超出厚度规格。具体来说，在操作S103中，决定晶圆的WiW(晶圆内)厚度范围是否超出厚度规格。此方法继续于操作S104，其是决定部分晶圆超出厚度规格。此方法继续于操作S105，其中若此晶圆超出厚度规格则计算超出厚度规格的部分晶圆的剩余移除量。此方法继续于操作S106，其中抛光头的抛光面抵靠所述部分晶圆推动。此方法继续于，其中抛光头相对于所述部分晶圆旋转以依照剩余移除量抛光所述部分晶圆。在一些实施例中，可通过使用图13A及13B中的晶粒尺寸抛光机100执行操作S106至S107。在一些实施例中，操作S107通过操作S103继续，且若此晶圆仍超出厚度规格则重复操作S104至S107。在一些实施例中，此晶圆具有多个超出厚度规格的部分，及可依照操作S105至S107独立抛光此晶圆的所述部分，直至此晶圆在厚度规格内。此方法继续于操作S108，其中若此晶圆在厚度规格内则将此晶圆移动至下一处理步骤。因此，此晶圆可实施积体量测闭回路控制(integrated metrology closed-loop-control,IM-CLC)模式以依照本案的抛光方法再次进行抛光过程。

根据前述本案实施例的叙述，可了解本案提供若干晶粒尺寸抛光机设计、若干使用此晶粒尺寸抛光机设计的抛光工具设计、及有效改良在CMP(化学机械抛光)期间WiW(晶圆内)厚度范围的均匀控制能力的抛光方法。

根据本揭示案的多个实施例，一种抛光机包含晶圆载体、抛光头、移动机构以及旋转机构。晶圆载体具有支撑面。支撑面经配置以在其上载运晶圆。抛光头位于晶圆载体上方。抛光头具有抛光面。抛光头的抛光面小于晶圆载体的支撑面。移动机构经配置以相对于晶圆载体移动抛光头。旋转机构经配置以相对于晶圆载体旋转抛光头。

根据本揭示案的多个实施例，抛光头的抛光面具有实质上与晶圆上的晶粒相同的面积。

根据本揭示案的多个实施例，抛光头包含至少一抛光垫带、至少一带张力轮组件及至少一推头。带张力轮组件配置以载运抛光垫带。推头配置以抵靠晶圆推动至少部分抛光垫带。

根据本揭示案的多个实施例，抛光头包含至少一抛光垫及至少一承载头。承载头配置以抵靠晶圆承载抛光垫。

根据本揭示案的多个实施例，抛光机还包含抛光液体分配器。抛光液体分配器配置以分配抛光液体至晶圆上。

根据本揭示案的多个实施例，抛光液体分配器位于抛光头上。

根据本揭示案的多个实施例，抛光液体分配器邻近抛光头。

根据本揭示案的多个实施例，移动机构配置以相对于晶圆载体在两个维度移动抛光头。

根据本揭示案的多个实施例，这些维度是大体上直线独立。

根据本揭示案的多个实施例，移动机构包含旋转模块。旋转模块配置以相对于抛光头转动晶圆载体。

根据本揭示案的多个实施例，移动机构包含直线移动模块。直线移动模块配置以相对于晶圆载体直线移动抛光头。

根据本揭示案的多个实施例，移动机构载运多个抛光头。

根据本揭示案的多个实施例，移动机构包含旋转模块。旋转模块配置以相对于晶圆载体转动直线移动模块。

根据本揭示案的多个实施例，一种抛光工具包含主抛光机、晶粒尺寸抛光机及晶圆机器人。主抛光机配置以抛光晶圆。晶粒尺寸抛光机具有晶粒尺寸抛光垫，配置以抛光晶圆。晶圆机器人配置以移动晶圆于主抛光机与晶粒尺寸抛光机之间。

根据本揭示案的多个实施例，主抛光机的主抛光垫大于晶粒尺寸抛光垫。

根据本揭示案的多个实施例，一种抛光方法包含以晶圆载体固定晶圆；以抛光头的抛光面抵靠晶圆的一部分推动；以及使抛光头相对于所述部分晶圆旋转。

根据本揭示案的多个实施例，抛光方法还包含以抛光头的抛光面抵靠晶圆的另一部分推动；以及使抛光头相对于所述另一部分晶圆旋转。

根据本揭示案的多个实施例，抛光方法还包含在推动之前抛光晶圆；在抛光之后决定晶圆是否超出厚度规格；以及在抛光之后决定晶圆的哪一部分超出厚度规格，其中推动是推动晶圆超出厚度规格的部分。

根据本揭示案的多个实施例，抛光方法还包含在旋转之后决定晶圆是否超出厚度规格；以及重复推动与旋转，直到晶圆于厚度规格内。

根据本揭示案的多个实施例，抛光方法还包含计算超出厚度规格的晶圆前述部分的剩余移除量，其中旋转是依照剩余移除量执行。

尽管已参照本揭示案的某些实施例相当详细地描述了本揭示案，但其他实施例是可能的。因此，随附申请专利范围的精神及范畴不应受限于本文所含实施例的描述。

将对熟悉此项技术者显而易见的是，可在不脱离本揭示案的范畴或精神的情况下对本揭示案的结构进行各种修改及变化。鉴于上述，本揭示案意欲覆盖本揭示案的修改及变化，前提是这些修改及变化属于以下申请专利范围的范畴内。

上文概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更好地理解本揭示案的态样。熟悉此项技术者应了解，可轻易使用本揭示案作为设计或修改其他制程及结构的基础，以便实施本文所介绍的实施例的相同目的及/或达成相同优点。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效结构并未脱离本揭示案的精神及范畴，且可在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下进行本文的各种变化、替代及更改。

Claims (1)

1.一种抛光机，其特征在于，包含：

一晶圆载体，具有一支撑面，该支撑面经配置以在其上载运一晶圆；

一抛光头，位于该晶圆载体上方，该抛光头具有一抛光面，其中该抛光头的该抛光面小于该晶圆载体的该支撑面；

一移动机构，经配置以相对于该晶圆载体移动该抛光头；以及

一旋转机构，经配置以相对于该晶圆载体旋转该抛光头。