CN106859443A - 足浴盆 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了足浴盆。该足浴盆包括盆体，和设置于所述盆体内的制氢组件和电连接所述制氢组件的控制电路；所述制氢组件包括阴极片和阳极片，所述阴极片和阳极片不接触并且围成一电解区。本发明的足浴盆，在盆体内设有制氢组件，制氢组件的阳极片和阴极片通过电解产生氢气，氢气分散在盆体所容置的水中，使得沐足所用的水为富氢水，从而达到氢保健之功能。
Description
技术领域
本发明涉及浴具的制作设备技术领域，具体而言，涉及足浴盆。
背景技术
富氢水，顾名思义就是富含氢气的水。英文是hydrogen rich water，日文是“水素水”。作为一种选择性抗氧化物质，氢气对很多疾病具有治疗作用，具有十分广泛的应用前景。
现有技术中，足浴盆通常只具有简单地沐足功能，例如中国专利CN201798651U公开了一种足浴盆，该足浴盆的侧壁上设有凹槽。腿部按摩器如图，设有可插入凹槽的凸起部。把腿部按摩器插接到沐足盆上，构成如图的足浴盆，腿部按摩器与沐足盆之间即为可拆卸式安装。腿部按摩器具有独立电源接头和独立的供人操作控制的输入装置，拆卸后可以单独使用。沐足盆和腿部按摩器之间设有相接的电源接头，由沐足盆向腿部按摩器供电；沐足盆和腿部按摩器之间设有相接的电控端口，沐足盆上设有供人操作控制腿部按摩器的输入装置，如此腿部按摩器则可以由沐足盆统一供电和进行操作控制，使用更方便。又或者中国专利CN2776392Y所公开的足浴盆，其包括一个桶体，足浴盆还包括：一用于产生臭氧的臭氧发生装置和一个将臭氧导入桶内的臭氧导入装置。臭氧发生装置包括：一用于产生高压的高压发生器和一在高压作用下产生臭氧的臭氧发生管。臭氧导入装置包括：一臭氧泵、一将臭氧发生装置产生的臭氧导入臭氧泵的进管和一将臭氧泵排出的臭氧导入桶内的出管。臭氧发生装置和臭氧导入装置的供电装置含有隔离变压器。足浴盆还包括：一产生高频电流的超声波功率放大器和一个以上将高频电流功率转换成超声波能量的超声波换能器。超声波功率放大器的供电装置含有隔离变压器。超声波功率放大器输出功率可以调节。
以上现有技术中，足浴盆不具备氢保健之功能。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种足浴盆，该足浴盆具有较好的氢保健功能。
一种足浴盆，包括盆体，和设置于所述盆体内的制氢组件和电连接所述制氢组件的控制电路；所述制氢组件包括阴极片和阳极片，所述阴极片和阳极片不接触并且围成一电解区。
进一步地，所述制氢组件还包括设置于所述阴极片和阳极片之间的透水绝缘膜。
进一步地，所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片依次叠加设置。
进一步地，所述阴极片为钛片。
进一步地，所述阳极片为钛片。
进一步地，所述制氢组件还包括底座和上盖，所述底座和上盖盖合以形成一容置所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片的容置腔。
进一步地，所述制氢组件还包括用以安装阴极片并且设置于所述电解区外的阴极安装片。
进一步地，还包括设置于所述盆体内的气泡生成器。
进一步地，所述盆体包括套接的外盆和内盆。
进一步地，还包括设置于所述盆体内的温度传感器。
本发明的足浴盆，在盆体内设有制氢组件，制氢组件的阳极片和阴极片通过电解产生氢气，氢气分散在盆体所容置的水中，使得沐足所用的水为富氢水，从而达到氢保健之功能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解地是，以下附图仅示出了本发明的成型装置的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本发明实施例所提供的足浴盆的组装示意图。
图2示出了本发明实施例所提供的足浴盆的爆炸示意图。
主要元件符号说明：
100—制氢组件；20—阴极片；40—阳极片40；50—底座；60—上盖；
70—阴极安装片；200—足浴盆；210—盆体；211—外盆；220—内盆。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对成型装置进行更全面的描述。附图中给出了成型装置的首选实施例。但是，成型装置可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对成型装置的公开内容更加透彻全面。
在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本发明的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。
应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。
此外，本发明要素或组分前的不定冠词“一种”和“一个”对要素或组分的数量要求(即出现次数)无限制性。因此“一个”或“一种”应被解读为包括一个或至少一个，并且单数形式的要素或组分也包括复数形式，除非所述数量明显旨指单数形式。
请参阅图1和图2。本发明实施例的足浴盆200，包括盆体210，和设置于盆体210内的制氢组件和电连接制氢组件的控制电路；制氢组件包括阴极片20和阳极片40，阴极片20和阳极片40不接触并且围成一电解区。
上述实施例中，在盆体210内设有制氢组件，制氢组件的阳极片40和阴极片20通过电解产生氢气，氢气分散在盆体210所容置的水中，使得沐足所用的水为富氢水，从而达到氢保健之功能。
术语“电解区”是指具有电流通过的区域。术语“电解室”是指实施电解的物件。阴极片20、阳极片4040和透水绝缘膜被放置于电解室内。
上述阴极片和阳极片40不接触具有较多的实现方式。例如，阴极片20和阳极片40之间设有间隙。作为另外一种较佳的实现方式，阴极片20和阳极片40之间的透水绝缘膜(图中未示出)。此处，透水绝缘膜是指具有透水性、绝缘材质制成的膜。透水绝缘膜材质可如中国专利CN1651500A所述，具体为：该高透气单向拉伸薄膜专用树脂包含高岭土49～57％、茂金属聚乙烯38～42％、铝酸锆0.5～1.5％、PE蜡4～6.5％、抗氧剂DLTP0.5～1.5％；工艺过程：将高岭土置于高速捏合机中，捏合25分钟后加入铝酸锆偶联剂，偶联处理12分钟，加入PE蜡，分散处理8分钟，加入茂金属聚乙烯和抗氧剂DLTP，共混6分钟后，置于加压式密炼机中，密炼13分钟，再经双螺杆挤出机挤出切粒而成专用树脂。高岭土粒径为2～5um。茂金属聚乙烯密度为0.9～0.925g/cm3，熔体流动速率为0.8～1.2g/10min。偶联处理中高速捏合机的转速为750rpm，温度为103±2℃。高速捏合机的转速为500rpm，温度为98±2℃。共混过程中高速捏合机的转速为250rpm，温度为85±2℃。密炼过程中温度控制在142±2℃。挤出切粒过程中双螺杆挤出机料筒温度为I区160～163℃，II区173～177℃，III区177～180℃，IV区173～176℃，V区166～170℃，模头155～158℃。或者如中国专利CN103788594A所述，具体为：该聚酯薄膜由专用母料和聚对苯二甲酸乙二醇酯组成，专用母料各组分按照重量份组成如下：聚对苯二甲酸乙二醇酯60-80份、着色剂20-30份、填充剂0.5-5份、成核剂1-5份。采用聚对苯二甲酸乙二醇酯颗粒切片，5-30％的颗粒用于专用母料的配方中。着色剂是钛白粉，学名为金红石型二氧化钛。填充剂为轻质碳酸钙粉。成核剂为滑石粉。该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)专用母料混合：将按照原料配方取聚对苯二甲酸乙二醇酯粒料磨粉，并按配方要求添加着色剂，填充剂，成核剂，并用专用混料机常温下混和均匀；(2)造粒：将上述得到的混合原料投入双螺杆造粒机，控制造粒温度：预热段225℃，输送段265℃，均化段275℃，喷嘴265℃，进行造粒，经过冷法干燥后入库供制膜使用。步骤(3)中挤出温度设定为预热段255℃，输送段265℃，均化段275℃，熔体管265℃，模头265℃。步骤(3)中铸片温度25℃。步骤(3)中纵向拉伸各区温度是：预热区75℃，拉伸区83℃，定型区25℃，冷却区18℃。步骤(3)中横向拉伸各区温度是：预热区125℃，拉伸区130°，C定型区225℃，冷却区35℃。
阴极片20、透水绝缘膜和阳极片4040三者可以不抵接，也可以是三者以抵接的方式，例如阴极片20、透水绝缘膜和阳极片4040依次叠加设置。
这里，“叠加设置”可以理解的是指多个具有层结构的物件(例如薄膜等)采用一者贴合于另一者表面的堆叠方式。以A、B、C、D依次叠加设置为例，是指A的一个表面设置B、B的表面设置C、C的表面设置D，即按照某一方向(例如从上至下)，A、B、C、D依次排列。
阴极片20和阳极片4040可以钛片。为了增强阴极片20和阳极片4040的活性，可以在表面涂覆一些氧化物，如中国专利CN104562078A所述，具体为：涂层至少包含底层涂层和表层涂层，所述底层涂层包含钛氧化物、铱氧化物和钌氧化物，所述表层涂层包含铱氧化物、钌氧化物、钛氧化物、以及钯、铂中的一种或两种元素的金属或氧化物。底层涂层中钌、铱和钛的摩尔百分比为：钌：铱：钛＝30～50％：10～25％：30～45％；表层涂层中钌、铱、钛和钯的摩尔百分比为：钌：铱：钛：钯＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％。底层涂层中钌、铱和钛的摩尔百分比为：钌：铱：钛＝30～50％：10～25％：30～45％；表层涂层中钌、铱、钛和铂的摩尔百分比为：钌：铱：钛：铂＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％。底层涂层中钌、铱和钛的摩尔百分比为：钌：铱：钛＝30～50％：10～25％：30～45％；表层涂层中钌、铱、钛、钯和铂的摩尔百分比为：钌：铱：钛：钯：铂＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％：2.5～20％。底层涂层中还包括锆氧化物，底层涂层中钌、铱、钛和锆的摩尔百分比为：钌：铱：钛：锆＝30～50％：10～25％：30～45％：2～10％；表层涂层中钌、铱、钛和钯的摩尔百分比为：钌：铱：钛：钯＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％。底层涂层中还包括锆氧化物，底层涂层中钌：铱：钛和锆的摩尔比百分为：钌：铱：钛：锆＝30～50％：10～25％：30～45％：2～10％；表层涂层中钌、铱、钛和铂的摩尔百分比为，钌：铱：钛：铂＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％。底层涂层中还包括锆氧化物，底层涂层中钌：铱：钛和锆的摩尔百分比为钌：铱：钛：锆＝30～50％：10～25％：30～45％：2～10％；表层涂层中钌、铱、钛、钯和铂的摩尔百分比为，钌：铱：钛：钯：铂＝30～50％：10～25％：30～45％：2.5～20％：2.5～20％。底层涂层的厚度为5～15微米，表层涂层的厚度为1～5微米。
阳极片4040和阴极片20可设置多孔，例如可设置蜂窝结构，以保证与水接触的充分性。
制氢组件还可包括底座50和上盖60，底座50和上盖60盖合以形成一容置阴极片20、透水绝缘膜和阳极片4040的容置腔。底座50和上盖60盖合的方式可以是通过一体化连接或不可拆卸的方式连接。
除此也可以采用可拆卸方式，以方便对阴极片20、透水绝缘膜和阳极片4040的更换。可拆卸的方式，可以是紧固件、滑接件、卡接件。此处，紧固件可列举出法兰件、螺接件等。
可举出上述卡接件的一种实施结构，具体为：卡接件包括设置于第一安装件的卡扣和设置于第二安装件的卡孔，该卡扣与卡孔相配合。卡扣包括设置于第一安装件的连接部以及位于连接部一端的弹性的卡扣部，卡孔周围环绕有弹性的卡持部。卡扣部为一球体，卡扣为中空结构，形成有自连接部延伸至卡扣部的育孔，从而允许该第一卡扣件受到挤压时发生弹性形变。卡扣可与第一安装件一体成型。卡持部形成有多个缺口，缺口将卡持部分隔成相互独立的卡持，从而使卡持部在受到外力作用时产生弹性形变。卡扣孔的直径小于卡扣部的球径。卡扣部插入卡孔时，卡持块受到卡扣部的推力发生弹性变形向外扩张，使卡扣部穿过卡扣孔。卡扣部穿过卡孔，卡持块及卡扣部均恢复原状，卡扣部被卡持块阻挡于卡孔外以将第一安装件与第二安装件固定。卡持部端部形成有倒角，以便拆卸第一壳体与第二安装件时使卡扣部在外力作用下易于回至卡孔内。
上述卡接件还可列举第二种实施结构(图中未示出)。具体为：卡接件可包括卡舌和卡扣。卡舌包括第一卡槽、第二卡槽和位于第一卡槽和第二卡槽之间的钩形的钩体，该第一卡槽、第二卡槽、钩槽均为弹性的结构的槽。卡扣包括第一插条、第二插条和位于第一插条、第二插条之间的钩槽。该第一卡槽、第二卡槽、钩槽均为弹性的槽。该第一卡槽、第二卡槽、钩槽均为弹性的槽。当要实现卡舌同卡扣的卡紧时，该第一插条插入第一卡槽内，第二插条插入第二卡槽内，钩体插入钩槽，第一卡槽、第二卡槽、钩槽的弹性保证第一插条、第二插条和钩体的紧密接触而达到了卡紧效果。
上述卡接件还可列举第三种实施结构(图中未示出)。具体为：卡接件可包括卡座和卡舌，该卡座和卡舌相配合。于此，卡座和卡舌的形状不做特别的限定，其结构的实施方式有很多。其中第一种实施方式为应用于背包带的卡扣。具体为，卡座包括一卡槽。卡舌可为E字型，也就是说，该结构的卡舌包括第一插条、第三插条，和位于第一插条、第三插条之间的第二插条，第一插条和第三插条为弹性结构，在外力作用下二者可向第二插条靠拢，撤销外力后，二者回复到原来的位置。第二插条可为弹性结构，也可为非弹性。与插舌结构对应地，卡槽的前部要宽于后部。此处，“前”指沿插舌进入方向。卡槽前部的宽度要略小于插舌的宽度，卡槽的后部宽度要明显地小于插舌的宽度，如此可使得卡舌插入卡槽的过程中，当进入至卡槽的前部时，第一插条和第三插条被压缩向第二插条靠拢，当进入至卡槽的后部时，由于卡槽的厚度为开放体，第一插条和第三插条自动向外弹开以从卡座内外露出。卡槽的当要实现卡舌和卡座的卡扣时，将卡舌插入卡槽中，这时，第一插条和第三插条外露于卡座；当要实现卡舌和卡座的拆卸时，只需捏合第一插条和第三插条以使得卡舌拔出于卡槽。
滑接件可包括设置在滑舌和与该滑舌配合以供滑舌滑动的滑轨。滑轨的形式可列举出二种，第一种是两条平行的凸条，凸条之间形成供滑舌卡入的滑动腔。为了使得滑舌更好地卡入滑动腔内，滑动腔为“凸”字形，于此对应地，滑舌也为该“凸”字形。滑轨的第二种形式为开设在底座50内部的滑孔。同理地，为了使得滑舌更好地卡入滑孔内，滑孔为“凸”字形，于此对应地，滑舌也为该“凸”字形。滑舌和滑轨中至少一者可为弹性结构。即，滑舌为可发生弹性形变的材质制成，诸如以丁腈橡胶、三元乙丙橡胶等为代表的高弹性模量的橡胶材质，滑轨为刚性的金属材质。或者地，滑轨为可发生弹性形变的材质制成，滑舌为刚性的金属材质。或者地，二者均为可发生弹性形变的材质制成。
至于底座50和上盖60的形式，可以采用圆形盖和方形盖等。
阴极片20、透水绝缘膜和阳极片4040可以直接容置于底座50和上盖60盖合之内。当然还可通过设置安装件将三者叠加设置。具体地，电解室还包括用以安装阳极片4040并且设置于电解区外的阳极安装盖80。阳极片4040可以设置在阳极安装盖80的表面。至于安装的方式可以通过紧固件。阳极安装盖80的主表面面积可大于阳极片4040。
制氢组件用以安装阴极片20并且设置于电解区外的阴极安装片70。阴极片20可以设置在阴极安装片70的表面。至于安装的方式可以通过紧固件。阴极安装片70的主表面面积可大于阴极片20。
上述控制电路可以通过电路板的形式安装在盆体210的外缘部，即非接触水的部位。控制电路的作用是用来对制氢组件的输入电流或输入电压进行调节，该调节可以是稳压、稳流、升压等调节。
为了使得盆体210内的水形成搅动水流，可在盆体210内设置气泡生成器(图中未示出)。气泡生成器可设置在盆体的内表面。气泡生成器可采用现有的形式，如中国专利CN202767190U所述，具体为：该包括外环和内盘。内盘呈圆盘状，沿内盘的圆周，内盘的内侧(也即进水端)边缘均匀地设有多个柱形的第一凸起以打散及缓冲水流，相邻的第一凸起之间形成流过水流的第一间隙。外环呈环状，内盘位于外环中，并且外环的侧壁和内盘的边缘通过多个连接块连接，内盘的边缘和外环的侧壁之间的空隙形成出水孔。为了使水流更均匀，内盘的内侧的中心区域设有扁平的圆柱形的中心凸起。以及，中心凸起的中心区域设有一凹槽。内盘的外侧(也即出水端)的中心区域垂直设置一个立柱，以引导水流。为了增进气泡生成效果，内盘的内侧还均匀地设有多个柱形的第二凸起以打散及缓冲水流，相邻的第二凸起之间形成流过水流的第二间隙。第二凸起位于第一凸起包围的区域内，并且每一第二凸起与每一第一间隙对应。
本例中，盆体210可以包括套接的外盆211和内盆220。外盆211和内盆220可以拆卸或不可拆卸的方式套接。
在盆体210内还可设有温度传感器(图中未示出)。温度传感器可位于盆体210的内表面。温度传感器电连接控制电路，以便于对温度进行盆体210内的温度进行诸如恒温方式的监控。
上述未述及之处，适用于现有技术。
尽管以上较多使用了表示结构的术语，例如“控制电路”、“阴极片”、“阳极片”等，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种足浴盆，其特征在于，包括盆体，和设置于所述盆体内的制氢组件和电连接所述制氢组件的控制电路；所述制氢组件包括阴极片和阳极片，所述阴极片和阳极片不接触并且围成一电解区。
2.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括设置于所述阴极片和阳极片之间的透水绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片依次叠加设置。
4.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述阴极片为钛片。
5.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述阳极片为钛片。
6.根据权利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括底座和上盖，所述底座和上盖盖合以形成一容置所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片的容置腔。
7.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括用以安装阴极片并且设置于所述电解区外的阴极安装片。
8.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，还包括设置于所述盆体内的气泡生成器。
9.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述盆体包括套接的外盆和内盆。
10.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，还包括设置于所述盆体内的温度传感器。
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