CN106841845A - 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统 - Google Patents

一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN106841845A
CN106841845A CN201611160352.9A CN201611160352A CN106841845A CN 106841845 A CN106841845 A CN 106841845A CN 201611160352 A CN201611160352 A CN 201611160352A CN 106841845 A CN106841845 A CN 106841845A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electronic device
pixel chip
tested electronic
tested
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611160352.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106841845B (zh
Inventor
孙向明
刘军
许怒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong Normal University
Original Assignee
Huazhong Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong Normal University filed Critical Huazhong Normal University
Priority to CN201611160352.9A priority Critical patent/CN106841845B/zh
Publication of CN106841845A publication Critical patent/CN106841845A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106841845B publication Critical patent/CN106841845B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/001—Measuring interference from external sources to, or emission from, the device under test, e.g. EMC, EMI, EMP or ESD testing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统，将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定它们的空间相对位置；将被测电子器件和像素芯片置于束流中，辐射粒子从像素芯片的一侧沿直线穿过，射入被测电子器件，像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；监测被测电子器件的工作状态，若被测电子器件出现单粒子效应，记录与单粒子效应发生时间对应的辐射粒子射入像素芯片的时间为特征时间，特征时间对应的辐射粒子射入像素芯片的位置为特征位置；被测电子器件上与像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。本发明操作简单、实用性强，可以为被测电子器件抗辐射性能的研究提供参考信息。

Description

一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统
技术领域
本发明涉及分析电子器件的抗辐射性能，具体地指一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统。
背景技术
在一些特殊的有辐射的场合，能够使用的芯片需要满足一定的抗辐射性能的要求。普通的芯片在辐射的环境下会产生一些由辐射导致的效应，包括总剂量效应和单粒子效应。随着集成电路尺寸的减小和氧化层厚度的减薄，单粒子现象越来越受到研究人员的重视。这些单粒子效应包括单粒子翻转，单粒子瞬态，单粒子锁定，单粒子烧毁，单粒子栅穿和单粒子功能中断等。研究这些单粒子效应的机理对于抗辐射器件的设计具有重要意义。
目前对于单粒子效应的研究方法，主要集中于采用束流测试方法：将工作中的被测电子器件放在束流上，看被测电子器件各种单粒子效应发生的几率，如果发生的几率小于一定的数值，则认为被测电子器件具有抗辐射能力。这是目前切实可行并且有效的方法，但是这种方法收集到的关于单粒子效应产生机理的信息不够充分，无法知道具体打到被测电子器件哪个位置的辐射粒子产生了单粒子效应，这就很难对被测电子器件的加固设计提供准确的优化方向。
发明内容
本发明的目的是为了要解决上述背景技术的不足，提供一种能测量引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置的电子器件抗辐射性能测试方法和系统。
实现本发明目的采用的技术方案之一：方案一是一种电子器件抗辐射性能测试方法，包括如下步骤：
1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；
2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将像素芯片面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述像素芯片的一侧沿直线穿过，射入所述被测电子器件，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；
3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；
4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
优选的，所述像素芯片厚度可小于200微米。
优选的，所述被测电子器件和像素芯片可通过固定装置平行放置，所述固定装置可包括像素芯片绑定板1.2、被测器件读出板1.4、摄像头1.8和定位柱1.6，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板可通过定位柱平行固定；所述像素芯片绑定板上可设有一个窗口，所述像素芯片1.1可固定于像素芯片绑定板的窗口上，所述被测电子器件可固定于被测器件读出板上与像素芯片相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。
实现本发明目的采用的技术方案之二：方案二是另一种电子器件抗辐射性能测试方法，包括如下步骤：
1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；
2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将被测电子器件面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述被测电子器件的一侧沿直线穿过，射入所述像素芯片，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；
3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；
4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
优选的，所述被测电子器件厚度可小于200微米。
优选的，所述被测电子器件和像素芯片可通过固定装置平行放置，所述固定装置可包括像素芯片绑定板、被测器件读出板、摄像头和定位柱，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板可通过定位柱平行固定；所述被测器件读出板上可设有一个窗口，所述被测电子器件可固定于被测器件读出板的窗口上，所述像素芯片可固定于像素芯片绑定板上与被测电子器件相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。
在方案一或方案二中，优选的，所述像素芯片与所述被测电子器件的间距可小于1厘米。
在方案一或方案二中，优选的，所述束流可由加速器产生，所述束流的所有辐射粒子可沿同一方向直线运动，束流参数要求。
在方案一或方案二中，优选的，所述像素芯片可为高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片。
在方案一或方案二中，优选的，所述像素芯片和所述被测电子器件可均为未封装的芯片。
在方案一或方案二中，优选的，所述像素芯片可固定在像素芯片绑定板面向被测器件读出板的一面，所述被测电子器件可固定在被测器件读出板面向像素芯片绑定板的一面。
此外，本发明还提供一种电子器件抗辐射性能测试系统，该系统包括像素芯片、被测电子器件、像素芯片读出板、被测器件读出板和上位机；
所述像素芯片用来输出每个辐射粒子射入的位置和时间数据至所述像素芯片读出板；
所述像素芯片读出板用来对接收到的辐射粒子射入位置和时间数据进行打包处理后发送给所述上位机；
所述被测电子器件用来输出其工作状态至所述被测器件读出板；
所述被测器件读出板用来根据接收到的所述被测电子器件的工作状态确定所述被测电子器件的单粒子效应发生时间，并将所述被测电子器件的单粒子效应发生时间发送给上位机；
所述上位机用来对接收到的辐射粒子射入像素芯片的位置和时间数据、被测电子器件的单粒子效应发生时间进行数据处理，得到引发单粒子效应的辐射粒子射入所述被测电子器件的位置。
优选的，所述上位机内可存储有辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应位置、以及辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应时间，所述上位机可计算与所述被测电子器件的单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述上位机可记录所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置，所述上位机可计算所述被测电子器件上与所述像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
优选的，所述上位机可用来发送像素芯片控制命令给所述像素芯片读出板，所述像素芯片读出板可用来解析所述上位机的像素芯片控制命令并传送给所述像素芯片。
优选的，所述像素芯片读出板可用来控制所述像素芯片和所述被测电子器件的工作时钟。
优选的，所述被测器件读出板可用来发送被测电子器件控制命令给所述被测电子器件。
优选的，所述像素芯片读出板可为FPGA。
优选的，所述像素芯片可为高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片。
本发明的工作原理：将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于加速器产生的束流中，所述像素芯片与被测电子器件的空间位置经过仔细标定，并且所述像素芯片与被测电子器件的时钟严格同步。辐射粒子从所述像素芯片的一侧入射并穿透后打在所述被测电子器件上，或者辐射粒子从所述被测电子器件的一侧入射并穿透后打在所述像素芯片上。所述像素芯片可以记录所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置信息和时间信息。像素芯片读出板将上述位置信息和时间信息传送到上位机。同时，所述被测电子器件受到辐射粒子入射引发的单粒子效应的发生时间也同步地被传送到上位机。上位机通过后续的数据分析就可以知道被测电子器件的相应区域在什么时刻被辐射粒子击中并产生了单粒子效应。
本发明提出采用像素芯片来定位辐射粒子在被测电子器件的入射位置的方法，采用高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片作为像素芯片，使其具有很高的空间分辨能力、时间分辨能力以及足够的抗辐射能力，达到定位要求。本发明操作简单、工作稳定，实用性强，可以为被测电子器件抗辐射性能的研究提供参考信息。
附图说明
图1为本发明所述固定装置的立体图；
图2为本发明所述固定装置的爆炸图；
图3为本发明所述电子器件抗辐射性能测试系统的系统框图
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1
本实施例涉及一种电子器件抗辐射性能测试方法，步骤如下：
1)将被测电子器件与像素芯片通过固定装置平行放置。
固定装置如图1、2所示，包括像素芯片绑定板1.2、被测器件读出板1.4、摄像头1.8、定位柱1.6、与定位柱对应的螺丝1.7。所述像素芯片绑定板1.2和所述被测器件读出板1.4通过定位柱1.6和螺丝1.7平行固定。所述像素芯片绑定板1.2上设有一个窗口，所述像素芯片1.1固定于像素芯片绑定板1.2面向被测器件读出板1.4一面的窗口上，所述被测电子器件1.3固定于被测器件读出板1.4面向像素芯片绑定板1.2一面与像素芯片1.1相对应的位置。所述定位柱1.6的长度固定，使所述被测电子器件1.3和像素芯片1.1尽可能距离接近，间距小于1厘米。
所述摄像头1.8位于所述像素芯片绑定板1.2上，所述被测器件读出板1.4上印有与摄像头1.8一一对应的光学标记1.5。所述摄像头1.8的焦距根据定位柱1.6的长度调整到合适状态。在固定装置装配好的情况下，所述光学标记1.5在与其对应的摄像头1.8的拍摄范围以内。
所述像素芯片1.1采用未封装的高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片，所述像素芯片1.1厚度小于200微米，所述被测电子器件1.3也为未封装的芯片。所述像素芯片绑定板1.2用来将像素芯片1.1的管脚引出。
2)标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置。
将像素芯片1.1和被测电子器件1.3分别安装到所述像素芯片绑定板1.2和所述被测器件读出板1.4上。采用光学坐标定位仪分别定位所述像素芯片绑定板1.2上的摄像头1.8和像素芯片1.1之间的相对位置，以及所述被测器件读出板1.4上的光学标记1.5和被测电子器件1.3之间的相对位置，精度在10微米以内。
通过定位柱1.6和螺丝1.7安装好固定装置，使所述被测电子器件1.3和像素芯片1.1平行放置。通过摄像头1.8拍摄到其对应的光学标记1.5的位置，可以定位出所述被测器件读出板1.4上的光学标记1.5和与其对应的所述像素芯片绑定板1.2上的摄像头1.8之间的相对位置，精度在10微米以内。再根据前面得到的摄像头1.8和像素芯片1.1之间的相对位置、光学标记1.5和被测电子器件1.3之间的相对位置，计算出所述像素芯片1.1和被测电子器件1.3之间的相对位置。
3)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，所述束流由加速器产生，所述束流的所有辐射粒子沿同一方向直线运动。将像素芯片绑定板面向所述束流发射方向，使所述被测电子器件和像素芯片的表面与所述辐射粒子的运动方向垂直。所述辐射粒子穿过所述像素芯片绑定板的窗口，从所述像素芯片的外侧垂直入射并穿透后射入所述被测电子器件。所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间。
4)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间最接近的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间。在所述特征时间，射入所述像素芯片的辐射粒子因击中被测电子器件引发了所述被测电子器件的单粒子效应。所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置。
5)根据像素芯片与被测电子器件之间的相对位置关系、以及辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的角度计算出辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应位置，根据上述对应位置计算被测电子器件上与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
在本实施例中，也可将固定装置的被测器件读出板1.4在被测电子器件1.3的固定处设置一个窗口，在检测时，将被测器件读出板面向束流发射方向，使所述辐射粒子穿过所述被测电子器件的窗口，从所述被测电子器件的外侧垂直入射并穿透后射入所述像素芯片。所述摄像头可位于所述被测器件读出板上，所述像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记。
实施例2
本实施例涉及实现实施例1所述方法的一种电子器件抗辐射性能测试系统。
图3所示的电子器件抗辐射性能测试系统，包括像素芯片、被测电子器件、像素芯片读出板、被测器件读出板和上位机。所述像素芯片读出板采用FPGA。所述像素芯片用来输出每个辐射粒子射入的位置和时间数据至所述像素芯片读出板。所述像素芯片读出板用来对接收到的辐射粒子射入位置和时间数据进行打包处理后通过USB接口发送给所述上位机。所述被测电子器件用来输出其工作状态至所述被测器件读出板。所述被测器件读出板用来根据接收到的所述被测电子器件的工作状态确定所述被测电子器件的单粒子效应发生时间，并将所述被测电子器件的单粒子效应发生时间发送给上位机。所述上位机用来对接收到的辐射粒子射入像素芯片的位置和时间数据、被测电子器件的单粒子效应发生时间进行数据处理：所述上位机内存储有所述像素芯片和被测电子器件之间的相对位置数据、辐射粒子射入所述像素芯片和被测电子器件的角度数据，以及同一辐射粒子射入所述像素芯片和被测电子器件之间的时间关系；所述上位机根据所述辐射粒子射入像素芯片和被测电子器件之间的时间关系，计算与所述被测电子器件的单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，在所述特征时间，射入所述像素芯片的辐射粒子引发了所述被测电子器件的单粒子效应；所述上位机记录所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；所述上位机根据存储的所述像素芯片和被测电子器件之间的相对位置数据、以及辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的角度计算出辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应位置，所述上位机根据上述对应位置计算所述被测电子器件上与所述像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
所述上位机还用来发送像素芯片控制命令给所述像素芯片读出板，所述像素芯片读出板通过USB接口接收后解析所述像素芯片控制命令并传送给所述像素芯片，来控制像素芯片的开启、关闭及其他工作状态。所述像素芯片读出板还用来控制所述像素芯片的工作时钟，并且所述像素芯片读出板通过发送信号给所述被测器件读出板的控制模块来控制所述被测电子器件的工作时钟，使所述像素芯片与被测电子器件的时钟严格同步。所述被测器件读出板还用来发送被测电子器件控制命令给所述被测电子器件，来控制被测电子器件的开启、关闭及其他工作状态。
本发明不局限于上述实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术原理和方案或在本发明的启示下所做出的若干改进、改变、润饰、变形、替换也视为本发明专利的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；
2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将像素芯片面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述像素芯片的一侧沿直线穿过，射入所述被测电子器件，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；
3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；
4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
2.一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；
2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将被测电子器件面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述被测电子器件的一侧沿直线穿过，射入所述像素芯片，所述像素芯片输出所述每个辐射粒子射入的位置和时间；
3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；
4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
3.根据权利要求1所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片厚度小于200微米。
4.根据权利要求2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述被测电子器件厚度小于200微米。
5.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片与所述被测电子器件的间距小于1厘米。
6.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述束流由加速器产生，所述束流的所有辐射粒子沿同一方向直线运动。
7.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片为高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片。
8.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片和所述被测电子器件均为未封装的芯片。
9.根据权利要求1所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述被测电子器件和像素芯片通过固定装置平行放置，所述固定装置包括像素芯片绑定板(1.2)、被测器件读出板(1.4)、摄像头(1.8)和定位柱(1.6)，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板通过定位柱平行固定；所述像素芯片绑定板上设有一个窗口，所述像素芯片(1.1)固定于像素芯片绑定板的窗口上，所述被测电子器件固定于被测器件读出板上与像素芯片相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。
10.根据权利要求2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述被测电子器件和像素芯片通过固定装置平行放置，所述固定装置包括像素芯片绑定板、被测器件读出板、摄像头和定位柱，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板通过定位柱平行固定；所述被测器件读出板上设有一个窗口，所述被测电子器件固定于被测器件读出板的窗口上，所述像素芯片固定于像素芯片绑定板上与被测电子器件相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。
11.根据权利要求9或10所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片固定在像素芯片绑定板面向被测器件读出板的一面，所述被测电子器件固定在被测器件读出板面向像素芯片绑定板的一面。
12.一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，包括像素芯片、被测电子器件、像素芯片读出板、被测器件读出板和上位机；
所述像素芯片用来输出每个辐射粒子射入的位置和时间数据至所述像素芯片读出板；
所述像素芯片读出板用来对接收到的辐射粒子射入位置和时间数据进行打包处理后发送给所述上位机；
所述被测电子器件用来输出其工作状态至所述被测器件读出板；
所述被测器件读出板用来根据接收到的所述被测电子器件的工作状态确定所述被测电子器件的单粒子效应发生时间，并将所述被测电子器件的单粒子效应发生时间发送给上位机；
所述上位机用来对接收到的辐射粒子射入像素芯片的位置和时间数据、被测电子器件的单粒子效应发生时间进行数据处理，得到引发单粒子效应的辐射粒子射入所述被测电子器件的位置。
13.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述上位机内存储有辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应位置、以及辐射粒子射入所述像素芯片和所述被测电子器件的对应时间，所述上位机计算与所述被测电子器件的单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述上位机记录所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置，所述上位机计算所述被测电子器件上与所述像素芯片的特征位置相对应的位置即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。
14.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述上位机用来发送像素芯片控制命令给所述像素芯片读出板，所述像素芯片读出板用来解析所述上位机的像素芯片控制命令并传送给所述像素芯片。
15.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述像素芯片读出板用来控制所述像素芯片和所述被测电子器件的工作时钟。
16.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述被测器件读出板用来发送被测电子器件控制命令给所述被测电子器件。
17.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述像素芯片读出板为FPGA。
18.根据权利要求12所述的一种电子器件抗辐射性能测试系统，其特征在于，所述像素芯片为高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片。
CN201611160352.9A 2016-12-15 2016-12-15 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统 Active CN106841845B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611160352.9A CN106841845B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611160352.9A CN106841845B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106841845A true CN106841845A (zh) 2017-06-13
CN106841845B CN106841845B (zh) 2021-06-29

Family

ID=59140393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611160352.9A Active CN106841845B (zh) 2016-12-15 2016-12-15 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106841845B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169785A (zh) * 2017-12-07 2018-06-15 山东航天电子技术研究所 一种元器件空间辐射效应探测装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007046010A2 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Universidade Do Minho X-ray imaging matrix with light guides and intelligent pixel sensors, radiation or high energy particle detector devices that contain it, its fabrication process and its use
CN101158705A (zh) * 2007-11-22 2008-04-09 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 获取单粒子现象截面与重离子线性能量转移关系的方法
US20080173814A1 (en) * 2001-01-10 2008-07-24 Ebara Corporation Electron beam inspection system and inspection method and method of manufacturing devices using the system
CN102062574A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 北京视博数字电视科技有限公司 一种测量物体的三维坐标的方法和装置
CN102760629A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 Fei公司 用于使用粒子光学设备来确定重构图像的方法
CN103063961A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 中国科学院微电子研究所 一种单粒子效应测试装置及系统
CN103675546A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 北京时代民芯科技有限公司 图像传感器的单粒子效应检测装置
CN103680640A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 北京时代民芯科技有限公司 一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法
CN104096318A (zh) * 2014-06-24 2014-10-15 华中师范大学 基于像素传感芯片的强子束流监控装置及方法
CN104505125A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 中国科学院微电子研究所 一种多通道sram单粒子测试方法及装置
CN105738940A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 西北核技术研究所 一种用于束流剖面均匀性在线测量的探测器

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080173814A1 (en) * 2001-01-10 2008-07-24 Ebara Corporation Electron beam inspection system and inspection method and method of manufacturing devices using the system
WO2007046010A2 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Universidade Do Minho X-ray imaging matrix with light guides and intelligent pixel sensors, radiation or high energy particle detector devices that contain it, its fabrication process and its use
CN101158705A (zh) * 2007-11-22 2008-04-09 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 获取单粒子现象截面与重离子线性能量转移关系的方法
CN102062574A (zh) * 2009-11-17 2011-05-18 北京视博数字电视科技有限公司 一种测量物体的三维坐标的方法和装置
CN102760629A (zh) * 2011-04-26 2012-10-31 Fei公司 用于使用粒子光学设备来确定重构图像的方法
CN103063961A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 中国科学院微电子研究所 一种单粒子效应测试装置及系统
CN103675546A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 北京时代民芯科技有限公司 图像传感器的单粒子效应检测装置
CN103680640A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 北京时代民芯科技有限公司 一种存储器电路的激光模拟单粒子效应背辐照试验方法
CN104096318A (zh) * 2014-06-24 2014-10-15 华中师范大学 基于像素传感芯片的强子束流监控装置及方法
CN104505125A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 中国科学院微电子研究所 一种多通道sram单粒子测试方法及装置
CN105738940A (zh) * 2016-04-26 2016-07-06 西北核技术研究所 一种用于束流剖面均匀性在线测量的探测器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CÉDRIC VIRMONTOIS ET.AL: "Radiation-Induced Dose and Single Event Effects in Digital CMOS Image Sensors", 《IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE》 *
王祖军: "CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应", 《半导体光电》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108169785A (zh) * 2017-12-07 2018-06-15 山东航天电子技术研究所 一种元器件空间辐射效应探测装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106841845B (zh) 2021-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2512502T3 (es) Aparato y método para la detección de materiales radiactivos
CN104965216B (zh) 基于射线源在轨标定系统的探测器探测效率标定的方法
US9194963B2 (en) Scintillating module, positron emission tomography, ion beam profiler, ion beam filter, and ion beam generating device using scintillating module
CN106841845A (zh) 一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统
Li et al. Calculation model and method of target damage efficiency assessment based on warhead fragment dispersion
EP2950119B1 (en) System and method for verifying a particle beam
Iyyani Observations and physics of prompt emission of gamma ray bursts
Duzellier et al. Recent trends in single-event effect ground testing
Karlen Near detectors for the T2K experiment
CN109632837B (zh) 伴随粒子中子检测的自动时间标定方法
CN112285758B (zh) 一种核辐射场探头、探测器和探测系统
CN109143311A (zh) 一种探测原子核内部物质结构的装置及其方法
CN108169785A (zh) 一种元器件空间辐射效应探测装置
Zuyev et al. Experimental setup for studying N–N correlations in reaction d+ 2 H→ n+ n+ p+ p
Bravar et al. Atmospheric neutron measurements with the SONTRAC science model
Karavdina Preparation for the accurate luminosity measurement by antiproton-proton elastic scattering and feasibility study for observation of hc hadronic decay modes at the PANDA experiment
Marcowitz Asymmetry in the Elastic Scattering of Polarized Protons by Deuterium
Li et al. Error calibration for kinetic energy of rock burst ejected fragments based on the binocular high-speed photography system
Bravar et al. FNIT: the fast neutron imaging telescope for SNM detection
RU2593433C1 (ru) Способ и устройство для измерения профиля нейтронного пучка (пучков)
Cavicchioli Development and Commissioning of the Pixel Trigger System for the ALICE experiment at the CERN Large Hadron Collider
De Marco et al. Performance of the Zero Degree Calorimeters for the ALICE experiment
Krüger Common running of calorimeter prototypes
Degtyarenko et al. Investigation of cumulative Λ 0-particle properties nuclear scaling and search for baryonrich quark-gluon plasma
CN116540290A (zh) 主动变能强子的能量验证方法、装置、设备及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant